JPS6328584Y2 - - Google Patents

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JPS6328584Y2
JPS6328584Y2 JP1981154848U JP15484881U JPS6328584Y2 JP S6328584 Y2 JPS6328584 Y2 JP S6328584Y2 JP 1981154848 U JP1981154848 U JP 1981154848U JP 15484881 U JP15484881 U JP 15484881U JP S6328584 Y2 JPS6328584 Y2 JP S6328584Y2
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JP
Japan
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thin film
amorphous
toroidal core
winding
magnetic material
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JP1981154848U
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JPS5860909U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、アモルフアス非晶質磁性材料で形成
したインダクタンス素子に関する。
従来のインダクタンス素子、例えばトロイダル
形コアに巻線を巻回してトロイダルコイルを形成
し、その周囲をシールド円筒で覆つたインダクタ
ンス素子は、通常、トロイダル形コアおよびシー
ルド円筒をフエライトで形成している。しかしな
がら、フエライトはその磁気特性上、透磁率や損
失に限界があり、インダクタンス素子の特性を現
状以上に向上することが難しい。さらに、フエラ
イト製のコアやシールド円筒は、これ以上厚さを
薄くしたり、小型化を図ることも、現時点では製
造上困難である。
そこで本考案はアモルフアス非晶質磁性材料の
細長い薄膜を円筒状に多層に巻回して形成したト
ロイダル形コアに巻線を巻回して得たトロイダル
コイルの周囲を、前記薄膜より広い幅のアモルフ
アス非晶質磁性材料の板状薄膜を同心円形状にし
て、前記トロイダル形コアの軸方向両側に所定の
厚さの空間が形成されるように、前記トロイダル
形コアを形成する薄膜に平行な方向に少なくとも
一層巻回して接着形成したシールド円筒で覆つて
構成することにより、磁気特性の優れた、小型の
インダクタンス素子を提供することを目的とす
る。
実施例につき、図面を参照して以下に説明す
る。
第1図および第2図において、アモルフアス非
晶質磁性材料を厚さ数10μの薄く細長いリボン状
に成形したものを、円形状に多層に巻回して、ト
ロイダル形コア1を形成し、この周囲に巻線2を
巻回して、トロイダルコイル3を得る。このトロ
イダルコイル3の周囲を、同じくアモルフアス非
晶質磁性材料を厚さ数10μの薄く細長いリボン状
に成形したものを、円形状に1〜数層巻回し、必
要に応じて適当な接着剤で接着して形成したシー
ルド円筒4により覆つて、インダクタンス素子を
構成する。シールド円筒4の幅B1は、トロイダ
ルコイル3の幅B2よりも充分そして第2図に示
すように、トロイダルコイル3の上下に所定幅の
空間を設けることにより、特性を安定させ、シー
ルド特性を向上させる。
アモルフアス非晶質磁性材料は、フエライトに
比べて透磁率が大きく、損失が小さいという特徴
を有する。従つて本考案のトロイダルコイル3
は、全体寸法や巻数を従来と同じにすれば大きな
インダクタンスを得ることが可能になり、あるい
はインダクタンスが従来と同等であれば、巻線を
少なくして小型にすることができる。さらにシー
ルド円筒4により磁束が外部へ洩れることを効果
的に防止することができ、この点からも磁気特性
を向上することができる。そして、アモルフアス
非晶質磁性材料は、最小厚さ20μ程度のシートあ
るいはリボンに成形でき、しかもこのシートやリ
ボンはある程度の機械的強度とバネ性を有するの
で、シールド円筒4の厚さを著しく薄くでき、イ
ンダクタンス素子全体の大きさを小型にすること
ができる。
このインダクタンス素子は、プリント基板5
に、例えば適当な接着剤を用いるなどにより、実
装することができる。
そしてこのインダクタンス素子は、例えばDC
−DC変換装置のトランス等の高周波電源装置用
として好適に使用される。
以上説明したように、本考案のインダクタンス
素子は、トロイダル形コアとシールド円筒とをア
モルフアス非晶質磁性材料の薄膜で形成したの
で、透磁率が大きくかつ損失が小さく、磁気特性
が向上すると共に、大きなインダクタンスを得る
ことが可能になり、またシールド効果が大きく、
しかも全体寸法の小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のインダクタンス素子の平面
図、第2図は第1図の−線における断面正面
図である。 1……トロイダル形コア、2……巻線、3……
トロイダルコイル、4……シールド円筒。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. アモルフアス非晶質磁性材料の細長い薄膜を円
    形状に多層に巻回して形成したトロイダル形コア
    に巻線を巻回して得たトロイダルコイルの周囲
    を、前記薄膜より広い幅のアモルフアス非晶質磁
    性材料の板状薄膜を同心円形状にして、前記トロ
    イダル形コアの軸方向両側に所定の厚さの空間が
    形成されるように、前記トロイダル形コアを形成
    する薄膜に平行な方向に少なくとも一層巻回して
    接着形成したシールド円筒で覆つて構成したイン
    ダクタンス素子。
JP15484881U 1981-10-20 1981-10-20 インダクタンス素子 Granted JPS5860909U (ja)

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JP15484881U JPS5860909U (ja) 1981-10-20 1981-10-20 インダクタンス素子

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JPS5860909U JPS5860909U (ja) 1983-04-25
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5826490Y2 (ja) * 1979-01-16 1983-06-08 松下電器産業株式会社 変成器

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Publication number Publication date
JPS5860909U (ja) 1983-04-25

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