JPS63284689A - ランプ関数電圧発生回路 - Google Patents

ランプ関数電圧発生回路

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JPS63284689A
JPS63284689A JP11881287A JP11881287A JPS63284689A JP S63284689 A JPS63284689 A JP S63284689A JP 11881287 A JP11881287 A JP 11881287A JP 11881287 A JP11881287 A JP 11881287A JP S63284689 A JPS63284689 A JP S63284689A
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JP
Japan
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voltage
ramp function
output
control voltage
control
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JP11881287A
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English (en)
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Yoshitaka Abe
義孝 阿部
Mitsuo Matsuyama
光男 松山
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はサイリスタのd v / d を耐量を測定す
るためランプ関数電圧発生回路に係り、特にランプ関数
電圧発生部用力の傾斜制御を行なう高精度なランプ関数
電圧発生回路に関する。
〔従来の技術〕
従来からサイリスクの耐雑音性を示すd v/d を耐
量は特公昭54−5548号に記載のようにサイリスタ
にランプ関数電圧を印加して測定している。従来のこの
種のランプ関数電圧発生回路として特開昭57−176
826号に記載のようにランプ関数電圧の電圧傾斜部の
傾斜度を連続的かつ高速に可変できて測定の自動化に適
する回路構成にしたので提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術はランプ関数電圧の傾斜d v / d 
を決定する積分用コンデンサおよび定電流回路で使用す
るトランジスタや抵抗の周囲温度変化による特性変動お
よびランプ関数電圧発生回路の部品故障による不具合等
で設定した傾斜dv/dtとは異なる傾斜のランプ関数
が発生する点について配慮されておらず、誤測定する問
題があった。また上記従来技術の特性変動の解決方法と
してはランプ関数電圧発生回路部品すべてに温度による
特性変化の少ない部品を使用するか温度補償をする必要
があり、部品故障による不具合等についてはランプ関数
電圧の発生ごとにオシロスコープ等で監視する必要があ
るなどの不具合を生ずる問題があった。
本発明の目的は設定した傾斜d v / d tに対し
高精度な傾斜dv/dtのランプ関数電圧を発生して設
定した傾斜d v / d tとは異なる傾斜dv/d
tのランプ関数電圧発生によるサイリスタのd v /
 d を耐量の誤測定を防止できるランプ関数電圧発生
回路を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、ランプ関数電圧の傾斜d v / d t
を設定する制御電圧源の第1の制御電圧により制御入力
端子に印加される第2の制御電圧により傾斜d v /
 d tを制御可能なランプ関数電圧を発生するランプ
関数電圧発生部と、上記ランプ関数電圧発生部の出力に
接続されて該ランプ関数電圧の傾斜dv/dtを検出す
る微分検出部と、上記微分検出部の出力電圧と上記制御
電圧源の第1の制御電圧とを比較した差電圧により上記
第2の制御電圧を補正する制御電圧補正部と、上記制御
電圧補正部の上記差電圧が所定値以下になったときに上
記ランプ関数電圧発生部の出力電圧を外部出力端子に接
続する出力接続部とを備えたランプ関数電圧発生回路に
より達成される。
〔作用〕
上記ランプ関数電圧発生回路においては、上記ランプ関
数電圧の傾斜d v / d tを設定する制御電圧源
の第1の制御電圧により制御入力端子に印加される第2
の制御電圧により制御される傾斜dv/dtのランプ関
数電圧を発生するランプ関数電圧発生部の出力端子に設
けられた微分検出部は上記傾斜d v / d を部を
微分すること和より一定電圧パルスとして出力し、制御
電圧補正部は上記微分検出部の出力電圧と上記傾斜dv
/dtを設定する第1の制御電圧を比較して該差電圧に
より第1の制御電圧に比べて微分検出部の出力電圧が大
きけ五 ・ れば上記第2の制御電圧が小さくなるように補正するが
逆に微分検出部の出力電圧が小さければ上記第2の制御
電圧が太き(なるように補正し、出力接続部は上記制御
電圧補正部の上記差電圧を保持した電圧を監視して所定
値以下になった時点で上記ランプ関数電圧発生部の出力
電圧を外部出力端子に接続し、これにより外部出力端子
には第1の制御電圧で設定された傾斜d v / d 
tのランプ関数電圧しか出力されないので異なる傾斜d
 v / d tのランプ関数でサイリスタのa v 
/ a t、耐量等を誤測定することがない。
〔実施例〕
以下に本発明の一実施例を第1図および第2図により説
明する。
第1図は本発明によるランプ関数電圧発生回路の一実施
例を示す構成図である。第1図において、1はランプ関
数電圧発生部、2は微分検出部、3は制御電圧補正部、
4は出力接続部、5は制御電圧入力端子、6はタイミン
グ出力端子、7は外部出力端子、8は制御電圧源、9は
微分検出出力で−4・ ある。
ランプ関数電圧発生部1は、ランプ関数電圧の発生のタ
イミングをとる矩形波発振器PGと、上記矩形波発振器
PGからの信号遅延を行なう遅延回路DL1と、ランプ
関数電圧の基準となる定電流回路を形成するPNP)ラ
ンジスタQ1および上記PNP )ランジスタQ1のエ
ミッタに接続されるエミッタ抵抗R1と、上記遅延回路
DL1の出力信号に同期して制御電圧入力端子5に制御
電圧源8の第1の制御電圧v0により印加される制御電
圧(第2の制御電圧)v′。を定数に1倍して上記PN
P )ランジスタQ、のベースとエミッタ抵抗R2間忙
電圧を印加する乗算器M1と、ランプ関数電圧の到達電
圧V!を決定する電圧源V。
と、積分用コンデンサC1,C2,C5と、上記積分用
コンデンサCI+C2tC3の容量切換リレーrt1 
、rt2.r15および上記積分用コンデンサC1,C
2,C3の放電リレーrtoと、上記容量切換リレーr
t1 p r 12 、 r 15および放電リレーr
aoの駆動を行なうリレー駆動回路S1より構成される
第2図は第1図の動作を説明するタイムシーケンス図で
ある。上記構成のランプ関数電圧発生部1の動作を第2
図により説明する。まず矩形波発振器PGより矩形波パ
ルス(a)が時刻t。に発生すると、リレー駆動回路S
1は、選択的に容量切換リレーrt1 、rt2.rt
5の例えば第1図では容量切換リレーr L 1の駆動
信号(b)を出力し、これにより容量切換リレーrt、
が駆動されて任意の容量C1sC2、C3の積分用コン
デンサC1゜C2,Csの例えば積分用コンデンサC4
が選択されてPNPトランジスタQ1のコレクタに接続
される。一方の遅延回路DL1は矩形波パルス(a)を
時間T。だげ遅らせたパルス(d)を時刻t、に出力し
、この時間T。は上記容量切換リレーrt1゜rt2.
rt3の動作時間を確保して各リレー接点の閉成を保証
する。遅延回路DL1より時間T。
だけ遅れたパルス(d)が乗算器M1に入力されると、
乗算器M1は制御電圧源8の第1の制御電圧v0により
印加される電圧入力端子5の入力制御電圧(第2の制御
電圧)(j)を定数(乗算係数)K1倍した電圧(e)
をPNP )ランジスタQ、のベース端子と上記PNP
)ランジスタQ、のエミッタに接続されたエミッタ抵抗
R1の間に印加する。これによりPNP )ランジスタ
Q、およびエミッタ抵抗R1は次式で表わされる電流I
を流す定電流源となる。
I  勾CK、@V0’−4BII)/R1(11ここ
でに、は乗算器M1の乗算係数、v0′は制御入力端子
5に印加した入力制御電圧(第2の制御電圧)、V□は
PNP)ランジスタQ、のベース・エミッタ間電圧、R
1はエミッタ抵抗R1の抵抗値である。
上記PNP)ランジスタQ、およびエミッタ抵抗R1の
定電流源により上記積分用コンデンサC1がfl1式で
示される定電流工で充電される結果、次式で示される傾
斜d v / d tで到達電圧vTのランプ関数電圧
(f)が発生する。
dv/dt−Ilo、       (2)ここでC1
は積分用コンデンサC1の容量である。
fl1式および(2)式よりランプ関数電圧(f)の傾
斜dv/ a t、と入力制御電圧(第2の制御電圧)
v0′との関係は次式のようKなる。
av/at=(x、・V0’  VBI)/(R1”C
1)(3)式より傾斜d v / d tを可変するに
は入力制御電圧(第2の制御電圧)va’とエミッタ抵
抗R1と積分用コンデンサC1を可変すればよい。本実
施例では入力制御電圧V 、rの他に積分用コンデンサ
C1,C2,C3の容量C1〈C2〈C3として、容量
切換リレーrt1 、rt2.rt3により積分用コン
デンサC,,C,,,C,を選択して容量可変すること
により、傾斜dv/dtの可変範囲を広くしている。つ
いで放電リレーrtoはPNP)ランジスタQ、および
エミッタ抵抗R1による定電流源の動作の停止した時刻
t2にリレー駆動回路S1により駆動され、積分用コン
デンサC4を短絡することにより蓄積された電荷を放電
して次のランプ関数電圧(flの発生にそなえる。
微分検出部2は、コンデンサC8と、抵抗R88。
より構成される。この構成で第2図のランプ関数電圧(
f)が傾斜d v / d tで時刻t、に印加される
と、微分検出出力9には次式で示される電圧V。
の微分検出出力(g)が発生する。
■、=Ro−Co@(dv/dt)   (4)制御電
圧補正部3は、傾斜d v / d tを設定する制御
電圧源8の設定制御電圧(第1の制御電圧)V、と上記
微分検出出力(g)の微分検出電圧v6とを比較する比
較器C1と、上記比較器C1の出力を入力してランプ関
数電圧(f)の発生時刻t、の直後の比較器C1の出力
電圧を保持する電圧保持回路H1と、上記電圧保持回路
H1の出力の積分回路を形成する電圧保持回路H2およ
び加算器A1と、上記電圧保持回路H2の出力電圧と上
記制御電圧源8の電圧V、を加算して制御電圧入力端子
5へ出力する加算器A2より構成される。
この構成で、いま第2図の時刻t、に発生したランプ関
数電圧(f)の傾斜dv/dtが制御電圧源8の設定制
御電圧←第1の制御電圧)VCで設定された傾斜d v
 / d tより大きいと、上記微分検出部2の微分検
出出力(glの電圧V、は制御電圧源8の制御電圧V。
より高くなる。このとき比較器C1は微分検出電圧vd
と制御電圧vcを比較して次式で示される差電圧vFを
発生する。
vF二に2・(vo−■、)      (5)ここで
に2は比較器C1の定数である。電圧保持回路H1は上
記比較器C1の出力する差電圧vFをランプ関数電圧(
f)の発生時刻t1の直後に読みとって保持を行ない、
第2図に示すような出力電圧(h)を発生する。ついて
加算器A1および電圧保持回路H2は次の矩形波パルス
(a)の立上り時刻t3で加算器A1により上記電圧保
持回路H1の出力電圧(h)と上記電圧保持回路H2の
出力電圧(1)を加算してえられる電圧を上記電圧保持
回路H2により保持して、第2図に示すように変化する
出力電圧(1)を発生する。加算器2は上記電圧保持回
路H2の出力電圧(1)すなわち制御電圧vcの補正電
圧(1)と上記設定制御電圧(第1の制御電圧)Vcを
加算して、第2図に示すように低(なった入力制御電圧
(第2の制御電圧)Vc’(j)を発生して新たにラン
プ関数電圧発生部10制御電圧入力端子5へ出力する。
上記動作により入力制御電圧(第2の制御電圧)Vc’
はランプ関数電圧(f)の傾斜d v / d tが小
さくなるように補正され、これにより微分検出電圧Va
(g)も低くなる。この結果から(4)式で示される微
分検出電圧vdは設定制御電圧V。に等しくなり、ラン
プ関数電圧(f)の傾斜dv/ a t、は次式で示さ
れる値となる。
dv/dt = Vll: /(Ra @Go )  
  f61また逆に第2図の時刻t、に発生したランプ
関数電圧(f′)の傾斜d v / d tが設定され
た傾斜dv/dtより小さいと、第2図のランプ関数電
圧(f′)、微分検出出力(g’) 、電圧保持回路H
1の出力電圧(h′)、電圧保持回路H2の出力電圧(
i′)、入力制御電圧(第2の制御電圧Hj’)に示す
ように動作して、入力制御電圧(第2の制御電圧)Vc
’はランプ関数電圧(f′)の傾斜d v / d t
が大きくなるように補正され、これにより微分検出電圧
vd(g)も低くなる。この結果から微分検出電圧V、
は設定制御電圧V。に等しくなり、ランプ関数電圧(f
)の傾斜d v / d tは(6)式で示される値と
なる。
出力接続部4は、ランプ関数電圧発生部1のランプ関数
電圧(f)を外部出力端子7へ接続する接続リレーr 
L 4と、接続リレーr t4を駆動するリレー駆動回
路S2より構成される。この構成で、ランプ関数電圧(
flの傾斜d v / d tが(6)式で示される傾
斜d v / d tになると、比較器C1の出力電圧
VFすなわち電圧保持回路H1の出力電圧(h)は矩形
波パルス(a)の立上り前後で変化しなくなる。これを
利用してリレー駆動回路S2は矩形波パルス(a)の立
上りで電圧保持回路H1の出力電圧(h)が一定値以下
であれば接続リレーr t4を駆動してランプ関数電圧
発生部1の出力を外部出力端子7へ接続する。よって第
2図に示すように矩形波パルス(alの立上り時刻t3
では電圧保持回路H1の出力電圧(h)+ (h’)が
一定値vroより太きいため接続リレーrL4の駆動出
力(K)l (K’)が出力されず、次の矩形波パルス
(a)の立上り時刻t6では電圧保持回路H1の出力電
圧(hL (h’)が一定値vFoより小さいため接続
リレーr L 4の駆動出力(K)l(K’)12 ・ が出力されて接続リレーrt4が駆動される。この結果
から次の矩形波パルス(alの期間t6〜t7では(6
)式で示される設定された傾斜d v / d tのラ
ンプ関数電圧(t)が外部出力端子7に出力される。
以上のように本実施例によれば、(6)式で示される傾
斜d v / d tのランプ関数電圧(t)シか外部
出力端子7に出力されないので、(6)式で設定した傾
斜d v / d tとは異なる傾斜d v / d 
tのランプ関数電圧でのサイリスタのd v / d 
を耐量等の誤測定が防止される。またランプ関数電圧の
傾斜dv/dtは(6)式で示されるように微分検出部
2の時定数R8−Coと制御電圧源8の設定制御電圧(
第1の制御電圧)voにより決定されるので、微分検出
部2のみを高精度で定数変動の少ない部品で構成するだ
けで設定制御電圧V。による高精度な傾斜d v / 
d tのランプ関数電圧かえられる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、制御電圧で設定した傾斜aV/dtの
ランプ関数電圧が精度よ(えられるので、異なる傾斜d
 v / d tのランプ関数電圧でのサイリスタのd
 v / d を耐量等の誤測定を防止して高精度で安
定した測定を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるランプ関数電圧発生回路の一実施
例を示す構成図、第2図は第1図の動作を説明するタイ
ムシーケンス図である。 1・・・・・・ランプ関数電圧発生部、2・−・・・・
微分検出部、6・・・・・・制御電圧補正部、4・・・
・・・出力接続部、5・・・・・・制御電圧入力端子、
6・・・・・・タイミング出力端子、7・・・・・・外
部出力端子、8・・・・・・制御電圧源。 、′−へ\

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ランプ関数電圧の傾斜dv/dtを設定する制御電
    圧源の第1の制御電圧により制御入力端子に印加される
    第2の制御電圧により傾斜dv/dtを制御可能なラン
    プ関数電圧を発生するランプ関数電圧発生部と、上記ラ
    ンプ関数電圧発生部の出力電圧を微分する微分検出部と
    、上記微分検出部の出力電圧と上記制御電圧源の第1の
    制御電圧とを比較した差電圧により上記第2の制御電圧
    を補正する制御電圧補正部と、上記制御電圧補正部の上
    記差電圧を監視して所定値以下になったときに上記ラン
    プ関数電圧発生部の出力電圧を外部出力端子に接続する
    出力接続部とから成るランプ関数電圧発生回路。
JP11881287A 1987-05-18 1987-05-18 ランプ関数電圧発生回路 Pending JPS63284689A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015142249A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 日本電信電話株式会社 発振器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015142249A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 日本電信電話株式会社 発振器

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