JPS63303091A - Cu−Sメッキの方法 - Google Patents
Cu−Sメッキの方法Info
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- JPS63303091A JPS63303091A JP13953687A JP13953687A JPS63303091A JP S63303091 A JPS63303091 A JP S63303091A JP 13953687 A JP13953687 A JP 13953687A JP 13953687 A JP13953687 A JP 13953687A JP S63303091 A JPS63303091 A JP S63303091A
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメッキ液として水溶液を用いたメッキ浴から電
析メッキにより、被メッキ物にCu−Sメッキを行なう
方法に関するものである。
析メッキにより、被メッキ物にCu−Sメッキを行なう
方法に関するものである。
(従来の技術)
従来は有機溶媒を用いたメッキ浴からのCu−Sメッキ
が開発されているが、毒性やコストの面および取り扱い
が非常に困難であり工業プロセスへ応用するには不適当
であった。
が開発されているが、毒性やコストの面および取り扱い
が非常に困難であり工業プロセスへ応用するには不適当
であった。
金属硫化物はCd、Sの光伝導性に代表される様に特別
な光物性を持つ化合物反導体として注目されておりCu
−3も又この分野にも期待される。又現在スチールタイ
ヤコード表面には、プラスメッキがされておりゴムとの
接着及び接着耐久性には、ゴムとの界面に生成するCu
xSが太き(影響を与えることがわかっているゴム中だ
けではな(コード側にも硫黄を含むことにより、表面の
tf’着、接着耐久性の改良が期待できる。さらに他金
属と合金化させることなども考えられ表面の改質等に応
用できる。
な光物性を持つ化合物反導体として注目されておりCu
−3も又この分野にも期待される。又現在スチールタイ
ヤコード表面には、プラスメッキがされておりゴムとの
接着及び接着耐久性には、ゴムとの界面に生成するCu
xSが太き(影響を与えることがわかっているゴム中だ
けではな(コード側にも硫黄を含むことにより、表面の
tf’着、接着耐久性の改良が期待できる。さらに他金
属と合金化させることなども考えられ表面の改質等に応
用できる。
金属硫化物は、CdSの光伝導性に代表される様に、特
別な光物性をもつ化合物半導体として注目されている。
別な光物性をもつ化合物半導体として注目されている。
近年、この金属硫化物の薄膜を、電析によって得ようと
する試みがなされてきた。
する試みがなされてきた。
Branskiらは、Cd Sをはじめ、Cus S、
PbS、NiSの他、数種類の金属硫化物皮膜を、カソ
ード電析によって得たと、報告している。しかし、これ
らの皮膜は、DMSOやプロピレングリコール等の、非
水系溶媒を用いた浴から得られたものであった。一方、
水溶液系については、Brennerが彼の著書におい
て総括しているように、チオ硫酸ナトリウムを含む水溶
液よりNiを電析させると、最大では70wt94に達
するSが、めっき物中に含まれるものの、他の金属を、
同様な水溶液より電析させても、そのめっき物中に含ま
れるSは、高々数%に過ぎないとされてきた。1981
年に、1lhattacharyaらは、アンモニア水
溶液よりCu−3皮膜(ctz、ss)を得た。これは
電析ではなく、チオ尿素の加水分解を利用したもので、
従って得られた皮膜も、0.05〜0.1μm FI
I&の、非常に薄い膜であった。いずれにせよ、今日ま
で金囮硫化物のカソード電析物は、主として非水系溶媒
において実現されており、水溶液系ではNi−5以外、
金属硫化物と言いえる程、硫黄を含んだめっき物は得ら
れていなかった。
PbS、NiSの他、数種類の金属硫化物皮膜を、カソ
ード電析によって得たと、報告している。しかし、これ
らの皮膜は、DMSOやプロピレングリコール等の、非
水系溶媒を用いた浴から得られたものであった。一方、
水溶液系については、Brennerが彼の著書におい
て総括しているように、チオ硫酸ナトリウムを含む水溶
液よりNiを電析させると、最大では70wt94に達
するSが、めっき物中に含まれるものの、他の金属を、
同様な水溶液より電析させても、そのめっき物中に含ま
れるSは、高々数%に過ぎないとされてきた。1981
年に、1lhattacharyaらは、アンモニア水
溶液よりCu−3皮膜(ctz、ss)を得た。これは
電析ではなく、チオ尿素の加水分解を利用したもので、
従って得られた皮膜も、0.05〜0.1μm FI
I&の、非常に薄い膜であった。いずれにせよ、今日ま
で金囮硫化物のカソード電析物は、主として非水系溶媒
において実現されており、水溶液系ではNi−5以外、
金属硫化物と言いえる程、硫黄を含んだめっき物は得ら
れていなかった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、被メッキ物をメッキ液中で、電析メッキを行
なう方法において、前記従来技術では達成されていなか
った、叩ち非水溶液からしか電析されていないCu−S
メッキを、水溶液から電析させてCu−3メツキを可能
にしたメッキ方法を提供せんとするものである。
なう方法において、前記従来技術では達成されていなか
った、叩ち非水溶液からしか電析されていないCu−S
メッキを、水溶液から電析させてCu−3メツキを可能
にしたメッキ方法を提供せんとするものである。
(問題点を解決するための手段)
即ち、本発明は、被メツキ液中で、電流を通して電析メ
ッキを行なう方法において、メッキ液の組成が塩化$1
(I) 、チオ硫酸ナトリウム及び亜硫酸水素ナトリ
ウムを主成分とする水溶液であることを特徴とするCu
−Sメッキの方法である。
ッキを行なう方法において、メッキ液の組成が塩化$1
(I) 、チオ硫酸ナトリウム及び亜硫酸水素ナトリ
ウムを主成分とする水溶液であることを特徴とするCu
−Sメッキの方法である。
本発明のメッキ方法におけるメッキ液の組成とメッキの
条件は次のとおりである。
条件は次のとおりである。
本°発明のメッキ液の組成は、塩化銅(I)、チオ硫酸
ナトリウム及び亜硫酸ナトリウムを主成分としたメッキ
液を用いることが、本発明の目的を達成する上で特に重
要である。
ナトリウム及び亜硫酸ナトリウムを主成分としたメッキ
液を用いることが、本発明の目的を達成する上で特に重
要である。
本発明のメッキ方法において、電流を与える条件として
は定電流で行なうことが好ましく、電流密度は、目的と
するCu−Sメッキ物を得るためには、500A/wr
、好ましくは5〜50A/iとするのが良い。
は定電流で行なうことが好ましく、電流密度は、目的と
するCu−Sメッキ物を得るためには、500A/wr
、好ましくは5〜50A/iとするのが良い。
本発明によれば被メッキ物は、陰極にFj、続され、材
質としては特に限定されないが例えば鉄、銅などが用い
られる。
質としては特に限定されないが例えば鉄、銅などが用い
られる。
一方、陽極の材質としては、特に限定されるものではな
いが、例えば白金、カーボン、金などが用いられる。本
発明に言うCu−3とはCuxS(ここでx==1〜2
の整数を示す)又はCuとCuxSの混合物を言う。
いが、例えば白金、カーボン、金などが用いられる。本
発明に言うCu−3とはCuxS(ここでx==1〜2
の整数を示す)又はCuとCuxSの混合物を言う。
(作 用)
本発明によればチオ硫酸イオン単独からは、硫黄の析出
し得ない。しかしどのような機も1をとるにせよ、硫黄
の反応種であるチオ硫酸イオンの、カソード近傍での濃
度はメッキ物に生成し含まれる。硫黄量を太き(左右す
るものと考えられる。
し得ない。しかしどのような機も1をとるにせよ、硫黄
の反応種であるチオ硫酸イオンの、カソード近傍での濃
度はメッキ物に生成し含まれる。硫黄量を太き(左右す
るものと考えられる。
11SO,アニオンは中性からP H6〜3までの環境
でs、o、’ に還元されるが、K、Jellinc
kらは生成したs、o、”がさらに還元されチオ硫酸イ
オンになることを見付けている。
でs、o、’ に還元されるが、K、Jellinc
kらは生成したs、o、”がさらに還元されチオ硫酸イ
オンになることを見付けている。
(^l1en J、[1ard、 ” Encylop
edla or clcctrochcmistry
of the elements” vol、
N 、 chap IV −8,4,8(P、
335)Marcel、New York)本発明で
はこの反応を応用することにより到達し得たもので、チ
オ硫酸ナトリウム溶液にCuCl。
edla or clcctrochcmistry
of the elements” vol、
N 、 chap IV −8,4,8(P、
335)Marcel、New York)本発明で
はこの反応を応用することにより到達し得たもので、チ
オ硫酸ナトリウム溶液にCuCl。
亜硫酸水素ナトリウムを添加した水溶液からのメッキを
試みCu−Sメッキ物が得られている。
試みCu−Sメッキ物が得られている。
本発明によれば、水溶液からのCu−Sメッキ方法で、
従来に見ないCu−3メツキ物中のSの含量、例えばf
at%(原子比%)以上のものが得られている。
従来に見ないCu−3メツキ物中のSの含量、例えばf
at%(原子比%)以上のものが得られている。
(実施例)
以下、本発明の実施例を示すが、特にこの例に限定され
るものではない。
るものではない。
めっき操作は定電流で行い、カソード基板には、冷間圧
延された軟鋼板を、以下のような前処理を施し、使用し
た。まず、2000番までエメリー研磨し、脱脂するた
めに、アセトン中で超音波洗浄した。ついで、めっき物
の密着性を増すために、N a Clを飽和させた5%
HCI中で、約30分エツチングを行なった。エツチン
グ作業時に生成し、表面に付着している酸化物を取除く
ために、数秒間、10%I−I Cl中で超音波洗浄し
た。そのまま同塩酸中に、酸洗のため、5〜10分間浸
漬させておいた後、すばやく水洗してから、めっきを開
始した。また、めっき終了後は、水洗し、アセトンで洗
浄してから、温風で試料を乾燥させた。
延された軟鋼板を、以下のような前処理を施し、使用し
た。まず、2000番までエメリー研磨し、脱脂するた
めに、アセトン中で超音波洗浄した。ついで、めっき物
の密着性を増すために、N a Clを飽和させた5%
HCI中で、約30分エツチングを行なった。エツチン
グ作業時に生成し、表面に付着している酸化物を取除く
ために、数秒間、10%I−I Cl中で超音波洗浄し
た。そのまま同塩酸中に、酸洗のため、5〜10分間浸
漬させておいた後、すばやく水洗してから、めっきを開
始した。また、めっき終了後は、水洗し、アセトンで洗
浄してから、温風で試料を乾燥させた。
チオ硫酸ナトリウム 1.0M
塩化銅(I) 0.1M
亜硫酸水素ナトリウム 0.6M
上記メッキ液を用いたメッキ浴において、室温で電流密
度10A/♂、通電時間4時間メッキを行ない約5μの
Cu−Sメッキ物を得た。
度10A/♂、通電時間4時間メッキを行ない約5μの
Cu−Sメッキ物を得た。
得られたメッキ物はCu*SであることがEDX分析よ
り確認された。
り確認された。
尚、ここでEDX分析とはエネルギー分散分光性分析を
言うもので試料に電子を照射した時発生するX線の強度
に基づいて構成元崇め定量分析をする方法である。
言うもので試料に電子を照射した時発生するX線の強度
に基づいて構成元崇め定量分析をする方法である。
(発明の効果)
本発明によれば、次のような格別な効果が得られる。即
ち、従来、Cu−Sメッキ物を得るにはメッキ液として
「機溶媒を必要とし、特に環境安全、取扱いコスト等の
面で実用化において問題があったが、本発明によればメ
ッキ液として水溶液からのCu−Sメッキが可能となり
、毒性がなく低コストで取扱いが容易な工業プロセスへ
のnmが可能となり、各応用展開も可能となった。
ち、従来、Cu−Sメッキ物を得るにはメッキ液として
「機溶媒を必要とし、特に環境安全、取扱いコスト等の
面で実用化において問題があったが、本発明によればメ
ッキ液として水溶液からのCu−Sメッキが可能となり
、毒性がなく低コストで取扱いが容易な工業プロセスへ
のnmが可能となり、各応用展開も可能となった。
又、Cu−Sメッキ物中のS含存量の大きいメッキ物が
得られることも特徴の1つである。
得られることも特徴の1つである。
Claims (1)
- 被メッキ物をメッキ液中で、電流を通して電析メッキを
行なう方法において、メッキ液の組成が塩化銅( I )
、チオ硫酸ナトリウム及び亜硫酸水素ナトリウムを主成
分とする水溶液であることを特徴とするCu−Sメッキ
の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13953687A JPS63303091A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | Cu−Sメッキの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13953687A JPS63303091A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | Cu−Sメッキの方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63303091A true JPS63303091A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15247562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13953687A Pending JPS63303091A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | Cu−Sメッキの方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63303091A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998041675A1 (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-24 | Learonal, Inc. | Cyanide-free monovalent copper electroplating solutions |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP13953687A patent/JPS63303091A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998041675A1 (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-24 | Learonal, Inc. | Cyanide-free monovalent copper electroplating solutions |
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