JPS63292050A - 排ガスセンサ− - Google Patents
排ガスセンサ−Info
- Publication number
- JPS63292050A JPS63292050A JP12859887A JP12859887A JPS63292050A JP S63292050 A JPS63292050 A JP S63292050A JP 12859887 A JP12859887 A JP 12859887A JP 12859887 A JP12859887 A JP 12859887A JP S63292050 A JPS63292050 A JP S63292050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- thickness
- main body
- resistance
- exhaust gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 9
- 229910002929 BaSnO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の利用分野]
この発明は、BaSnO3の抵抗値の変化を利用した排
ガスセンサーに関する。
ガスセンサーに関する。
し従来技術]
出願人は、BaSnO3の抵抗値の変化を利用した排ガ
スセンサーを提案した(例えば特開昭61−137.0
53号)。
スセンサーを提案した(例えば特開昭61−137.0
53号)。
次に発明者は、Ba5nO+に一対の電極線を埋設し、
プレス成型した後に焼結してセンサー本体とすることを
検討した。そしてここで発明者は、センサー抵抗のバラ
付きが焼結体の厚さに依存することを見出した。またセ
ンサー抵抗の厚さ依存性には変曲点が存在し、変曲点以
下の厚さでは抵抗値は厚さに敏感であるが、変曲点以上
の17さては抵抗値の厚さ依存性か小さくなることを見
出した。
プレス成型した後に焼結してセンサー本体とすることを
検討した。そしてここで発明者は、センサー抵抗のバラ
付きが焼結体の厚さに依存することを見出した。またセ
ンサー抵抗の厚さ依存性には変曲点が存在し、変曲点以
下の厚さでは抵抗値は厚さに敏感であるが、変曲点以上
の17さては抵抗値の厚さ依存性か小さくなることを見
出した。
[発明の課M]
この発明の課題は、排ガスセンサーの抵抗値のバラ付き
を抑制する点に在る。
を抑制する点に在る。
[発明の構成]
この発明の排ガスセンサーは、少なくとら一対の電極線
を埋設したBaSnO3のプレス成型焼結体をセンサー
本体とした、排ガスセンサーにおいて、前記センサー本
体の厚さを033〜1.0mmとしたことを特徴とする
。
を埋設したBaSnO3のプレス成型焼結体をセンサー
本体とした、排ガスセンサーにおいて、前記センサー本
体の厚さを033〜1.0mmとしたことを特徴とする
。
即しセンサー抵抗のバラ付きは、センサー本体の厚さを
0.33mm以上とすることにより減少する。一方周知
のようにセンサー本体の早さを増すと、雰囲気の変化へ
の応答速度が低下する。そこでセンサー抵抗のバラ付き
の抑制と、応答曲度の両面から、センサー本体の厚さを
0.33〜1.0mmとした。
0.33mm以上とすることにより減少する。一方周知
のようにセンサー本体の早さを増すと、雰囲気の変化へ
の応答速度が低下する。そこでセンサー抵抗のバラ付き
の抑制と、応答曲度の両面から、センサー本体の厚さを
0.33〜1.0mmとした。
なおセンサー本体の厚さにより抵抗値のバラ付きが変化
する原因は、不明である。
する原因は、不明である。
[実施例]
第2図のプレス装置(2)を用いて、センサー本体のプ
レス成型を行った。図において、(4)は固定型、(6
)はキャビティで、(8)はキャビティ(6)に連通さ
せたスリットで電極線を挿通するためのらのである。こ
こでは電極線の線径を70μmとし、スリット(8)の
幅を10071mとした。(10)は下部可動型、(!
2)は上部可動型で、(14)はポツパーである。そし
てホッパー(14)から投入したBa5no3の粉体を
可動型(10)、(12)で上下から加圧成型し、セン
サー本体(20)とした。
レス成型を行った。図において、(4)は固定型、(6
)はキャビティで、(8)はキャビティ(6)に連通さ
せたスリットで電極線を挿通するためのらのである。こ
こでは電極線の線径を70μmとし、スリット(8)の
幅を10071mとした。(10)は下部可動型、(!
2)は上部可動型で、(14)はポツパーである。そし
てホッパー(14)から投入したBa5no3の粉体を
可動型(10)、(12)で上下から加圧成型し、セン
サー本体(20)とした。
なお(16)、(1B)は一対の電極線で、ここでは白
金に少量のZr0zを添加したものを用い、その線径は
70μmとした。
金に少量のZr0zを添加したものを用い、その線径は
70μmとした。
成型に用いるB aS no3の粉体には、Ba5nO
sの含水結晶を熱分解した形がい粒子を用いるのが好ま
しい。この形がい粒子は数十μm程度の長さの大きな針
状あるいは棒状の形態をなし、加圧時にスリット(8)
からこは゛れ出すことが少ないためである。
sの含水結晶を熱分解した形がい粒子を用いるのが好ま
しい。この形がい粒子は数十μm程度の長さの大きな針
状あるいは棒状の形態をなし、加圧時にスリット(8)
からこは゛れ出すことが少ないためである。
形がい粒子は、例えば次のようにして調整する。
P I−113等の強アルカリで安定化したスズ酸の水
溶液に塩化バリウム等のバリウム原料を加えると、Ba
SnO3・nHtoの含水結晶が沈でんする。含水結晶
には、少なくともBa5nOa−3HtO1BaSnO
a ・5 HtO1BaSn03・7H20の3種があ
る。これらの含水結晶は水洗してナトリウム等のアルカ
リを除くことができ、含水量の低いもの程、低いPHで
も安定で、かつ高い液温でも安定である。また含水結晶
は600〜800℃程度で熱分解し、13asnoaに
移行する。しかし熱分解したBa5nOsは含水結晶の
形態を維持し、形かい粒子が生じる。なお形がい粒子は
プレス時の圧力で分解する。第3図に、800℃で熱分
解したB aS no s・3H10の形がい粒子を示
す。
溶液に塩化バリウム等のバリウム原料を加えると、Ba
SnO3・nHtoの含水結晶が沈でんする。含水結晶
には、少なくともBa5nOa−3HtO1BaSnO
a ・5 HtO1BaSn03・7H20の3種があ
る。これらの含水結晶は水洗してナトリウム等のアルカ
リを除くことができ、含水量の低いもの程、低いPHで
も安定で、かつ高い液温でも安定である。また含水結晶
は600〜800℃程度で熱分解し、13asnoaに
移行する。しかし熱分解したBa5nOsは含水結晶の
形態を維持し、形かい粒子が生じる。なお形がい粒子は
プレス時の圧力で分解する。第3図に、800℃で熱分
解したB aS no s・3H10の形がい粒子を示
す。
含水結晶からの形がい粒子に代え、BaCO5と5nO
tとの反応で得たBa5nOsを用いると、加圧時にス
リット(8)からのこぼれ出しが著しく、プレス成型は
困難であった。
tとの反応で得たBa5nOsを用いると、加圧時にス
リット(8)からのこぼれ出しが著しく、プレス成型は
困難であった。
このようにして得たセンサー本体(20)を空気中で焼
結し、第4図の排ガスセンサーとした。図において、(
22)はアルミナ等の耐熱絶縁性基板で、先端に設けた
キャビティ(24)にセンサー本体(20)を収容した
。(26)、(27)、(28)。
結し、第4図の排ガスセンサーとした。図において、(
22)はアルミナ等の耐熱絶縁性基板で、先端に設けた
キャビティ(24)にセンサー本体(20)を収容した
。(26)、(27)、(28)。
(29)は白金を膜状に印刷した印刷電極で、電極線(
+ 6)、(18)の端部を固着した。(30)、(3
2)は外部リードで、(34)はセンサー本体(20)
をキャビティ(24)に保持するための溶射膜である。
+ 6)、(18)の端部を固着した。(30)、(3
2)は外部リードで、(34)はセンサー本体(20)
をキャビティ(24)に保持するための溶射膜である。
溶射膜(34)には、例えば多孔質のT i OtやA
It03、ち密質のMgAltOt等を用い、好ましく
はセンサー本体(20)の一部のみを被覆するようにし
、応答速度の低下を防止する。実施例では100μm程
度の厚さにMgAlz04を溶射し、センサー本体(2
0)の10%程度を被覆するようにした。
It03、ち密質のMgAltOt等を用い、好ましく
はセンサー本体(20)の一部のみを被覆するようにし
、応答速度の低下を防止する。実施例では100μm程
度の厚さにMgAlz04を溶射し、センサー本体(2
0)の10%程度を被覆するようにした。
勿論排ガスセンサーの形状や構造自体は任意である。
寒橡匹
水酸化ナトリウムで安定化したスズ酸の水溶液(PH1
3)に、塩化バリウム水溶液を加え、室温でBa5nO
,・7H20を沈でんさせた。沈でんの水洗を繰り返し
ながら、溶液を70℃に加熱し、BaS nC)+ ・
5 HtOを経て、Ba5nO+# 3H*0の結晶を
得た。これを出発材料として実験を行った。出発材料は
Ba5nO+・7HtOやBaSnO3・5H,O等の
他の含水結晶に替えても良い。
3)に、塩化バリウム水溶液を加え、室温でBa5nO
,・7H20を沈でんさせた。沈でんの水洗を繰り返し
ながら、溶液を70℃に加熱し、BaS nC)+ ・
5 HtOを経て、Ba5nO+# 3H*0の結晶を
得た。これを出発材料として実験を行った。出発材料は
Ba5nO+・7HtOやBaSnO3・5H,O等の
他の含水結晶に替えても良い。
含水結晶を空気中で1400℃、あるいは1200°C
に加熱し、含水結晶を熱分解した。熱分解後のB aS
no 3粒子は、最初の含水結晶の形態を維持してい
た。これに2wt%の酢酸セルロースバインダーを加え
、プレス成型を行った。なおプレス装置は第2図のもの
であり、電極線(16)。
に加熱し、含水結晶を熱分解した。熱分解後のB aS
no 3粒子は、最初の含水結晶の形態を維持してい
た。これに2wt%の酢酸セルロースバインダーを加え
、プレス成型を行った。なおプレス装置は第2図のもの
であり、電極線(16)。
(18)の線径は70μ印で、センサー本体(20)の
中心に配置されるようにし、その電極間隔はImmとし
た。更にバインダーはデキストリンやでん粉、あるいは
ホウ素酸化物等に変えても良く、あるいは用いなくても
良い。
中心に配置されるようにし、その電極間隔はImmとし
た。更にバインダーはデキストリンやでん粉、あるいは
ホウ素酸化物等に変えても良く、あるいは用いなくても
良い。
発明者らは、B a CO3とSnO,との反応で得た
BaSnO3をプレス材料に用いることを試みたが、成
型時にスリット(8)から材料が流出し、成型に失敗し
た。即ち、B a CO3と5nOtとを空気中で14
00℃で反応させたI3 aS no 3に、2wt%
の酢酸セルロースバインダーを加え、同じ圧力で成型す
ると、スリット(8)からBaSnO3が流出し、成型
できなかった。また反応温度を1200℃に変えても、
やはり成型できなかった。
BaSnO3をプレス材料に用いることを試みたが、成
型時にスリット(8)から材料が流出し、成型に失敗し
た。即ち、B a CO3と5nOtとを空気中で14
00℃で反応させたI3 aS no 3に、2wt%
の酢酸セルロースバインダーを加え、同じ圧力で成型す
ると、スリット(8)からBaSnO3が流出し、成型
できなかった。また反応温度を1200℃に変えても、
やはり成型できなかった。
成型後のセンサー本体を空気中で4時間焼結した。焼結
温度は1400℃仮焼の場合1450℃とし、プレス圧
は4 、4 T on/ cm”とした。この圧力は、
別の実験から求めた、プレス圧とセンサー抵抗とのバラ
付きの関係での最適値である。また1200℃仮焼の場
合、焼結温度を1400℃とし、プレス圧を4Ton/
cm”とした。これを第4図のセンサーとし、センサー
本体(20)の厚さと抵抗値との関係を求めた。140
0℃で仮焼したセンサーに付いて、結果を第1図に示す
。
温度は1400℃仮焼の場合1450℃とし、プレス圧
は4 、4 T on/ cm”とした。この圧力は、
別の実験から求めた、プレス圧とセンサー抵抗とのバラ
付きの関係での最適値である。また1200℃仮焼の場
合、焼結温度を1400℃とし、プレス圧を4Ton/
cm”とした。これを第4図のセンサーとし、センサー
本体(20)の厚さと抵抗値との関係を求めた。140
0℃で仮焼したセンサーに付いて、結果を第1図に示す
。
図は、800°Cで露点25℃の空気中での、センサー
本体(20)の抵抗値の平均と標準偏差σ(試料数50
個)とを示す。なお空気中での抵抗値と実際の排ガス中
での抵抗値とに、相関関係があることは別の実験で確認
済みである。また標準偏差σは、LogRsに付いて求
めた後、これをRsに逆算した。なおRsはセンサー本
体(20)の抵抗値である。更にセンサー本体(20)
の形状は、−片が2mmX2mmの直方体状で、寸法は
焼結後の値を意味する。
本体(20)の抵抗値の平均と標準偏差σ(試料数50
個)とを示す。なお空気中での抵抗値と実際の排ガス中
での抵抗値とに、相関関係があることは別の実験で確認
済みである。また標準偏差σは、LogRsに付いて求
めた後、これをRsに逆算した。なおRsはセンサー本
体(20)の抵抗値である。更にセンサー本体(20)
の形状は、−片が2mmX2mmの直方体状で、寸法は
焼結後の値を意味する。
センサー本体(20)の抵抗値には、0.35mm程度
に変曲点が存在し、これ以上では抵抗値の厚さ依存性が
小さい。またこの変曲点を境に、抵抗値のバラ付きが減
少する。従って、0.33mm以上の厚さでセンサー抵
抗のバラ付きを抑制できる。
に変曲点が存在し、これ以上では抵抗値の厚さ依存性が
小さい。またこの変曲点を境に、抵抗値のバラ付きが減
少する。従って、0.33mm以上の厚さでセンサー抵
抗のバラ付きを抑制できる。
1200℃で仮焼した試料での、厚さとセンサー抵抗と
の関係を表、■に示す(試料数20個)。プレス圧は4
Ton/am”、焼結温度は1400℃である。この場
合も、0.35mm程度を境にセンサー抵抗のバラ付き
が減少する。測定雰囲気は、800℃で空気過剰率が1
.02の排ガス中である。
の関係を表、■に示す(試料数20個)。プレス圧は4
Ton/am”、焼結温度は1400℃である。この場
合も、0.35mm程度を境にセンサー抵抗のバラ付き
が減少する。測定雰囲気は、800℃で空気過剰率が1
.02の排ガス中である。
表 1 12006C仮焼
0.2 30 90 1
00.3 16 40
6.40.35 12 25
60.4 10 1B
5.50.6 9
16 5これらの結果から、センサ
ー本体(20)の厚さを0.33mm以上とすると、抵
抗値のバラ付きを抑制できることが判る。
00.3 16 40
6.40.35 12 25
60.4 10 1B
5.50.6 9
16 5これらの結果から、センサ
ー本体(20)の厚さを0.33mm以上とすると、抵
抗値のバラ付きを抑制できることが判る。
周知の様にセンサー本体(20)の厚さを増すと、雰囲
気の変化への応答速度が低下する。1400℃で仮焼し
、4 、4 T on/ am’でプレスし、1450
℃で焼結したセンサーに付いて、厚さと応答速度との関
係を調べた。なおセンサー本体(20)には、焼結後に
金属換算で300 wtppmのロジウム触媒を含浸さ
せて調べた。またセンサーの構造は第4図のものである
。結果を表2に示す。
気の変化への応答速度が低下する。1400℃で仮焼し
、4 、4 T on/ am’でプレスし、1450
℃で焼結したセンサーに付いて、厚さと応答速度との関
係を調べた。なおセンサー本体(20)には、焼結後に
金属換算で300 wtppmのロジウム触媒を含浸さ
せて調べた。またセンサーの構造は第4図のものである
。結果を表2に示す。
0.4 100
0.6 120
1.0140
1.5 180
* 応答時間は、800°Cで、空気過剰率λが1゜0
2から0.98の雰囲気への変化に対する10%→90
%応答の時間を現す。
2から0.98の雰囲気への変化に対する10%→90
%応答の時間を現す。
[発明の効果]
この発明では、排ガスセンサーの抵抗値のバラ付きを抑
制できる。
制できる。
第1図は実施例の特性図、第2図は実施例での製造工程
を現す斜視図、第3図は実施例に用いた 、Ba5nO
,・3H’tOの形がい粒子の粒子構造を現ず電子顕微
鏡写真、第4図は実施例の排ガスセンサーの一部切り欠
き部付き正面図である。 図において、(+ 6)、(18) 71i極線、(
20)センザ一本体。
を現す斜視図、第3図は実施例に用いた 、Ba5nO
,・3H’tOの形がい粒子の粒子構造を現ず電子顕微
鏡写真、第4図は実施例の排ガスセンサーの一部切り欠
き部付き正面図である。 図において、(+ 6)、(18) 71i極線、(
20)センザ一本体。
Claims (1)
- (1)少なくとも一対の電極線を埋設したBaSnO_
3のプレス成型焼結体をセンサー本体とした、排ガスセ
ンサーにおいて、 前記センサー本体の厚さを0.33〜1.0mmとした
ことを特徴とする、排ガスセンサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12859887A JPS63292050A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 排ガスセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12859887A JPS63292050A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 排ガスセンサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63292050A true JPS63292050A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14988732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12859887A Pending JPS63292050A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 排ガスセンサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63292050A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60205343A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Fuigaro Giken Kk | リ−ンバ−ン用の空燃比検出装置 |
JPS61155747A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuigaro Giken Kk | 排ガスセンサ |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12859887A patent/JPS63292050A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60205343A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Fuigaro Giken Kk | リ−ンバ−ン用の空燃比検出装置 |
JPS61155747A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Fuigaro Giken Kk | 排ガスセンサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2406172A (en) | Platinum or allied metals, or their alloys, and articles made therefrom | |
JP2009057273A (ja) | サーミスタ用金属酸化物焼結体、サーミスタ素子及びサーミスタ温度センサ並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法 | |
JPH05119015A (ja) | 炭酸ガス検出素子 | |
JPS63292050A (ja) | 排ガスセンサ− | |
US4193964A (en) | Microminiature palladium oxide gas detector and method of making same | |
US4647895A (en) | Ceramic temperature sensor | |
US4743881A (en) | Ceramic temperature sensor | |
JPS63292053A (ja) | 排ガスセンサ−の製造方法 | |
Kilpatrick et al. | Reaction of Flowing Steam with Refractory Metals. 1, 2 I. Molybdenum (1100-1700°) | |
JP3451309B2 (ja) | 高性能電歪セラミックス | |
SU450262A1 (ru) | Суспензи дл металлокерамической основы безламельного электрода щелочного аккумул тора | |
JPS5776448A (en) | Oxygen sensor element | |
JP2616772B2 (ja) | プロトン導電性セラミックスの製造方法 | |
JPH01242953A (ja) | 半導体排ガスセンサの製造方法 | |
GB1387608A (en) | Making high purity sodium aluminate and use thereof in making sintered beta-alumina bodies | |
JPH0757707B2 (ja) | 多孔質セラミツクス焼結体の製造方法 | |
CN107473715B (zh) | 一种三元系ntc热敏电阻材料及其制造方法 | |
JPS622681B2 (ja) | ||
JPH0764644B2 (ja) | 可塑性を有するゲル状薄板成形体の製造方法 | |
JPS5579803A (en) | Production of cathode for aqueous alkali metal halide solution electrolysis | |
Kalinina et al. | The dual role of SiO 2 as a pore former and sintering aid in the preparation of the porous ceramic in ZrO 2-In 2 O 3 system | |
GB580744A (en) | Improvements in the manufacture of wire consisting mainly of nickel | |
JP2003300708A (ja) | 混合伝導性酸化物の前駆体組成物 | |
JPS6330399A (ja) | 繊維状チタン酸鉛の製造法 | |
JPS6131960A (ja) | 酸素分圧測定装置 |