JPS63316467A - 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS63316467A JPS63316467A JP15202687A JP15202687A JPS63316467A JP S63316467 A JPS63316467 A JP S63316467A JP 15202687 A JP15202687 A JP 15202687A JP 15202687 A JP15202687 A JP 15202687A JP S63316467 A JPS63316467 A JP S63316467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten silicide
- atomic
- thin film
- silicon
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000584 Cl alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 101100273639 Carassius auratus ccna1 gene Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 229910018485 SF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
- H01L28/24—Resistors with an active material comprising a refractory, transition or noble metal, metal compound or metal alloy, e.g. silicides, oxides, nitrides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＤ／Ａ変換回路、Ａ／Ｄ変換回路等の抵抗素子
を有する高集積、高密度ＭＯ８半導体装置の電気抵抗体
及びその製造方法に関する。
を有する高集積、高密度ＭＯ８半導体装置の電気抵抗体
及びその製造方法に関する。
高精度かつ温度特性良好な薄膜抵抗体として７０原子％
以上９０原子％以下のシリコンを含むタングステンシリ
サイドを用いる。
以上９０原子％以下のシリコンを含むタングステンシリ
サイドを用いる。
製造方法はシリコン基板上の絶縁股上に被着したノンド
ープ多結晶シリコン上にスパッタリング法または化学気
相成長法（ＣＶ Ｄ）によりタングステンシリサイドを
被着させ、タングステンシリサイド及びノンドープ多結
晶シリコンを同時にパターニングし、絶縁膜にシリコン
基板及びゲート金属との電気的結合を得る為のコンタク
ト孔を開け、配線金属を被着し、タングステンシリサイ
ドのＮＮとなる部分はウェットエツチングにより、配線
となる部分はドライエツチングにより別々にパターニン
グし、非酸化性雰囲気中で４００〜４５０°Ｃの熱処理
を行なう。
ープ多結晶シリコン上にスパッタリング法または化学気
相成長法（ＣＶ Ｄ）によりタングステンシリサイドを
被着させ、タングステンシリサイド及びノンドープ多結
晶シリコンを同時にパターニングし、絶縁膜にシリコン
基板及びゲート金属との電気的結合を得る為のコンタク
ト孔を開け、配線金属を被着し、タングステンシリサイ
ドのＮＮとなる部分はウェットエツチングにより、配線
となる部分はドライエツチングにより別々にパターニン
グし、非酸化性雰囲気中で４００〜４５０°Ｃの熱処理
を行なう。
第４図及び第５図に従来の薄膜抵抗体を存する半導体装
置を示す。通常薄膜抵抗体として第４図に示ずＮｉ−Ｃ
１，合金または第５図に示すＣＬ −ＳｉＯ合金が用い
られ、薄Ｖ 抵抗体のパターニングにはウニ、・トエノ
チングが用いられる。例えばＮｉ −ＣＬ合金の場合に
は硝酸、塩酸、水の混合液または塩酸。
置を示す。通常薄膜抵抗体として第４図に示ずＮｉ−Ｃ
１，合金または第５図に示すＣＬ −ＳｉＯ合金が用い
られ、薄Ｖ 抵抗体のパターニングにはウニ、・トエノ
チングが用いられる。例えばＮｉ −ＣＬ合金の場合に
は硝酸、塩酸、水の混合液または塩酸。
水の混合液か用いられ、ＣＬ−５ｉＯ合金の場合には塩
酸、水の混合液または硫酸、水の混合液が用いられる。
酸、水の混合液または硫酸、水の混合液が用いられる。
しかし、従来の方法では薄膜抵抗体のパターニングに化
学反応によるウェットエツチングを用いており、エツチ
ングが等方的に進むためいわゆるアンダーカットが生し
寸法制御が困難であった。
学反応によるウェットエツチングを用いており、エツチ
ングが等方的に進むためいわゆるアンダーカットが生し
寸法制御が困難であった。
従って、抵抗値に誤差が生じやすく高精度品への適用に
は極めて難しい状況にある。またエツチング後の溶液は
ＣＬ等の人体に有害な物質を含んでおり、その汲いや処
理方法及び処理に要する費用等の問題も有している。
は極めて難しい状況にある。またエツチング後の溶液は
ＣＬ等の人体に有害な物質を含んでおり、その汲いや処
理方法及び処理に要する費用等の問題も有している。
上記問題点を解決するために本発明は、７１ｉ膜抵抗体
として７０原子％以上９０原子％以下のシリコンを含む
タングステンシリサイドを用い、パターニングはドライ
エツチングで行なうようにした。
として７０原子％以上９０原子％以下のシリコンを含む
タングステンシリサイドを用い、パターニングはドライ
エツチングで行なうようにした。
第２図に７５原子％のシリコンを含むタングステンシリ
サイドを水素雰囲気中で４２０℃の熱処理した場合のシ
ート抵抗値の温度特性を示す。平均抵抗温度係数（Ｔ
ＣＤ）は＋４００ｐｐｍ ／ ℃であり、Ｎ１−ＣＬ合
金のＴＣＤ±１００ｐρＩｌ／℃以内に比べると若干劣
るが、ＣＬ−５ｉＯ合金のＴ ＣＤ ＋ ２００〜−４
００ｐｐｍ／℃に対して何ら遜色がなく、十分に抵抗体
として通用し得る。
サイドを水素雰囲気中で４２０℃の熱処理した場合のシ
ート抵抗値の温度特性を示す。平均抵抗温度係数（Ｔ
ＣＤ）は＋４００ｐｐｍ ／ ℃であり、Ｎ１−ＣＬ合
金のＴＣＤ±１００ｐρＩｌ／℃以内に比べると若干劣
るが、ＣＬ−５ｉＯ合金のＴ ＣＤ ＋ ２００〜−４
００ｐｐｍ／℃に対して何ら遜色がなく、十分に抵抗体
として通用し得る。
またタングステンシリサイドはドライエツチングが可能
な合金であり、特に反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
を使うとより微細なパターンが高精度に加工され、第１
図の場合タングステンシリサイド膜厚が１２００人でシ
ート抵抗値が約１２８Ω／口であるが、より高いシート
抵抗値を持つＮｉ −ＣＬ合金やＣＬ−５ｉＯ合金を使
った場合と同程度の抵抗値精度を持つ抵抗体を作製する
のに同程度または以下の面積で済む。
な合金であり、特に反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
を使うとより微細なパターンが高精度に加工され、第１
図の場合タングステンシリサイド膜厚が１２００人でシ
ート抵抗値が約１２８Ω／口であるが、より高いシート
抵抗値を持つＮｉ −ＣＬ合金やＣＬ−５ｉＯ合金を使
った場合と同程度の抵抗値精度を持つ抵抗体を作製する
のに同程度または以下の面積で済む。
さらにドライエツチング使用可能な利点としてウェット
エツチングの場合のような廃液の心配がなく、安全性、
コストの点で非常に有利である。
エツチングの場合のような廃液の心配がなく、安全性、
コストの点で非常に有利である。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。第１図ｔａｌはシリコン基板１上のシリコン熱酸化膜
２上にＣＶＤによりシリコン酸化膜４を１１１．着し、
さらにＣＶＤによりノンドープ多結晶シリコン６を約５
００大破着した図を示す。このノンドープ多結晶ソリコ
ンロは、シリコン酸化膜４に直接タングステンシリサイ
ドを被着するとタングステンシリサイドは酸化膜に対す
る密着性が良くないため膜はがれが生し、それを防ぐた
めタングステンシリサイドと酸化膜の間に挿入する必要
がある。この多結晶シリコン６はノンドープであるため
、抵抗値やＴＣＰに全く影響を与えない。
。第１図ｔａｌはシリコン基板１上のシリコン熱酸化膜
２上にＣＶＤによりシリコン酸化膜４を１１１．着し、
さらにＣＶＤによりノンドープ多結晶シリコン６を約５
００大破着した図を示す。このノンドープ多結晶ソリコ
ンロは、シリコン酸化膜４に直接タングステンシリサイ
ドを被着するとタングステンシリサイドは酸化膜に対す
る密着性が良くないため膜はがれが生し、それを防ぐた
めタングステンシリサイドと酸化膜の間に挿入する必要
がある。この多結晶シリコン６はノンドープであるため
、抵抗値やＴＣＰに全く影響を与えない。
次に第１図（ｂｌに示すように７０原子％以上８０原子
％以下のシリコンを含むタングステンシリサイド７を５
００〜１５００人程度スパッタリング又はＣＶＤにより
ノンドープ多結晶シリコン６上に破着する。
％以下のシリコンを含むタングステンシリサイド７を５
００〜１５００人程度スパッタリング又はＣＶＤにより
ノンドープ多結晶シリコン６上に破着する。
タングステンシリサイドのシリコンとタングステンの組
成比はスパッタリングの場合にはターゲットの組成によ
り、ＣＶＤの場合には５ｉＨｓガスと畦。
成比はスパッタリングの場合にはターゲットの組成によ
り、ＣＶＤの場合には５ｉＨｓガスと畦。
ガスの流量比を調節する事により制御できる。
次にフォトリソグラフィ一工程によりフォトレジストを
パターニングし、そのフォトレジストをマスクとしてＲ
ＩＥによりタングステンシリサイド７及びノンドープ多
結晶シリコン６を一度にエツチングし、その後フォトレ
ジストを除去する。
パターニングし、そのフォトレジストをマスクとしてＲ
ＩＥによりタングステンシリサイド７及びノンドープ多
結晶シリコン６を一度にエツチングし、その後フォトレ
ジストを除去する。
（第１図（Ｃ））。このとき、エツチングガスとしてタ
ングステンシリサイドの場合には例えばＳＦ４やＣ，Ｃ
Ｉ Ｆ、、ノンドープ多結晶シリコンの場合には例えば
Ｃｃｎａ と使い分ける必要がある。しかし同−チェン
バー内で、タングステンシリサイドのエツチングエンド
ポイント検出を適格に行ない、ガスを変えることにより
タングステンシリサイドからノンドープ多結晶シリコン
のエツチングを連続して行える。
ングステンシリサイドの場合には例えばＳＦ４やＣ，Ｃ
Ｉ Ｆ、、ノンドープ多結晶シリコンの場合には例えば
Ｃｃｎａ と使い分ける必要がある。しかし同−チェン
バー内で、タングステンシリサイドのエツチングエンド
ポイント検出を適格に行ない、ガスを変えることにより
タングステンシリサイドからノンドープ多結晶シリコン
のエツチングを連続して行える。
次に第１図（ｄｌに示すように、フォトリソグラフィ一
工程によりフォトレジストをパターニングし、そのレジ
ストをマスクとしてドライエツチングまたはウェットエ
ツチングによりＣＶＤシリコン酸化膜４及びシリコン熱
酸化膜２にシリコン基板１中の不純物領域３またはゲー
ト金属５と電気的結合を得るためのコンタクト孔を開口
し、フォトレジストを除去した後配線金属８であるＡｅ
またはＡｌ−５ｔ合金をスパッタリングにより５０００
〜１００００人被着する。
工程によりフォトレジストをパターニングし、そのレジ
ストをマスクとしてドライエツチングまたはウェットエ
ツチングによりＣＶＤシリコン酸化膜４及びシリコン熱
酸化膜２にシリコン基板１中の不純物領域３またはゲー
ト金属５と電気的結合を得るためのコンタクト孔を開口
し、フォトレジストを除去した後配線金属８であるＡｅ
またはＡｌ−５ｔ合金をスパッタリングにより５０００
〜１００００人被着する。
次にフ大破リソグラフィー法によりタングステンシリサ
イド７の電極となる部分のみフォトレジストのパターニ
ングを行ない、他の部分はフォトレジストで覆っておき
ウェットエツチングにより配線金属８のパターニングを
行なう（第１図１ｆｌ）。
イド７の電極となる部分のみフォトレジストのパターニ
ングを行ない、他の部分はフォトレジストで覆っておき
ウェットエツチングにより配線金属８のパターニングを
行なう（第１図１ｆｌ）。
第３図ｉａｌはその様子の平Ｗｉ図である。
次にフォトレジストを除去した後新たなフォトリソグラ
フィ一工程によりタングステンシリサイド７及びその電
極部はフォトレジストで覆っておき配線となる部分のみ
パターニングし、ドライエツチングにより配線金属８の
パターン形成を行なう（第１図１ｆｌ）、第３図（ｂｌ
はその様子の平面図を示す。ドライエツチングにより一
回で配線金属パターニングすると、その場合エツチング
ガスとしてＣ１を含むハロゲン系のガスを使用するがこ
のガスはタングステンシリサイドのエツチングでもあり
、配線金属エツチング終了間隔に露出したタングステン
シリサイドがエツチングされ、抵抗値に誤差が生じ高精
度化及び１３頼性に欠ける。ウェットエツチングにより
配線金属バターニングを一度にする場合は、配線金属の
エノチンダ液であるリン酸にタングステンシリサイドは
浸されないが、微細な配線を要する高集積、高密度品へ
の適応はアンダーカットのため不向きである。従って上
記のようにタングステンシリサイド７の電極部と配線と
なる部分とを二回に分けてそれぞれウェットエツチング
とドライエツチングによりパターニングする事が必要で
ある。勿論配線が太いｇ集積、低密度品の場合には配線
金属パターニングはウェットエツチングでも構わない、
また上記とは逆に、先に微細配線をドライエツチングで
パターニングし、次にタングステンシリサイドの電極部
をウェットエツチングによりパターニングしても特性に
何ら影響は与えない。
フィ一工程によりタングステンシリサイド７及びその電
極部はフォトレジストで覆っておき配線となる部分のみ
パターニングし、ドライエツチングにより配線金属８の
パターン形成を行なう（第１図１ｆｌ）、第３図（ｂｌ
はその様子の平面図を示す。ドライエツチングにより一
回で配線金属パターニングすると、その場合エツチング
ガスとしてＣ１を含むハロゲン系のガスを使用するがこ
のガスはタングステンシリサイドのエツチングでもあり
、配線金属エツチング終了間隔に露出したタングステン
シリサイドがエツチングされ、抵抗値に誤差が生じ高精
度化及び１３頼性に欠ける。ウェットエツチングにより
配線金属バターニングを一度にする場合は、配線金属の
エノチンダ液であるリン酸にタングステンシリサイドは
浸されないが、微細な配線を要する高集積、高密度品へ
の適応はアンダーカットのため不向きである。従って上
記のようにタングステンシリサイド７の電極部と配線と
なる部分とを二回に分けてそれぞれウェットエツチング
とドライエツチングによりパターニングする事が必要で
ある。勿論配線が太いｇ集積、低密度品の場合には配線
金属パターニングはウェットエツチングでも構わない、
また上記とは逆に、先に微細配線をドライエツチングで
パターニングし、次にタングステンシリサイドの電極部
をウェットエツチングによりパターニングしても特性に
何ら影響は与えない。
最後に配線金属８上のフォトレジストを除去した後、配
線金属８と不純物領域３及びゲート金属５のシンターと
タングステンシリサイド８のアニールを兼ねた窒素また
は水素等の非酸化性雲囲気中で４００〜５００℃の熱処
理を行なう（第１図ｆｇｌ）。
線金属８と不純物領域３及びゲート金属５のシンターと
タングステンシリサイド８のアニールを兼ねた窒素また
は水素等の非酸化性雲囲気中で４００〜５００℃の熱処
理を行なう（第１図ｆｇｌ）。
本発明は以上説明したように、温度特性の良好な７０原
子％以上９０原子％以下のンリコンを含むタングステン
シリサイドを薄膜抵抗体として用い、そのパターニング
にＲＩＥを行なうことにより、安全性が高く、しかも高
情度に抵抗体を有する半導体装置を作製できる。
子％以上９０原子％以下のンリコンを含むタングステン
シリサイドを薄膜抵抗体として用い、そのパターニング
にＲＩＥを行なうことにより、安全性が高く、しかも高
情度に抵抗体を有する半導体装置を作製できる。
第１図＋ａ）〜（幻は本発明による薄膜抵抗体を有する
半導体装置の製造方法を示す工程順断面図、第２図は本
発明によるタングステンシリサイドシート抵抗値の温度
特性を示す図、第３図（ａ）、 Ｔｂｌはそれぞれ本発
明による配線金属のパターニングを示す平面図、第４図
は従来のＮｉ −Ｃｒ合金を薄膜抵抗体として用いた半
導体装置の断面図、第５図は従来のＣｒ −ＳｊＯ合金
を１膜抵抗体として用いた半導体装置の断面図である。 １．１１・・・シリコン基板 ２．１２・・・シリコン熱酸化膜 ３．１３・・・不純物領域 ４．１４・・・ＣＶＤシリコン酸化膜 ５、Ｉ５・・・ゲート金属 ６・・・・・ノンドープ多結晶シリコン７・・・・・タ
ングステンシリサイド ８．１６・・・配線金属 ９・・・・・電極パターン形成用フォトレジスト１０・
・・・・配線パターン形成用フォトレジスト１７・・・
・・Ｎｉ −Ｃｒ合金 １８・・・・・Ｃｒ ＳｉＯ合金 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務（他１名）ρ：！τ・≦
。 ｃ−′、・ ・４．Ｊ・ 第 １ 図 タン７ズＴ／シ１竹Ａドシー七獣巾し置の；−誓午千Ｉ
ツ図第 ２ 図 白び格金属のパワー二〉フ゛乞示Ｔ平面図第３図 第 ４ 図 第５図 手 続 ネ市 正 マ↑（自発） 昭和６２年 特 許 願 第１５２０２６号２、発明の
名称 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその型造方法３６補
正をする者 ４、代理人 ■１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５、Ｍ
正の対象 ６、補正の内容 ＋１１明細書第３頁の第８行目のｒＮｉ−ＣＬＪをｒＮ
ｉ−ＣｒＪと補正します。 （２）明細書第３頁の第８行目のｒＣＬ−３ｉｌｌをｒ
Ｃｒ−３ｉＯＪと補正しまず。 （３）明細書第３頁の第１０行目のｒＮ ｊ−ＣＬＪを
ｒＮｉ−ＣｒＪと補正します。 （４）明細書第３頁の第１２行目のｒＣＬ−３ｉＯＪを
ｒＣｒ−３ｉｌｌと補正します。 （５）明細書第４頁の第２行目のｒＣＬＪを「Ｃｒ」と
補正します。 （６）明細書第４頁の第１４行目と第１５行目及び第１
６行目のｒＴｃＤＪをｒＴｃＲＪと補正します。 （７）明細書第５頁の第４行目のｒＮｉ−ＣＬＪをｒＮ
ｉ−ＣｒＪと補正します。 （８）明細書第５頁の第５行目のｒＣＬ−３ｉｌｌをｒ
Ｃｒ−５ｉｌｌと補正します。 （９）第４図及び第５図を別紙の通り補正します。 以上 第４図 Ｂ 第５図
半導体装置の製造方法を示す工程順断面図、第２図は本
発明によるタングステンシリサイドシート抵抗値の温度
特性を示す図、第３図（ａ）、 Ｔｂｌはそれぞれ本発
明による配線金属のパターニングを示す平面図、第４図
は従来のＮｉ −Ｃｒ合金を薄膜抵抗体として用いた半
導体装置の断面図、第５図は従来のＣｒ −ＳｊＯ合金
を１膜抵抗体として用いた半導体装置の断面図である。 １．１１・・・シリコン基板 ２．１２・・・シリコン熱酸化膜 ３．１３・・・不純物領域 ４．１４・・・ＣＶＤシリコン酸化膜 ５、Ｉ５・・・ゲート金属 ６・・・・・ノンドープ多結晶シリコン７・・・・・タ
ングステンシリサイド ８．１６・・・配線金属 ９・・・・・電極パターン形成用フォトレジスト１０・
・・・・配線パターン形成用フォトレジスト１７・・・
・・Ｎｉ −Ｃｒ合金 １８・・・・・Ｃｒ ＳｉＯ合金 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務（他１名）ρ：！τ・≦
。 ｃ−′、・ ・４．Ｊ・ 第 １ 図 タン７ズＴ／シ１竹Ａドシー七獣巾し置の；−誓午千Ｉ
ツ図第 ２ 図 白び格金属のパワー二〉フ゛乞示Ｔ平面図第３図 第 ４ 図 第５図 手 続 ネ市 正 マ↑（自発） 昭和６２年 特 許 願 第１５２０２６号２、発明の
名称 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその型造方法３６補
正をする者 ４、代理人 ■１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号５、Ｍ
正の対象 ６、補正の内容 ＋１１明細書第３頁の第８行目のｒＮｉ−ＣＬＪをｒＮ
ｉ−ＣｒＪと補正します。 （２）明細書第３頁の第８行目のｒＣＬ−３ｉｌｌをｒ
Ｃｒ−３ｉＯＪと補正しまず。 （３）明細書第３頁の第１０行目のｒＮ ｊ−ＣＬＪを
ｒＮｉ−ＣｒＪと補正します。 （４）明細書第３頁の第１２行目のｒＣＬ−３ｉＯＪを
ｒＣｒ−３ｉｌｌと補正します。 （５）明細書第４頁の第２行目のｒＣＬＪを「Ｃｒ」と
補正します。 （６）明細書第４頁の第１４行目と第１５行目及び第１
６行目のｒＴｃＤＪをｒＴｃＲＪと補正します。 （７）明細書第５頁の第４行目のｒＮｉ−ＣＬＪをｒＮ
ｉ−ＣｒＪと補正します。 （８）明細書第５頁の第５行目のｒＣＬ−３ｉｌｌをｒ
Ｃｒ−５ｉｌｌと補正します。 （９）第４図及び第５図を別紙の通り補正します。 以上 第４図 Ｂ 第５図
Claims (2)
- （１）７０原子％以上９０原子％以下のシリコンを含む
タングステンシリサイドにより構成したことを特徴とす
る薄膜抵抗体を有する半導体装置。 - （２）シリコン基板上の絶縁膜上に被着したノンドープ
多結晶シリコン上にスパッタリング法または化学気相成
長法によりタングステンシリサイドを被着する工程と、
該タングステンシリサイド及び前記ノンドープ多結晶シ
リコンを同時にドライエッチングによりパターニングす
る工程と、前記シリコン基板およびゲート金属と電気的
結合を得るためのコンタクト孔を開口した後、配線金属
を被着する工程と、該配線金属の前記タングステンシリ
サイドの電極となる部分はウェットエッチングにより、
配線となる部分はドライエッチングによりパターニング
する工程と、非酸化性雰囲気中での４００〜４５０℃の
熱処理工程とから成る薄膜抵抗体を有する半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15202687A JPS63316467A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 |
| FR8805521A FR2614726A1 (fr) | 1987-04-30 | 1988-04-26 | Resistance a couche mince et procede de fabrication |
| DE19883814432 DE3814432A1 (de) | 1987-04-30 | 1988-04-28 | Duennschichtwiderstand und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15202687A JPS63316467A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316467A true JPS63316467A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15531436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15202687A Pending JPS63316467A (ja) | 1987-04-30 | 1987-06-18 | 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316467A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223456A (en) * | 1990-05-02 | 1993-06-29 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in an integrated circit using metal silicide |
| JPH05175428A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Nippon Precision Circuits Kk | 集積回路装置 |
| US5254874A (en) * | 1990-05-02 | 1993-10-19 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in a semiconductor circuit using metal silicide |
| JPH06326254A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Nec Corp | 抵抗素子の製造方法 |
| JP2013211360A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 抵抗素子の製造方法、抵抗素子および半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15202687A patent/JPS63316467A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223456A (en) * | 1990-05-02 | 1993-06-29 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in an integrated circit using metal silicide |
| US5254874A (en) * | 1990-05-02 | 1993-10-19 | Quality Semiconductor Inc. | High density local interconnect in a semiconductor circuit using metal silicide |
| JPH05175428A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Nippon Precision Circuits Kk | 集積回路装置 |
| JPH06326254A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Nec Corp | 抵抗素子の製造方法 |
| JP2013211360A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | 抵抗素子の製造方法、抵抗素子および半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4285761A (en) | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices | |
| US5503878A (en) | Method of preparing thin film resistors | |
| US5464500A (en) | Method for taper etching metal | |
| JPS62259469A (ja) | 半導体装置 | |
| US6165862A (en) | Method of producing a thin film resistor | |
| US5989970A (en) | Method for fabricating semiconductor device having thin-film resistor | |
| JPS63316467A (ja) | 薄膜抵抗体を有する半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6284534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3185677B2 (ja) | 高融点金属を用いた半導体装置の製造方法 | |
| GB2104290A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US6376889B1 (en) | Dielectric thin film element and process for manufacturing the same | |
| US6645875B2 (en) | Method of processing metal and method of manufacturing semiconductor device using the metal | |
| JPS5823928B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPH0360064A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63272064A (ja) | 薄膜抵抗体を有する半導体装置 | |
| JPS57193035A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS605230B2 (ja) | ジヨセフソン素子の製造方法 | |
| JPH0451050B2 (ja) | ||
| JPS5810855B2 (ja) | タソウハイセンコウゾウノセイホウ | |
| JPH0244701A (ja) | 薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS59124726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07245303A (ja) | 金属薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH06326254A (ja) | 抵抗素子の製造方法 | |
| JPH0251231A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH05136137A (ja) | 半導体装置の製造方法 |