JPS63318173A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置の製造方法

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JPS63318173A
JPS63318173A JP62152951A JP15295187A JPS63318173A JP S63318173 A JPS63318173 A JP S63318173A JP 62152951 A JP62152951 A JP 62152951A JP 15295187 A JP15295187 A JP 15295187A JP S63318173 A JPS63318173 A JP S63318173A
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JP
Japan
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pellet
lens
stem
lead
semiconductor device
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JP62152951A
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English (en)
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Kuniyuki Unnen
雲然 國幸
Masanobu Koga
古賀 正信
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New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ステム部及びレンズ部を有する発光ダイオー
ド(LED)、フォトダイオードなどの光半導体装置の
製造方法に関し、特に、そのステム部及びレンズ部を共
に射出成形法によって別r程で成形する技術に関するも
のである。
[従来の技術] 従来、この種の光半導体装置の製造方法としては、第3
図に示すように、リードフレーム1に起立した一対のリ
ードピンla、Ibの終端部分に対し射出成形法によっ
てステム部2を形成する[程と1次に、一方のリードピ
ン1aの端面ヒに発光又は受光ペレット3を導電性ペー
ストによって接続して搭載し、その電極部と他方のリー
ドピン1hの端面を金属細線4で接続する工程と、しか
る後。
公知のディスペンサ装置5のノズル部5aから既に成形
されたステム部2のペレット3側面に対し液状透明樹脂
を滴下塗布(ポツティングモールド)し、高温乾燥によ
りその液滴を硬化せしめドーム状のレンズ部6を形成す
る工程とを有するものである。レンズ部6はペレット3
に対する発光又は受光の指向性ないし集光性を高めるも
のであるが、ペレット3及び金属細線4を封1卜する機
能も備えている。この後、タイバー1c及びリードピン
切断部1dを切断して単体の光半導体装置が作成される
。かかる製造方法はボッティングモールド法と呼ばれて
いるが、他に注型モールド法が知られている。即ち、注
型モールド法は、第4図に示すように、リードフレーム
lの一方のリードピンlaの端面!二に発光又は受光ペ
レット3を導電性ペーストによって接続搭載し、そのペ
レット3の所定電極部と他方のリードビンlbの端面と
を金属細線4で接続する工程と、次に、鋳型保持具7に
てリードフレームlのピッチ毎に保持された雌型8に充
填した液状透明樹脂9に対し、リードフレーム1のペレ
ット3側を挿入浸漬し、高温乾燥により液状透明樹脂を
硬化せしめ、雌型8に相当するドーム状のレンズ部を含
む外周器を形成した後、雌型8より引き抜く工程を有す
るものである。その後、タイバー10及びリードピン切
断部1dを切断して単体の光半導体装置が作成される。
[解決すべき問題点] しかしながら、上記各製造方法にあっては次の問題点が
ある。
■ボッティングモールド法にあっては、ステム部2を形
成した後で、金属細線4を接続するものであり、ステム
部2の構成樹脂の耐熱特性に限界があるため、加熱温度
の高い熱圧着ワイヤポンダを使用することができず、超
音波熱圧着併用ワイヤポンダか、超音波ワイヤポンダの
みの使用を余儀なくされている。また、液状透明樹脂材
の滴下によってレンズ部6を形成するものであるから、
樹脂の粘度1表面強力1重力などによって、その滴量の
定量精度が出にくり、特に、多数個取りの場合には時間
差によって粘度が左右されるので、レンズ部6の寸法、
形状にバラツキが現われる。
■注型モールド法にあっては、ポツティングモールド法
による場合に比し、レンズ部の寸法、形状は一定とをる
が、リードフレームlと鋳型保持具7とは目的機能が異
なるため、同一材質でなく、熱膨張係数が異なるので、
液状透明樹脂9の高温乾燥時において両者間に寸法の食
い違いを生じさせることとをり、多数個取りの成形にあ
ってはリードビンIa、lbのピッチとレンズ部のピッ
チにズレを惹起させる。また、雌型8内へ挿入するリー
ドビン1a、1bの先端部についての位置決め手段を設
けることができないので、ペレット3とレンズ部の中心
とが合せずらい、更に、ステム部は透明樹脂を以てレン
ズ部と一体的にそのまま形成され、したがってステム部
は圧力成形されていないので、かかる点からして強度が
不十分であることは勿論、レンズ部は透明体であること
が必要で、樹脂強化のための充填剤を混入することがで
きないから、ステム部の強度は実用上不十分で、リード
ビン1a、la間の開き加減によっては割れを生じる場
合がある。
[発明の目的] 本発明は、i−記問題を解決するものであり、次の事項
を目的とする光半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
■ベレットの所定電極部と他のリードビンとを導線で接
続する場合、熱圧着ワイヤポンディング法も使用できる
こと。
■ステム部を充分な強度で形成できること。
■レンズ部の寸法、形状が常に一定で、ペレットを中心
にした配置のレンズ部を高精度に形成できること。
[問題点の解決手段] 上記各目的をすべて達成するため、本発明に係る光半導
体装置の製造方法は1次の■〜■の工程を有するもので
ある。
■先ず、リードフレームの一方のリードビンの端面上に
発光又は受光ペレットを搭載した後、該ペレットの所定
電極部と他方のリードビンの端面とを導線で接続する工
程があること。
■搭藏された該ペレット及び接続された該導線を含めて
透明樹脂材料を用いた射出成形法によって該ペレットを
中心とするレンズ部を形成する工程があること。
■該しンズ部射出成形工程の前又は後において、両リー
ドピンのうち搭・成された該ペレット及び接続された該
導線を含まず該レンズ部に隣接すべき部分に対し射出成
形によってステム部を形成する工程があること。
[作用] かかる構成の光半導体装置の製造方法によれば、ステム
部の成形以前にペレットの搭載及び導線の接続が行なわ
れるので、支障なく熱圧着ワイヤポンディング法を用い
ることが可能であり、またステム部とレンズ部は夫々別
の射出成形によって形成されることから、夫々の機能を
具有させるべく、強度の高いステム部を形成でき、しか
もレンズ部の外面形状を常に一定にし得ると共に、リー
ドピン又はステム部を位置決め手段として利用できるの
で、レンズ部の中心にペレットを高精度に配置した高品
質の光半導体装置を提供できる。
[実施例] 次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明に係る光半導体装置のSJ造方法の第
1実施例における各工程を示す拡大縦断面図である。
−t4のリードピンla、lbを多数個有するリードフ
レーム1を用意し、一方のリードピン1aの端面に導電
性ペーストによって発光又は受光ペレ・ノド3を接続搭
載する0次に、そのベレー、ト3の所定電極部(図示せ
ず)と他方のリードピンIbの端面とを金属細線4で接
続する。かかる金属細線4の接続作業においては、ステ
ム部が未だ作成されていないことから、熱圧着ワイヤポ
ンディング法など、適宜のワイヤポンディング法を自由
に用いることができる。
次に、素子部としての塔載されたペレット3及び接続さ
れた金属細線4を下型10のドーム状凹面10a内に位
置させると共に1割型の上型11でり一ドビン1a、1
bの終端部をクランプしつつ下型10aを閉じる。かか
る状態においては、リードピン1aが下型lOのドーム
状凹面10aの中心を通るよう位置決めされる。この型
合せが完了すると、ドーム状凹面10a内に液状透明樹
脂が射出され、その硬化によって第1図(B)に示す如
くのレンズ部12が成形される0作成されたレンズ部1
2は下型10のドーム状凹面10aに沿う歪みなき凸面
12aを有し、射出成形による圧縮力付与によって均一
密度を保有する。また、割型のE型11を利用してり−
ドビン!aを位置決めできるから、ペレット3をレンズ
部12の中心に合せることができる。なお。
パーティングラインPLはレンズ部の端面12b縁部と
その端面12bのうちリードピン1aを通る線上に形成
されるが、レンズ部12の凸面L2aには存在せず、光
学的指向性などの支障にはならない。
次に、第1図(B)に示す如く、ステム部を形成すべき
凹所13aを有する割型13でリードピンla。
lbをクランプしつつレンズ部12の端面12b近傍部
に充填剤を混入した液状樹脂を射出せしめ、その硬化に
よってステム部を成形する。ここで、レンズ部12の端
部12b寄りは凹所13aに一部嵌合されている。かか
る工程によって充分な圧縮力付与及び充填剤の混入によ
って、高い強度のステム部が形成される。なお、この後
、タイバー1c及びり−ドピン切断部1dを切断して単
体の光半導体装置が作成される。
第2図は1本発明に係る光半導体装置の製造方法の第2
実施例における各工程を示す拡大縦断面図である。
本実施例においても、第1実施例と同様に、まず、一方
のリードピンlaの端面に4電性ペーストによって発光
又は受光ペレット3をm l&した後、そのペレット3
の所定電極部(図示せず)と他方のリードピンtb端面
とを熱圧着ワイヤポンディング法などを以て金属細線4
で接続する。
次に、第2図(A)に示す如く、ステム部形状の空洞1
5aを有する割型15でペレット3及び金属細線4を避
けたリードピンla、lbの終端部をクランプしつつ、
その空洞15a内へ充填剤を混入させた液状樹脂を射出
せしめ、その硬化によってステム部16が成形される。
射出圧及び充填剤の混入によって充分な強度のステム部
16が得られる。
次に、第2図(B)に示す如く、下型17のドーム状凹
面+7a内にペレット3及び金属細線4を位置させ、ス
テム部1Bを入れた割型の上型18を下型17に合致さ
せた後、ドーム状凹面1?a内に液状透明樹脂を射出せ
しめ、レンズ部を成形する。このレンズ部成形工程にお
いては、下型17と一ヒ型18の位置決め及びリードピ
ンl♂に対する上型18のクランプによって、ペレット
3はレンズ部の中心位置に配置され、光軸をズレなく合
せることができる。
レンズ部の凸面はドーム状凹面17aの型通りに歪みな
く形成されることは勿論、レンズ部自体の強度も高く、
ペレー2ト3の気密保持効果が従来に比し高くなる。な
お、この後、タイバー10及びり一ドビン切断部1bを
切断して単体の光半導体装置が作成される。
[発明の効果] 以り説明したよ′うに1本発明に係る光半導体装置の製
造方法は、リードピンの先端に発光又は受光ペレットを
搭載した後、電極部を導線で接続し、しかる後、射出成
形法によるステム部の成形と射出成形法によるレンズ部
の成形とをいずれか一方を先にして別々に施す点に特徴
を有するものであるから、次の効果を奏する。
■ステム部成形前にペレット搭載及び導線接続工程があ
るから、ステム部に対する加熱温度上の制限がなく、熱
圧着ワイヤポンディング法など各種のポンディング法を
自由に用いることができ、固着強度などを強くできる。
■ステム部及びレンズ部は独立した射出成形法により形
成されるので、ステム部の成形においては充填剤の混入
を行なうことができると共に、射出による強い圧縮力に
よってステム部の強度を充分高くすることができ、リー
ドピンの開きゃ曲げによるステム部及びレンズ部の割れ
などが発生せず、歩留りの向上に寄与する。
■また、レンズ部も射出成形法によって成形されるので
、レンズ面を金型面通りの滑り面仕上げとすることがで
きると共に、射出圧による稠密なレンズ部を作成でき、
ペレットに対する気密保護ないし耐湿性を一層高めるこ
とができる。更に、リードピンを金型で位置決めできる
ことから、ペレットの位置を高精度にレンズ部の中心に
合致させることができる。加えて、各種レンズ形状など
を比較的容易に成形でき、指向特性ないし受光特性の異
なる高品質の光半導体装置を各種提供できる。
■リードピンを位置決め手段として利用できるから、多
数個取りの射出成形の場合にあっても、各レンズ部及び
ステム部の寸法のくるいを抑制でき1歩留りの大幅向上
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)  、 (B)は1本発明に係る光半導体
装置の製造方法の第1実施例における各工程を示す拡大
縦断面図である。 第2図(A)  、 (B)は、本実施例に係る光半導
体装置の製造方法の第2実施例における各工程を示す拡
大縦断面図である。 第3図は、従来の光半導体装置の製造方法に係るポツテ
ィングモールド法を示す拡大縦断面図である。 第4図は、従来の別の光半導体装置の製造方法に係る注
型モールド法を示す拡大縦断面図である。 1 * * * IJ−ドアL/−ム、 la、 lb
@* *リードピン、IC・・・タイバー、ldφ−・
リードピン切断部、3・拳・発光又は受光ペレット、4
・・・金属細線、lO・・・ドーム状凹面を有する下型
、10a ・・・ドーム状凹面、11−・・割型の上型
。 12−・・レンズ部、12a・・・凸面、13−−・凹
所を有する割型、13a ・・・凹所、 15−−・空
洞を有する割型、15a・・・空洞、16・・・ステム
部、17・・・ドーム状凹面を有する下型、17a・・
・ドーム状凹面、 18・・・割型の上型。 出願人     新日本無線株式会社 代理人弁理士   山 1)  稔 第 1 図            (A)(B) 第2図   (A)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 先ず、リードフレームの一方のリードピンの端面上に発
    光又は受光ペレットを搭載した後、該ペレットの所定電
    極部と他方のリードピンの端面とを導線で接続する工程
    と、 搭載された該ペレット及び接続された該導線を含めて透
    明樹脂材料を用いた射出成形法によって該ペレットを中
    心とするレンズ部を形成する工程と、 該レンズ部射出成形工程の前又は後において、両リード
    ピンのうち搭載された該ペレット及び接続された該導線
    を含まず該レンズ部に隣接すべき部分に対し射出成形に
    よってステム部を形成する工程と、 を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
JP62152951A 1987-06-19 1987-06-19 光半導体装置の製造方法 Pending JPS63318173A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251485A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Sharp Corp 発光装置のレンズ成形方法
WO2003056637A2 (de) * 2001-12-24 2003-07-10 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
JP2009272342A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Sunx Ltd 発光モジュール、光電センサ及び光ファイバセンサ、並びに発光モジュールの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251485A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Sharp Corp 発光装置のレンズ成形方法
WO2003056637A2 (de) * 2001-12-24 2003-07-10 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
WO2003056637A3 (de) * 2001-12-24 2004-06-03 G L I Global Light Ind Gmbh Verfahren zum herstellen von lichtleitenden led-körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten stufen
US7232536B2 (en) 2001-12-24 2007-06-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Method for producing light-guiding LED bodies in two spatially and temporally separate steps
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
JP2009272342A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Sunx Ltd 発光モジュール、光電センサ及び光ファイバセンサ、並びに発光モジュールの製造方法

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