JPS63311760A - 光センサアレイ - Google Patents
光センサアレイInfo
- Publication number
- JPS63311760A JPS63311760A JP62148301A JP14830187A JPS63311760A JP S63311760 A JPS63311760 A JP S63311760A JP 62148301 A JP62148301 A JP 62148301A JP 14830187 A JP14830187 A JP 14830187A JP S63311760 A JPS63311760 A JP S63311760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- layers
- layer
- sensor array
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000032364 Undersensing Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、ファクシミリやイメージスキャナー等に使
用される光センサアレイに関する。
用される光センサアレイに関する。
「従来の技術」
上記のような目的で使用される光センサアレイとしては
、従来よりＣＣＤセンサが使用されているが、近年、こ
のＣＣＤセンサに代わるものとして、大面積の成膜が容
易、温度安定性が大きい、可視光に十分な感度を有する
などの優れた特性を有する非晶質シリコンを用いた光セ
ンサアレイの開発が相次いでいる。
、従来よりＣＣＤセンサが使用されているが、近年、こ
のＣＣＤセンサに代わるものとして、大面積の成膜が容
易、温度安定性が大きい、可視光に十分な感度を有する
などの優れた特性を有する非晶質シリコンを用いた光セ
ンサアレイの開発が相次いでいる。
このような非晶質シリコンを用いた光センサは、光電流
が端子電圧に依存しない、いわゆる蓄積型（キャリヤ阻
止型）の光センサである。この非晶質シリコン光センサ
としては、例えば、ショットキーバリヤ型、ｐ−ｉ接合
型、ｐ−１−ｎ接合型、Ｍｉｓ型などが知られている。
が端子電圧に依存しない、いわゆる蓄積型（キャリヤ阻
止型）の光センサである。この非晶質シリコン光センサ
としては、例えば、ショットキーバリヤ型、ｐ−ｉ接合
型、ｐ−１−ｎ接合型、Ｍｉｓ型などが知られている。
第２図および第３図は従来より知られている非晶質シリ
コン（以下、ａ−３ｉと略記する）を用いた光センサア
レイの一例を示す図であって、符号ｌは光センサアレイ
である。この光センサアレイ１は、金属電極層２と、こ
の金属電極層２に接触させて設けられたａ−９ｉ層３と
、このａ−９ｉ層３に接触させて設けられた透明電極層
４とを備えて構成された光センサ５を、基板６の表面に
多数配列して構成されている。これらの光センサ５・・
・は、第３図に示すように、基板６表面に多数分割して
形成された金属電極層２・・・の各々に接触させてａ−
８ｉ層３を形成し、このａ−９ｉ層３上に透明電極層４
を形成することによって、ａ−９ｉ層３および透明電極
層４を共用した状態になっている。金属電極層２の材料
としては、例えば、Ｏｒなどの金属材料が好適に使用さ
れる。また、上記透明電極層４の材料としては、例えば
インジウムスズ酸化物膜（以下、ＩＴＯ膜と云う）、ネ
サ膜などが好適に使用される。
コン（以下、ａ−３ｉと略記する）を用いた光センサア
レイの一例を示す図であって、符号ｌは光センサアレイ
である。この光センサアレイ１は、金属電極層２と、こ
の金属電極層２に接触させて設けられたａ−９ｉ層３と
、このａ−９ｉ層３に接触させて設けられた透明電極層
４とを備えて構成された光センサ５を、基板６の表面に
多数配列して構成されている。これらの光センサ５・・
・は、第３図に示すように、基板６表面に多数分割して
形成された金属電極層２・・・の各々に接触させてａ−
８ｉ層３を形成し、このａ−９ｉ層３上に透明電極層４
を形成することによって、ａ−９ｉ層３および透明電極
層４を共用した状態になっている。金属電極層２の材料
としては、例えば、Ｏｒなどの金属材料が好適に使用さ
れる。また、上記透明電極層４の材料としては、例えば
インジウムスズ酸化物膜（以下、ＩＴＯ膜と云う）、ネ
サ膜などが好適に使用される。
この光センサアレイ監は、基板６表面に、金属電極層２
と、ａ−Ｓｉ眉３と、透明電極層４を、真空蒸着法、グ
ロー放電法などの薄膜形成手段およびホトリソグラフィ
を用いて順次積層することにより作成される。
と、ａ−Ｓｉ眉３と、透明電極層４を、真空蒸着法、グ
ロー放電法などの薄膜形成手段およびホトリソグラフィ
を用いて順次積層することにより作成される。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、このようなａ−８ｉを用いた光センサアレイｌ
は、ａ−５ｉ層３の薄膜を形成する際、ａ−９ｉ層３に
発生したピンホールなどにより、金属電極層２と透明電
極層４との間が短絡を起こす不良を生じる場合があり、
このような不良によって光センサアレイＩの歩留まりが
悪（なる問題があった。
は、ａ−５ｉ層３の薄膜を形成する際、ａ−９ｉ層３に
発生したピンホールなどにより、金属電極層２と透明電
極層４との間が短絡を起こす不良を生じる場合があり、
このような不良によって光センサアレイＩの歩留まりが
悪（なる問題があった。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、製造時
の歩留まりを向上さ什ることのできる光センサアレイの
提供を目的としている。
の歩留まりを向上さ什ることのできる光センサアレイの
提供を目的としている。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、基板表面に光センサを多数設けてなる光セ
ンサアレイにおいて、上記光センサは、二つのａ−Ｓｉ
層と、これらのａ−８ｉ層の各々に設けられた透明電極
層と、上記二つのａ−Ｓｉ層間を接続する金属層とを備
えて構成し、問題解決の手段とした。
ンサアレイにおいて、上記光センサは、二つのａ−Ｓｉ
層と、これらのａ−８ｉ層の各々に設けられた透明電極
層と、上記二つのａ−Ｓｉ層間を接続する金属層とを備
えて構成し、問題解決の手段とした。
二つのａ−Ｓｉ層の各々に透明電極層を設けるとともに
、これらのａ−９ｉ層間を接続する金属層を設けること
によって、二つのａ−８ｉ層をｔｉｉＥ 列に接続した
状態の光センサが形成される。したがって、いずれか一
方のａ−８ｉ層にピンホールが生じ、金属層と透明電極
層間に短絡などの不良を生じたとしても、他方が正常に
機能し、かつ光電流が電圧に左右されないことから、光
電特性にバラツキを生じることがない。
、これらのａ−９ｉ層間を接続する金属層を設けること
によって、二つのａ−８ｉ層をｔｉｉＥ 列に接続した
状態の光センサが形成される。したがって、いずれか一
方のａ−８ｉ層にピンホールが生じ、金属層と透明電極
層間に短絡などの不良を生じたとしても、他方が正常に
機能し、かつ光電流が電圧に左右されないことから、光
電特性にバラツキを生じることがない。
第１図はこの発明の一例を示す図であって、符号７は光
センサアレイである。この光センサアレイ７は、基板６
表面に光センサ８を多数形成して構成されている。この
先センサ８は、基板６表面に設けられた金属層２の上に
、二つのａ−Ｓｉ層３．３を積層し、これらａ−５ｉ層
３．３の上に各々透明電極層４．４を積層して構成され
ている。二つのａ−８ｉ層３．３は、所定長さ離間して
配置されており、二つのａ−Ｓｉ層３．３間は溝９とな
っている。また、二つの透明電極層４．４ら溝ＩＯを介
して離間して配置されている。これらの溝９、！０は同
一位置に形成されており、これらの溝９、ｌＯを通して
金属層２の一部が露出するようになっている。二つのａ
−９ｉ層３．３は、金属層２により直列に接続されてい
る。金属層２の材料としては、例えばＯｒなどの導電性
金属材料が使用されろ。また透明電極層４の材料として
は、例えばＩＴｏ膜等が使用される。
センサアレイである。この光センサアレイ７は、基板６
表面に光センサ８を多数形成して構成されている。この
先センサ８は、基板６表面に設けられた金属層２の上に
、二つのａ−Ｓｉ層３．３を積層し、これらａ−５ｉ層
３．３の上に各々透明電極層４．４を積層して構成され
ている。二つのａ−８ｉ層３．３は、所定長さ離間して
配置されており、二つのａ−Ｓｉ層３．３間は溝９とな
っている。また、二つの透明電極層４．４ら溝ＩＯを介
して離間して配置されている。これらの溝９、！０は同
一位置に形成されており、これらの溝９、ｌＯを通して
金属層２の一部が露出するようになっている。二つのａ
−９ｉ層３．３は、金属層２により直列に接続されてい
る。金属層２の材料としては、例えばＯｒなどの導電性
金属材料が使用されろ。また透明電極層４の材料として
は、例えばＩＴｏ膜等が使用される。
この先センサ８は、光電流が端子電圧およびその極性に
依存しない、いわゆる蓄積型（キャリヤ阻止型）の光セ
ンサである。したがって、直列に接続されたａ−９ｉ層
３．３の一方が短絡して、端子間電圧が２倍になっても
、光電流の出力特性にバラツキが生じない。また、この
先センサ８は、２つの光センサが互いに逆向きに接続さ
れた構造になっている。そこで、ａ−９ｉ層３と透明電
極層４のショットキー接合を用いて暗電流阻止のブロッ
キング特性を持たせたショットキー接合型光センサのよ
うな正・負どちらの印加電圧でも光電流の出力特性があ
まり変わらない光センサを用いることが好ましい。
依存しない、いわゆる蓄積型（キャリヤ阻止型）の光セ
ンサである。したがって、直列に接続されたａ−９ｉ層
３．３の一方が短絡して、端子間電圧が２倍になっても
、光電流の出力特性にバラツキが生じない。また、この
先センサ８は、２つの光センサが互いに逆向きに接続さ
れた構造になっている。そこで、ａ−９ｉ層３と透明電
極層４のショットキー接合を用いて暗電流阻止のブロッ
キング特性を持たせたショットキー接合型光センサのよ
うな正・負どちらの印加電圧でも光電流の出力特性があ
まり変わらない光センサを用いることが好ましい。
上記光センサアレイ７は次のようにして製造される。ま
ず、基板６の表面に、多数の薄膜状の金属層２を形成す
る。基Ｆｉ、６表面に多数の金属層２を所定位置に形成
する方法としては、基板６表面に、金属層２を形成すべ
き所定の位置に間隙が設けられたマスクを施した後、Ｏ
ｒなどの金属材料を真空蒸着法、スパッタ法などの薄膜
形成手段を用い、マスクの間隙に金属薄膜を形成する方
法や、基板６の表面全体に金属の薄膜を形成した後、金
属層２となる部分を残し、他の部分をエツチング等によ
り除去する方法などが使用される。
ず、基板６の表面に、多数の薄膜状の金属層２を形成す
る。基Ｆｉ、６表面に多数の金属層２を所定位置に形成
する方法としては、基板６表面に、金属層２を形成すべ
き所定の位置に間隙が設けられたマスクを施した後、Ｏ
ｒなどの金属材料を真空蒸着法、スパッタ法などの薄膜
形成手段を用い、マスクの間隙に金属薄膜を形成する方
法や、基板６の表面全体に金属の薄膜を形成した後、金
属層２となる部分を残し、他の部分をエツチング等によ
り除去する方法などが使用される。
次に、この金属層２の上にａ−８ｉ層３．３を積層する
。ａ−８ｉ層３を積層する方法としては、基板６にマス
クを施した後、容量結合型ＲＦグロー放電により１００
％ＳｉＨ，ガスを分解する方法等により薄膜形成する方
法などが使用される。このとき使用されるマスクは、二
つのａ−９ｉ層３．３を所定長さ離間さける溝９が形成
されるような形状のものが使用される。
。ａ−８ｉ層３を積層する方法としては、基板６にマス
クを施した後、容量結合型ＲＦグロー放電により１００
％ＳｉＨ，ガスを分解する方法等により薄膜形成する方
法などが使用される。このとき使用されるマスクは、二
つのａ−９ｉ層３．３を所定長さ離間さける溝９が形成
されるような形状のものが使用される。
次に、これらのａ−９ｉ層３．３の各々に透明電極層４
．４を積層する。透明電極層４を積層するには、ａ−８
ｉ層３の形成を終えた基板６にマスクを施した後、真空
蒸着法、スパッタ法等により、ＩＴＯなどの材料の薄膜
を薄膜形成する方法などが使用される。このとき使用さ
れるマスクは、二つの透明電極層４．４を所定長さ離間
させる溝１０が形成されるような形状のものが使用され
る。
．４を積層する。透明電極層４を積層するには、ａ−８
ｉ層３の形成を終えた基板６にマスクを施した後、真空
蒸着法、スパッタ法等により、ＩＴＯなどの材料の薄膜
を薄膜形成する方法などが使用される。このとき使用さ
れるマスクは、二つの透明電極層４．４を所定長さ離間
させる溝１０が形成されるような形状のものが使用され
る。
以上の操作によって、第１図に示すように構成された光
センサアレイ７が製造される。
センサアレイ７が製造される。
この光センサアレイ７では、金属層２の上に、直列に接
続された二つのａ−Ｓｉ層３．３を設け、これらのａ−
Ｓｉ層３．３の上に透明電極層４．４を設けて光センサ
８を構成したので、光センサアレイ７を製造する際、光
センサ８を構成する二つのａ−９ｉ層３．３が２つとも
不良となる確率は極めて少なく、また、仮に一方の光セ
ンサ素子のａ−５ｉ層３にピンホールなどの不良を生じ
たとしても、他方が正常に機能し、かつ光電流が電圧に
左右されないことから、光電特性にバラツキを生しるこ
とかない。よってａ−８ｉ層３のピンホール等によって
生じる不良品の発生率を低下させることができ、光セン
サアレイ７の歩留まりを向上させることができる。
続された二つのａ−Ｓｉ層３．３を設け、これらのａ−
Ｓｉ層３．３の上に透明電極層４．４を設けて光センサ
８を構成したので、光センサアレイ７を製造する際、光
センサ８を構成する二つのａ−９ｉ層３．３が２つとも
不良となる確率は極めて少なく、また、仮に一方の光セ
ンサ素子のａ−５ｉ層３にピンホールなどの不良を生じ
たとしても、他方が正常に機能し、かつ光電流が電圧に
左右されないことから、光電特性にバラツキを生しるこ
とかない。よってａ−８ｉ層３のピンホール等によって
生じる不良品の発生率を低下させることができ、光セン
サアレイ７の歩留まりを向上させることができる。
また、この光センサアレイ７は、ａ−Ｓ ｉ層３および
透明電極層４形成用のマスクのパターン形状を変更する
だけで、従来の光センサアレイｌの製造方法と同様に製
造することができ、製造工程を増加させることなく光セ
ンサアレイ７の歩留まりを向上させることができる。
透明電極層４形成用のマスクのパターン形状を変更する
だけで、従来の光センサアレイｌの製造方法と同様に製
造することができ、製造工程を増加させることなく光セ
ンサアレイ７の歩留まりを向上させることができる。
また、この光センサアレイ７では、一つの金属層２の上
に、溝９．１０を介して接近させた状態で二つのａ−Ｓ
ｆｉｌ ３．３および二つの透明電極層４．４を積層
して光センサ８を構成したので、従来の光センサ５とほ
ぼ同じ大きさのままで、二つのａ−９ｉ層３．３を直列
に接続した光センサ８とすることができ、光センサアレ
イ７を大型化せずに製品歩留まりを向上させることがで
きる。
に、溝９．１０を介して接近させた状態で二つのａ−Ｓ
ｆｉｌ ３．３および二つの透明電極層４．４を積層
して光センサ８を構成したので、従来の光センサ５とほ
ぼ同じ大きさのままで、二つのａ−９ｉ層３．３を直列
に接続した光センサ８とすることができ、光センサアレ
イ７を大型化せずに製品歩留まりを向上させることがで
きる。
なお、先の例では、基板６の表面に光センサ８の金属層
２側を接触させて構成したか、基板６として石英ガラス
などの透明材料を用い、この基板６に光センサ８の透明
電極層４側を接触させ、この基板６を透過して光センサ
８に光を入射させる構成としても良い。
２側を接触させて構成したか、基板６として石英ガラス
などの透明材料を用い、この基板６に光センサ８の透明
電極層４側を接触させ、この基板６を透過して光センサ
８に光を入射させる構成としても良い。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明による光センサアレイは
、二つのａ−９ｉ層と、これらのａ−９ｉ層の各々に設
けられた透明電極層と、二つのａ−９ｉ層間を接続する
金属層とを備えて光センサを形成したので、光センサア
レイを製造する際、仮に光センサの一方のａ−３ｉ層に
ピンホールなどによる短絡を生じたとしても、光センサ
の光感知機能が損失してしまうことがなく、よってａ−
６ｉ層のピンホールなどによって生じる不良品の発生率
を低下させることができ、光センサアレイの歩留まりを
向上させることができる。
、二つのａ−９ｉ層と、これらのａ−９ｉ層の各々に設
けられた透明電極層と、二つのａ−９ｉ層間を接続する
金属層とを備えて光センサを形成したので、光センサア
レイを製造する際、仮に光センサの一方のａ−３ｉ層に
ピンホールなどによる短絡を生じたとしても、光センサ
の光感知機能が損失してしまうことがなく、よってａ−
６ｉ層のピンホールなどによって生じる不良品の発生率
を低下させることができ、光センサアレイの歩留まりを
向上させることができる。
第１図はこの発明の一例を示す図であって、光センサア
レイの要部の側断面図、第２図および第３図は従来の光
センサアレイを示す図であって、第２図は光センサアレ
イの要部の側断面図、第３図は同平面図である。 ２・・・金属層、３・・・ａ−８ｉ層（非晶質シリコン
層）、４・・・透明電極層、６・・・基板、７・・・光
センサアレイ、８・・・光センサ。
レイの要部の側断面図、第２図および第３図は従来の光
センサアレイを示す図であって、第２図は光センサアレ
イの要部の側断面図、第３図は同平面図である。 ２・・・金属層、３・・・ａ−８ｉ層（非晶質シリコン
層）、４・・・透明電極層、６・・・基板、７・・・光
センサアレイ、８・・・光センサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板表面に光センサを多数設けてなる光センサアレイに
おいて、 上記光センサは、二つの非晶質シリコン層と、これらの
非晶質シリコン層の各々に設けられた透明電極層と、上
記二つの非晶質シリコン層間を接続する金属層とを備え
てなることを特徴とする光センサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62148301A JPS63311760A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光センサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62148301A JPS63311760A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光センサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63311760A true JPS63311760A (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=15449720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62148301A Pending JPS63311760A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 光センサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63311760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209767A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62148301A patent/JPS63311760A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209767A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60161664A (ja) | 密着型二次元画像読取装置 | |
| JP2001515274A (ja) | マルチカラーセンサー | |
| JPS63311760A (ja) | 光センサアレイ | |
| US4546243A (en) | Elongated light receiving element assembly | |
| KR900003842B1 (ko) | 광전 변환장치 및 제조방법 | |
| JPS63308953A (ja) | 光センサアレイ | |
| JPS61217087A (ja) | 液晶表示装置用非線形抵抗素子 | |
| JPH02159772A (ja) | Ｐｉｎ縦型フォトセンサ | |
| JPH04124883A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH03116979A (ja) | 密着型リニアイメージセンサ | |
| JPS61203668A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH04255269A (ja) | 受光装置 | |
| JP3407917B2 (ja) | 光センサ | |
| JP3398161B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS62269358A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH05347427A (ja) | 光センサ | |
| JPS60160660A (ja) | 原稿読み取り素子およびこれを用いたカラ−原稿読み取り装置 | |
| EP0601200A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPS58125867A (ja) | 色センサ− | |
| JPH05218483A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0323680A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS63314863A (ja) | 受光素子アレイ | |
| JPS63147361A (ja) | フオトセンサ | |
| JPS63119262A (ja) | 長尺原稿読み取り素子 | |
| JPS6218065A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 |