JPS6329294Y2 - - Google Patents

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JPS6329294Y2
JPS6329294Y2 JP14912780U JP14912780U JPS6329294Y2 JP S6329294 Y2 JPS6329294 Y2 JP S6329294Y2 JP 14912780 U JP14912780 U JP 14912780U JP 14912780 U JP14912780 U JP 14912780U JP S6329294 Y2 JPS6329294 Y2 JP S6329294Y2
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emitter
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turned
signal
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はミユーテイングトランジスタのオンオ
フに基づくオフセツトを減少するようにしたミユ
ーテイング回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a muting circuit that reduces offset due to on/off of a muting transistor.

従来より第1図に示すようなミユーテイング回
路が使用されている。第1図において1は信号入
力端子、2はアンプ、3,4はカツプリングコン
デンサ、5は出力端子、6はミユーテイング制御
信号の入力される制御端子、7はミユーテイング
用のトランジスタ、8,9は抵抗である。なお、
第1図においては、カツプリングコンデンサ3お
よび4でDC電位が分離され、かつ抵抗8とトラ
ンジスタ7のエミツタとの接続点より成る信号伝
送路は、抵抗8によつて接地電位となつている。
Conventionally, a muting circuit as shown in FIG. 1 has been used. In Fig. 1, 1 is a signal input terminal, 2 is an amplifier, 3 and 4 are coupling capacitors, 5 is an output terminal, 6 is a control terminal to which a muting control signal is input, 7 is a muting transistor, 8 and 9 are It is resistance. In addition,
In FIG. 1, the DC potential is separated by coupling capacitors 3 and 4, and the signal transmission path consisting of the connection point between resistor 8 and the emitter of transistor 7 is brought to ground potential by resistor 8.

いま、制御端子6にHレベルの信号が入力され
ると、トランジスタ7がオンになり、信号伝送路
を伝送される信号をアースして出力端子5に信号
が現われるのを阻止する。逆に制御端子6にLレ
ベルの信号を入力すると、トランジスタ7がオフ
になり、入力端子1に印加された信号が出力端子
5に伝送される。
Now, when an H level signal is input to the control terminal 6, the transistor 7 is turned on, and the signal transmitted through the signal transmission line is grounded to prevent the signal from appearing at the output terminal 5. Conversely, when an L level signal is input to the control terminal 6, the transistor 7 is turned off and the signal applied to the input terminal 1 is transmitted to the output terminal 5.

ここで、トランジスタ7に着目すると、オフの
ときのエミツタ電位は抵抗8を介して接地されて
いるため第3図に示すように零電位であるが、オ
ンのときはコレクタ・エミツタ間に通常1〜
5mV程度の飽和電圧が発生するため、エミツタ
電位は飽和電圧分だけ零電位から上昇する。この
ためこのトランジスタ7のオンオフによるエミツ
タ電位の変化がカツプリングコンデンサ4で微分
され、出力端子5に第3図に示すようなクリツク
波形が現われる。この波形の振幅VDCは、トラン
ジスタのコレクタ−エミツタ間飽和電圧であり、
よく知られているエバース・モルの方程式を用い
て(1)式で表わされる。
Here, focusing on the transistor 7, the emitter potential when it is off is zero potential as shown in FIG. 3 because it is grounded through the resistor 8, but when it is on, there is normally a voltage of 1 between the collector and emitter. ~
Since a saturation voltage of about 5 mV is generated, the emitter potential rises from zero potential by the saturation voltage. Therefore, the change in emitter potential caused by turning on and off the transistor 7 is differentiated by the coupling capacitor 4, and a click waveform as shown in FIG. 3 appears at the output terminal 5. The amplitude V DC of this waveform is the saturation voltage between the collector and emitter of the transistor,
It is expressed by equation (1) using the well-known Evers-Mole equation.

VDC=kT/qln1+hRE/hRE …(1) ここでkはボルツマン定数、Tは絶対温度、q
は電子電荷、hREは逆方向電流増幅率である。第
1図においては、ベース電流がベースからコレク
タへ流れる構成になつており、即ち、通常の場合
とエミツタとコレクタが入れ替つており、このと
きのhREは、通常の場合の順方向電流増率が該当
する。従つてhRE=100として(1)式を計算すると、 VDC0.26mV となる。なお通常よく使われる様にベース電流が
ベースからエミツタへ流れる様に、すなわち、第
1図の場合のエミツタとコレクタを入れ替えた場
合のVDCはhRE=1として、(1)式より計算すると、
約18mVとなる。
V DC =kT/qln1+h RE /h RE …(1) where k is Boltzmann constant, T is absolute temperature, q
is the electron charge and hRE is the reverse current amplification factor. In Figure 1, the configuration is such that the base current flows from the base to the collector, that is, the emitter and collector are interchanged with the normal case, and h RE in this case is the forward current increase rate in the normal case. is applicable. Therefore, when formula (1) is calculated with h RE = 100, V DC is 0.26 mV. Note that when the base current flows from the base to the emitter as is commonly used, that is, when the emitter and collector are swapped in the case of Figure 1, V DC is calculated from equation (1) with h RE = 1. ,
The voltage will be approximately 18mV.

以上より第1図の様な逆接続の方が、VDCは小
さくノイズレベルの小さい優れた様成であるが、
なおかつ前記の様に0.26mVの振幅が発生し、こ
れがノイズとして聴取されるという問題がある。
From the above, the reverse connection as shown in Figure 1 is superior in that V DC is small and the noise level is low.
Furthermore, as mentioned above, there is a problem in that an amplitude of 0.26 mV is generated and this is heard as noise.

本考案はきわめて簡単な構成でこのような問題
を解決するようにしたミユーテイング回路を提供
するものである。
The present invention provides a muting circuit that solves these problems with an extremely simple configuration.

以下本考案の一実施例について第2図とともに
説明する。第2図において、第1図と同一機能の
部分には同一符号を付して説明を省略する。10
はエミツタが抵抗8を介して信号伝送路に接続さ
れ、コレクタが接地された第2のトランジスタ、
11は抵抗12を介して第2のトランジスタ10
のベースに接続された第2の制御端子である。な
お、第1、第2のトランジスタ7,10は特性の
等しいトランジスタを用いている。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 2, parts having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and explanations thereof will be omitted. 10
is a second transistor whose emitter is connected to the signal transmission path via a resistor 8 and whose collector is grounded;
11 is a second transistor 10 via a resistor 12
A second control terminal connected to the base of the. Note that the first and second transistors 7 and 10 are transistors having the same characteristics.

第2図において、第1のトランジスタ7が第1
の制御端子6に印加される制御信号に応じてオン
オフされ、信号伝送路の信号を断続させることは
第1図と同様である。
In FIG. 2, the first transistor 7
It is turned on and off according to the control signal applied to the control terminal 6 of the control terminal 6, and the signal on the signal transmission line is turned on and off in the same manner as in FIG.

ここで第2のトランジスタ10を第2の制御端
子11にHレベルの信号を印加することによつて
常時オンにしておけば、第1のトランジスタ7が
オフのとき、第1のトランジスタ7のエミツタ電
位は第2のトランジスタ10の飽和電圧と等しく
なる。一方、第1のトランジスタ7がオンしたと
きを考えると、第1のトランジスタ7のエミツタ
電位は飽和電圧となる。したがつて第1、第2の
トランジスタ7,10として同じ特性のものを使
用すれば、各々の飽和電圧は等しくなり、第1の
トランジスタ7のオンオフによつてそのエミツタ
電位が変化することはない。このため出力端子5
には第3図のようなクリツク波形は発生せず、シ
ヨツク音を軽減することができる。
Here, if the second transistor 10 is always turned on by applying an H level signal to the second control terminal 11, when the first transistor 7 is off, the emitter of the first transistor 7 is turned on. The potential becomes equal to the saturation voltage of the second transistor 10. On the other hand, considering the case where the first transistor 7 is turned on, the emitter potential of the first transistor 7 becomes the saturation voltage. Therefore, if transistors with the same characteristics are used as the first and second transistors 7 and 10, their saturation voltages will be the same, and the emitter potential will not change when the first transistor 7 is turned on or off. . Therefore, output terminal 5
In this case, the click waveform shown in FIG. 3 does not occur, and the shock noise can be reduced.

なお、上記実施例では第2のトランジスタ10
を常時オンにしたが、第1のトランジスタ7がオ
フのときだけ第2のトランジスタ10をオンにし
てもよい。
Note that in the above embodiment, the second transistor 10
is always on, but the second transistor 10 may be turned on only when the first transistor 7 is off.

以上のように本考案によれば、1個のトランジ
スタを付加するだけで、ミユーテイングトランジ
スタのオンオフに基づくオフセツトを軽減し、ク
リツクノイズを軽減することができる。
As described above, according to the present invention, by simply adding one transistor, it is possible to reduce the offset based on the on/off state of the muting transistor and reduce the click noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例の回路図、第2図は本考案の一
実施例の回路図、第3図は第1図でクリツク音が
発生する理由を説明するための波形図である。 1……入力端子、2……アンプ、3,4……カ
ツプリングコンデンサ、5……出力端子、6,1
1……制御端子、7……第1のトランジスタ、
8,9,12……抵抗、10……第2のトランジ
スタ。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional example, FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a waveform diagram for explaining the reason why the clicking sound occurs in FIG. 1. 1...Input terminal, 2...Amplifier, 3, 4...Coupling capacitor, 5...Output terminal, 6,1
1... Control terminal, 7... First transistor,
8, 9, 12...Resistor, 10...Second transistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 直流電位が分離された信号伝送路と接地間にエ
ミツタおよびコレクタを接続し、ベース電流を断
続することにより上記信号伝送路を伝送される信
号のミユーテイングを行なう第1のトランジスタ
と、エミツタが抵抗を介して上記信号伝送路に接
続され、コレクタが接地された第2のトランジス
タとを備え、上記第2のトランジスタをオンにし
た状態で上記第1のトランジスタをオンオフさせ
るようにしたミユーテイング回路。
A first transistor having an emitter and a collector connected between a signal transmission path from which DC potential is separated and ground, and mutating a signal transmitted through the signal transmission path by interrupting a base current; a second transistor connected to the signal transmission path via the signal transmission line and having a collector grounded, the muting circuit turning on and off the first transistor while the second transistor is turned on.
JP14912780U 1980-10-17 1980-10-17 Expired JPS6329294Y2 (en)

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Publication Number Publication Date
JPS5772611U JPS5772611U (en) 1982-05-04
JPS6329294Y2 true JPS6329294Y2 (en) 1988-08-08

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