JPS63318761A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- JPS63318761A JPS63318761A JP15499587A JP15499587A JPS63318761A JP S63318761 A JPS63318761 A JP S63318761A JP 15499587 A JP15499587 A JP 15499587A JP 15499587 A JP15499587 A JP 15499587A JP S63318761 A JPS63318761 A JP S63318761A
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電力用半導体装置の改良に関するものであ
る。
る。
この種の従来装置として第６図ないし第８図に示すもの
がある。図において、ＩＩＨ；を大口径のウェハ、（２
）ばこのウェハｍに拡散及び写真製版技術により形成さ
れた５１角形チツプ領域、（３１にＮｍ領域からなる陰
極、（４）はＰ十領域からなるゲート電極、（５）は陽
極、（６１は陰極（３）の上部に配置され、ウェハ＋１
１と同様の熱膨張率のモリブデン板からなる熱補償板、
（７）は陽極（５）の下部に配置され、同様にモリブデ
ン板からなる熱補償板、＋８１１４両熱補償板＋６１
ｆ７）を夫々角形チップ領域（２）の陰極（３１並びに
陽極（５）に合金固着するロー材で、例えばアルミニウ
ム、又はアルミ−シリコン、又は半田等が使用される。
がある。図において、ＩＩＨ；を大口径のウェハ、（２
）ばこのウェハｍに拡散及び写真製版技術により形成さ
れた５１角形チツプ領域、（３１にＮｍ領域からなる陰
極、（４）はＰ十領域からなるゲート電極、（５）は陽
極、（６１は陰極（３）の上部に配置され、ウェハ＋１
１と同様の熱膨張率のモリブデン板からなる熱補償板、
（７）は陽極（５）の下部に配置され、同様にモリブデ
ン板からなる熱補償板、＋８１１４両熱補償板＋６１
ｆ７）を夫々角形チップ領域（２）の陰極（３１並びに
陽極（５）に合金固着するロー材で、例えばアルミニウ
ム、又はアルミ−シリコン、又は半田等が使用される。
（９）はＰＮ接合部の表面処理の為に化学的エツチング
により堀設されたメサ溝に塗、右後焼成された鉛系ガラ
スである。
により堀設されたメサ溝に塗、右後焼成された鉛系ガラ
スである。
上記のように構成されたものにおいては、ウェハ［１１
に形成された５１角形チツプ領域（２）は、夫々ダイヤ
モンドホイールにてＳｔ衣表面細Ｓ−を加工した後、ウ
ェハ全体を押し割ることにより、エキスバンドフィルム
（図示せず）上で個々のチップ（１０）に分断される。
に形成された５１角形チツプ領域（２）は、夫々ダイヤ
モンドホイールにてＳｔ衣表面細Ｓ−を加工した後、ウ
ェハ全体を押し割ることにより、エキスバンドフィルム
（図示せず）上で個々のチップ（１０）に分断される。
その後、熱補償板（７）、ロー材（８）。
チップ（１０１、ロー材（８）、熱補償板（６）を順次
組立てし、水素合金炉で合金固着により夷遺される。
組立てし、水素合金炉で合金固着により夷遺される。
従来の電力用半導体装置は、以上のように構成され、シ
リコンチップと熱補償板とが半田等の口−付により固着
されるため、その際の熱ストレスによるシリコンのそり
、及びロー付治其の加工精度の違いによるエレメントの
そり等で、エレメントの陽極面と陰極面の平行度にバラ
ツキが発生したり、ロー材のはみ出しが発生し、従って
外装に組立して圧接するとチップに割れが生じたり、又
ぼみ出したロー材によりガラスパッシベーション部分の
側面距離が短くなって耐圧劣化を生じさせる等の問題点
があった。
リコンチップと熱補償板とが半田等の口−付により固着
されるため、その際の熱ストレスによるシリコンのそり
、及びロー付治其の加工精度の違いによるエレメントの
そり等で、エレメントの陽極面と陰極面の平行度にバラ
ツキが発生したり、ロー材のはみ出しが発生し、従って
外装に組立して圧接するとチップに割れが生じたり、又
ぼみ出したロー材によりガラスパッシベーション部分の
側面距離が短くなって耐圧劣化を生じさせる等の問題点
があった。
この発明に上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エレメントの陽極側と陰極側の平行度を改善
できるとともに、ガラスパッシベーション部分の側面距
離を長くでき、電気的特性を改善できる電力用半導体装
置を得ることを目的とする。
たもので、エレメントの陽極側と陰極側の平行度を改善
できるとともに、ガラスパッシベーション部分の側面距
離を長くでき、電気的特性を改善できる電力用半導体装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る電力用半導体装置は、半導体素子の両極
面に熱補償板を直接接触させ、上記半導体素子並びに上
記熱補償板の周囲を樹脂で固着させたものである。
面に熱補償板を直接接触させ、上記半導体素子並びに上
記熱補償板の周囲を樹脂で固着させたものである。
この発明における電力用半導体装置は、各熱補償板が半
導体素子の両極面に直接接触した状態で、半導体素子並
びに熱補償板の周囲に樹脂が成形されており、合金ロー
材による固着作業を廃止でき、チップの両極面の平行度
が向上すると共にメサ溝部分へのロー材のはみ出しを防
止できる。
導体素子の両極面に直接接触した状態で、半導体素子並
びに熱補償板の周囲に樹脂が成形されており、合金ロー
材による固着作業を廃止でき、チップの両極面の平行度
が向上すると共にメサ溝部分へのロー材のはみ出しを防
止できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ないし第３図において、（ＩＩｌ［チップ（ｌＯ）の
周囲と各熱補償板＋６１ ＋７１の周囲とを一体的にモ
ールドして固着する樹脂であり、鉛系ガラス（９）部分
を確実に保護している。
図ないし第３図において、（ＩＩｌ［チップ（ｌＯ）の
周囲と各熱補償板＋６１ ＋７１の周囲とを一体的にモ
ールドして固着する樹脂であり、鉛系ガラス（９）部分
を確実に保護している。
その他の符号の説明は従来装置と同様につき省略する。
上記のように構成される大電力用半導体装置は、特殊な
金型（治具）にチップＴｌ０Ｉ 、熱補償板ｆａｔ ｍ
を順番に組立し、両極面を圧接した状態で樹脂（１１）
を流し込んで固着し、一体化している。
金型（治具）にチップＴｌ０Ｉ 、熱補償板ｆａｔ ｍ
を順番に組立し、両極面を圧接した状態で樹脂（１１）
を流し込んで固着し、一体化している。
第４図は他の実施例を示すもので、樹脂（Ｉｌｌは熱補
償板（６１（７１の軸方向端面外周をも包っているため
、陰＋４（３ｔ 、陽極（５１と熱補償板ｆｉ＋ ＋７
１との接触状態は確実に維持される。また、第５図のよ
うに熱補償板（［ｉｌ （７＋の面に例えばなし地面の
ように凹凸を形成することにより、更に強固に固着され
、信頼性が著しく同上する。
償板（６１（７１の軸方向端面外周をも包っているため
、陰＋４（３ｔ 、陽極（５１と熱補償板ｆｉ＋ ＋７
１との接触状態は確実に維持される。また、第５図のよ
うに熱補償板（［ｉｌ （７＋の面に例えばなし地面の
ように凹凸を形成することにより、更に強固に固着され
、信頼性が著しく同上する。
以上のようにこの発明により、５１チツプと熱補償板を
樹脂によって一体化したので、合金時の熱ストレスやＳ
ｔチップのそりが無くなり、５１割れを防止でき、メサ
溝部分での放電防止ができる効果がある。
樹脂によって一体化したので、合金時の熱ストレスやＳ
ｔチップのそりが無くなり、５１割れを防止でき、メサ
溝部分での放電防止ができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はそ
のウェハの状態を示す斜視図、第３図はそのチップ状態
を示す斜視図、８４図はこの発明の池の実施例を示す部
分断面図、第５図はこの発明の更に池の実施例を示す部
分断面図、第６図は従来装置の断面図、第７図は従来装
置のウェハの状態を示す斜視図、第８図はそのチップの
状態を示す斜視図である。 図中、（３）は陰極、（６）は陽極、＋６１ （７１は
熱補償板、ｔｌｏｌ ｆｄチップ、（川は樹脂である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
のウェハの状態を示す斜視図、第３図はそのチップ状態
を示す斜視図、８４図はこの発明の池の実施例を示す部
分断面図、第５図はこの発明の更に池の実施例を示す部
分断面図、第６図は従来装置の断面図、第７図は従来装
置のウェハの状態を示す斜視図、第８図はそのチップの
状態を示す斜視図である。 図中、（３）は陰極、（６）は陽極、＋６１ （７１は
熱補償板、ｔｌｏｌ ｆｄチップ、（川は樹脂である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体素子の両極面に熱補償板を配置する電力用半導体
装置において、上記半導体素子の両極面に上記熱補償板
を直接接触させ、上記半導体素子並びに上記熱補償板の
周囲を樹脂で固着させたことを特徴とする電力用半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499587A JPS63318761A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499587A JPS63318761A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318761A true JPS63318761A (ja) | 1988-12-27 |
Family
ID=15596407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15499587A Pending JPS63318761A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63318761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994023454A1 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-13 | Siemens Components, Inc. | A pedestal lead frame for supporting a semiconductor chip |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15499587A patent/JPS63318761A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994023454A1 (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-13 | Siemens Components, Inc. | A pedestal lead frame for supporting a semiconductor chip |
| US5506425A (en) * | 1993-03-31 | 1996-04-09 | Siemens Components, Inc. | Semiconductor device and lead frame combination |
| KR100326487B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-08-08 | 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션 | 반도체칩을지지하기위한받침대리드프레임 |
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