JPS6329943A - パタ−ンシフト量の測定方法 - Google Patents
パタ−ンシフト量の測定方法Info
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- JPS6329943A JPS6329943A JP17450486A JP17450486A JPS6329943A JP S6329943 A JPS6329943 A JP S6329943A JP 17450486 A JP17450486 A JP 17450486A JP 17450486 A JP17450486 A JP 17450486A JP S6329943 A JPS6329943 A JP S6329943A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンのエピタキシャル成長後の評価方法
に関するものであり、特に、埋込み層を有したシリコン
ウェハースにエピタキシャル成長を行なうときに生じる
、下地のパターンとエピタキシャル層表面のパターンと
のズレ、すなわち、パターンシフト量を測定する方法に
関するものである。
に関するものであり、特に、埋込み層を有したシリコン
ウェハースにエピタキシャル成長を行なうときに生じる
、下地のパターンとエピタキシャル層表面のパターンと
のズレ、すなわち、パターンシフト量を測定する方法に
関するものである。
従来、この種のパターンシフト量の測定方法は、シリコ
ンウェハースに埋込み層を形成する工程と、埋込み層が
形成されたシリコンウェハースにエピタキシャル成長を
行なう工程と、エピタキシャル成長済みウェハースをダ
イヤモンドポイント等の切断工具により数ミリ角のチッ
プに切断し、このチップを研磨治具にワックスを用いて
貼付し、角度研磨を行なう工程と、角度研磨終了後のチ
ップを研磨治具から取外し、ワ・ｌクス除去のための洗
浄をし、ステンエッチを行ない、埋込み層を着色させ埋
込み層が目で見えるようにする工程と、ステンエッチ液
を除去するための水洗、乾燥を行なう工程と、表面パタ
ーンと、ステンエッチにより着色された下地埋込みパタ
ーンとのズレを顕微鏡に取付ちれ７′、−測微計を用い
てパターンシフト量を測定する工程とで構成されていた
。
ンウェハースに埋込み層を形成する工程と、埋込み層が
形成されたシリコンウェハースにエピタキシャル成長を
行なう工程と、エピタキシャル成長済みウェハースをダ
イヤモンドポイント等の切断工具により数ミリ角のチッ
プに切断し、このチップを研磨治具にワックスを用いて
貼付し、角度研磨を行なう工程と、角度研磨終了後のチ
ップを研磨治具から取外し、ワ・ｌクス除去のための洗
浄をし、ステンエッチを行ない、埋込み層を着色させ埋
込み層が目で見えるようにする工程と、ステンエッチ液
を除去するための水洗、乾燥を行なう工程と、表面パタ
ーンと、ステンエッチにより着色された下地埋込みパタ
ーンとのズレを顕微鏡に取付ちれ７′、−測微計を用い
てパターンシフト量を測定する工程とで構成されていた
。
上述した従来の角度研磨法によるパターンシフ１− ｉ
の測定方法では、測定結果が得られるまでに３時間から
５時間の長い時間を要しており、エピタキシャル成長工
程の量産ライン中に、測定結果を早くフィードバックで
きない欠点があった。
の測定方法では、測定結果が得られるまでに３時間から
５時間の長い時間を要しており、エピタキシャル成長工
程の量産ライン中に、測定結果を早くフィードバックで
きない欠点があった。
さらに、パターンシフト量をステフェッチ法で行なうに
は、下地の埋込みパターンが、エビ成長時の熱処理によ
り、縦方向の拡散と同時に横方向にも拡散が行なわれ、
横方向の拡散分だけ誤差を生じ、正確なパターンシフト
量を求めるには不適であるという欠点がある。
は、下地の埋込みパターンが、エビ成長時の熱処理によ
り、縦方向の拡散と同時に横方向にも拡散が行なわれ、
横方向の拡散分だけ誤差を生じ、正確なパターンシフト
量を求めるには不適であるという欠点がある。
本発明は、この欠点を解決すべくなされたもので、測定
結果が得られるまでの時間を短縮し、次回のエピタキシ
ャル成長までに測定結果をフィードバックし、さらに、
埋込層の横方向拡散による誤差を無くずパターンシフト
量の測定方法を提供するものである。
結果が得られるまでの時間を短縮し、次回のエピタキシ
ャル成長までに測定結果をフィードバックし、さらに、
埋込層の横方向拡散による誤差を無くずパターンシフト
量の測定方法を提供するものである。
本発明のパターンシフト量の測定方法は、シリコンウェ
ハースに埋込み層を形成する第１の工程と、埋込み層が
形成されたシリコンウェハースの一部にエピタキシャル
成長を行なう第２の工程と、エピタキシャル成長した場
所とエピタキシャル成長しない場所との間にある段差を
挟んだ素子間の距離を測定する第３の工程と、エピタキ
シャル成長しない場所の素子間の距離を測定する第４の
工程とを有し、前記第３．第４の工程で測定した２ケ所
の距離の差からパターンシフト量を求めることを特徴と
する方法である。
ハースに埋込み層を形成する第１の工程と、埋込み層が
形成されたシリコンウェハースの一部にエピタキシャル
成長を行なう第２の工程と、エピタキシャル成長した場
所とエピタキシャル成長しない場所との間にある段差を
挟んだ素子間の距離を測定する第３の工程と、エピタキ
シャル成長しない場所の素子間の距離を測定する第４の
工程とを有し、前記第３．第４の工程で測定した２ケ所
の距離の差からパターンシフト量を求めることを特徴と
する方法である。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための、シリコ
ンウェハースの断面の一部分を示した原理図である。
ンウェハースの断面の一部分を示した原理図である。
まず、従来から用いられている方法によって、シリコン
サブストレート１の表面に埋込み形成面４が形成されて
いるシリコンウェハースを準備した。この時の埋込みパ
ターン４の段差は、２００人であった。
サブストレート１の表面に埋込み形成面４が形成されて
いるシリコンウェハースを準備した。この時の埋込みパ
ターン４の段差は、２００人であった。
次に、シリコンエピタキシャル成長装置のサセプター上
に、前記埋込みパターンが形成されているシリコンウェ
ハースを置き、さらにこのシリコンウェハース上の中央
部分に石英板を置いてエピタキシャル成長を行なった。
に、前記埋込みパターンが形成されているシリコンウェ
ハースを置き、さらにこのシリコンウェハース上の中央
部分に石英板を置いてエピタキシャル成長を行なった。
この時、１００ＩＩＩＩφのシリコンウェハースの中央
部に１５ｍｍＸ４０ｍｍ厚さ０．５ｍ＋＊の大きさの石
英板を置いた。シリコンウェハースの中央部に石英板を
置くことによって、シリコンウェハース内の石英板を置
いた部分のエピタキシャル成長を防止できる効果があり
、シリコンウェハースの一部分に未エビ成長面４を形成
することができ、この未エビ成長面４の表面にはエピタ
キシャル成長前の埋込みパターンが残される。
部に１５ｍｍＸ４０ｍｍ厚さ０．５ｍ＋＊の大きさの石
英板を置いた。シリコンウェハースの中央部に石英板を
置くことによって、シリコンウェハース内の石英板を置
いた部分のエピタキシャル成長を防止できる効果があり
、シリコンウェハースの一部分に未エビ成長面４を形成
することができ、この未エビ成長面４の表面にはエピタ
キシャル成長前の埋込みパターンが残される。
次に、エピタキシャル成長層２と未エビ成長面４のエピ
タキシャル層厚さを測定し、石英板を置いた未エビ成長
面４には、エピタキシャル成長されていないことを確認
した。さらに、石英板を置いた以外の部分にあるエピタ
キシャル成長層２には、所望の厚さである２０μｍのエ
ピタキシャル成長層が形成されているのを確認した。
タキシャル層厚さを測定し、石英板を置いた未エビ成長
面４には、エピタキシャル成長されていないことを確認
した。さらに、石英板を置いた以外の部分にあるエピタ
キシャル成長層２には、所望の厚さである２０μｍのエ
ピタキシャル成長層が形成されているのを確認した。
次に、エピタキシャル成長面３内のパターンから未エビ
成長面４内のパターンまでの距Ｍ６を精密に測定し、さ
らに、未エビ成長面４内で前記で測定したパターンと同
一パターン間隔の距離７を測定し、前記２ケ所の測定し
た距Ｎ６，７の差からパターンシフト量５を求めた結果
、パターンシフト量は１５μｍであることが確認された
。この測定に要した時間は１５分であり、従来の３〜５
時間の測定時間と比較すると大幅に測定時間が短縮され
ていることを確認した。さらにこの時測定したパターン
シフト量５は、従来のステフェッチ法によるパターンシ
フト量と合っていることも確認した。
成長面４内のパターンまでの距Ｍ６を精密に測定し、さ
らに、未エビ成長面４内で前記で測定したパターンと同
一パターン間隔の距離７を測定し、前記２ケ所の測定し
た距Ｎ６，７の差からパターンシフト量５を求めた結果
、パターンシフト量は１５μｍであることが確認された
。この測定に要した時間は１５分であり、従来の３〜５
時間の測定時間と比較すると大幅に測定時間が短縮され
ていることを確認した。さらにこの時測定したパターン
シフト量５は、従来のステフェッチ法によるパターンシ
フト量と合っていることも確認した。
次に、エピタキシャル成長しない場所のパターン間の距
離７が、埋込みパターン形成時に用いたマスクパターン
の距離と合っていること分確認した。このことは、エピ
タキシャル成長時の熱処理により、埋込み層の横方向拡
散による誤差が発生していないことの証明である。
離７が、埋込みパターン形成時に用いたマスクパターン
の距離と合っていること分確認した。このことは、エピ
タキシャル成長時の熱処理により、埋込み層の横方向拡
散による誤差が発生していないことの証明である。
以上説明したように本発明は、測定結果が得られるまで
の時間を大幅に短縮でき、測定結果が早くフィードバッ
クできる効果をもたらし、さらに、埋込層の横方向拡散
による誤差も同時に防止できる効果をもたらす。
の時間を大幅に短縮でき、測定結果が早くフィードバッ
クできる効果をもたらし、さらに、埋込層の横方向拡散
による誤差も同時に防止できる効果をもたらす。
第１図は本発明の一実施例の原理図である。
１・・・シリコンサブストレート、２・・・エピタキシ
ャル成長層、３・・・エピタキシャル成長面、４・・埋
込み形成面（未エビ成長面〉、５・・・パターンシフト
量、６・・・段差を挟んでパターン間の距離、７・・・
エビ成長しない場所のパターン間の距離。
ャル成長層、３・・・エピタキシャル成長面、４・・埋
込み形成面（未エビ成長面〉、５・・・パターンシフト
量、６・・・段差を挟んでパターン間の距離、７・・・
エビ成長しない場所のパターン間の距離。
Claims (1)
- シリコンウェハースに埋込み層を形成する第１の工程と
、埋込み層が形成されたシリコンウェハースの一部にエ
ピタキシャル成長を行なう第２の工程と、エピタキシャ
ル成長した場所とエピタキシャル成長しない場所との間
にある段差を挟んだ素子間の距離を測定する第３の工程
と、エピタキシャル成長しない場所の素子間の距離を測
定する第４の工程とを有し、前記第３、第４の工程で測
定した２ケ所の距離の差からパターンシフト量を求める
ことを特徴とするパターンシフト量の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17450486A JPS6329943A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | パタ−ンシフト量の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17450486A JPS6329943A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | パタ−ンシフト量の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329943A true JPS6329943A (ja) | 1988-02-08 |
| JPH0528904B2 JPH0528904B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=15979657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17450486A Granted JPS6329943A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | パタ−ンシフト量の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329943A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0490186A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-17 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Pattern shift measuring method |
| US5627083A (en) * | 1993-08-03 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including step of forming superposition error measuring patterns |
| CN107204283A (zh) * | 2016-03-18 | 2017-09-26 | 万国半导体股份有限公司 | 一种监控外延层几何形状发生漂移的方法 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17450486A patent/JPS6329943A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0490186A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-17 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Pattern shift measuring method |
| US5172188A (en) * | 1990-11-30 | 1992-12-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Pattern shift measuring method |
| US5627083A (en) * | 1993-08-03 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including step of forming superposition error measuring patterns |
| CN107204283A (zh) * | 2016-03-18 | 2017-09-26 | 万国半导体股份有限公司 | 一种监控外延层几何形状发生漂移的方法 |
| CN107204283B (zh) * | 2016-03-18 | 2020-02-21 | 万国半导体股份有限公司 | 一种监控外延层几何形状发生漂移的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528904B2 (ja) | 1993-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |