JPS63290273A - カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ−ゲットの接合方法 - Google Patents
カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ−ゲットの接合方法Info
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- JPS63290273A JPS63290273A JP62125188A JP12518887A JPS63290273A JP S63290273 A JPS63290273 A JP S63290273A JP 62125188 A JP62125188 A JP 62125188A JP 12518887 A JP12518887 A JP 12518887A JP S63290273 A JPS63290273 A JP S63290273A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カルコゲナイド化合物からなるスパッタリン
グターゲットの接合方法に関する。
グターゲットの接合方法に関する。
従来、ＩＣ５ＬＳＩ等の製造プロセスのホト・リングラ
フィ技術におけるホト・レジスト材料として、有機高分
子材料が一般に使用されている。
フィ技術におけるホト・レジスト材料として、有機高分
子材料が一般に使用されている。
しかし、更に高密度を達成するためには、更に高分解能
、高解像度を有する材料が求められており、セレン、テ
ルル、ヒ素、アンチモン等のカルコゲン元素を主成分と
するカルコゲナイド化合物が注目されてきた。
、高解像度を有する材料が求められており、セレン、テ
ルル、ヒ素、アンチモン等のカルコゲン元素を主成分と
するカルコゲナイド化合物が注目されてきた。
カルコゲナイド化合物をホト・レジスト材料として使用
する場合、成膜のプロセスは、一般にスパッタリング法
で行なわれるが、カルコゲナイド化合物からなるスパッ
タリングターゲットとバッキングプレートとの接合は、
その接合面にインジウムかハンダ等のインサート材を付
着させ、そのインサート材を加熱、溶解し、接着するこ
とによりなされる。
する場合、成膜のプロセスは、一般にスパッタリング法
で行なわれるが、カルコゲナイド化合物からなるスパッ
タリングターゲットとバッキングプレートとの接合は、
その接合面にインジウムかハンダ等のインサート材を付
着させ、そのインサート材を加熱、溶解し、接着するこ
とによりなされる。
カルコゲナイド化合物は、はとんどの場合、インサート
材とのぬれ性が悪く、接合には２００℃程度の高温を必
要とする。しかも完全に密着させることは難しく、部分
的な密着しか得られない場合が多く、冷却後剥離を起こ
す可能性もかなりあった。又、カルコゲナイド化合物は
、サーマルショックに対しても弱いため、インサート材
を加熱、溶解させる場合にも、加熱温度が高いとクラッ
クが発生するという危険性もある。更に、カルコゲナイ
ド化合物は、スパッタリングターゲットとして使用する
場合、アモルファス状態で用いられるのが一般的である
が、カルコゲナイド化合物のガラス転移点は概して低い
ため、インサート材を溶融する過程で結晶化が起こると
いう問題点もある。
材とのぬれ性が悪く、接合には２００℃程度の高温を必
要とする。しかも完全に密着させることは難しく、部分
的な密着しか得られない場合が多く、冷却後剥離を起こ
す可能性もかなりあった。又、カルコゲナイド化合物は
、サーマルショックに対しても弱いため、インサート材
を加熱、溶解させる場合にも、加熱温度が高いとクラッ
クが発生するという危険性もある。更に、カルコゲナイ
ド化合物は、スパッタリングターゲットとして使用する
場合、アモルファス状態で用いられるのが一般的である
が、カルコゲナイド化合物のガラス転移点は概して低い
ため、インサート材を溶融する過程で結晶化が起こると
いう問題点もある。
本発明は、カルコゲナイド化合物からなるスパッタリン
グターゲットをバッキングプレートに接合するに当って
、ターゲットの接合面に亜鉛又はスズを蒸着することを
特徴とし、これにより、ターゲットとインサート材との
ぬれ性を著しく改善し、低温での接合を可能ならしめる
ものである。
グターゲットをバッキングプレートに接合するに当って
、ターゲットの接合面に亜鉛又はスズを蒸着することを
特徴とし、これにより、ターゲットとインサート材との
ぬれ性を著しく改善し、低温での接合を可能ならしめる
ものである。
亜鉛又はスズは、カルコゲン元素とは容易に反応するこ
とが知られている。
とが知られている。
合本発明の接合方法を添附図面を参照して説明する。
図に示す如く、カルコゲナイド化合物からなるターゲッ
ト１には、その接合面に亜鉛又はスズの膜３が蒸着され
る。すると、其の界面で化学的に結合した化合物の拡散
層２が生成し、ターゲット１と亜鉛又はスズの密着力は
著しく大きくなる。
ト１には、その接合面に亜鉛又はスズの膜３が蒸着され
る。すると、其の界面で化学的に結合した化合物の拡散
層２が生成し、ターゲット１と亜鉛又はスズの密着力は
著しく大きくなる。
一方、亜鉛又はスズは、インジウムやハンダ等のインサ
ート材５と共晶反応を起こし、より低温で合金４を生成
するため、ターゲット１の接合面に蒸着された亜鉛又は
スズの膜３は、より低温で容易にインサート材と完全に
密着し、バッキングプレート６との接合がなされる。
ート材５と共晶反応を起こし、より低温で合金４を生成
するため、ターゲット１の接合面に蒸着された亜鉛又は
スズの膜３は、より低温で容易にインサート材と完全に
密着し、バッキングプレート６との接合がなされる。
〔実施例１〕
ターゲツト材１としてＧｅＳｅ化合物を１００φ×１０
ｔに成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、
亜鉛を２０ミクロン蒸着した。インサート材５としてイ
ンジウムを用い、これをバッキングプレート６の接合面
に乗せ、その上に上記処理を施したターゲット１の接合
面を重ね、炉内で１６０〜１６５℃で約１時間加熱後、
２０℃／ｈｒで冷却した。
ｔに成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、
亜鉛を２０ミクロン蒸着した。インサート材５としてイ
ンジウムを用い、これをバッキングプレート６の接合面
に乗せ、その上に上記処理を施したターゲット１の接合
面を重ね、炉内で１６０〜１６５℃で約１時間加熱後、
２０℃／ｈｒで冷却した。
Ｘ線透過法及び超音波による検査の結果、インサート材
５は、ターゲット１及びバッキングプレート６の双方に
、均一に、完全に密着していることが確認された。又、
ターゲットと亜鉛の界面では、ＥＰＭＡ （Ｘ線マイク
ロアナライザ）での分析の結果、反応による拡散層が確
認−された。
５は、ターゲット１及びバッキングプレート６の双方に
、均一に、完全に密着していることが確認された。又、
ターゲットと亜鉛の界面では、ＥＰＭＡ （Ｘ線マイク
ロアナライザ）での分析の結果、反応による拡散層が確
認−された。
〔実施例２〕
ターゲツト材ｌとしてＧｅＳｅ化合物を１００φ×８ｔ
に成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、ス
ズを３０ミクロン蒸着し、更にその上にインジウムを５
ミクロン蒸着した。インサート材５としてインジウムを
用い、実施例１と同じ条件でターゲット１とバッキング
プレート６との接合を行なった。
に成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、ス
ズを３０ミクロン蒸着し、更にその上にインジウムを５
ミクロン蒸着した。インサート材５としてインジウムを
用い、実施例１と同じ条件でターゲット１とバッキング
プレート６との接合を行なった。
検査の結果、実施例１と同様に良好であった。
〔実施例３〕
ターゲツト材１としてＡｓ−３ｅ化合物を２００φＸ３
ｔに成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、
スズを約３０ミクロン蒸着し、更インサート材５として
ハンダを用い、約２００℃で実施例１と同様の方法でタ
ーゲツト材１とバッキングプレート６との接合を行った
。
ｔに成形し、その接合面を＃６００砥石で研磨した後、
スズを約３０ミクロン蒸着し、更インサート材５として
ハンダを用い、約２００℃で実施例１と同様の方法でタ
ーゲツト材１とバッキングプレート６との接合を行った
。
検査の結果、実施例１と同様に良好であった。
カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングターゲッ
トをバッキングプレートに接合する場合、本発明の方法
によれば、低温で完全な接合が可能となることが確認さ
れた。
トをバッキングプレートに接合する場合、本発明の方法
によれば、低温で完全な接合が可能となることが確認さ
れた。
即ち、カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ
ーゲットに亜鉛又はスズを蒸着することにより、その界
面には極く薄い拡散層が生成され、ターゲットとの密着
強度を増大させた。一方、インサート材と亜鉛又はスズ
の界面では、共晶反応により界面から融解が起こり、合
金化するため、良好な接合がなされた。更に、接合温度
も低くできるため、結晶核の発生、結晶の成長、クラッ
クの発生等の問題点も解決された。
ーゲットに亜鉛又はスズを蒸着することにより、その界
面には極く薄い拡散層が生成され、ターゲットとの密着
強度を増大させた。一方、インサート材と亜鉛又はスズ
の界面では、共晶反応により界面から融解が起こり、合
金化するため、良好な接合がなされた。更に、接合温度
も低くできるため、結晶核の発生、結晶の成長、クラッ
クの発生等の問題点も解決された。
添附図面は、本発明の方法で接合したターゲットとバッ
キングプレートの接合面の概略断面図である。 １・・・カルコゲナイド化合物からなるターゲラ ト ２・・・ターゲットと亜鉛又はスズの拡散層３・・・亜
鉛又はスズの蒸着膜 ４・・・亜鉛又はスズとインサート材との共晶化合物 ５・・・インサート材 ６・・・パッキングプレート
キングプレートの接合面の概略断面図である。 １・・・カルコゲナイド化合物からなるターゲラ ト ２・・・ターゲットと亜鉛又はスズの拡散層３・・・亜
鉛又はスズの蒸着膜 ４・・・亜鉛又はスズとインサート材との共晶化合物 ５・・・インサート材 ６・・・パッキングプレート
Claims (1)
- カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングターゲッ
トの接合面に亜鉛又はスズを蒸着することにより、イン
ジウム、ハンダ等の無機接着材（インサート材）とのぬ
れ性を改善し、密着性を向上させることを特徴とするカ
ルコゲナイド化合物からなるスパッタリングターゲット
の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125188A JPS63290273A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ−ゲットの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62125188A JPS63290273A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ−ゲットの接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63290273A true JPS63290273A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14904089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62125188A Pending JPS63290273A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | カルコゲナイド化合物からなるスパッタリングタ−ゲットの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63290273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016584A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | N.V. Bekaert S.A. | A process for the manufacturing of a sputter target |
| US9870902B2 (en) | 2013-04-30 | 2018-01-16 | Kobelco Research Institute, Inc. | Li-containing oxide target assembly |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62125188A patent/JPS63290273A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016584A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | N.V. Bekaert S.A. | A process for the manufacturing of a sputter target |
| US7563488B2 (en) | 2001-08-13 | 2009-07-21 | Nv Bekaert Sa | Process for the manufacturing of a sputter target |
| US9870902B2 (en) | 2013-04-30 | 2018-01-16 | Kobelco Research Institute, Inc. | Li-containing oxide target assembly |
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