JPS63316416A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPS63316416A JPS63316416A JP15188687A JP15188687A JPS63316416A JP S63316416 A JPS63316416 A JP S63316416A JP 15188687 A JP15188687 A JP 15188687A JP 15188687 A JP15188687 A JP 15188687A JP S63316416 A JPS63316416 A JP S63316416A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は4電性酸化物を内部電極として用いた積層セラ
ミックコンデンサに関するものである。
ミックコンデンサに関するものである。
従来の技術
大容量を目的とした積層セラミックコンデンサは、一般
にペロブスカイト構造を有するBaTiO3を主成分と
する誘電体層と内部電極層を交互に積層し、1250℃
〜1350℃で空気中で焼結する事によって得られる。
にペロブスカイト構造を有するBaTiO3を主成分と
する誘電体層と内部電極層を交互に積層し、1250℃
〜1350℃で空気中で焼結する事によって得られる。
斯かる高温での焼成が必要なためにOuやNi など
の安価な金属材料は酸化されて使用できず高価なpbが
使用され、積層セラミックコンデンサの低価格化の大き
なネックになっている。
の安価な金属材料は酸化されて使用できず高価なpbが
使用され、積層セラミックコンデンサの低価格化の大き
なネックになっている。
発明が解決しようとする問題点
従来、この問題を解決する手段の1つとして、高温でも
安定な導電性酸化物を内部電極として適用する事が検討
されてきた。たとえば、固付抵抗値〜10−2Ω6C−
をもつLa 2 N ; 04 の適用が提案されて
いる(ワールドコングレスオンハイテクセラミソクス7
1986 年6月24日〜28日ミラノで開催)。Ba
TiO3を誘電体層に用い、L a 2 N + 04
と1300℃程度で共焼結し、界面でのイオンの相互
拡散の検討が行なわれている。本発明者らも同様の実験
を行ない、コンデンサ特性を評価したところ、1KHz
でもtanδが10%以上と大きく、実用的なコンデン
サ特性を得るには、イオンの相互拡散層をさらに薄くす
る必要のある事が判明した。
安定な導電性酸化物を内部電極として適用する事が検討
されてきた。たとえば、固付抵抗値〜10−2Ω6C−
をもつLa 2 N ; 04 の適用が提案されて
いる(ワールドコングレスオンハイテクセラミソクス7
1986 年6月24日〜28日ミラノで開催)。Ba
TiO3を誘電体層に用い、L a 2 N + 04
と1300℃程度で共焼結し、界面でのイオンの相互
拡散の検討が行なわれている。本発明者らも同様の実験
を行ない、コンデンサ特性を評価したところ、1KHz
でもtanδが10%以上と大きく、実用的なコンデン
サ特性を得るには、イオンの相互拡散層をさらに薄くす
る必要のある事が判明した。
相互拡散層を薄くするには、低温で焼結させる技術を確
立する事が必要であり、BaTiO3に関してはLiF
+BaLiF3などの焼結助剤の添加によって900
℃乃至1100℃での焼結が可能であり、BaTiO3
以外の誘電体としては同じくペロブスカイト構造を有す
るPb(Fe1/2Nb1/2)。、7゜(Fe 2/
3 W+/3 ) 0.3003が同程度の温度で焼結
する事が知られているが、La2Ni04は1200℃
以上でないと焼結させる事が出来ず、低温で焼結し、誘
電体層との良好な接合界面を形成する導電性酸化物の探
索が必要であった。
立する事が必要であり、BaTiO3に関してはLiF
+BaLiF3などの焼結助剤の添加によって900
℃乃至1100℃での焼結が可能であり、BaTiO3
以外の誘電体としては同じくペロブスカイト構造を有す
るPb(Fe1/2Nb1/2)。、7゜(Fe 2/
3 W+/3 ) 0.3003が同程度の温度で焼結
する事が知られているが、La2Ni04は1200℃
以上でないと焼結させる事が出来ず、低温で焼結し、誘
電体層との良好な接合界面を形成する導電性酸化物の探
索が必要であった。
本発明は上記問題点に鑑み、内部電極として、安価で、
1000℃程度の低温焼結し、誘電体層と良好な界面を
形成しうる導電性酸化物を使用した特性の優れた積層セ
ラミックコンデンサを提供する目的でなされたものであ
る。
1000℃程度の低温焼結し、誘電体層と良好な界面を
形成しうる導電性酸化物を使用した特性の優れた積層セ
ラミックコンデンサを提供する目的でなされたものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的手段は
、ペロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブスカ
イト類似の構造を有する(ylxLax)(Bal 、
Sr、)2 c13o7. で表わされる導電性酸化
物から成る内部電極層を含み、900℃乃至1000℃
で焼結された事を特徴とする積層セラミックコンデンサ
にある。
、ペロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブスカ
イト類似の構造を有する(ylxLax)(Bal 、
Sr、)2 c13o7. で表わされる導電性酸化
物から成る内部電極層を含み、900℃乃至1000℃
で焼結された事を特徴とする積層セラミックコンデンサ
にある。
作用
本発明は導電性酸化物として(Yl−xLax)(Ba
1 、Sr、)20u307 a で表わされるもの
を使用しており、この導電性酸化物は900℃乃至10
00″Oでも焼結可能であり、誘電体層と積層して共焼
結した場合、イオンの相互拡散層が薄くでき、これKよ
るtanδの増大を抑制することができる。
1 、Sr、)20u307 a で表わされるもの
を使用しており、この導電性酸化物は900℃乃至10
00″Oでも焼結可能であり、誘電体層と積層して共焼
結した場合、イオンの相互拡散層が薄くでき、これKよ
るtanδの増大を抑制することができる。
また本発明の(Y lxL a x ) (B a 1
、S r y ) 2 Cu 307 dの組成範囲
は、0≦X≦1.0≦y≦1.0≦α≦1にあることが
好ましく、この時、固有抵抗値がρが10−2Ω・礪以
下と、従来のL a 2 N i O4の値に比べ低い
値のものが得られる。
、S r y ) 2 Cu 307 dの組成範囲
は、0≦X≦1.0≦y≦1.0≦α≦1にあることが
好ましく、この時、固有抵抗値がρが10−2Ω・礪以
下と、従来のL a 2 N i O4の値に比べ低い
値のものが得られる。
更に本発明のペロブスカイト構造を有する誘電体層とし
ては、LiF もしくはBaTiO3などの焼結助剤
を添加したBaT i03 f主成分とするものや、P
b(Fe1/2Nb1/2)0.70 (Fe2/3W
1/3 ) 0.3003よりなるものが好ましい。
ては、LiF もしくはBaTiO3などの焼結助剤
を添加したBaT i03 f主成分とするものや、P
b(Fe1/2Nb1/2)0.70 (Fe2/3W
1/3 ) 0.3003よりなるものが好ましい。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
図に本発明の一実柿例における積層セラミックコンデン
サの概念図を示す。
サの概念図を示す。
積層セラミックコンデンサは、図に示す様に数10μm
の誘電体層1と内部電極層2を積層【−で焼結し、接
続電極3を両端面につけろ事によって形成される。内部
電圧層2は一層おきに各々別の接続電極3に接続される
。この様な構造をもつ積層セラミックコンデンサのta
nδの要因の1つに内部電極層2の抵抗成分があり、抵
抗値比、容量C1周波数のとするとtanδ=(JJO
I’tで表わされるため、Rが小さい程tanδは小さ
くなり高周波特性のすぐれたコンデンサが得られろ事と
なる。
の誘電体層1と内部電極層2を積層【−で焼結し、接
続電極3を両端面につけろ事によって形成される。内部
電圧層2は一層おきに各々別の接続電極3に接続される
。この様な構造をもつ積層セラミックコンデンサのta
nδの要因の1つに内部電極層2の抵抗成分があり、抵
抗値比、容量C1周波数のとするとtanδ=(JJO
I’tで表わされるため、Rが小さい程tanδは小さ
くなり高周波特性のすぐれたコンデンサが得られろ事と
なる。
そこでまず、Y2O3、La2O3、BaCO3,5r
O03、CuOを出発原料とし、各々の必要量を秤量し
エタノール中で12時間混合し、乾燥後900℃〜10
00″Cで10時間〜20時間、焼成、粉砕を数回くり
返し内部電極用導電性酸化物を作成した。固有抵抗値ρ
の測定は、上記粉末試料を2 ton/c11!の圧力
で13眉φのベレットにし、950℃で2時間焼結させ
たものを用いて行なったo (”1−x””x)(B
a1−yS’y)2Cu307−(1でx。
O03、CuOを出発原料とし、各々の必要量を秤量し
エタノール中で12時間混合し、乾燥後900℃〜10
00″Cで10時間〜20時間、焼成、粉砕を数回くり
返し内部電極用導電性酸化物を作成した。固有抵抗値ρ
の測定は、上記粉末試料を2 ton/c11!の圧力
で13眉φのベレットにし、950℃で2時間焼結させ
たものを用いて行なったo (”1−x””x)(B
a1−yS’y)2Cu307−(1でx。
yを変化させ、また、焼結雰囲気、降温速度をかえαを
変化させて焼結を行なったところ、0≦X≦1.0≦y
≦1、O≦α≦1の範囲にある時にρ≦10〜2Ω・(
1)が得られ、x”:O1y二〇、α〜0.5 の場
合にはρ〜5xlO−3Ω−傭 であった。α〉1.0
ではρ> 10−2Ω・備 となり実用的には望ましく
ない。
変化させて焼結を行なったところ、0≦X≦1.0≦y
≦1、O≦α≦1の範囲にある時にρ≦10〜2Ω・(
1)が得られ、x”:O1y二〇、α〜0.5 の場
合にはρ〜5xlO−3Ω−傭 であった。α〉1.0
ではρ> 10−2Ω・備 となり実用的には望ましく
ない。
上記組成範囲にある4電性酸化物45グにメタノール1
4.59、ポリビニルブチラール(PVB)2.3ノ、
ジ−n−ブチルフタレート(DBP)1.57を加え混
合しスラリーを作成し、以下の実姉例に示す実験を行な
った。
4.59、ポリビニルブチラール(PVB)2.3ノ、
ジ−n−ブチルフタレート(DBP)1.57を加え混
合しスラリーを作成し、以下の実姉例に示す実験を行な
った。
〈実施例1〉
1重量%のLiF を添加したB a T i O3
と3重量%のB a L i F 3を添加したBaT
iO3を用い公知の方法で厚さ40μm のグリーンシ
ートラ作成し、両面に厚さ40μm で導電性酸化物x
= 0、y=Q、α=0.5 のスラリーを塗布し
、乾燥後8履角に切断し20〜30ケの試料を白金ボー
ドにのせ所定の温度で2時間焼結を行なった。
と3重量%のB a L i F 3を添加したBaT
iO3を用い公知の方法で厚さ40μm のグリーンシ
ートラ作成し、両面に厚さ40μm で導電性酸化物x
= 0、y=Q、α=0.5 のスラリーを塗布し
、乾燥後8履角に切断し20〜30ケの試料を白金ボー
ドにのせ所定の温度で2時間焼結を行なった。
焼結した試料の両面の電極層の各々の一端に0、IHφ
のリード線を取付はコンデンサ特性を測定した。本実櫂
例では積層セラミックコンデンサの基本構成要素である
内部電極層/誘電体層/内部電極層についての評価を行
なった。この基本構成要素を複数枚積層する事によって
図に示すような積層セラミックコンデンサが得られるが
、積層数と共に容量Cは比例して増大し、抵抗Rは比例
して減少するのでtanδ二WORは上記基本構成要素
での評価で充分である。
のリード線を取付はコンデンサ特性を測定した。本実櫂
例では積層セラミックコンデンサの基本構成要素である
内部電極層/誘電体層/内部電極層についての評価を行
なった。この基本構成要素を複数枚積層する事によって
図に示すような積層セラミックコンデンサが得られるが
、積層数と共に容量Cは比例して増大し、抵抗Rは比例
して減少するのでtanδ二WORは上記基本構成要素
での評価で充分である。
焼結温度が800“C,900℃、1000℃1110
0℃の場合のl0KH2でのfanδは焼結助剤の種類
によらず各々11%、5%、4チ、7チであり、900
℃以上の焼結温度で10チ以下のfanδが得られたが
、1100℃の焼結では試料の面ワレが生じ実用的には
900℃乃至1000℃が望ましい。
0℃の場合のl0KH2でのfanδは焼結助剤の種類
によらず各々11%、5%、4チ、7チであり、900
℃以上の焼結温度で10チ以下のfanδが得られたが
、1100℃の焼結では試料の面ワレが生じ実用的には
900℃乃至1000℃が望ましい。
〈実施例2〉
実施例1においてLiFもしくはB a L r F
3を添加したBaT i03のかわりにPb(Fe1/
2 Nb 1/2)0.70 (”e 2/3 W1/
3 ) 0.3003 を用い、導電性酸化物として、
x = 0 、5、y=0.5、α=0.5 の組成
のものを用い、焼結温度1000℃で試料を作成し、1
0KHzでのtanδとして4%を得た。
3を添加したBaT i03のかわりにPb(Fe1/
2 Nb 1/2)0.70 (”e 2/3 W1/
3 ) 0.3003 を用い、導電性酸化物として、
x = 0 、5、y=0.5、α=0.5 の組成
のものを用い、焼結温度1000℃で試料を作成し、1
0KHzでのtanδとして4%を得た。
発明の効果
以上要するに本発明による積層セラミックコンデンサは
、内部電極として(Yl−xLax)(Bal 、Sr
、)2cu307−atを使用したもノテあり、900
℃乃至1000’Cの低温で焼結可能であるため、誘電
体層との界面でのイオンの相互拡散が小さく、特性のす
ぐれた安価なコンデンサを実現する事か出来る。
、内部電極として(Yl−xLax)(Bal 、Sr
、)2cu307−atを使用したもノテあり、900
℃乃至1000’Cの低温で焼結可能であるため、誘電
体層との界面でのイオンの相互拡散が小さく、特性のす
ぐれた安価なコンデンサを実現する事か出来る。
図は本発明の一実施例におけるセラミックコンデンサの
概念を示す断面図である。 1・・・誘電体層、2・・・内部電極層、接続電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名l誘
f体層
概念を示す断面図である。 1・・・誘電体層、2・・・内部電極層、接続電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名l誘
f体層
Claims (4)
- (1)ペロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブ
スカイト類似の構造を有する(Y_1_−_xLa_x
)(Ba_1_−_ySr_y)_2CuO_7_−_
x′で表わされる導電性酸化物から成る内部電極層を含
み、900℃乃至1000℃で焼結された事を特徴とす
る積層セラミックコンデンサ。 - (2)導電性酸化物が0≦x≦1、0≦y≦1、0≦α
≦1の範囲にある事を特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の積層セラミックコンデンサ。 - (3)ペロブスカイト構造を有する誘電体層が、BaT
iO_3を主成分とし、焼結助剤としてLiFもしくは
BaLiF_3を含む事を特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の積層セラミックコンデンサ。 - (4)ペロブスカイト構造を有する誘電体層が、Pb(
Fe_1_/_2Nb_1_/_2)_0_._7_0
(Fe_2_/_3W_1_/_3)0.30O_3よ
り成る事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の積層
セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15188687A JPS63316416A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15188687A JPS63316416A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63316416A true JPS63316416A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15188687A Pending JPS63316416A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63316416A (ja) |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15188687A patent/JPS63316416A/ja active Pending
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