JPS63314801A - 厚膜バリスタ - Google Patents
厚膜バリスタInfo
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- JPS63314801A JPS63314801A JP62151749A JP15174987A JPS63314801A JP S63314801 A JPS63314801 A JP S63314801A JP 62151749 A JP62151749 A JP 62151749A JP 15174987 A JP15174987 A JP 15174987A JP S63314801 A JPS63314801 A JP S63314801A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/1006—Thick film varistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、厚膜バリスタに関するものである。
（従来の技術）
従来から、非直線的な電流−電圧特性を持つ２端子素子
で主に衝撃電圧の抑制や雑音吸収、温度補償等に用いら
れるものとして厚膜バリスタが知られている。
で主に衝撃電圧の抑制や雑音吸収、温度補償等に用いら
れるものとして厚膜バリスタが知られている。
この厚膜バリスタとは絶縁基板上に焼成された銀等の電
極の上に、半導体結晶粒としてのＺｎＯと該半導体結晶
粒の結合剤としてのガラスフリットとを空気中で焼成し
たバリスタ層を積層し、その上に銀電極等を焼成し、該
バリスタ層をサンドインチ状に挟持した構造のものであ
る。
極の上に、半導体結晶粒としてのＺｎＯと該半導体結晶
粒の結合剤としてのガラスフリットとを空気中で焼成し
たバリスタ層を積層し、その上に銀電極等を焼成し、該
バリスタ層をサンドインチ状に挟持した構造のものであ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで上記厚膜バリスタのバリスタ特性を充分発揮す
るには、半導体結晶粒としてのＺｎＯの廻りに高抵抗の
粒界層を形成しなければならず、そのためには高価な金
属酸化物、例えばＢｉ２Ｏ，。
るには、半導体結晶粒としてのＺｎＯの廻りに高抵抗の
粒界層を形成しなければならず、そのためには高価な金
属酸化物、例えばＢｉ２Ｏ，。
Ｇｏ、０３．ＭｎＯ，Ｔｉｅ、、Ｓｂ、Ｏ，、Ｃｕ、Ｏ
，等を添加物として添加しなければならないので、製造
コストがかなり高くなっていた。
，等を添加物として添加しなければならないので、製造
コストがかなり高くなっていた。
本発明の目的は、従来に比べ製造コストが安く、バリス
タ特性に優れた厚膜バリスタを提供することにある。
タ特性に優れた厚膜バリスタを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の厚膜バリスタは上記目的を達成するために、２
種類の半導体酸化物を混合し、焼結してなる電気伝導性
酸化物の粉末粒子３０〜８０重量％と、これを結合する
ためのガラス成分７０〜２０重量％とを混合して耐熱性
絶縁基板上に膜状に焼成したことを特徴としている。
種類の半導体酸化物を混合し、焼結してなる電気伝導性
酸化物の粉末粒子３０〜８０重量％と、これを結合する
ためのガラス成分７０〜２０重量％とを混合して耐熱性
絶縁基板上に膜状に焼成したことを特徴としている。
（作 用）
本発明によれば、電気伝導性酸化物は結合剤としてのガ
ラス成分により取り囲まれ、高抵抗層が形成され、高価
な添加物を不要にするように働くと共に電気伝導性酸化
物、讐れ自体が安価であり、製造コストを下げるように
も働く。
ラス成分により取り囲まれ、高抵抗層が形成され、高価
な添加物を不要にするように働くと共に電気伝導性酸化
物、讐れ自体が安価であり、製造コストを下げるように
も働く。
（実施例）
以下１本発明の実施例について説明する。
まず、２種類の半導体酸化物Ｚｎ○とＦｅ、Ｏ，とを所
定の組成比、すなわち本実施例においては、Ｚｎ０７０
〜９９重量％、Ｆｅ、０３３０〜１重量％となるよう正
確に秤量し、該原料をボールミル等で混合し１■φ〜５
ｍ＋ｓφにした後乾燥し、その後１１００〜１４００℃
で０．５〜１０時間焼成する。そしてこの焼結体、すな
わちＺｎ−フェライトと称せられる電気伝導性酸化物を
粉砕機にかけて４００メツシユ以下に微粉砕し、１０μ
ｍ前後の必要な粒径のみにふるい分ける。
定の組成比、すなわち本実施例においては、Ｚｎ０７０
〜９９重量％、Ｆｅ、０３３０〜１重量％となるよう正
確に秤量し、該原料をボールミル等で混合し１■φ〜５
ｍ＋ｓφにした後乾燥し、その後１１００〜１４００℃
で０．５〜１０時間焼成する。そしてこの焼結体、すな
わちＺｎ−フェライトと称せられる電気伝導性酸化物を
粉砕機にかけて４００メツシユ以下に微粉砕し、１０μ
ｍ前後の必要な粒径のみにふるい分ける。
一方ガラス成分としてのガラスフリット粉末は周知のガ
ラス成分、すなわち本実施例においてはｚｎｏとＦｅ２
ｏ３とＢａｏ及びＢ２Ｏ３を所定の組成比になるよう計
量混合し、１１００℃以上の高温で溶融させた後、水中
に入れて急冷し、所要の粒径まで微粉砕し生成する。な
お、本実施例においてはガラスフリット粉末をＺｎ○と
Ｆｅ、Ｏ，とＢａＯ及びＢ２０．で構成しているが、上
記のＺｎ−フェライトとＢａＯ及びＢ２０．で構成して
も勿論良く、周知のガラスフリット粉末であれば何でも
良い。
ラス成分、すなわち本実施例においてはｚｎｏとＦｅ２
ｏ３とＢａｏ及びＢ２Ｏ３を所定の組成比になるよう計
量混合し、１１００℃以上の高温で溶融させた後、水中
に入れて急冷し、所要の粒径まで微粉砕し生成する。な
お、本実施例においてはガラスフリット粉末をＺｎ○と
Ｆｅ、Ｏ，とＢａＯ及びＢ２０．で構成しているが、上
記のＺｎ−フェライトとＢａＯ及びＢ２０．で構成して
も勿論良く、周知のガラスフリット粉末であれば何でも
良い。
このようにして生成されたＺｎ−フェライト粉末粒子３
０〜８０重量％とガラスフリット粉末粒子７０〜２０重
量％とを混合し、得られた固形分子にエチレンセルロー
スと溶剤としてのＢ、Ｃ，Ａを加えて良く混練し、ペー
スト状にして、バリスタペーストとする。
０〜８０重量％とガラスフリット粉末粒子７０〜２０重
量％とを混合し、得られた固形分子にエチレンセルロー
スと溶剤としてのＢ、Ｃ，Ａを加えて良く混練し、ペー
スト状にして、バリスタペーストとする。
一方、上記手順と平行して図に示される如く、アルミナ
フォルステライト結晶化ガラス等よりなる耐熱性絶縁基
板１上に、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等よりなる導電ペーストを
スクリーン印刷法により印刷し、焼成して下部電極２と
して積層する。
フォルステライト結晶化ガラス等よりなる耐熱性絶縁基
板１上に、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等よりなる導電ペーストを
スクリーン印刷法により印刷し、焼成して下部電極２と
して積層する。
そして該下部電極２上に前述したバリスタペーストをス
クリーン印刷法で印刷し、乾燥後７００〜１０００℃で
焼成して、バリスタ層３として積層する。
クリーン印刷法で印刷し、乾燥後７００〜１０００℃で
焼成して、バリスタ層３として積層する。
その後前述と同様な方法により、バリスタ層３の上に上
部電極４を積層する。
部電極４を積層する。
このようにして得られた図に示されるようなサンドイッ
チ型の厚膜バリスタ５は、その形成の際に、結合剤とし
てのガラス成分が、Ｚｎ−フェライトと言う電気伝導性
粉末粒子の廻りを取り囲み高抵抗層を形成するので、Ｂ
ｉｔＯ，、Ｇｏ、Ｏ，といったような高価な金属酸化物
が不要となると共に、半導体酸化物とじて用いられるＦ
ｅ、Ｏ，が、従来その全体を占めていたＺｎＯに比べて
安価なことも伴い、全体として大幅なコストダウンが可
能となる。
チ型の厚膜バリスタ５は、その形成の際に、結合剤とし
てのガラス成分が、Ｚｎ−フェライトと言う電気伝導性
粉末粒子の廻りを取り囲み高抵抗層を形成するので、Ｂ
ｉｔＯ，、Ｇｏ、Ｏ，といったような高価な金属酸化物
が不要となると共に、半導体酸化物とじて用いられるＦ
ｅ、Ｏ，が、従来その全体を占めていたＺｎＯに比べて
安価なことも伴い、全体として大幅なコストダウンが可
能となる。
因に本発明者の実験によると、ＺｎＯ９０重量％とＦｅ
２Ｏ，１０重量％とを上述のガラスフリット粉末粒子、
エチレンセルロース、 Ｂ、Ｃ，Ａと混合して厚膜バリ
スタを形成し、１■Ａ流れる時の電圧値Ｅ工、１０＋ｗ
Ａ流れる時の電圧値Ｅ１゜を計測し、電圧非直線指数α
を算出したところ、 Ｅユニ１９．３Ｖ Ｅ、、＝ｚａ、ｚｖ α＝６ となり、バリスタ特性の優れた厚膜バリスタが
得られるということが実証された。
２Ｏ，１０重量％とを上述のガラスフリット粉末粒子、
エチレンセルロース、 Ｂ、Ｃ，Ａと混合して厚膜バリ
スタを形成し、１■Ａ流れる時の電圧値Ｅ工、１０＋ｗ
Ａ流れる時の電圧値Ｅ１゜を計測し、電圧非直線指数α
を算出したところ、 Ｅユニ１９．３Ｖ Ｅ、、＝ｚａ、ｚｖ α＝６ となり、バリスタ特性の優れた厚膜バリスタが
得られるということが実証された。
また、本発明者の実験から、Ｚｎ−フェライトを形成す
ることになる半導体酸化物としてのＺｎＯの重量％が７
０重量％以上となると、バリスタ電圧が低くなるという
ことが判明した。
ることになる半導体酸化物としてのＺｎＯの重量％が７
０重量％以上となると、バリスタ電圧が低くなるという
ことが判明した。
また、上記実施例においては、Ｎ型半導体酸化物として
のＺｎＯとＦｅ、Ｏ，とから電気伝導性酸化物としての
Ｚｎ−フェライトを生成する例を示しているが、次に示
すような安価なＮ型半導体酸化物１例えばＴｉ、Ｏ，、
Ｃｒｙ、、Ｍｏｂ、、ｗｏ、。
のＺｎＯとＦｅ、Ｏ，とから電気伝導性酸化物としての
Ｚｎ−フェライトを生成する例を示しているが、次に示
すような安価なＮ型半導体酸化物１例えばＴｉ、Ｏ，、
Ｃｒｙ、、Ｍｏｂ、、ｗｏ、。
ＢａＭｏＯ３，ＣａＭｏＯ３，５ｒＣｒＯ３，ＣａＣｒ
０．等の中から２種類を混合し焼結して電気伝導性酸化
物を生成するようにし、該電気伝導性酸化物により厚膜
バリスタを構成するようにしても勿論良い。
０．等の中から２種類を混合し焼結して電気伝導性酸化
物を生成するようにし、該電気伝導性酸化物により厚膜
バリスタを構成するようにしても勿論良い。
さらにまた、空気中で焼結するとその特性が発揮できな
い、Ｐ型半導体酸化物としてのＣｕ、○とＴ ｉ Ｏと
を不活性ガス、例えば窒素若しくはアルボン中で混合焼
成し、電気伝導性酸化物Ｃｕ、 Ｏ−ＴｉＯを生成する
ようにし、厚膜バリスタを構成するようにすることも可
能である。
い、Ｐ型半導体酸化物としてのＣｕ、○とＴ ｉ Ｏと
を不活性ガス、例えば窒素若しくはアルボン中で混合焼
成し、電気伝導性酸化物Ｃｕ、 Ｏ−ＴｉＯを生成する
ようにし、厚膜バリスタを構成するようにすることも可
能である。
なお、上記実施例の厚膜バリスタは、図に示される如く
サンドイッチ型であるが、プレーナー型にも適用できる
というのはいうまでもない。
サンドイッチ型であるが、プレーナー型にも適用できる
というのはいうまでもない。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、高価な添加物を加えるこ
となく、安価な電気伝導性酸化物により優れたバリスタ
特性を発揮できる製造コストのかからない厚膜バリスタ
を提供することができる。
となく、安価な電気伝導性酸化物により優れたバリスタ
特性を発揮できる製造コストのかからない厚膜バリスタ
を提供することができる。
図は本発明の一実施例を示す厚膜バリスタの概略断面図
である。 １・・・耐熱性絶縁基板、５・・・厚膜バリスタ／″ 手続ネ１０正書（方式） 昭和６２年を月 １日 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１５１７４９号 ２、発明の名称 厚膜バリスタ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２２３）株式会社三協精機製作所４、
代 理 人 住 所 東京都世田谷区経堂４丁目５番４吟６、補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第１頁第９行と第１０行との間に「発明の詳細な
説明」を加入する。
である。 １・・・耐熱性絶縁基板、５・・・厚膜バリスタ／″ 手続ネ１０正書（方式） 昭和６２年を月 １日 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１５１７４９号 ２、発明の名称 厚膜バリスタ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２２３）株式会社三協精機製作所４、
代 理 人 住 所 東京都世田谷区経堂４丁目５番４吟６、補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第１頁第９行と第１０行との間に「発明の詳細な
説明」を加入する。
Claims (1)
- ２種類の半導体酸化物を混合し、焼結してなる電気伝導
性酸化物の粉末粒子３０〜８０重量％と、これを結合す
るためのガラス成分７０〜２０重量％とを混合して耐熱
性絶縁基板上に膜状に焼成したことを特徴とする厚膜バ
リスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151749A JPS63314801A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 厚膜バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151749A JPS63314801A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 厚膜バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314801A true JPS63314801A (ja) | 1988-12-22 |
| JPH0412003B2 JPH0412003B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=15525444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151749A Granted JPS63314801A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | 厚膜バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314801A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827161A1 (en) * | 1995-05-08 | 1998-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lateral high-resistance additive for zinc oxide varistor, zinc oxide varistor produced using the same, and process for producing the varistor |
| US20120104332A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste composition for front electrode of solar cell, and solar cell including the same |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151749A patent/JPS63314801A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0827161A1 (en) * | 1995-05-08 | 1998-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lateral high-resistance additive for zinc oxide varistor, zinc oxide varistor produced using the same, and process for producing the varistor |
| EP0827161A4 (en) * | 1995-05-08 | 1999-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LATERAL HIGH-OHM ADDITIVE FOR A ZINCOXIDE VARISTOR AND A ZINCOXIDE VARISTOR MADE THEREFOR, AND A METHOD FOR PRODUCING THE VARISTOR |
| US6224937B1 (en) | 1995-05-08 | 2001-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a zinc oxide varistor |
| US20120104332A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste composition for front electrode of solar cell, and solar cell including the same |
| US9362017B2 (en) * | 2010-10-28 | 2016-06-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Paste composition for front electrode of solar cell, and solar cell including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412003B2 (ja) | 1992-03-03 |
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