JPS6329998A - セラミツク複合基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミック複合基板、特にコンデンサ素子を内
蔵したセラシック複合基板に関する。

〔従来の技術〕

従来のコンデンサ素子を内蔵したセラミック複合基板（
以下、Ｃ内蔵基板という）は、例えば、第３図に示すよ
うに、高誘電率を発現する誘電体層２１内に、内部電極
３を形成し、誘電体層２１０両外面に配設された絶縁体
層部の外部に形成された外部電極１３との間を内部配線
乙により接続した構造となっていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のＣ内蔵基板においては、絶縁体層乙の絶
縁性セラミックス材料（以下絶縁材という）が誘電体層
２１の誘電体セラミックス中へ拡散して反応するため、
本来誘電体セラミックスが示すべき比誘電率（約１ｏ、
ｏｏｏ　）にくらべて、著しく劣る比誘電率（約１，５
００　）を示す。従って、大容量のコンデンサを内蔵さ
せるには大面積が必要となり、セラミック複合基板の特
徴である小屋化、高集積化を妨げるという欠点がある。

本発明は、上記問題点を解消し、誘電体層内に、内部電
極と同電位の金属導体層を設けることＫよって比誘電率
の低下を防止し、大容量のコンデンサを小面積で内蔵で
きるセラミック複合基板を提供することを目的とするも
のである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題を解決する本発明の手段は、絶縁体層に挟持さ
れ多数の誘を体層で構成されたコンデンサのそれぞれ最
外側の一対の内部電極よりも前記絶縁体層に近い誘電体
層内にて金属導体層が前記各々の最外側内部電極と平行
で、前記内部電極面に対し垂直に投影した形状が同一か
または大きくし、かつ前記各々の金属導体層が前記各々
内部電極と同電位であることを特徴とするコンデンサを
内蔵するセラミック基板、である。

〔作　　用〕

本発明は内部電極と同電位の金属導体層を設けることに
よって比誘電率の低下を防止し、大容量のコンデンサを
小面積で内蔵できるとい・シ独創的内容を有する。

〔実　施　例〕

つぎに、本発明を実施例により図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図
の積層構造を示す分解図である。

この実施例においては、セラミック複合基板内に構成さ
れるコンデンサは単純な一対の対向内部電極を有するも
のについて説明する。

第１図において、本発明のセラミック基板は、誘電性セ
ラミック材料よりなる誘電体層４内に、内部電極３，３
が形成され、内部電極３，３の外側部にこれと平行に配
置された金属導体層５，５が形成される。金属導体ノー
５は内部［極３の電極面に対し垂直に投影した形状が同
一かあるいはそれより大きく、かつ内部電極３と同電位
である。

内部電極３，３．金属導体５，５が形成された誘電体層
の両外面にセラミック材料よりなる絶縁体層ｎが積層さ
れ、絶縁体層ｎの各外面に外部電極１３が形成され、内
部電極３．金属導体５および外部電極１３との間を誘電
体層２１および絶、導体層ｎを通して内部配線おにより
接続する。

第２図により、本発明の積層構造の一実施例について、
詳細忙説明する。誘電性セラミックシート（以下誘電シ
ートという）１は、鉄・ニオブ酸鉛や鉄・タングステン
酸鉛またはチタン酸鉛およびマグネシウム・タングステ
ン酸鉛等を主成分とする誘電性セラミック材料（以下、
誘電材という）からなる粉末に有機系のバインダを加え
て混練し、ドクター・ブレード法で成形した厚さ釣力μ
ｍのシートであって、誘電シート１の所望する位置に上
下シートの導通用バイアホール２が設ゆられる。

内部電極３は、誘電シート１０片面に銀−パラジウムを
含有する４電ペーストを被着させて形成される。誘電シ
ー）ＩＫはバイアホール２が穿設される。４はバイアホ
ール２を囲んで導電ペーストを被着した円または矩形の
ランドを示す。金属導体層（以下、同電位導体層という
）５は絶縁性シート１０に導電ペーストを被着させて形
成した内部電極３と同電位の導体であり、６は内部電極
３または同電位導体層５とランド４を接続する導電ペー
ストを被着するパターンである。

絶５峰性セラミックグリーンシート（以下絶縁シートと
いう）　１０は誘電シート１の上下に配設するもので、
酸化アルミニウムとホウケイ酸鉛を主成分とする。１１
はそれぞれの絶縁シート１０の所定の位置に設げたバイ
アホールである。１２は上述の誘電シート１の場合と同
様の方法で形成したランド、１３は最外層に導電ペース
トの被着し【形成した端子肘用外部電極である。上述の
絶縁シート１０と誘電シート１を熱圧着して、未焼成セ
ラミツク複合基板を形成する。この未焼成セラミツク複
合基板を温度８００〜１０００’Ｃで焼成することによ
って同電位導体層を持つＣ内蔵基板が形成されろ。ここ
で、積層された誘電シート１は誘電体層２１（第１図）
Ｋ、絶縁シート１０は絶縁体層２２（第１図）に、それ
ぞれ焼成により、成形される。

第１図に示すように、同電位導体層５は、誘電体層２１
において、内部電極３に平行で、電極面（て対して垂直
に投影した形状が同一で、かつ内部電極よりも絶、導体
層ｎに近い部分に形成される。

絶縁体層ｎ中のＰ３縁材は、誘電体層２１中に拡散して
誘電材と反応する。その結果、誘電材が変質して比誘電
率の低い材料となりまた焼結性も低下するので、本来誘
電体セラミックスが発現すべきコンデンサ容量を着しく
低下させてしまう。

しかし、本発明における金属導体層５は、この絶縁材の
拡散を減少させる働きがあり、従っ″′Ｃ第３図の従来
の同電位導体層のない構造では、内蔵コンデンサの比誘
電率がε＝約１．５００であるのに対し、第１図の本発
明の同電位導体層５を設けた構造では、誘電材の変質が
減少し、また焼結性も向上するために、ｔ＝約５，５０
０と約３．７倍に向上する。なお、本実施例では同電位
導体層と内部電極を同一形状としたが、同電位導体層の
形状を内部電極よりも大きくした場合、効果はさらに増
す。

〔発明の効果〕

以上説明したよ５に本発明は、同電位導体層を設けたＣ
内蔵基板を製作することＫより、同電位導体ＭＶｃよっ
て比誘電率の低下が減少し、小面積で大容量のコンデン
サの内蔵を可能としたセラミック複合基板が得られる効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
積層構造の一実施例説明のための分解斜祈図、第３図は
従来のセラミック複合基板の断面図である。 ３・・・内　部　電　極、　５・・・同電位導体上、１
３・・・外　部　電　極、　２１・・・誘　電　体　層
、ｎ・・・絶　縁　体　層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁体層に挟持され多数の誘電体層で構成されたコン
   デンサのそれぞれ最外側の一対の内部電極よりも前記絶
   縁体層に近い誘電体層内にて金属導体が前記各々の最外
   側内部電極と平行で、前記内部電極面に対して垂直に投
   影した形状が同一かまたは大きくし、かつ前記各々の金
   属導体層が前記各々内部電極と同電位であることを特徴
   とするコンデンサを内蔵するセラミック基板。