JPS63294536A - 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 - Google Patents
封止構造を有するエレクトロクロミック素子Info
- Publication number
- JPS63294536A JPS63294536A JP62130828A JP13082887A JPS63294536A JP S63294536 A JPS63294536 A JP S63294536A JP 62130828 A JP62130828 A JP 62130828A JP 13082887 A JP13082887 A JP 13082887A JP S63294536 A JPS63294536 A JP S63294536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ecd
- electrode layer
- curing
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 206010063836 Atrioventricular septal defect Diseases 0.000 description 40
- 238000001211 electron capture detection Methods 0.000 description 40
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJBYVSUZCRXTOD-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-9h-fluorene Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(OC)=CC=C2 IJBYVSUZCRXTOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AERZMMNNWVZSNB-UHFFFAOYSA-N 3-dodec-1-ynyloxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCC#CC1CC(=O)OC1=O AERZMMNNWVZSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical group C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Ir]=O Chemical compound [Sn]=O.[Ir]=O BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- -1 hydroxy ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);octadecacyanide Chemical compound [Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJOMYNHMBRNCNY-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diamine Chemical compound CCCCC(N)N KJOMYNHMBRNCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M potassium chloride Inorganic materials [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229960003351 prussian blue Drugs 0.000 description 1
- 239000013225 prussian blue Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロクロミック素子の改良に関する。
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が起
こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムと言
う、このような現象を示すエレクトロクロミック(以下
、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により着消
色するEC素子(以下、ECDと略す)を作り、このE
CDを光量制御素子(例えば、防眩ミラー)や7セグメ
ントを利用した数字表示素子に利用しようとする試みは
、20年以上前から行われている0例えば、ガラス基板
の上に下部電極層、EC物質としての二酸化タングステ
ン薄膜又は二酸化ケイ素のような絶縁膜の何れか一方、
次に他方、最後に上部電極層を順次積層してなるECD
(特公昭52−46098参照)が全固体型ECDとし
て知られている。
こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムと言
う、このような現象を示すエレクトロクロミック(以下
、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作により着消
色するEC素子(以下、ECDと略す)を作り、このE
CDを光量制御素子(例えば、防眩ミラー)や7セグメ
ントを利用した数字表示素子に利用しようとする試みは
、20年以上前から行われている0例えば、ガラス基板
の上に下部電極層、EC物質としての二酸化タングステ
ン薄膜又は二酸化ケイ素のような絶縁膜の何れか一方、
次に他方、最後に上部電極層を順次積層してなるECD
(特公昭52−46098参照)が全固体型ECDとし
て知られている。
ECDの各層はいずれも非常に薄いことから、真空薄膜
形成技術例えば反応又は非反応真空蒸着、反応又は非反
応イオンブレーティング、反応又は非反応スパッタリン
グ、CVDで成膜される。
形成技術例えば反応又は非反応真空蒸着、反応又は非反
応イオンブレーティング、反応又は非反応スパッタリン
グ、CVDで成膜される。
このECDに電池から得られる程度の電圧を印加すると
二酸化タングステン(WOs)if膜が青色に着色する
。その後、このECDに同程度の逆電圧を印加すると、
wosflRlの青色が消えて無色になる。この着色・
消色する機構は詳しくは解明されていないが、WO3薄
膜及び/又は絶縁膜(イオン導電層)中に含まれる少量
の水分がWO3の着色・消色を支配していると理解され
ている。
二酸化タングステン(WOs)if膜が青色に着色する
。その後、このECDに同程度の逆電圧を印加すると、
wosflRlの青色が消えて無色になる。この着色・
消色する機構は詳しくは解明されていないが、WO3薄
膜及び/又は絶縁膜(イオン導電層)中に含まれる少量
の水分がWO3の着色・消色を支配していると理解され
ている。
着色の反応式は下記のように推定されている。
陰極側:
Hz O= H’ + OH−
WOs+nH”+ne−−*H*WOs(無色透明)
(青色)陽極側: 0H−=1/2H*O+1/40t↑千1/2 a −
その後、WO3層の還元反応を補償する酸化反応する層
を追加した対象型ECDが発明された。
(青色)陽極側: 0H−=1/2H*O+1/40t↑千1/2 a −
その後、WO3層の還元反応を補償する酸化反応する層
を追加した対象型ECDが発明された。
例えば、特開昭50−50892 、同52−7374
9 、同56−4679参照のこと、このようなECD
の断面構造を第1図に示す。
9 、同56−4679参照のこと、このようなECD
の断面構造を第1図に示す。
EC層を直接又は間接的に挟む一対の電極層は、EC層
の着消色を外部に見せるために少なくとも一方は透明で
なければならない、特に透過型のECDの場合には両方
とも透明でなければならない。
の着消色を外部に見せるために少なくとも一方は透明で
なければならない、特に透過型のECDの場合には両方
とも透明でなければならない。
透明な電極材料としては、現在のところSnug、In
got、ITO(SnOgとInn’sとの混合物)、
ZnOなどが知られているが、これらの材料は比較的透
明度が悪いために薄くせねばならず、この理由及びその
他の理由からECDは基板例えばガラス板やプラスチッ
ク板の上に形成するのが普通である。
got、ITO(SnOgとInn’sとの混合物)、
ZnOなどが知られているが、これらの材料は比較的透
明度が悪いために薄くせねばならず、この理由及びその
他の理由からECDは基板例えばガラス板やプラスチッ
ク板の上に形成するのが普通である。
第1図に於いて、(A)は下部1i掻層、(B)は可逆
的電解酸化層又は酸化着色性EC層例えば酸化又は水酸
化イリジウム、(C)はイオン11層、(D)は還元着
色性EC層例えばWO,、(E)は上部電極層をそれぞ
れ示し、基本的にはこの(A)〜(E)の積層構造だけ
でECDが構成されるが、前述のとおり、これら0EC
Dは基板(S)上に形成される。
的電解酸化層又は酸化着色性EC層例えば酸化又は水酸
化イリジウム、(C)はイオン11層、(D)は還元着
色性EC層例えばWO,、(E)は上部電極層をそれぞ
れ示し、基本的にはこの(A)〜(E)の積層構造だけ
でECDが構成されるが、前述のとおり、これら0EC
Dは基板(S)上に形成される。
そして、最後にECDの耐久性を高めるため、上部電極
層(E)の封止樹脂(R)を塗布した後、封止基板(G
)例えばガラス板で封止する。この場合、封止樹脂とし
ては熱硬化性樹脂の1種であるエポキシ樹脂が使用され
る(例えば、特開昭57−158622号)。
層(E)の封止樹脂(R)を塗布した後、封止基板(G
)例えばガラス板で封止する。この場合、封止樹脂とし
ては熱硬化性樹脂の1種であるエポキシ樹脂が使用され
る(例えば、特開昭57−158622号)。
ECDの電極(A)、(E)に外部電源を供給するため
には、各々、取出し電極部が必要で、ここに外部配!(
LA)、(LE)が各々接続される。
には、各々、取出し電極部が必要で、ここに外部配!(
LA)、(LE)が各々接続される。
従来のECDは、高温耐久性に劣るという問題点があっ
た。
た。
本発明者らは、鋭意研究の結果、従来のエポキシ樹脂は
硬化後のガラス転移温度(Tg)が80℃以下であり、
これを硬化後のTgが90℃以上のエポキシ樹脂を使用
することより、高温耐久性を向上させることができるこ
とを見い出し、本発明を成すに至った。
硬化後のガラス転移温度(Tg)が80℃以下であり、
これを硬化後のTgが90℃以上のエポキシ樹脂を使用
することより、高温耐久性を向上させることができるこ
とを見い出し、本発明を成すに至った。
従って、本発明は、硬化後のTgが90℃以上のエポキ
シ樹脂で封止したことを特徴とするECDを提供する。
シ樹脂で封止したことを特徴とするECDを提供する。
エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂の1種であり、一般に主
剤と硬化剤の2成分からなり、これを使用にあたって混
合する。混合物は常温又は加熱下に放置すると硬化し、
硬化物は熱可塑性を示さない。
剤と硬化剤の2成分からなり、これを使用にあたって混
合する。混合物は常温又は加熱下に放置すると硬化し、
硬化物は熱可塑性を示さない。
主剤は、既に知られているように分子中に2個以上のエ
ポキシ基一般にはグリシジル基を有する。
ポキシ基一般にはグリシジル基を有する。
代表的な主剤は、ビスフェノールA又はビスフェノール
Fのジグリシジルエーテル及びその同族体である。以下
に主剤の分子式を例示する。
Fのジグリシジルエーテル及びその同族体である。以下
に主剤の分子式を例示する。
(n: O〜15)
hl
(X: C1,Br)
C)
(n: O−2)
(R: H,0M3)
他方、硬化剤としては、アミン系、酸無水物系その他が
ある。
ある。
アミン系としては、例えばジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジエ
チルアミノプロピルアミン、ペンタンジアミン、アミノ
エチルピペラジン、ピペリジン、ベンジルジメチルアミ
ン、ジシンジアミドジアミノジフェニルメタン、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホンなどが
挙げられる。
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジエ
チルアミノプロピルアミン、ペンタンジアミン、アミノ
エチルピペラジン、ピペリジン、ベンジルジメチルアミ
ン、ジシンジアミドジアミノジフェニルメタン、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホンなどが
挙げられる。
酸無水物系としては、例えば無水フタル酸、テトラハイ
ドロフタリンク・アンハイドライド、ヘキサハイドロフ
タリ°ツク・アンハイドライド、メチルナジック・アン
ハイドライド、ドデシニルサクシニック・アンハイドラ
イド、クロデンディッツ・アンハイドライド、パイロメ
リチフク・ジアンハイドライドなどが挙げられる。
ドロフタリンク・アンハイドライド、ヘキサハイドロフ
タリ°ツク・アンハイドライド、メチルナジック・アン
ハイドライド、ドデシニルサクシニック・アンハイドラ
イド、クロデンディッツ・アンハイドライド、パイロメ
リチフク・ジアンハイドライドなどが挙げられる。
その他としては、例えばアセチルアセトン・Al錯体が
挙げられる。
挙げられる。
本発明で重要なことは、硬化物のT、であり、これは上
に例示した主剤と硬化剤とを適当に組み合わせて予備実
験すれば、適当な組み合わせは容易に知れよう。
に例示した主剤と硬化剤とを適当に組み合わせて予備実
験すれば、適当な組み合わせは容易に知れよう。
尚、硬化時の温度は、100℃以下が好ましく、また1
00℃以下で硬化する組み合わせを選択することが好ま
しい。
00℃以下で硬化する組み合わせを選択することが好ま
しい。
次に、ECDの各層について説明すると、ECDは基本
的には一対の電極層とその眉間に挟まれたEC層とから
なる。
的には一対の電極層とその眉間に挟まれたEC層とから
なる。
しかし、EC層に加えて電極層間にイオン導電層を挿入
したタイプのECDが好ましい(例えば、特公昭52−
46098参照)、更に、EC物質として代表的なWO
2の如き還元着色性EC物質を使用したときには、可逆
的電解酸化層又は酸化着色性EC層を付加することが好
ましい(例えば、特開昭50−50892 、同52−
73749 、同56−4679参照)。
したタイプのECDが好ましい(例えば、特公昭52−
46098参照)、更に、EC物質として代表的なWO
2の如き還元着色性EC物質を使用したときには、可逆
的電解酸化層又は酸化着色性EC層を付加することが好
ましい(例えば、特開昭50−50892 、同52−
73749 、同56−4679参照)。
基板上に形成される下部電極層(A)としては、ECD
のタイプが透過型か反射型かで変わるが、透明である必
要があれば、上記透明電極材料例えば、Snug、In
tOs 、ITOで構成される。膜厚は、一般に0.0
4〜0.4 μmである。透明である必要がなければ、
金属材料又は炭素で下部電極! (A)が形成される。
のタイプが透過型か反射型かで変わるが、透明である必
要があれば、上記透明電極材料例えば、Snug、In
tOs 、ITOで構成される。膜厚は、一般に0.0
4〜0.4 μmである。透明である必要がなければ、
金属材料又は炭素で下部電極! (A)が形成される。
金属材料としては、例えば金、恨、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどが使用される。金属電極層は、上記の如き
透明電極層を仮に低抵抗なものにしても、それより1か
に低抵抗である。金属電極層の膜厚としては、一般に0
.04〜10μmである。膜厚が厚ければ、金属電極層
は光を反射し透過させない。従って、反射型のECDに
おいては上部電極層か下部電極層のいずれかを金属で構
成する。
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレスなどが使用される。金属電極層は、上記の如き
透明電極層を仮に低抵抗なものにしても、それより1か
に低抵抗である。金属電極層の膜厚としては、一般に0
.04〜10μmである。膜厚が厚ければ、金属電極層
は光を反射し透過させない。従って、反射型のECDに
おいては上部電極層か下部電極層のいずれかを金属で構
成する。
還元着色性EC層(B)としては、酸化タングステン、
酸化モリブデンなどが使用される。場合によっては、他
の有機又は無機物質でもよい。膜厚は、一般に0.3〜
1μmである。
酸化モリブデンなどが使用される。場合によっては、他
の有機又は無機物質でもよい。膜厚は、一般に0.3〜
1μmである。
必要に応じて設けられるイオン導電lit (C)とし
ては、例えば、■無機誘電体薄膜例えば酸化タンタル(
Tag’s)、酸化ニオブ(NbtOs)、酸化ジルコ
ニウム(ZrOx) 、酸化チタン(TiOt) 、酸
化ハフニウム()IfOt) 、酸化イツトリウム(Y
zOs)、酸化ランタン(LaJ3)、酸化珪素(Si
Ot) 、フッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあ
るいはこれらの混合物質の薄膜(これらのTit膜は、
製法により、電子に対しては絶縁性であるが、プロトン
(H3)及びヒドロキシイオン(OH−)に対しては良
導性となり、製造時に積極的に水を含ませるか、薄膜製
造後又はECD製造後に大気中にさらすことによって大
気中からの水分を自然に吸着させることにより、あるい
は系内のいずれからかのHI3. H” 、 OH−を
含むことにより、イオン導電性となり、しかも電子は透
過させない);■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化
ナトリウム、臭化カリウム、Na3ZrtSigPOt
t sNa+hx ZrSix Ps−xo+z 、N
a5YSiaO+ts RbAga■s等の固体電解質
が挙げられる。イオン導電層(C)の膜厚は、一般に0
.1〜2μmである。
ては、例えば、■無機誘電体薄膜例えば酸化タンタル(
Tag’s)、酸化ニオブ(NbtOs)、酸化ジルコ
ニウム(ZrOx) 、酸化チタン(TiOt) 、酸
化ハフニウム()IfOt) 、酸化イツトリウム(Y
zOs)、酸化ランタン(LaJ3)、酸化珪素(Si
Ot) 、フッ化マグネシウム、リン酸ジルコニウムあ
るいはこれらの混合物質の薄膜(これらのTit膜は、
製法により、電子に対しては絶縁性であるが、プロトン
(H3)及びヒドロキシイオン(OH−)に対しては良
導性となり、製造時に積極的に水を含ませるか、薄膜製
造後又はECD製造後に大気中にさらすことによって大
気中からの水分を自然に吸着させることにより、あるい
は系内のいずれからかのHI3. H” 、 OH−を
含むことにより、イオン導電性となり、しかも電子は透
過させない);■塩化ナナトリウム塩化カリウム、臭化
ナトリウム、臭化カリウム、Na3ZrtSigPOt
t sNa+hx ZrSix Ps−xo+z 、N
a5YSiaO+ts RbAga■s等の固体電解質
が挙げられる。イオン導電層(C)の膜厚は、一般に0
.1〜2μmである。
可逆的電解酸化層又は酸化着色性EC層(D)として使
用される物質としては、スチリル類似化合物、アリルピ
ラゾリン、了りルビリリウム、アリルピリジウム、メト
キシフルオレン、プルシアンブルー錯体、ルテニウムパ
ープル錯体、ペンタシアノカルボニル鉄酸鉄などの有機
物質のほか、イリジウーム、ニッケル、クロム、バナジ
ウム、ルテニウム、ロジウムなどの遷移金属の酸化又は
水酸化物が使用される。特にイリジウムの酸化又は水酸
化物を不活性分散媒で希釈してその■r金属含有率を1
〜20 at0%特に3〜10 at、%としたものは
、好ましいものである。i3明な不活性分散媒としては
、例えば酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化イツ
トリウム、酸化ランタン、フッ化マグネシウム、酸化ス
ズ、酸化インジウム、ITOなどが使用される0層(D
)は常B(安定状B)では無色又は淡色の透明な膜であ
り、膜厚は、一般に0.04〜1μmである。
用される物質としては、スチリル類似化合物、アリルピ
ラゾリン、了りルビリリウム、アリルピリジウム、メト
キシフルオレン、プルシアンブルー錯体、ルテニウムパ
ープル錯体、ペンタシアノカルボニル鉄酸鉄などの有機
物質のほか、イリジウーム、ニッケル、クロム、バナジ
ウム、ルテニウム、ロジウムなどの遷移金属の酸化又は
水酸化物が使用される。特にイリジウムの酸化又は水酸
化物を不活性分散媒で希釈してその■r金属含有率を1
〜20 at0%特に3〜10 at、%としたものは
、好ましいものである。i3明な不活性分散媒としては
、例えば酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化イツ
トリウム、酸化ランタン、フッ化マグネシウム、酸化ス
ズ、酸化インジウム、ITOなどが使用される0層(D
)は常B(安定状B)では無色又は淡色の透明な膜であ
り、膜厚は、一般に0.04〜1μmである。
上部1t8i層(E)は、上述の如く下部電極層と同一
の材料から選択される透明又は反射性電極である。
の材料から選択される透明又は反射性電極である。
そして、上部電極層(E)の上にエポキシ樹脂を塗布し
て封止基板(G)を重ね合わせるか、封止基板(G)に
エポキシ樹脂を塗布し、それを上部電極層(E)の上に
重ね合わせた後、常温又は昇温下で放置して樹脂を硬化
させる。
て封止基板(G)を重ね合わせるか、封止基板(G)に
エポキシ樹脂を塗布し、それを上部電極層(E)の上に
重ね合わせた後、常温又は昇温下で放置して樹脂を硬化
させる。
こうして、基板(S)と封止基板(G)との間にエポキ
シ樹脂で封止されたECDが得られる。
シ樹脂で封止されたECDが得られる。
以下、実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
第1図は、本実施例のECDの概略断面図である0図は
、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
、一部デホルメしてあり正確な寸法比を有しない。
(1)先ず、縦200nx横100鶴×厚さl−一の大
面積ガラス基[(S)を用意し、この上に真空蒸着(基
板温度:350℃)により、膜厚0.15μm、抵抗8
Ω/口のITO膜からなる下部電極層(A)を形成した
。
面積ガラス基[(S)を用意し、この上に真空蒸着(基
板温度:350℃)により、膜厚0.15μm、抵抗8
Ω/口のITO膜からなる下部電極層(A)を形成した
。
(2)次に膜厚0.12μmの酸化イリジウム−酸化ス
ズ混合膜からなる酸化着色性EC層(B)を反応真空蒸
着により形成した。
ズ混合膜からなる酸化着色性EC層(B)を反応真空蒸
着により形成した。
(3)その上に膜厚0.7μmの五酸化タンタル膜から
なる透明イオン導電層(C)を蒸着により形成した。
なる透明イオン導電層(C)を蒸着により形成した。
(4)更に蒸着により膜厚0.5μmの二酸化タングス
テン膜からなる還元着色性EC1i (D)を形成した
。
テン膜からなる還元着色性EC1i (D)を形成した
。
(5)その上に更に真空蒸着により、膜厚0.15μm
のアルミニウム薄膜からなる上部電極層(E)を形成し
た。
のアルミニウム薄膜からなる上部電極層(E)を形成し
た。
(6)最後に、主剤がビスフェノールAのジグリシジル
エーテル系、硬化剤がアミン系の2液型エポキシ樹脂で
、硬化後のTgが90℃のものを入手し、主剤10重量
部と硬化剤1重量部とを混合し、混合液を上部電極層(
E)の上に塗布し、その上に封止基板(G)としてガラ
ス板を重ね合わせ、これを80℃乾燥雰囲気中に30分
、その後90℃乾燥雰囲気中に30分放置することによ
り、エポキシ樹脂を硬化させ、封止構造を有するECD
を完成させた。
エーテル系、硬化剤がアミン系の2液型エポキシ樹脂で
、硬化後のTgが90℃のものを入手し、主剤10重量
部と硬化剤1重量部とを混合し、混合液を上部電極層(
E)の上に塗布し、その上に封止基板(G)としてガラ
ス板を重ね合わせ、これを80℃乾燥雰囲気中に30分
、その後90℃乾燥雰囲気中に30分放置することによ
り、エポキシ樹脂を硬化させ、封止構造を有するECD
を完成させた。
(7)そして、上部電極層(E)及び下部電極層(A)
の端の方に外部配線(Ll)、(LA )をそれぞれ接
続した。
の端の方に外部配線(Ll)、(LA )をそれぞれ接
続した。
(8)こうして製作した反射型ECDに外部配線(La
)、(Lりを通じて駆動電源から着色電圧(+1.3
5V)を印加すると、基板(S)側から入射させた波長
633n−の光(L)に対し反射率が15%に減少する
のに要した時間が4秒であった。
)、(Lりを通じて駆動電源から着色電圧(+1.3
5V)を印加すると、基板(S)側から入射させた波長
633n−の光(L)に対し反射率が15%に減少する
のに要した時間が4秒であった。
この反射率は電圧印加を止めても、しばらく保たれた。
次に消色電圧(−1,35V)を印加すると、同じく反
射率が元の55%に回復するのに要した時間が2秒であ
った。
射率が元の55%に回復するのに要した時間が2秒であ
った。
これらの着色・消色の変化は均一に濃度が変化して着色
・消色ムラは見られなかった。
・消色ムラは見られなかった。
〔比較例1〕
実施例と同様に封止構造を有するECDを製造したが、
但し、封止樹脂として、主剤がビスフェノールAグリシ
ジルエーテル系、硬化剤がアミン系の2液型エポキシ樹
脂で、硬化後のTgが80℃のものを使用し、硬化条件
として、80℃乾燥雰囲気中で30分の条件だけにした
。
但し、封止樹脂として、主剤がビスフェノールAグリシ
ジルエーテル系、硬化剤がアミン系の2液型エポキシ樹
脂で、硬化後のTgが80℃のものを使用し、硬化条件
として、80℃乾燥雰囲気中で30分の条件だけにした
。
〔比較例2〕
実施例と同様に封止構造を有するECDを製造したが、
但し、封止樹脂として、比較例1と同じものを使用した
。尚、硬化条件は実施例と同じである。
但し、封止樹脂として、比較例1と同じものを使用した
。尚、硬化条件は実施例と同じである。
〔高温耐久性試験1〕
実施例及び比較例1〜20ECDについて、先ず、着色
電圧(+1.35V)を印加して着色させ、着色濃度に
比例する注入電荷量〔単位:C(クーロン)〕を測定し
た。この値を初期値という。
電圧(+1.35V)を印加して着色させ、着色濃度に
比例する注入電荷量〔単位:C(クーロン)〕を測定し
た。この値を初期値という。
次に各ECDを90℃の乾燥雰囲気中に1000時間放
置し、100時間、500時間、1000時間経過の3
時点で、ECDを取出し、同様に注入電荷量を測定した
。この結果を初期値からの変化量として第2図に示す、
第2図中、実線は実施例、点線は比較例1、一点鎖線は
比較例2のECDのデータである。
置し、100時間、500時間、1000時間経過の3
時点で、ECDを取出し、同様に注入電荷量を測定した
。この結果を初期値からの変化量として第2図に示す、
第2図中、実線は実施例、点線は比較例1、一点鎖線は
比較例2のECDのデータである。
〔高温耐久性試験2〕
実施例及び比較例1〜2のECDを80℃の乾燥雰囲気
に入れ、ECDが同一温度に昇温したのを確認した後、
■着色電圧(+1.2 V)を印加して10秒間着色さ
せ、次に■消色電圧(−1,2V)を印加して10秒間
消色するサイクルを、106サイクル繰り返した。
に入れ、ECDが同一温度に昇温したのを確認した後、
■着色電圧(+1.2 V)を印加して10秒間着色さ
せ、次に■消色電圧(−1,2V)を印加して10秒間
消色するサイクルを、106サイクル繰り返した。
その後、ECDを同様に着色させて、その着色状態を肉
眼で観察した。その結果、実施例のECDは着色ムラが
発生せず、着色濃度及び応答速度とも試験前とほとんど
差がなかったが、比較例1.2のものは着色ムラが発生
し、また着色濃度及び応答速度が試験前に比べ低下して
いた。
眼で観察した。その結果、実施例のECDは着色ムラが
発生せず、着色濃度及び応答速度とも試験前とほとんど
差がなかったが、比較例1.2のものは着色ムラが発生
し、また着色濃度及び応答速度が試験前に比べ低下して
いた。
(発明の効果〕
以上のとおり、本発明によれば、硬化後のTgが90℃
以上のエポキシ樹脂でECDを封止したので、高温耐久
性が向上した。
以上のエポキシ樹脂でECDを封止したので、高温耐久
性が向上した。
第1図は、1つのECDの垂直断面構造を示す概念図で
ある。 第2図は、ECDの高温耐久性試験の結果を示すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 S・・−・・基板 A−・・・−・・下部電極層 B・−・−可逆的電解酸化層又は酸化着色性ECFJC
−・−−−−−イオン導電層 D−・・−・−還元着色性EC層 E・・・・・・−上部電極層
ある。 第2図は、ECDの高温耐久性試験の結果を示すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 S・・−・・基板 A−・・・−・・下部電極層 B・−・−可逆的電解酸化層又は酸化着色性ECFJC
−・−−−−−イオン導電層 D−・・−・−還元着色性EC層 E・・・・・・−上部電極層
Claims (1)
- 硬化後のガラス転移温度(Tg)が90℃以上のエポキ
シ樹脂で封止したことを特徴とする封止構造を有するエ
レクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62130828A JP2650258B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62130828A JP2650258B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63294536A true JPS63294536A (ja) | 1988-12-01 |
JP2650258B2 JP2650258B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=15043654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62130828A Expired - Lifetime JP2650258B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2650258B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0730189A1 (en) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
US5777780A (en) * | 1995-08-30 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60121421A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-28 | Citizen Watch Co Ltd | エポキシ樹脂で封止されたecd |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62130828A patent/JP2650258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60121421A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-28 | Citizen Watch Co Ltd | エポキシ樹脂で封止されたecd |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0730189A1 (en) * | 1995-03-03 | 1996-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
US5831760A (en) * | 1995-03-03 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device |
US5777780A (en) * | 1995-08-30 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2650258B2 (ja) | 1997-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6318633B2 (ja) | エレクトロクロミック表示装置及びその製造方法 | |
JPS6315230A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPH04267227A (ja) | エレクトロクロミックガラス | |
JP6003332B2 (ja) | エレクトロクロミック装置及びその製造方法 | |
JPS6326373B2 (ja) | ||
JP2017026750A (ja) | エレクトロクロミック素子、調光眼鏡及びエレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPS58139128A (ja) | 全固体電気発色素子 | |
JPS63294536A (ja) | 封止構造を有するエレクトロクロミック素子 | |
JPH0580357A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JP2017009843A (ja) | エレクトロクロミック装置及びその製造方法、エレクトロクロミック調光眼鏡 | |
JPH04107427A (ja) | 透過型エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPH06337443A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPS6186733A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
KR102042797B1 (ko) | 복합 전해질층을 포함하는 전기 변색소자 및 그 제조방법 | |
JPS6186734A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
JPS61103982A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
WO2011016290A1 (ja) | 電気化学表示素子 | |
JPS61103981A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
JP6497099B2 (ja) | エレクトロクロミック表示装置の駆動方法及びエレクトロクロミック表示装置 | |
JPH0695172A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH08271932A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS58207028A (ja) | 全固体型エレクトロクロミツク表示装置 | |
JP2725352B2 (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPS60122921A (ja) | 絶縁層を設けたecd | |
JPH0219443B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080516 Year of fee payment: 11 |