JPH01261809A - 積層型誘電体素子 - Google Patents
積層型誘電体素子Info
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- JPH01261809A JPH01261809A JP63089833A JP8983388A JPH01261809A JP H01261809 A JPH01261809 A JP H01261809A JP 63089833 A JP63089833 A JP 63089833A JP 8983388 A JP8983388 A JP 8983388A JP H01261809 A JPH01261809 A JP H01261809A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層セラミックコンデンサや積層圧電アクチ
ュエータ等に用いられる、導電性酸化物を内部電極とし
て用いた積層型誘電体素子に関するものである。
ュエータ等に用いられる、導電性酸化物を内部電極とし
て用いた積層型誘電体素子に関するものである。
従来の技術
近年、積層型誘電体素子、とくに、積層セラミックコン
デンサと積層圧電アクチュエータに対する関心が高まり
つつある。いずれも誘電体の泥漿を7−ト状にして電極
インクを印刷したものを多層積み重ねて、電極を内部に
含ませたまま焼結する事によって製造され、コンデンサ
では小型大容量化が、アクチュエータでは発生力の増大
が達成される。これらの素子の焼結温度は、一般に12
50℃〜1350℃であり、斯かる高温での空気中焼成
ではCuやNiなどの安価な金属材料は酸化されて使用
できず、高価なPdが使用されるため、素子の低価格化
の大きなネックになっている。
デンサと積層圧電アクチュエータに対する関心が高まり
つつある。いずれも誘電体の泥漿を7−ト状にして電極
インクを印刷したものを多層積み重ねて、電極を内部に
含ませたまま焼結する事によって製造され、コンデンサ
では小型大容量化が、アクチュエータでは発生力の増大
が達成される。これらの素子の焼結温度は、一般に12
50℃〜1350℃であり、斯かる高温での空気中焼成
ではCuやNiなどの安価な金属材料は酸化されて使用
できず、高価なPdが使用されるため、素子の低価格化
の大きなネックになっている。
発明が解決しようとする課題
従来、この問題を解決する手段の1つとして高温でも安
定な導電性酸化物を内部電極として適用する事が検討さ
れてきた。まず、コンデンサでは比抵抗〜10−2Ω・
αをもつLa2Ni04の適用が提案されている(ワー
ルドコンブレスオンハイテク セラミックス 1986
年6月24日〜28日、ミラノで開催)。BaTiO3
を誘電体層に用い、La2NiOaと1300℃程度で
共焼結し界面でのイオンの相互拡散の検討が行なわれて
いる。この結果によると1300℃で2時間焼結した場
合の相互拡散長は約20pmであり、BaTiOsの厚
みを・10μm以上にしないと拡散によってBaT i
03が低抵抗化しコンデンサとして動作しなくなる。
定な導電性酸化物を内部電極として適用する事が検討さ
れてきた。まず、コンデンサでは比抵抗〜10−2Ω・
αをもつLa2Ni04の適用が提案されている(ワー
ルドコンブレスオンハイテク セラミックス 1986
年6月24日〜28日、ミラノで開催)。BaTiO3
を誘電体層に用い、La2NiOaと1300℃程度で
共焼結し界面でのイオンの相互拡散の検討が行なわれて
いる。この結果によると1300℃で2時間焼結した場
合の相互拡散長は約20pmであり、BaTiOsの厚
みを・10μm以上にしないと拡散によってBaT i
03が低抵抗化しコンデンサとして動作しなくなる。
イオンの拡散層を薄くするにはさらに低温で焼結する技
術を確立する事が必要であり、さらに、比抵抗が〜10
−2Ω・口と金属に比べ3桁程度高いため、高周波特性
も劣るものと予想される。−万、圧電アクチュエータで
はLaを添加した半導体BaTiesの適用が提案され
、圧電体(誘電体)層にBaTiOsを用イ1270℃
で共焼結し、アクチュエータとして動作する事が確認さ
れている(セラミックス21巻1986年229頁)。
術を確立する事が必要であり、さらに、比抵抗が〜10
−2Ω・口と金属に比べ3桁程度高いため、高周波特性
も劣るものと予想される。−万、圧電アクチュエータで
はLaを添加した半導体BaTiesの適用が提案され
、圧電体(誘電体)層にBaTiOsを用イ1270℃
で共焼結し、アクチュエータとして動作する事が確認さ
れている(セラミックス21巻1986年229頁)。
La添加半導体BaTiOsと絶縁性BaTiOsとを
積層し焼結した場合、問題になるのはLaイオンのみの
拡散であり、Laの濃度に対し抵抗率が急激に変化する
ため接合面の境界が明瞭Vこなるという特長がある。し
かしLa添加半導体BaTiO3の比抵抗が〜10Ω・
αと高いために内部電極層の薄屑化には限界があり、5
0μm程度以下(てする事は困雉とされている。
積層し焼結した場合、問題になるのはLaイオンのみの
拡散であり、Laの濃度に対し抵抗率が急激に変化する
ため接合面の境界が明瞭Vこなるという特長がある。し
かしLa添加半導体BaTiO3の比抵抗が〜10Ω・
αと高いために内部電極層の薄屑化には限界があり、5
0μm程度以下(てする事は困雉とされている。
積層型誘電体素子では、上述した様に、拡散層を低減す
るための低温焼結技術の確立と、内部主1材料の低抵抗
化を達成する事が不可欠である。
るための低温焼結技術の確立と、内部主1材料の低抵抗
化を達成する事が不可欠である。
誘電体であるBaTiO31C関してはLiFやBaT
iO3などの焼結助剤の添加によって焼結温度を900
℃乃至1100℃に低下させる事が可能であり、BaT
iO3以外の誘電体としては同じくペロブスカイト構造
を有するPb (Fe 1/2Nb1/2 )0.7
(Fe2/3 w+、/3) o、 s O5が同程度
の温度で焼結する事が知[っれている。従って、この程
度の温度で焼結し、かつ、比抵抗の低い導電性酸化物の
探索が必要であった。
iO3などの焼結助剤の添加によって焼結温度を900
℃乃至1100℃に低下させる事が可能であり、BaT
iO3以外の誘電体としては同じくペロブスカイト構造
を有するPb (Fe 1/2Nb1/2 )0.7
(Fe2/3 w+、/3) o、 s O5が同程度
の温度で焼結する事が知[っれている。従って、この程
度の温度で焼結し、かつ、比抵抗の低い導電性酸化物の
探索が必要であった。
本発明は内部電極として、安価で、900℃乃至110
0℃で焼結し誘電体層と良好な界面を形成し、かつ、比
抵抗が10−’Ω・α程度の導電性酸化物を使用した積
層型誘電体素子を提供する目的でなされたものである。
0℃で焼結し誘電体層と良好な界面を形成し、かつ、比
抵抗が10−’Ω・α程度の導電性酸化物を使用した積
層型誘電体素子を提供する目的でなされたものである。
課題を解決するだめの手段
上記目的を達成するため、本発明の技術的解決手段はペ
ロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブスカイト
類似の構造を有する誘電性酸化物であって、その構成金
属元素がLaとBaとCuから成り、原子数の比が(L
a+Ba )/Cu=t、La/Ba=4であるか、も
しくは、前記導電性酸化物の構成金属元素がLaとSr
とCuから成り、原子数の比が(La+Sr )/Cu
=1であり、La/Sr=4もしくはLa/Sr=3で
ある化合物の少なくとも1種から成る内部電極層とを備
え、900℃乃至1100℃で焼結することにある。
ロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブスカイト
類似の構造を有する誘電性酸化物であって、その構成金
属元素がLaとBaとCuから成り、原子数の比が(L
a+Ba )/Cu=t、La/Ba=4であるか、も
しくは、前記導電性酸化物の構成金属元素がLaとSr
とCuから成り、原子数の比が(La+Sr )/Cu
=1であり、La/Sr=4もしくはLa/Sr=3で
ある化合物の少なくとも1種から成る内部電極層とを備
え、900℃乃至1100℃で焼結することにある。
作 用
本発明で使用される導電性酸化物は、構成金属元素がL
aとBaとCuから成り、原子数の比が(La+Ba
)/Cu=1、La/Ba=4であるか、もしくは、構
成金属元素がLaとSrとCuから成り、原子数の比が
(La+Sr )/Cu=1であり、La/Sr=4も
しくは、La/Sr=3であるが、その第1の特徴は、
これら3種の酸化物がいずれも900℃乃至1100℃
の温度で焼結可能であり、誘電体との相互拡散が小さく
誘電体の低抗抵化を防止できる点にある。
aとBaとCuから成り、原子数の比が(La+Ba
)/Cu=1、La/Ba=4であるか、もしくは、構
成金属元素がLaとSrとCuから成り、原子数の比が
(La+Sr )/Cu=1であり、La/Sr=4も
しくは、La/Sr=3であるが、その第1の特徴は、
これら3種の酸化物がいずれも900℃乃至1100℃
の温度で焼結可能であり、誘電体との相互拡散が小さく
誘電体の低抗抵化を防止できる点にある。
本発明で使用される導電性酸化物の第2の特徴は、いず
れも金属的電導を示゛し室温での比抵抗が10−3Ω’
n以下と、前記のLa2NiO4に比べ1桁以上、La
添加半導体BaTiO3に比べ4桁以上低い値を示すこ
とにある。
れも金属的電導を示゛し室温での比抵抗が10−3Ω’
n以下と、前記のLa2NiO4に比べ1桁以上、La
添加半導体BaTiO3に比べ4桁以上低い値を示すこ
とにある。
また本発明の積層型誘電体素子はコンデンサもしくは圧
電アクチュエータとして機能し、誘電体層としては、L
iFもしくはBaTiO3などの焼結助剤を添加したB
aTiOsを主成分とするもの、またはP b (F
e 1.//?N b 1/2 )0.7 (Fe 2
/3 WV5)0.303よりなるものが好適である。
電アクチュエータとして機能し、誘電体層としては、L
iFもしくはBaTiO3などの焼結助剤を添加したB
aTiOsを主成分とするもの、またはP b (F
e 1.//?N b 1/2 )0.7 (Fe 2
/3 WV5)0.303よりなるものが好適である。
実施例
以下に本発明の実施例について詳細に記す。
本発明の積層型誘電体素子の例としての積層セラミック
コンデンサあるいは積層セラミック圧電アクチュエータ
は、一般に第1図又は第2図に示す様に数10μm〜数
100μmの誘電体層1と内部電極2(Pdの場合数μ
m)を積層して焼結し、接続電極3を両端面につける事
によって形成される。内部電極2は一層おきに各々別の
接続電極3に接続されるため、第2図の構造の場合には
絶縁体4を設ける事が必要である。この様な構造をもつ
素子の誘電体層1の容量をC1内部電極居の抵抗をRと
するとコンデンサの高い周波数fにおけるtanδとア
クチュエータの遮断周波数fcはそれぞれ tanδ=2πf−c−R fc=’/2π・R−C となるため、内部電極層1の抵抗Rが小さいほど高周波
特性のすぐれた素子が得られる事になり、本発明におけ
る導電性酸化物の方がLa2Ni04や半導体BaTi
O3より有利となる。
コンデンサあるいは積層セラミック圧電アクチュエータ
は、一般に第1図又は第2図に示す様に数10μm〜数
100μmの誘電体層1と内部電極2(Pdの場合数μ
m)を積層して焼結し、接続電極3を両端面につける事
によって形成される。内部電極2は一層おきに各々別の
接続電極3に接続されるため、第2図の構造の場合には
絶縁体4を設ける事が必要である。この様な構造をもつ
素子の誘電体層1の容量をC1内部電極居の抵抗をRと
するとコンデンサの高い周波数fにおけるtanδとア
クチュエータの遮断周波数fcはそれぞれ tanδ=2πf−c−R fc=’/2π・R−C となるため、内部電極層1の抵抗Rが小さいほど高周波
特性のすぐれた素子が得られる事になり、本発明におけ
る導電性酸化物の方がLa2Ni04や半導体BaTi
O3より有利となる。
次に内部電極層を形成する導電性酸化物の作成法につい
て述べる。
て述べる。
La2O3,BaCOx、5rCO5,CuOを出発原
料とし、La2O5とBaCO3とCuOの2:l:5
のモル比の混合物1.Ca2O3とSrCO3とCuO
の5/2 : 1 : 4のモル比の混合物2.2:1
:5のモル比の混合物3を準備した。これら3種の混合
物を800℃〜1000℃の温度で数時間焼成し、焼成
・粉砕を数回くり返した。得られた化合物の粉末X線回
折の結果では、混合物1から得られた化合物はC,Mi
chelらによって報告(Mat。
料とし、La2O5とBaCO3とCuOの2:l:5
のモル比の混合物1.Ca2O3とSrCO3とCuO
の5/2 : 1 : 4のモル比の混合物2.2:1
:5のモル比の混合物3を準備した。これら3種の混合
物を800℃〜1000℃の温度で数時間焼成し、焼成
・粉砕を数回くり返した。得られた化合物の粉末X線回
折の結果では、混合物1から得られた化合物はC,Mi
chelらによって報告(Mat。
Res、 Bull、 、 vol、 20. pP、
667−671.1985)されティるLa4 B
aCu501A4と一致し、混合物2と3から得られた
化合物はN、 M u r a y a m aらによ
って報告(Jpn、 J、 AI)pl、 Phys、
vol、 27゜No、1.1)p、L55−L56
.1988)されているLa0975SrO025Cu
O2,44とLao、aaSro、2oCu02.47
とそれぞれ一致した。比抵抗ρの測定は上記の方法で得
られた粉末試料を2ton/CJの圧力で1:3111
φのペレットにし1000℃で2時間〜10時間焼結さ
せたものを用い直流4端子法で行なった。いずれの試料
も10−3Ω・1以下のρを示し、最も低い値は混合物
1から得られた焼結体で観測されρ〜4X10−’Ω・
αであった。なお、この焼結体の収縮率((γA−γB
/γA×100;γA、γBはそれぞれ焼結前後のペレ
ットの径)は約17%と焼結性のすぐれたものであった
。
667−671.1985)されティるLa4 B
aCu501A4と一致し、混合物2と3から得られた
化合物はN、 M u r a y a m aらによ
って報告(Jpn、 J、 AI)pl、 Phys、
vol、 27゜No、1.1)p、L55−L56
.1988)されているLa0975SrO025Cu
O2,44とLao、aaSro、2oCu02.47
とそれぞれ一致した。比抵抗ρの測定は上記の方法で得
られた粉末試料を2ton/CJの圧力で1:3111
φのペレットにし1000℃で2時間〜10時間焼結さ
せたものを用い直流4端子法で行なった。いずれの試料
も10−3Ω・1以下のρを示し、最も低い値は混合物
1から得られた焼結体で観測されρ〜4X10−’Ω・
αであった。なお、この焼結体の収縮率((γA−γB
/γA×100;γA、γBはそれぞれ焼結前後のペレ
ットの径)は約17%と焼結性のすぐれたものであった
。
上記3種の粉末試料名45gにメタノール14.5gに
ポリビニルブチラール(PVB ) 2.3 g、ジ−
n−ブチルフタレート(DBP)1.5gを加え混合し
てスラリーを作成し、以下の実施例に示す実験を行なっ
た。なお、以下に示す実施例では混合物1〜3から得ら
れた導電性酸化物のスラリーを各々導電性酸化物スラI
J −1〜3と称す。
ポリビニルブチラール(PVB ) 2.3 g、ジ−
n−ブチルフタレート(DBP)1.5gを加え混合し
てスラリーを作成し、以下の実施例に示す実験を行なっ
た。なお、以下に示す実施例では混合物1〜3から得ら
れた導電性酸化物のスラリーを各々導電性酸化物スラI
J −1〜3と称す。
〈実施例1〉
1重最%のLiFを添加したBaTiO3を用い公知の
方法で厚さ40μmのグリーンシートを作成し、両面に
厚さ20μmで導電性酸化物スラリー1をスクリーン印
刷で塗布し、乾燥後8目角に切断し20〜30ケの試料
を白金ボートにのせ所定の温度で2時間空気中で焼結を
行なった。
方法で厚さ40μmのグリーンシートを作成し、両面に
厚さ20μmで導電性酸化物スラリー1をスクリーン印
刷で塗布し、乾燥後8目角に切断し20〜30ケの試料
を白金ボートにのせ所定の温度で2時間空気中で焼結を
行なった。
焼結した試料の両面の電極層の各々の一端にQ、3mi
φのリード線を銀ペーストで取付け(銀ペーストの面積
〜21mφ)コンデンサ特性を評価した。本実施例では
積層セラミックコンデンサの基本構成要素である内部電
極層/誘電体層/内部電極層についての評価を行なった
が、この基本構成要素を複数層積層する事によって積層
セラミックコンデンサが得られ、積層数と共に容1cは
比例して増大し、抵抗Rは比例して減少するのでtan
δ−2πf−cRは上記基本構成要素での評価で充分で
ある。
φのリード線を銀ペーストで取付け(銀ペーストの面積
〜21mφ)コンデンサ特性を評価した。本実施例では
積層セラミックコンデンサの基本構成要素である内部電
極層/誘電体層/内部電極層についての評価を行なった
が、この基本構成要素を複数層積層する事によって積層
セラミックコンデンサが得られ、積層数と共に容1cは
比例して増大し、抵抗Rは比例して減少するのでtan
δ−2πf−cRは上記基本構成要素での評価で充分で
ある。
焼結温度が8000C,9000C,1000℃911
00℃,1200℃の場合の10RHzでのtanδは
各々21%、8%、5%、7%、13%であり、900
℃〜1100℃の焼結温度で10%以下のtanδが得
られた。焼結温度が9008C以下では焼結不十分のた
め、また、1200℃以上では拡散層増大のためtan
δが増大するので、焼結温度は900℃乃至1100℃
が望ましい。
00℃,1200℃の場合の10RHzでのtanδは
各々21%、8%、5%、7%、13%であり、900
℃〜1100℃の焼結温度で10%以下のtanδが得
られた。焼結温度が9008C以下では焼結不十分のた
め、また、1200℃以上では拡散層増大のためtan
δが増大するので、焼結温度は900℃乃至1100℃
が望ましい。
〈実施例2〉
実施例1において導電性酸化物スラリーのかわりにスラ
リー2を用い、焼結温度1050℃で試料を作成し、l
0RH2でtanδ=7%を得た。
リー2を用い、焼結温度1050℃で試料を作成し、l
0RH2でtanδ=7%を得た。
〈実施例3〉
実施例1において導電性酸化物スラリー1のかわりにス
ラリー3を用い、焼結温度1050℃で試料を作成し、
10RHzでtarlδ=6%を得た。
ラリー3を用い、焼結温度1050℃で試料を作成し、
10RHzでtarlδ=6%を得た。
〈実施例4〉
実施例1においてLiFのかわりに2重量%のBaLi
F3を添加したBaTiO3を用い、焼結温度1000
℃で試料を作成し、10RHzでtanδ=4%を得た
。
F3を添加したBaTiO3を用い、焼結温度1000
℃で試料を作成し、10RHzでtanδ=4%を得た
。
〈実施例5〉
実施例1においてLiFを添加したBaTiO3のかわ
りにPb(Fe1//2Nb1/2)。、7(Fe2/
3W1/3)Q、。
りにPb(Fe1//2Nb1/2)。、7(Fe2/
3W1/3)Q、。
03を用い、焼結温度950℃で試料を作成し、10R
Hzでtanδ=3%を得た。
Hzでtanδ=3%を得た。
〈実施例6〉
3重量%のBaLiF3を添加したBaTiO3を用い
公知の方法で厚さ5.00μmのグリーン/−トを作成
し、導電性酸化物スラリー1を50μmの厚さでスクリ
ーン印刷し、 器用に切断後、8層を60℃〜80℃で
加熱圧着し、1000℃で焼結し図2に示す構造の試料
を得た。試料に電界を印加しアクチュエータ特性を評価
し、100Vで変位量3μmを得た。この値はLa添加
半導体BaTiO3を電極材に用いた場合の約1.5倍
であり、本発明で用いた導電性酸化物の高い導電性、低
温焼結性によって電極層が薄層化されクランピング効果
が低減されたためである。
公知の方法で厚さ5.00μmのグリーン/−トを作成
し、導電性酸化物スラリー1を50μmの厚さでスクリ
ーン印刷し、 器用に切断後、8層を60℃〜80℃で
加熱圧着し、1000℃で焼結し図2に示す構造の試料
を得た。試料に電界を印加しアクチュエータ特性を評価
し、100Vで変位量3μmを得た。この値はLa添加
半導体BaTiO3を電極材に用いた場合の約1.5倍
であり、本発明で用いた導電性酸化物の高い導電性、低
温焼結性によって電極層が薄層化されクランピング効果
が低減されたためである。
発明の効果
以上のように本発明による積層型誘電体素子は、内部電
極としてLaとBaとCu、もしくは、LaとSrとC
uを含み、(La+Ba)/Cu=1、La/Sr=4
、もしくは、(La + S r )/Cu=1、La
/Sr=4、もしくは、(La+Sr)/Cu=1、L
a / S r = 3である導電性酸化物の少なく
とも1種を使用したものであり、比抵抗が10−3Ω・
α以下と低く、900℃〜1100℃の低温で焼結可能
であるため誘電体層との界面でのイオン相互拡散が小さ
く、特性のすぐれた安価なコンデンサやアクチュエータ
を実現する事が出来る。
極としてLaとBaとCu、もしくは、LaとSrとC
uを含み、(La+Ba)/Cu=1、La/Sr=4
、もしくは、(La + S r )/Cu=1、La
/Sr=4、もしくは、(La+Sr)/Cu=1、L
a / S r = 3である導電性酸化物の少なく
とも1種を使用したものであり、比抵抗が10−3Ω・
α以下と低く、900℃〜1100℃の低温で焼結可能
であるため誘電体層との界面でのイオン相互拡散が小さ
く、特性のすぐれた安価なコンデンサやアクチュエータ
を実現する事が出来る。
第1図及び第2図は本発明の積層型誘電体素子の一実施
例である積層セラミックコンデンサまたは積層圧電アク
チュエータの概念を示す断面図である。 ■・・・誘電体層、2・・・内部電極層、3・・・接続
電極、4・・・絶縁体。 第1図 第2図
例である積層セラミックコンデンサまたは積層圧電アク
チュエータの概念を示す断面図である。 ■・・・誘電体層、2・・・内部電極層、3・・・接続
電極、4・・・絶縁体。 第1図 第2図
Claims (5)
- (1)ペロブスカイト構造を有する誘電体層と、ペロブ
スカイト類似の構造を有する導電性酸化物であって、前
記導電性酸化物の構成金属元素がLaとBaとCuから
成り、原子数の比が(La+Ba)/Cu=1、La/
Ba=4であるか、もしくは、前記導電性酸化物の構成
金属元素がLaとSrとCuから成り、原子数の比が(
La+Sr)/Cu=1であり、La/Sr=4もしく
はLa/Sr=3である化合物の少なくとも1種から成
る内部電極層とを備え、900℃乃至1100℃で焼結
された事を特徴とする積層型誘電体素子。 - (2)誘電体層と内部電極層を含む素子がコンデンサで
ある事を特徴とする請求項1記載の積層型誘電体素子。 - (3)誘電体層と内部電極層を含む素子が圧電アクチュ
エータである事を特徴とする請求項1記載の積層型誘電
体素子。 - (4)誘電体層が、BaTiO_3を主成分とし、焼結
助剤としてLiFもしくはBaLiF_3を含む事を特
徴とする請求項1記載の積層型誘電体素子。 - (5)誘電体層がPb(Fe_1_/_2Nb_1_/
_2)_0_._7(Fe_2_/_3W_1_/_3
)_0_._3O_3を含む事を特徴とする請求項2記
載の積層型誘電体素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089833A JPH01261809A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 積層型誘電体素子 |
EP19890106365 EP0337373A3 (en) | 1988-04-12 | 1989-04-11 | Multi-layered dielectric element |
US07/337,594 US4887186A (en) | 1988-04-12 | 1989-04-12 | Multi-layered dielectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089833A JPH01261809A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 積層型誘電体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01261809A true JPH01261809A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=13981764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63089833A Pending JPH01261809A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 積層型誘電体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01261809A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017014093A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
KR20170020436A (ko) * | 2014-07-09 | 2017-02-22 | 페로 코포레이션 | 미드-k ltcc 조성물 및 디바이스 |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP63089833A patent/JPH01261809A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170020436A (ko) * | 2014-07-09 | 2017-02-22 | 페로 코포레이션 | 미드-k ltcc 조성물 및 디바이스 |
JP2017014093A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
JP2022104984A (ja) * | 2015-07-06 | 2022-07-12 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
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