KR20060048972A - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents
적층 세라믹 콘덴서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060048972A KR20060048972A KR1020050069802A KR20050069802A KR20060048972A KR 20060048972 A KR20060048972 A KR 20060048972A KR 1020050069802 A KR1020050069802 A KR 1020050069802A KR 20050069802 A KR20050069802 A KR 20050069802A KR 20060048972 A KR20060048972 A KR 20060048972A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric layer
- region
- ceramic capacitor
- internal electrode
- capacitor
- Prior art date
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
- B32B2311/22—Nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/346—Titania or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
본 발명은, 유전체층을 박형화하여 고용량화를 도모하는 경우에도, 내부 전극과 유전체층의 박리가 생기기 어려운 적층 세라믹 콘덴서를 제공한다.
본 발명의 콘덴서(10)(적층 세라믹 콘덴서)는 내부 전극(12)(전극)과 유전체층(14)이 교대로 적층된 콘덴서 소체(11)와, 이의 말단면에 설치된 외부 전극(15)을 구비하고 있다. 유전체층(14)은 유전재료의 입자를 포함하며 또한, 이의 두께 방향에서 당해 입자 한 가지만으로 구성되는 부위를 갖고 있다. 또한, 내부 전극(12)와 유전체층(14) 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 영역(24)이 산재되어 있다.
적층 세라믹 콘덴서, 내부 전극, 유전체층, 고용량화, 박막화.
Description
도 1은 실시 형태의 적층 세라믹 콘덴서의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극과 유전체층의 계면 근방의 구조를 확대하여 도시하는 모식도이다.
도 3은 내부 전극과 유전체층의 계면 근방의 구조를 나타내는 투과형 전자현미경 사진을 나타내는 도면이다.
[부호의 설명]
10···콘덴서, 11···콘덴서 소체, 12···내부 전극, 14···유전체층, 15···외부 전극, 22···결정 입자, 24, 25···영역, 26···입계상.
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것이다.
적층 세라믹 콘덴서로서는 세라믹 재료로 이루어진 유전체층과 내부 전극이 교대로 적층된 구조를 갖는 것이 일반적이다. 최근, 이러한 적층 세라믹 콘덴서로서는 소형이며 또한 정전 용량이 크다는 특성을 갖는 것이 요구되고 있다. 이러한 요구 특성을 만족시키기 위해 적층 세라믹 콘덴서에서는 유전체층을 박형화하는 동시에 적층수를 증가시키는 것이 실시되고 있다.
이러한 적층 세라믹 콘덴서로서는 유전체층이 이의 구성재료인 세라믹 재료 한 가지 입자만으로 이루어진 구조, 즉 1층 1입자 구조를 갖는 것이 공지되어 있다(예: 특허 문헌1 참조).
[특허 문헌 1] 특허 제3370933호
그러나, 적층 세라믹 콘덴서에서 유전체층을 박형화한 경우에 적층수를 증가시키면 유전체층에 왜곡 등이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 따라서 내부 전극과 유전체층 사이에 부분적으로 공극이 생기며 이에 따라 내부 전극과 유전체층의 박리(탈층)가 생기기 쉬워진다.
그래서, 본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 유전체층을 박형화하여 고용량화를 도모하는 경우에도, 내부 전극과 유전체층의 박리가 생기기 어려운 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서는 한 쌍의 전극 과, 한 쌍의 전극 사이에 배치되어 세라믹 재료를 포함하는 유전재료로 구성된 유전체층을 구비하며, 유전체층은 유전재료의 입자를 함유하며 또한, 이의 두께 방향에서 당해 입자 한 가지만으로 구성되는 부위를 갖고 있으며 전극과 유전체층 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 영역이 산재되어 있음을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서에서는 내부 전극과 유전체층 사이에 Si, Li 또는 B를 함유하는 영역이 다수 형성되어 있다. 이러한 영역을 개재시켜 접착된 내부 전극 및 유전체층은 이들을 직접 접착시킨 경우에 비하여 보다 견고하게 접착될 수 있다. 그 결과, 상기 구성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서는 1층 1입자 구조를 포함하는 얇은 유전체층을 갖고 있음에도 불구하고, 내부 전극과 유전체층을 박리시키기가 매우 어렵게 만든다.
상기 구성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에서 상기 원소를 함유하는 영역은 내부 전극 및 2가지 이상의 유전재료의 입자로 포위된 부분에 형성되어 있으면 보다 바람직하다. 이러한 부분에 상기 영역이 형성되어 있으면 내부 전극과 유전체층의 접착성이 더욱 향상된다.
또한, 본 발명의 다른 적층 세라믹 콘덴서는 한 쌍의 전극과, 한 쌍의 전극 사이에 배치되어, 세라믹 재료를 함유하는 유전재료로 구성된 유전체층을 구비하고, 유전체층은 유전재료의 입자를 함유하며 또한, 이의 두께 방향에서 당해 입자 한 가지만으로 구성된 부위를 갖고 있으며 전극과 유전체층 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 제1 영역이 산재 하며 또한, 유전체층 내에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 제2 영역이 산재되어 있으며 또한, 제1 영역은 제2 영역보다 많이 산재되어 있음을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서는 내부 전극과 유전체층의 경계 부분 뿐만 아니라, 유전체층의 내층 부분에도 상기한 원소를 함유하는 영역을 가질 수 있다. 이러한 구성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서라도, 전극과 유전재료의 입자(유전체층) 사이에 상기 영역이 형성되어 있으므로 양자의 박리가 생기기 매우 어렵다.
여기서, Si, Li 또는 B의 원소는 종래의 적층 세라믹 콘덴서에서 유전체층에 소결 조제로서 첨가되는 것이며, 콘덴서를 제조할 때에 소성 온도를 저하시킬 수 있는 효과를 갖고 있다. 그러나, 이들 소결 조제는 통상적으로 유전체층을 구성하는 세라믹 재료에 비하여 저항이 낮은 경향이 있으므로 실용적인 소성온도를 얻기 위해 소결 조제를 많이 첨가하면 이러한 소결 조제를 함유하는 저저항 영역이 유전체층에 넓게 분산되며, 이에 따라 유전체층이 절연 파괴되는 경우가 있다.
이에 대해 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서에서는 상기와 같이 Si, Li, B 등의 산화물을 함유하는 영역이 유전체층의 내층 부분보다 내부전극에 인접하는 부분에 많이 형성되어 있다. 요컨대, 유전체층의 내층 부분에는 Si, Li, B 등을 함유하는 저항이 낮은 영역이 적은 상태로 되어 있다. 따라서, 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서는 Si, Li, B 등의 산화물을 함유하고 있는 것에 관계없이 소결 조제의 첨가를 실시한 종래의 적층 세라믹 콘덴서에 비하여, 유전체층의 절연 파괴가 생기기 어렵 게 된다.
상기 구성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에서는 제1 영역이 내부 전극 및 2개 이상의 상기입자에 포위되어 있으며 또한, 제2 영역이 3개 이상의 상기 입자만으로 포위되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 내부 전극과 유전체층의 접착성이 보다 향상 되는 이외에 유전체층의 절연성이 향상된다.
이들 적층 세라믹 콘덴서에서 Si, Li 및 B 중의 하나 이상의 원소를 함유하는 영역은 주로 Si를 함유하는 영역이면 바람직하다. 이에 따라 내부 전극과 유전체층의 접착성이 보다 향상되는 이외에 양호한 절연저항이 얻어지게 된다.
또한, 세라믹 재료는 Ba 및 Ti를 주성분으로 하는 복합 산화물이면 바람직하다. 이와 같이 하면, 우수한 정전 용량 및 고절연 저항을 갖는 세라믹 콘덴서가 수득된다.
본 발명에 따르면 1층 1입자 구조를 포함하도록 하는 박형의 유전체층을 형성하며 이에 따라 고정전 용량화를 도모하는 경우라도, 내부 전극과 유전체층의 박리가 생기기 어려운 적층 세라믹 콘덴서를 제공할 수 있게 된다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 관해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이며 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 실시 형태의 적층 세라믹 콘덴서의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 콘덴서(10)(적층 세라믹 콘덴서)는 내부 전극(12)과 유전체층(14)이 교대로 적층된 직방체 형상의 콘덴서 소체(11)와, 이러한 콘덴서 소체(11)의 마주 보는 말 단면에 각각 설치된 외부 전극(15)을 구비하고 있다.
콘덴서(10)에서 내부 전극(12)는 한쪽 말단부가 콘덴서 소체(11)의 말단면에 노출되도록 형성되어 있으며 또한, 각 내부 전극(12)는 이의 말단부가 콘덴서 소체(11)의 마주 보는 말단면에 교대로 노출되도록 하여 적층되어 있다. 이러한 내부 전극(12)의 구성재료로서는 적층형의 전기소자의 내부 전극으로서 통상적으로 사용되는 전기전도 재료이면 특별한 제한없이 적용할 수 있다. 이러한 전기전도 재료로서는 예를 들면, Ni 또는 Ni 합금을 들 수 있다. Ni 합금으로서는 95질량% 이상의 Ni와, Mn, Cr, Co, Al 등의 하나 이상을 함유하는 것이 바람직하다.
외부 전극(15)은 콘덴서 소체(11)에서 내부 전극(12)의 말단부가 노출된 말단면에 각각 설치되어 있다. 이에 따라, 내부 전극(12)와 외부 전극(15)가 접속되며, 양자의 도통이 도모되고 있다. 외부 전극(15)으로서는 Cu나 Cu 합금, Ni나 Ni 합금, Ag나 Ag 합금(예: Ag-Pd 합금), Sn이나 Sn 합금 등으로 이루어진 것을 들 수 있다. 또한, 콘덴서(10)의 제조비용을 감소시키는 관점에서는 비교적 염가인 Cu나 Ni 또는 이들의 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
유전체층(14)은 세라믹 재료를 포함하는 유전재료로 구성되는 것이다. 유전재료에 포함되는 세라믹 재료로서는 통상적으로 세라믹 콘덴서에 적용될 수 있는 공지된 고 유전율 세라믹 재료를 적용할 수 있다. 예를 들면, 티탄산바륨(BaTiO3)계 재료, 납 복합 페로브스카이트 화합물계 재료, 티타늄산스트론튬계(SrTiO3)계 재료 등을 예시할 수 있다.
이 중에서도 세라믹 재료로서는 우수한 유전율을 갖고 있으며 고정전 용량을 달성할 수 있는 점으로부터, Ba 및 Ti를 주성분으로 하는 복합 산화물인 BaTiO3계 재료가 바람직하다. 이러한 BaTiO3계 재료에 따르면, 고저항층(24)에 의한 절연성 향상효과가 특히 양호하게 얻어지는 경향이 있다.
BaTiO3계 재료로서는 기본 조성이 BaTiO3이며, 이의 조성 중의 Ba나 Ti가 다른 금속원소 등에 의해 적절하게 치환된 재료가 바람직하다. 예를 들면, Ba의 일부가 Ca나 Sr에 의해 치환된 재료나 Ti의 일부가 Zr에 의해 치환된 재료를 들 수 있다. 구체적으로는 BaTiO3계 재료로서는 [(Ba1 -x- yCaxSry)O]m(Ti1 - xZrx) O2가 적절하다. 여기서 x는 각각 독립적으로 0 내지 0.25이며 바람직하게는 0.05 내지 0.10이며, y는 0 내지 0.05이며, 바람직하게는 0 내지 0.01이며, z는 0.1 내지 0.3이며, 바람직하게는 0.15 내지 0.20이며, m은 1.000 내지 1.020이며, 바람직하게는 1.002 내지 1.015이다.
유전재료는 상기한 세라믹 재료에 추가하여, 유전체층(14)의 안정성이나 절연성을 향상시킬 수 있는 성분을 함유할 수 있다. 이러한 성분으로서는 예를 들면, Sr, Y, Gd, Tb, Dy, V, Mo, Zn, Cd, Ti, Ca, Sn, W, Mn, Si, P 등의 단체(單體) 또는 산화물을 들 수 있다.
여기서, 도 2를 참조하여 내부 전극(12)와 유전체층(14)의 계면 근방의 구조에 관해서 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극(12)와 유전체층(14)의 계면 근방의 구조를 확대하여 도시하는 모식도이다.
도시된 바와 같이 유전체층(14)은 다수의 결정 입자(22)(입자)가 배열된 구성을 갖고 있다. 이러한 결정 입자(22)의 주위에는 당해 입자(22)를 구성하는 유전재료와 동일한 원소를 포함하는 세라믹 재료로 이루어진 입계상(26)이 형성되어 있다. 또한, 내부 전극(12)와 유전체층(14) 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하는 영역(24)(제1 영역)이 산재되어 있다. 또한, 유전체층(14)의 내층 부분에도, 이들 원소를 함유하는 영역(25)(제2 영역)이 산재되어 있다.
결정 입자(22)는 상기한 유전재료로 구성되는 것이다. 실시 형태의 콘덴서(10)에서는 유전체층(14)이 이의 두께 방향에서, 한 가지 결정 입자(22) 만으로 형성된 부위(1층 1입자 구조)를 갖고 있다. 이러한 1층 1입자 구조는 유전체층(14)의 폭 방향에서, 이의 전체 길이에 대하여 10 내지 80% 정도 형성되어 있으면 바람직하며 40% 정도 형성되어 있으면 보다 바람직하다. 또한, 이러한 1층 1입자 구조의 비율은 하기에 기재된 바와 같이 하여 산출할 수 있다. 즉, 우선 콘덴서(10)을 내부 전극(12)에 대하여 수직한 방향에서 절단한다. 이어서, 이러한 절단면을 관찰하여, 당해 면에 노출되어 있는 각 결정 입자(22)의 입자직경을 측정한 후, 이들의 평균 입자직경을 산출한다. 이어서, 이러한 절단면에 상기 평균 입자직경의 간격으로 내부 전극(12)와 수직한 직선을 긋고 이들 중에서 1층 1입자 구조에 걸려 있는 직선의 수를 계수한다. 그리고, 전체 직선의 수에 대한 1층 1입자 구조에 걸려 있는 직선의 수의 비율을 산출하여, 이것을 유전체층(14)에서 1층 1입자 구조의 비율로 한다.
입계상(26)은 유전재료와 동일한 원소를 포함하는 상이다. 단, 이러한 입계상(26)의 조성은 반드시 유전재료와 동일할 필요는 없다. 또한, 입계상(26)은 유전체층(14)의 특성을 변화시키지 않을 정도로 유전재료 이외의 불순물을 포함할 수 있다.
영역(24) 및 영역(25)은 결정 입자(22) 및 입계상(26)과는 상이한 조성 또는 결정구조를 갖는 영역이다. 이들 영역(24) 및 영역(25)은 Si, Li 및 B 중의 하나 이상의 원소를 함유하는 입자일 수 있으며 또한, 입계상(26)에서 당해 입계상(26)에 함유되어 있는 이들 원소가 석출됨으로써 형성된 석출상일 수 있다. 이러한 영역(24) 및 영역(25)에서는 Si, Li 또는 B는 단체 또는 산화물의 형태로 존재하고 있다. 후자의 산화물의 적합한 형태로서는 각각 SiO2, LiO 및 B2O3를 들 수 있다.
영역(24) 및 영역(25)에 함유되는 원소로서는 Si, Li 및 B중에서도 Si가 바람직하며 Si 산화물(예: SiO2)이 보다 바람직하다. Si 또는 Si 산화물을 함유하는 영역(24)을 갖는 콘덴서(10)는 이의 제조시 낮은 소성온도를 채용할 수 있다는 이점을 갖고 있다. 또한, 영역(24) 및 영역(25)는 상기한 원소의 단체 또는 산화물 이외에 결정 입자(22) 또는 입계상(26)을 구성하는 재료와 동일한 원소를 함유할 수 있다.
콘덴서(10)에서 영역(24)는 2개 이상의 결정 입자(22) 및 내부 전극(12)로 포위된 부분에 형성되어 있으며 영역(25)는 3개 이상의 결정 입자(22)만으로 포위된 부분에 형성되어 있다. 여기서, 유전체층(14)은 상기와 같이 1층 1입자 구조를 갖고 있는 점으로부터, 당해 층(14)에서는 전자의 부분에 비하여 후자의 부분의 수가 대폭적으로 적은 상태로 되어있다. 따라서 콘덴서(10)에서는 영역(25)의 수가 영역(24)의 수보다도 적어지고 있다.
이와 같이 콘덴서(10)에서는 영역(25)보다 영역(24)이 많이 산재되어 있으며 유전체층(14)의 내층 부분에는 영역(25)가 적어지고 있다. 이들 영역(24) 및 영역(25)에 함유되는 Si, Li, B 등의 원소는 상기과 같이 저저항 재료인 점으로부터 종래, 소결 조제로서 첨가되는 경우에 유전체층에 균일하게 분산되어 이의 절연성을 저하시키는 것이다. 이에 대해 콘덴서(10)에서는 유전체층(14)의 내층 부분에서 영역(25)가 매우 적은 점으로부터 Si, Li, B 등의 원소의 첨가에 기인하는 절연성의 저하가 억제될 수 있는다.
또한, Si, Li, B 등의 원소는 유전체층(14)에서 영역(24) 및 영역(25) 이외에 예를 들면, 입계상(26)에 함유될 수 있다. 이것은 영역(24) 및 영역(25)가 상기한 바와 같은 석출에 의해 형성된 경우에 생길 수 있다.
결정 입자(22)도 동일하게 Si, Li, B 등의 원소를 함유해도 상관없지만 유전체층(14)의 절연성을 충분하게 유지하는 관점에서는 실질적으로 이들 원소를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 결정 입자(22)가 상기 원소를 함유하는 경우, 이의 함유량은 5질량% 미만이면 바람직하다.
결정 입자(22), 영역(24) 및 영역(25) 또는 입계상(26)에서 Si, Li, B 등의 원소의 함유 비율은 예를 들면, 이들의 소정 체적의 전체 질량에 대한 당해 체적중에 포함되는 상기 원소의 질량의 비율(질량%)로서 나타낼 수 있다. 이러한 금속원 소의 함유 비율은 예를 들면, 공지된 조성 분석을 적용하여 산출할 수 있다. 조성 분석법으로서는 예를 들면, 에너지 분산형 X선 분광(EDS)을 예시할 수 있다.
적합한 실시 형태의 콘덴서(10)은 길이 1.5 내지 1.7mm ×폭 0.7 내지 0.9mm 정도의 크기를 갖는 것이다. 이러한 크기의 콘덴서(10)에서, 내부 전극(12)의 두께는 바람직하게는 1 내지 5㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 3 ㎛ 정도이며, 외부 전극의 두께는 바람직하게는 10 내지 50㎛ 정도이다. 또한, 유전체층(14)의 두께는 1 내지 6㎛이면 바람직하며 1 내지 4㎛이면 보다 바람직하다.
상기한 구성을 갖는 콘덴서(10)은 예를 들면, 하기에 기재된 바와 같은 공지된 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법을 적용함으로써 제조할 수 있다. 즉, 우선 유전재료를 구성하는 세라믹 재료의 원료를 준비하여, 칭량한다. 이어서, 이러한 원료 혼합물에 상기한 Si, Li 또는 B의 원료 화합물이나 기타 성분을 첨가하여, 볼 밀 등에 의해 습식 혼합한다. 이러한 혼합물을 건조한 후, 800 내지 1300℃ 정도로 가소성한다.
다음에 수득된 가소성물을 제트 밀이나 볼 밀에 의해 원하는 입자직경으로 될 때까지 분쇄한다. 이러한 분쇄물에 결합제, 가소제 등을 혼합하여 유전체 페이스트를 조제한다. 또한, 이와 함께, 내부 전극(12)용 전기전도 재료와, 결합제 및 용제를 함유하는 유기 비히클 등을 혼합하여, 내부 전극 페이스트를 조제한다.
이러한 유전체 페이스트 및 내부 전극 페이스트를 교대로 도포하여 적층함으로써 유전체 페이스트층 및 내부 전극 페이스트층이 교대로 적층된 적층체를 수득한다. 다음에 이러한 적층체를 원하는 사이즈로 절단하여 그린 칩을 수득한 다음, 이러한 그린 칩을 가열하는 등으로 탈 결합제 처리를 실시한다. 이후에 N2나 H2 등의 불활성 가스 분위기 하에 1200 내지 1400℃ 정도로 본 소성을 실시하고 콘덴서 소체(11)을 수득한다. 그리고 수득된 콘덴서 소체(11)의 양쪽 말단부에 외부 전극15용의 페이스트를 소성하고 콘덴서(10)을 얻는다.
이러한 제조방법에서 영역(24) 및 영역(25)를 형성하는 방법으로서는 예를 들면, 상기한 바와 같이 입계상(26)에서 당해 입계상(26)에 함유되는 Si, Li, B 등의 원소를 석출시키는 방법을 들 수 있다. 이러한 석출은 Si, Li, B의 원료 화합물의 첨가량을 변화시킴으로써 조제할 수 있으며 이에 따라 콘덴서(10)에서 영역(24) 및 영역(25)의 형성을 원하는 바에 따라 제어할 수 있게 된다.
여기서, 도 3을 참조하여 실시 형태의 콘덴서에서 내부 전극과 유전체층의 계면 근방의 구조를 구체적으로 설명한다. 도 3은 내부 전극과 유전체층의 계면 근방의 구조를 도시하는 투과형 전자현미경 사진을 나타내는 도면이다. 도 3에서 부호(12)는 내부 전극, 부호(14)는 결정 입자(유전체층), 부호(24)는 Si, Li 및 B 중의 하나 이상을 함유하는 영역(제1 영역)을 각각 나타내고 있다. 이와 같이 영역(24)는 2개의 결정 입자(14) 및 내부 전극(12)로 포위된 영역에 형성되어 있다. 이러한 콘덴서(10)에서 영역(24)를 EDS를 사용하여 원소 분석을 실시한 결과, 당해 영역(24)는 BaO 38.7질량%, TiO2 4.7질량%, ZrO2 1.9질량%, Y2O3 0.8질량%, MnO 0.4질량%, V2O5 0.8질량%, SiO2 49.4질량%, NiO 3.3질량%를 함유하는 것으로 판명됐다. 또한 이들은 각 원소를 산화물로 환산하여 얻어지는 값이다. 이와 같이 실시 형태 의 콘덴서(10)에서는 내부 전극(12)와 유전체층(14) 사이에 Si를 함유하는 영역(24)이 형성되어 있는 것이 확인된다.
이상 설명한 바와 같이 실시 형태의 콘덴서(10)은 1층 1입자 구조를 포함하는 얇은 유전체층(14)를 갖고 있는 점으로부터 매우 큰 정전 용량을 갖는 것으로 된다. 또한, 이러한 콘덴서(10)은 내부 전극(12)와 유전체층(14) 사이에 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 원소를 함유하는 영역(24)이 산재된 상태로 되어 있다. 따라서, 내부 전극(12)과 유전체층(14)은 이들을 직접 접착한 경우에 비하여 견고히 접착되어 있다. 그 결과, 콘덴서(10)는 1층 1입자 구조를 갖는 얇은 유전체층(14)를 갖고 있는 지에 관계없이 내부 전극(12)와 유전체층(14)이 쉽게 박리(탈층)되기 않는다.
또한, Si, Li, B 등의 원소는 종래, 소결 조제로서 유전체층에 분산되며, 콘덴서의 절연저항을 저하시키는 작용을 갖는 것이다. 이에 대해 콘덴서(10)에서는 이들 원소를 함유하는 영역(24) 및 영역(25)가 형성되어 있지만, 유전체층 내의 영역(25)가 매우 적어지고 있다. 따라서, 콘덴서(10)는 종래의 적층 세라믹 콘덴서에 비하여, Si, Li, B 등의 원소를 함유하는 것에 의한 절연저항의 저하가 매우 적어진다.
본 발명에 따르는 적층 세라믹 콘덴서는, 유전체층을 박형화하여 고용량화를 도모하는 경우에도 내부 전극과 유전체층가 쉽게 박리되지 않는다.
Claims (7)
- 한 쌍의 전극과 한 쌍의 전극 사이에 배치되어 세라믹 재료를 포함하는 유전재료로 구성된 유전체층을 구비하며, 유전체층이 유전재료의 입자를 함유하며, 또한 이의 두께 방향에서 당해 입자 한 가지만으로 구성되는 부위를 갖고 있으며 전극과 유전체층 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 영역이 산재되어 있음을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 제1항에 있어서, 상기 영역이 내부 전극 및 2개 이상의 입자에 포위되어 있음을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 영역이 주로 Si를 함유함을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 한 쌍의 전극과 한 쌍의 전극 사이에 배치되어, 세라믹 재료를 포함하는 유전재료로 구성된 유전체층을 구비하며, 유전체층이 유전재료의 입자를 함유하며, 또한 이의 두께 방향에서 당해 입자 한 가지만으로 구성되는 부위를 갖고 있으며 전극과 유전체층 사이에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 함유하는 제1 영역이 산재하며, 유전체층 내에는 Si, Li 및 B로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상 원소를 함유하는 제2 영역이 산재되어 있으며 제1 영역이 제2 영역보다 많이 산재되어 있음을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 제4항에 있어서, 제1 영역이 내부 전극 및 2개 이상의 입자에 포위되어 있으며, 또한 제2 영역이 3개 이상의 입자만으로 포위되어 있음을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 제1 영역과 제2 영역이 주로 Si를 함유함을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 세라믹 재료가 Ba 및 Ti를 주성분으로 하는 복합 산화물임을 특징으로 하는, 적층 세라믹 콘덴서.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2004-00222429 | 2004-07-29 | ||
| JP2004222429A JP2006041393A (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060048972A true KR20060048972A (ko) | 2006-05-18 |
| KR100678882B1 KR100678882B1 (ko) | 2007-02-06 |
Family
ID=35906031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050069802A KR100678882B1 (ko) | 2004-07-29 | 2005-07-29 | 적층 세라믹 콘덴서 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7259957B2 (ko) |
| JP (1) | JP2006041393A (ko) |
| KR (1) | KR100678882B1 (ko) |
| CN (1) | CN1728305A (ko) |
| TW (1) | TWI283419B (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4933968B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-05-16 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP5225241B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-07-03 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| MX2012003494A (es) * | 2009-09-25 | 2012-05-08 | Itron Inc | Sistema de telemetria. |
| KR101491449B1 (ko) * | 2011-01-12 | 2015-02-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2014057098A (ja) * | 2013-11-22 | 2014-03-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| KR102183425B1 (ko) * | 2015-07-22 | 2020-11-27 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| US11373810B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US11322307B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3080587B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2000-08-28 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ |
| TW327690B (en) * | 1996-12-06 | 1998-03-01 | Philips Eloctronics N V | Multi-layer capacitor |
| US6043174A (en) * | 1997-06-26 | 2000-03-28 | Mra Laboratories | High dielectric constant X7R ceramic capacitor, and powder for making |
| US6011683A (en) * | 1997-12-29 | 2000-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Thin multilayer ceramic capacitors |
| JP3370933B2 (ja) | 1998-05-01 | 2003-01-27 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3760364B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2006-03-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2002050536A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP4305808B2 (ja) * | 2002-07-03 | 2009-07-29 | 太陽誘電株式会社 | 積層コンデンサ |
-
2004
- 2004-07-29 JP JP2004222429A patent/JP2006041393A/ja active Pending
-
2005
- 2005-07-29 TW TW094125866A patent/TWI283419B/zh active
- 2005-07-29 US US11/191,977 patent/US7259957B2/en active Active
- 2005-07-29 CN CNA2005100888080A patent/CN1728305A/zh active Pending
- 2005-07-29 KR KR1020050069802A patent/KR100678882B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006041393A (ja) | 2006-02-09 |
| US20060177678A1 (en) | 2006-08-10 |
| CN1728305A (zh) | 2006-02-01 |
| KR100678882B1 (ko) | 2007-02-06 |
| TWI283419B (en) | 2007-07-01 |
| US7259957B2 (en) | 2007-08-21 |
| TW200618008A (en) | 2006-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109326442B (zh) | 多层陶瓷电容器及其制造方法 | |
| KR100988880B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| JP6909011B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100793050B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| KR100678882B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP5224147B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP6823975B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP7131955B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2019102766A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| CN112216510B (zh) | 陶瓷电子器件及其制造方法 | |
| KR101835391B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 | |
| KR20190009707A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| US9522847B2 (en) | Dielectric ceramic, laminated ceramic electronic component, laminated ceramic capacitor, and method for producing laminated ceramic capacitor | |
| US20180090272A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
| US9064638B2 (en) | Dielectric ceramic, stack ceramic electronic component, and method of manufacturing these | |
| CN110085423B (zh) | 层叠陶瓷电容器 | |
| KR20180094786A (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
| TW202124332A (zh) | 陶瓷電子零件及其製造方法 | |
| KR100657194B1 (ko) | 압전자기 조성물, 압전소자 및 이들의 제조방법 | |
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JP3064659B2 (ja) | 積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JPH11297561A (ja) | 複合ペロブスカイト化合物を用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2022114552A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160105 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170103 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180119 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190117 Year of fee payment: 13 |