JPS6328610Y2 - - Google Patents

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JPS6328610Y2
JPS6328610Y2 JP18515083U JP18515083U JPS6328610Y2 JP S6328610 Y2 JPS6328610 Y2 JP S6328610Y2 JP 18515083 U JP18515083 U JP 18515083U JP 18515083 U JP18515083 U JP 18515083U JP S6328610 Y2 JPS6328610 Y2 JP S6328610Y2
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JP
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tip
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film layer
substrate
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JP18515083U
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JPS6092844U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の属する技術分野〕 本考案は、トランジスタ、サイリスタ等の半導
体素子の冷却用放熱板、いわゆるヒートシンクに
関する。
〔従来技術とその問題点〕
かかる放熱板は半導体を取付ける基板から多数
枚フインを突設したもので、該フインの形成方法
として第1図に示すように基板1を構成するアル
ミニウム製の板状素材のフイン立て面を切削加工
することにより舌状フイン2,2′,2″……をい
わば切り起こし形成する加工が知られている。
ところがこの方法では、舌状フイン2,2′,
2″……は機械的切削加工により形成されたもの
なので第2図、第3図に示すように各先端部2a
は尖つたままであり、これをステレオアンプその
他の機器内に組込む際に作業者が手を切るおそれ
があり、非常に危険である。また、尖つた先端部
は薄肉の箔状となりこれが小さな断片となつて脱
落しやすく、該脱落片は回路の短絡等のトラブル
の原因となりやすい。
そこでこのような欠点を解消するため、実開昭
55−12692号公報(実願昭53−96613号)に示すよ
うに先端部を適宜切断により除去する方法や、研
磨機、ワイヤーブラシ等で削る方法及び先端部を
カールする方法などが考えられるが、いずれも細
かな作業となり手数がかかり面倒なものであつ
た。
〔考案の目的〕
本考案の目的は前記従来例の不都合を解消し、
簡単かつ迅速に作業を行つてしかも確実にフイン
先端の鋭利個所(ナイフエツジ)をなくすことが
でき、安全性の高い半導体素子用放熱板を提供す
ることにある。
〔考案の要点〕
しかしてこの目的は本考案によれば、基板面に
切り起こしによる舌状フインを多数枚並列させて
設けた放熱板において、各フインは先端に円形状
の保護皮膜層を形成することにより達成される。
〔考案の実施例〕
以下、図面について本考案の実施例を詳細に説
明する。
第4図は本考案の放熱板の実施例を示す正面
図、第5図は同上要部の拡大正面図で、図中3は
アルミニウム(合金)製の基板、4は該基板3に
取付けられるトランジスタ、サイリスタ等の半導
体素子を示す。基板3は図示のごとく断面L字形
のものの他に、断面T字形のもの若しくは単純な
板体のものなど種々の形状のものが考えられ、ま
た後述のフインも片側のみに設ける場合や両側に
設ける場合などがある。
フイン5,5′,5″……は基板3の面を切削機
で適宜間隔で並列に切り起こして形成されたもの
で、各フイン5,5′,5″……の先端部5aは切
り起こし時に上述のごとくナイフエツジとして鋭
利になつているが、かかる尖つた先端部5aが露
出しないよう円形状の保護皮膜層6により被覆す
る。この例の皮膜層6の如く円形の水玉状外形と
すると、全体に黒色塗装を施す場合にはこの部分
は厚肉であるので密着性のよいものとなる。ま
た、皮膜層6の材質としては合成樹脂、天然ゴ
ム、ガラス等が適する。
次にかかる保護皮膜層6を形成する方法につい
て説明すると、第6図に示すように電気ヒーター
7を備えた槽8に材料となる例えば合成樹脂(ナ
イロン、ポリエチレン、塩化ビニル等)9を加熱
して溶融状態で貯えておき、逆さまにした基板1
のフイン5,5′,5″……の先端部分のみをこの
合成樹脂9の中に浸漬する。このようにすれば合
成樹脂9はフイン5,5′,5″……に付着し、か
つ少し下降して水玉状の固まりとなつて先端部5
aを覆うので常温又は強制冷却により硬化させれ
ばよい。
〔考案の効果〕
以上述べたように本考案の半導体素子用放熱板
は、基板面に切り起こしによる舌状フインを多数
枚並列させて設ける場合において、各フインの先
端は保護皮膜層を設けて尖り部をなくしたので、
作業者が手を切つたりするおそれがなくまた保護
皮膜層で箔状の先端補強されるのでこの部分が脱
落したりするおそれもなくなるものである。しか
も、加工を施すのに細かで正確な作業は必要な
く、すべてのフインに一挙に施すことができ省力
化をはかることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の放熱板の正面図、第2図は同上
部分斜視図、第3図は同上要部の拡大正面図、第
4図は本考案の放熱板の実施例を示す正面図、第
5図は同上要部の拡大正面図、第6図は製造法の
一例を示す縦断正面図である。 1……基板、2,2′,2″……フイン、2a…
…先端部、3……基板、4……半導体素子、5,
5′,5″……フイン、2a……先端部、6……保
護皮膜層、7……ヒーター、8……槽、9……合
成樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板面に切り起こしによる舌状フインを多数枚
    並列させて設けた放熱板において、各フインは先
    端に円形状の保護皮膜層を形成したことを特徴と
    する半導体素子用放熱板。
JP18515083U 1983-11-30 1983-11-30 半導体素子用放熱板 Granted JPS6092844U (ja)

Priority Applications (1)

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JP18515083U JPS6092844U (ja) 1983-11-30 1983-11-30 半導体素子用放熱板

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JP18515083U JPS6092844U (ja) 1983-11-30 1983-11-30 半導体素子用放熱板

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Publication Number Publication Date
JPS6092844U JPS6092844U (ja) 1985-06-25
JPS6328610Y2 true JPS6328610Y2 (ja) 1988-08-02

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ID=30400264

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JP18515083U Granted JPS6092844U (ja) 1983-11-30 1983-11-30 半導体素子用放熱板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575642B (zh) * 2014-07-10 2019-06-18 富士通株式会社 散热部件、散热部件的制造方法、电子装置、电子装置的制造方法、一体型模块、信息处理系统

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Publication number Publication date
JPS6092844U (ja) 1985-06-25

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