JPS63281490A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体レーザ装置、特に半導体レーザ装置
における外部共振器構造に関するものである。

（従来の技術） 従来より、半導体レーザ装置が光ディスク装置或いは光
磁気ディスクメモリ装置等といった光情報記録及び又は
読出装置の光源としで利用されている。

第３図は半導体レーザ装置を光源として利用した従来既
知の光磁気ディスクメモリ装置の一例を概略的に示す説
明図である。同図においで、１０は半導体レーザであり
、その共振器長をρとする。

このレーザ１０から出射したレーザ光束１２はコリメー
タレンズ１４、ビームスプリッタ１６及び対物レンズ１
８を経てこの対物レンズ１８の焦点に位置しレーザ１０
の出射端面から距離りだけ離れた光磁気ディスク２０の
記録面上に光スポットとして入射する。この記録内容に
対応した変化を受けた反射光は対物レンズ１８ヲ通りビ
ームスプリッタ１６によって一部分が反射されて光検出
器２２に入射すると共に、一部分の光束１２がコリメー
タレンズ１４を経てこのコリメータレンズ１４の焦点に
あるレーザ１０の出射端面に戻り光として絞られて入射
する。

このように、一般に、光ディスクの情報を半導体レーザ
を用いて読み出す場合、ディスク面からの戻り光か半導
体レーザの出射面に入射する。この戻り光は、前述した
距離りと半導体レーザ発振波長λ。に応じた微妙な影響
を半導体レーザに及ぼし、半導体レーザノイズの増大の
原因となっている。この場合、戻り光が半導体レーザ端
面の電界と同位相ならば、この戻り光は電界を強めるよ
うに働き、一方、戻り光がその電界と逆位相ならば、戻
り光は電界を弱めるように働いて、発振条件の変動を来
す。

〈高周波重畳法の説明〉 そこで、半導体レーザの戻り光による雑音増加を防ぐ一
方法として、従来より高周波重畳法が用いられている（
例えば文献■：１９８４年春季応物学会予稿集２ａ−Ａ
−１１）。

第４図（Ａ、）及び（Ｂ）はこの高周波重畳法の動作原
理を説明するための時間波形図であり、横軸に時間及び
縦軸に電流値を取ってそれぞれ示しである。第４図（Ａ
）は半導体レーザ１０の駆動電流波形であり、（Ｂ）は
戻り光の一部を光検出器２２で受光したときの出力電流
波形である。時刻１＝０に半導体レーザ団に電流１を流
してレーザ光を発振させると、戻り光１２は１１時間後
に半導体レーザ出射端面に戻ってくる。このように、レ
ーザ出射端面への戻り光１２と、光検出器２２の電流出
力とは一定の時間及び光量の関係で結ばれているから、
以下、光検出器２２への戻り光をレーザ出射端面への戻
り光１２としで説明する。

半導体レーザ１０が出射してから戻るまでの時間ｔ、は
、光速をＣ５半導体レーザ１０とディスク２０との間の
距離をＬとすると、 ｔ　＋　＝　（２１−／ｃ） で与えられ、Ｌ＝２００ｒｒｉｍとし、ｃ＝３０ｘ１０
　”ｍｒｎ／ｓ　ｅｃとすると、ｔ＋＝１’、３３ｍ５
ｅｃとなる。時刻ｔ、以降の戻り光量は電流値１２に相
当するか、この時点て半導体レーザ１０が発光している
と、戻り光１２に起因した雑音が発生するので、半導体
レーザ１０の駆動電流値ｘ＋ｌｒ零（０）にする時刻ｔ
２はこの時刻ｔ＋の前か或いはこの時刻ｔ１の直後にす
るのが望ましい。さらにまた、この時刻ｔ２に対応しで
戻り光量の電流値１２が零（０）となる時刻ｔ３が定ま
る。ところで、半導体レーザ１０に再び電流ｉ、を流し
始める時刻ｔ４が戻り光の存在する時間と重畳すると、
戻り光雑音が増大することが知られている。

これかため、半導体レーザを駆動する電流波形の周期Ｔ
の目安は Ｔ＝２ｔ＋ で与えられ、距ｉｉＩｔＬ＝２０ｃＬｍｍとすると、Ｔ
＝２．６６ｒｉｓｅｃとなり、周波数ｆ＝３７５ＭＨ２
となる゛。これがため、このような高周波重畳法を用い
た半導体レーザの駆動回路では、駆動回路が相当複雑と
なる欠点かある。

また、特に、例えば距離Ｌ−＝１００　ｍ、　ｍ以下の
小型の光学系を構成しようとすると、対応する高周波数
ｆはｆ＝７５０ＭＨ２となってしまい、高周波に対する
各種の電気的雑音対策を講じる必要が生じ、従って、装
置の構成が複雑となる。

さらに、光磁気ディスクメモリ装置の光学系を平面的に
、コンパクトに構成すると共に、動作の高速化を図るた
め、リレーレンズ系を用いる装置か知られている。しか
し、リレーレンズ系を用いる構成では、上述した距離り
が変化するので、この変化に応じて高周波を変化させる
高周波重畳法はざらに複雑化してしまう。この点につき
第５図を参照して説明する。尚、第５図は全反射プリズ
ム２４ヲ用い主要光学系をディスク２０と平行となるよ
うに構成した例であり、第３図に示した構成成分と同一
の構成成分については同符号を付して示し、その詳細な
説明は省略する。

この第５図において、対物レンズ１８とビームスプリッ
タ１６との間に全反射プリズム２４ヲ介挿し、回転軸２
６ヲ中心としで回転するディスク２０に対し平行な光ど
−ムをプリズム２４てディスク２０に対し垂直なビーム
にして入射させ、これよりの反射ビームをこのプリズム
２４で再度ディスク２０と平行な戻り光となるように構
成しである。対物レンズ１８とプリズム２４は、その他
の所要の制御部と共に、送り軸２８に連結駆動される移
動台３０に、それぞれ固定しである。光情報の読取りに
際しては、移動台３０をディスク２０の所定のトララフ
位置のところまで移動させ、同一トラックに停止させた
状態でこれに対物レンズ１８によってレーザ光の焦点　
　　　−を結ばせて読取りを行う。

この第５図の装置は、ディスク２０がらプリズム２４の
中心点までの距離Ｌ２が光学系の厚みの目安であるので
薄型構造となる。ざらに、プリズム２４の中心点から半
導体レーザ１０の出射端面までの距離Ｌ３を可変にして
移動台３０に搭載する光学系の部品数を低減させている
ので、移動台３０の軽量化と高速移動とが可能となって
いる。

しかしながら、この場合にも、半導体レーザ１０とディ
スク２０との間の距離りは Ｌ＝１２　十１３ であるため、トラック選択位回に応じて距ＭＬ３が変化
し、戻り光がレーザ出射端面へ入射する時刻も対応して
変化する。従って、この構成であっでも、高周波重畳法
に基づく半導体レーザ雑音の低下を図るための装置構成
は複雑となる。

〈発振縦モート制御法の説明〉 戻り光による半導体レーザ雑音の低下を図る別の方法と
して発振縦モード制御法かる。この技術は半導体レーザ
を連続的に発振させ、発振の縦モード状態を装置構造に
より制御しよとするものである。これにつき第６図ヲ参
照して説明する。

第６図は横軸に波長及び縦軸にゲインを取って示した、
基本的な半導体レーザ自体の共振器の発振に関するゲイ
ン−波長特性を示す図である。

通常、光ディスクまたは光磁気ディスクメモリ装置の光
源としてＧａＡｓ、ＧａＡρＡｓを複合的に組み合せた
可視光レーザか使用され、発振波長λ。は７８０ｎｍま
たは８３０ｎｍが代表的である。この場合、レーザのフ
ァブリベロー共振器長（チップ長）をβとし、λ。−８
３０ｎｍで発振し易い材料で構成したとき、半導体材料
固有の発振波長に対するゲイン特性９２は破線で示すよ
うに波長に対して緩やかに変化する。しかし、チップ長
ｆか制限されているため共振器端面て位相が合った定常
的な発振し得る波長は実線で示すゲイン特性９．のよう
に離散値を取る。レーザ構成材料の屈折率をｎとし、発
振波長の基本的なモード間隔（とび幅）を△λ、とする
と、△λ、−入。２／２ｎρ であることか知られでいる。通常、半導体レーザは一旦
発振すると安定し、温度上昇にともなう屈折率の増加に
起因して発振波長が連続的にわずかに長波長側ヘシフト
する。しかしながら、温度上昇とともに、ゲイン特’！
！　９２がゲイン特性９２′のごとく長波長側にシフト
し、ある限界に達すると、縦モード発振波長λ。のジャ
ンプが起り、その基本的とび幅が上述した△λ、である
。

これらの原因によって、縦モードの波長かジャンプした
波長でそのまま安定してしまう場合もあり、また、いく
つかのモードの間で発振モードが複雑に移り変わる場合
もあり、後者の場合には、モード競合ノイズという雑音
が生する。このモード競合ノイズは、戻り光がある場合
には増大する。そこで、外部共振器を利用してモートジ
ャンプが生じないように構成した半導体レーザ製画か提
案されている（例えば文献■：１９８５年春季応物学会
予稿集１ｐ−ＺＢ−５）。

第７図を参照してこの半導体レーザ装置につき説明する
。この装置は半導体レーザ３２の後方の出射光をモニタ
するフォトダイオード（光検出器）３４の端面を外部反
射ミラーとして利用した複合半導体レーザ素子３６であ
り、共通基板上に所要の層を共通に形成した後、間隔長
Ｌ４の溝３８を掘り、一方を光源用半導体レーザ３２と
し他方をモニタ用光検出器３４とし、共振器長をρとし
、レーザ端面と光検出器端面とか間隔長Ｌａで平行に向
き合った構造となっている。半導体レーザ３２と検出器
３４とを逆バイアスとなるように駆動すると、半導体レ
ーザ３２の前方端面から光源光が出射する。一方後方端
面から出射した光束４０の一部が光検出器３４で検出さ
れ、一部が反射されて再びレーザ後方端面に戻り、この
戻り光がレーザ発振に影響を与える。

第８図はこの複合半導体レーザ素子すなわち半導体レー
ザ自体と、外部共振器とからなる半導体レーザ製画のゲ
イン−波長特性図で、横軸に波長及び縦軸にゲインを取
って示しである。図中、破線で示すゲイン特性９３は正
確には第６図で説明した材料固有のゲイン特性９２及び
複合半導体レーザ素子の特性（例えば間隙長Ｌ４１含む
）とにより定まる。複合半導体レーザ素子！ＧａＡｓ系
とし、屈折率ｎを３とし、共振器長ρ％２５０ｕｎとす
ると、等価共振器長ｎｊ２は７５０ｕｍとなる。簡単に
複合半導体レーザ素子の特性が間隙長Ｌ４に起因した成
分であるとする。このＬａｔ７５０ｕｍより短い５５０
−１５０ｕとすると、ゲイン特性９３は、おおよそ、第
６図で既に説明した半導体レーザ自体の共振器のゲイン
特性９１に相当する波長のジャンプ特性（ジャンプ幅）
△λ、−λ。２／２ｎρに間隙長Ｌ４に起因するジャン
プ幅△λ２＝λ。２／２Ｌｄとが組み合さったゲインプ
ロファイルの包絡線の形状となる。図からも理解出来る
ように、この場合の発振し得る波長は実線で示すように
、この間隔長Ｌ４に起因しで、隣接する発振可能波長間
に大きなゲイン差が生じ、△λ、だけ離れたゲインも９
．よりも小さいゲイン９．′の波長へのジャンプは抑制
される。実際、常温を中心とした広い温度範囲でモード
ジャンプの生じない半導体レーザが作成出来、戻り光が
ある場合でも戻り光がある範囲ではモードジャンプがな
いので、モードジャンプによる半導体レーザ雑音の増加
がない。

しかしながら、光ディスク或いは光磁気ディスクメモリ
装置の光源として使用する場合、ディスク面が反射ミラ
ーとなって別の外部共振器として作用するため、縦モー
ドジャンプが起る。この点につき第９図を参照して説明
する。

第９図は横軸に波長及び縦軸にゲインを取って示した、
ディスクが外部共振器としで働く場合のゲイン−波長特
性図で、前述した第６図に対応する図である。この場合
の縦モードジャンプにおけるゲイン特性は小さな基本モ
ードジャンプ八λ１＝λ。２／２ｒ＋ｊ２によるゲイン
９．及び９．″よつもさらに小さな間隔のゲイン特性９
４を含み、半導体レーザとディスク間の距離をＬとする
と、発振可能波長は△λ３＝λ。′／２して与えられる
周期となる。例えば、半導体レーザの等価共振器長ｎＡ
＝７５０ｕｍ及びＬ＝１００ｍｍとする場合、このジャ
ンプ幅△λ３−△λ、／１３３となる。

このようなゲイン−波長特性となるため、戻り光によっ
て例えば波長△λ１以上のモードジャンプのない状態で
も波長λ。の発振のごく近傍で八λ３を基本とする細か
なモードジャンプが存在しうろことがあり、このモード
競合による戻り光雑音がある。

（発明が解決しようとする問題点） このように、高周波重畳法による技術では、ディスクと
半導体レーザとの間の距離が短いと、特にリレーレンズ
系のようにその距離が変化する場合、リレーレンズ系の
構造が複雑化するという問題点かある。

また、半導体レーザの等価共振器長よりも短い距離の外
部反射ミラーによるモードホッピング抑制技術では、記
録ディスクからの戻り光による微細なモートホラどング
に起因した戻り光雑音を除去出来ないという問題点があ
った。

この発明の目的は、上述した光ディスク或いは光磁気デ
ィスクにおいて、戻り光雑音を除去するために高周波重
畳法を用いると特にリレーレンズ系か複雑化するという
問題点と、短距離の外部ミラーを利用して広い温度範囲
で単−縦モード化を図ろうとする場合に、微細なモード
ホラとングに起因する戻り光雑音を除去出来ないという
問題点を除去し、リレーレンズ系にも適用出来、しかも
、広い温度範囲でもディスク面からの戻り光による微細
なモートホッピングに起因する戻り光雑音を低減した、
簡単な構造の半導体レーザ製画を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、 情報記録坦体に対し情報の書込み及び読出しの双方又は
いずれか一方を行うための光源として用いる半導体レー
ザ装置において、 半導体レーザチップの等価共振器長と情報記録坦体及び
当該半導体レーザチップの出射端面間距離との中間の値
の距Ｍだけこの半導体レーザチップの出射端面から離れ
た位置に、反射レーザ光を出射端面側へ戻すような湾曲
反射面を有する半透鏡を設けたことを特徴とする。

この発明の好適実施例によれば、この中間の値の距Ｍを
、半導体レーザチップの等価共振器長と情報記録坦体及
び当該半導体レーザチップの出射端面間距離との相乗平
均に等しい距離とするのが良い。

ざらに、この発明の他の好適実施例では、半透鏡の湾曲
反射面を反射レーザ光を入射レーザ光の光路上を逆方向
に戻す湾曲面とするのが良い。

さらに、上述した出射端面を半導体レーザチップの前方
出射端面または後方出射端面とすることが出来る。

ざらに、情報記録坦体として例えば光ディスク或いは光
磁気ディスクとし、この半導体レーザ装置をこれらディ
スクを用いたメモリ製雪の光源としで使用することか出
来る。

（作用） このように構成すれば、半導体レーザチップから出射し
たレーザ光をこのレーザチップから一定距離だけ離れた
半透鏡によって入射方向とは逆向きに反射して半導体レ
ーザチップの出射端面へ効率良く戻り光として戻す外部
共振器としで機能するので、波長λ。で発振している際
、前述したような微細な波長差へλ３の波長へのジャン
プを抑えることが出来ると共に、波長差△λ４の次の波
長が十分離れているので、基本的な半導体レーザチップ
のファブリベロー共振器特性によるゲイン低下が起り、
次の波長での発振は起りにくい。

（実施例） 以下、図面ヲ参照しで、この発明の実施例につき説明す
る。

第１図はこの発明の半導体レーザ装Ｈの構成の一実施例
を示す部分的断面図及び第２図はこの発明の第二実施例
を説明するための概略的な構成図である。これら図にお
いて、各構成成分はこの発明が理解出来る程度に概略的
に示しであるにすぎず、従って、これら構成成分の形状
、寸法及び配Ｈｆａ係は図示例に限定されるものではな
いことを理解されたい。

第１図において、１０１はこの発明の半導体レーザ装置
を構成する半導体レーザチップを示し、１０３はこのチ
ップ１０１ヲ固定して保持する金属性ブロック、１０５
はこの金属ブロックを搭載したヘッダであり、これには
半導体レーザチップ１０１に電流を流すための二本の導
電性どン１０７を設けである。その一方はヘッダ１０５
とは絶縁体１０９により接触分離されてチップ１０１に
例えば金線のような導線１１１を用いて電気的に接続さ
れ及び他方はヘッダ１０５と電気的に接触されている。

さらに、１１３は半導体レーザチップ１０１を外気から
連断すると共に、その劣化を防止するためのキャップで
ある。

この実施例では、このキャップ１１３の、半導体レーザ
の光源としての出力光を取り出す側に、半透鏡１１５を
設けである。この半透鏡１１５は設計に応じた適当な均
−或いは不均一の厚みのなガラス或いはプラスチックの
ような透明部材１１５ａと、その半導体レーザチップ側
の面を反射面１１７とするための反射膜１１５ｂとで主
としで形成されており、この反射膜１１５ｂにより発振
レーザ光の一部分を透過しかつ一部分を反射させるよう
になしである。通常、半導体レーザから放射されたレー
ザ光はある角度範囲内に拡かって進行する。

この拡がりを有するレーザ光束を図中１１９で示しであ
る。

この半透鏡１１５は少なくともその反射面１１７ヲ湾曲
反射面として構成する。さらに、この湾曲反射面を半導
体レーザチップ１０１側従って反射面１１７の側で凹と
なり反対側で凸となるような球面とするのが好適である
。この場合、この反射面１１７を湾曲反射面とするのは
、前方出射端面１０１ａに効率良く戻り光が戻るように
するためであるので、その目的を達成する適当な湾曲面
であれば良い。しかし、好ましくは、半透鏡１１５の凹
面をなす反射面１１７ヲ半導体レーザチップ１０１の前
方出射端面１０１ａからのレーザ光束１１９が、その入
射位置にかかわらす、垂直入射して入射方向とは逆方向
に反射して、反射レーザ光を前方端面に戻すような湾曲
反射面として構成するのか良い。

尚、この実施例では、半導体レーザチップ１０１の後方
端面から出射したレーザ光を用いてモニタするための光
検出器ヲ船けても良いが、その場合には半透鏡１１５か
らの反射し−ザ光がこの光検出器に入射しないよな手段
を講じる必要がある。

次に、この半透鏡１１５の配置位置につき説明する。こ
の発明では、半導体レーザチップ１０１の等価共振器長
と、光ディスク或いは光磁気ディスク等の情報記録坦体
及び半導体レーザチップ１０１の出射端面間距離との中
間の任意の値の距Ｍ　Ｌ＋だけ半導体レーザチップ１０
１の出射端面から離れた位置に、半透鏡１１５を設けれ
ば良い。しかしながら、この半導体レーザの出射端面１
０１ａから出射光の方向毎にとった反射面１１５ｂまで
の距離り、には適切な値かある。この値し、は、光ディ
スク或いは光磁気ディスクメモリ装置の光源として半導
体レーザを用いる場合には、半導体レーザの光の出射端
面からディスクまでの距離りと、半導体レーザチップ１
旧の等価共振器長ｎρとの関連で決まる。これにつき説
明する。

第１０図は半透鏡１１５を有する半導体レーザ装置のゲ
イン−波長特性図である。この特性は半導体レーザチッ
プ１旧自体の共振器、半透鏡１１５による外部共振器及
びディスク（図示していない）によって決まる。この場
合の特′けは、第６図で説明した半導体レーザチップ１
０１の等価共振器長ｎρに対応する波長差△λ１−λ。

２／２ｎβのゲイン特性に対し、半導体レーザチップ１
０１の出射端面１０１ａからディスクまての距ＭＬに対
応する波長差△λ３＝λ。２／２Ｌの微細な周期のゲイ
ン特性が重なる。今、半導体レーザチップ１０１の出射
端面１０１ａから湾曲反射面１１５ａまでの距離Ｌ１を
距離りと等価共振器長ｎβとの中間の値に選ぶとする。

その中間値の選びかたとしては、両距離の比率的な中間
値すなわち相乗平均とするのか好適である。

この場合、波長差△λ４−λ。２／２ＬＩの周期の包絡
線が破線図示の９５であるような、実線図示のゲイン−
特性９４′が得られる。図からも理解出来るように、こ
の場合には、ピークゲインを有する波長λ。に隣接する
波長差へλ３の付近ではゲインが低下している。上述し
た最適値は距離し、が相乗平均のときとしたが、この距
離り、は相乗平均よりもすれた値であっても従来よりは
雑音抑制効果がある。

この発明の実施例では、上述したようなゲイン特性とな
るのて、波長入。で発振していると、微細な波長差△λ
３へのジャンプが抑えられ、しかも、次の周期△λ４が
十分に離れでいる。このように、この発明の半導体レー
ザ装置によれば、基本的な半導体レーザチップのファブ
リベロー共振器の特性によるゲイン低下のため、次の周
期の発振可能波長での発振はおきにくい。

上述した実施例では、半導体レーザチップの前方出射端
面側に半透鏡を設けた例を説明したが、後方出射端面側
に半透鏡を設けても前述と同様な効果を達成することが
出来る。この第二実施例の構成の概略を第２図に示す。

尚、図中、第１図に示した構成成分と同一の構成成分に
ついては同一符号を付して示し、得に必要なもの以外は
その詳細な説明を省略する。

この実施例では、半導体レーザチップ１旧を金属性ブロ
ック　１０３に固定保持し、半導体レーザチップ１０１
の前方出射端面１０１ａから出射するレーザ光束１１９
ａは直接取り出す。一方、半導体レーザチップ１旧の後
方出射端面１０１ｂからの出射するレーザ光束１１９ｂ
は、前述と同様に距離りまたけ後方出射端面１０１ｂか
ら離れた位置（こ配設した半透鏡１１５を透過させで、
光検出器１２１に入射させ、光量のモニタ電流を検出す
る構成となっている。この実施例の場合にも、半透鏡１
１５か外部共振器となり、これよりの反射レーザ光が戻
り光となる。

尚、上述した半透鏡の反射率は、これに設ける反射膜に
よって調節することが出来る。

この発明は上述した各実施例で説明した具体的構成に限
定されるものではなく、少なくとも半導体レーザチブ及
び半透鏡を具え、がっ、この発明の目的か達成出来る構
成であるならば、その具体的構成には何等制限はない。

（発明の効果） 上述した説明から明らかなように、この発明の半導体レ
ーザ装置によれば、半導体レーザチップの出射光を外部
共振器として設けた半透鏡によって一部分反射させて当
該半導体レーザチップの出射端面に戻り光として効率よ
良く戻す簡単な構造となっているので、ディスクのよう
な任意好適な情報記録坦体と半導体レーザチップとの間
の距離が多少変動しても、情報記録坦体と半導体レーザ
チップとの間を共振器長とする微細な縦モードのジャン
プによる戻り光雑音を充分に抑制することか出来る。

従って、この発明は得に光デイスク装置及び光磁気ディ
スクメモリ装置の光源としで使用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体レーザ装置の第一実施例の構
成図、 第２図はこの発明の第二実施例の構成図、第３図は従来
の半導体レーザ装置を光ディスク装Ｍ或いは光磁気ディ
スクメモリ製雪に適用した場合の従来技術説明図、 第４図は高周波重畳法の動作原理を説明するための電流
一時間波形図、 第５図は従来の半導体レーザ装置をリレーレンズ系を用
いた光ディスク装置或いは光磁気ディスクメモリ製雪に
適用した場合の従来技術説明図、第６図は基本的な半導
体レーザ発振に関するゲイン−波長特性図、 第７図は従来の複合半導体レーザ製画の概略的構成図、 第８図は複合半導体レーザ装置のゲイン−波長特性図、 第９図はディスクが外部共振器として働く場合のゲイン
−波長特性図、 第１０図はこの発明の詳細な説明に供する半導体レーザ
製画のゲイン−波長特性図である。 １０１・・・半導体レーザチップ １０１ａ・・・前方出射端面、　１０１ｂ・・・後方出
射端面１０３・・・金属性ブロック、　１０５・・・ヘ
ッダ１０７・・・導電性ビン、　　　１０９・・・絶縁
体１１１・・・導線、　　　　　　１１３・・・キャッ
プ１１５・・・半透鏡、　　　　　１１５ａ・・・透明
部材１１５ｂ・・・反射膜、　　　　１１７・・・湾曲
反射面１１９、　ｌｌ９ａ、　　ｌｌ９ｂ−・・レーザ
光束１２１・・・光検出器。 特許出願人　　　　沖電気工業株式会社１０１ａ　：前
方出射端面　　　　　１１３：キャップ１０１：半導体
レーザチップ　　ｌｌ５ａ：透明部材１０３：金属性ブ
ロック　　　　ｌｌ５ｂ：反射膜１０５：ヘッダ　　　
　　　　　１１５：半透鏡１０７：導電′けビン　　　
　　　１１７：湾曲反射面１０９：絶縁体　　　　　　
　　１１９：レーザ光束１１１：導線 この発明の第−寅施例の構成図 第１図 喘 倚 ＜　　　　　　　　　口

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報記録坦体に対し情報の書込み及び読出しの双
   方又はいずれか一方を行うための光源として用いる半導
   体レーザ装置において、 半導体レーザチップの等価共振器長と情報記録坦体及び
   当該半導体レーザチップの出射端面間距離との中間の値
   の距離だけ前記半導体レーザチップの出射端面から離れ
   た位置に、反射レーザ光を出射端面側へ戻すような湾曲
   反射面を有する半透鏡を設けたこと を特徴とする半導体レーザ装置。
2. （２）前記中間の値の距離を前記半導体レーザチップの
   等価共振器長と前記情報記録坦体及び当該半導体レーザ
   チップの出射端面間距離との相乗平均に等しい距離とす
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導
   体レーザ装置。
3. （３）前記半透鏡の湾曲反射面は反射レーザ光を入射レ
   ーザ光の光路上を逆方向に戻す湾曲面であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載の半導
   体レーザ装置。
4. （４）前記出射端面を半導体レーザチップの前方出射端
   面または後方出射端面とすることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項〜第３項のいずれか一つに記載の半導体レ
   ーザ装置。