JPS59210684A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59210684A JPS59210684A JP58084174A JP8417483A JPS59210684A JP S59210684 A JPS59210684 A JP S59210684A JP 58084174 A JP58084174 A JP 58084174A JP 8417483 A JP8417483 A JP 8417483A JP S59210684 A JPS59210684 A JP S59210684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- emitting end
- emitting surface
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体レーザ、特に光学式ビックアンプに用い
られる半導体レーザに関する。
られる半導体レーザに関する。
従来技術の半導体レーザな第１図に示す。直方体の半導
体レーザテップ（２）はマウントベース（４）に固着さ
れ、これらは円板状の台（６）に固定されている。半導
体レーザテップ（２）の前方発光端面（８）よりレーザ
ー光Ｕ＠が出射窓（Ｉ２Ｉヲ通じて外部に放射される。
体レーザテップ（２）はマウントベース（４）に固着さ
れ、これらは円板状の台（６）に固定されている。半導
体レーザテップ（２）の前方発光端面（８）よりレーザ
ー光Ｕ＠が出射窓（Ｉ２Ｉヲ通じて外部に放射される。
この出射窓αａと台（６）は円筒状の側壁αａにより結
合され半導体レーザの外囲器を構成する。一方、後方発
光端面αｅより放射されたレーザー光Ｕの一部は台（６
）に固定された光検知器（２Ｇに入り、その検出信号に
より前方出射光量の観測、制御が可能である。
合され半導体レーザの外囲器を構成する。一方、後方発
光端面αｅより放射されたレーザー光Ｕの一部は台（６
）に固定された光検知器（２Ｇに入り、その検出信号に
より前方出射光量の観測、制御が可能である。
以上のような半導体レーザは第２図に示された構成によ
り光学式ピックアップに使用される。半導体レーザ（２
２１より放射されたレーザー光Ｑ滲はピックアップ本体
（２６１で成形、集光されディスクＱ印の信号面嬢上で
焦点を結ぶと同時に信号に相当する変調を受は反射され
る。この反射光０りは再びピックアップ本体（至）に入
りピックアップ制御用信号とディスク面上より続み取っ
た情報に分離される。ピックアップ本体（２６＋内には
、半導体レーザよりの入射光Ｑ４）とディスクからの反
射光Ｃ３２１ヲ分離する部分があるが、それらを構成す
る光学素子及びその組立の精度の不完全さ及び光学素子
の端面での反射のために再び半導体レーザ四へ戻る光６
句が存在する。この戻り光（財）が半導体レーザの光出
力を変動させその変化は半導体レーザの前方発光端面（
８）から反射面までの光学的距離の変化に強く依存する
ことが知られている。光学的距離の変化の主な原因はデ
ィスク回転時の面振れであり、面振れと戻り光による光
出力変動の様子を第３図に示す。第３図（ａ）はディス
クの面振れΔＸと時間ｔ、第３図Φ）は半導体レーザ出
力Ｐと時間ｔの関係である。
り光学式ピックアップに使用される。半導体レーザ（２
２１より放射されたレーザー光Ｑ滲はピックアップ本体
（２６１で成形、集光されディスクＱ印の信号面嬢上で
焦点を結ぶと同時に信号に相当する変調を受は反射され
る。この反射光０りは再びピックアップ本体（至）に入
りピックアップ制御用信号とディスク面上より続み取っ
た情報に分離される。ピックアップ本体（２６＋内には
、半導体レーザよりの入射光Ｑ４）とディスクからの反
射光Ｃ３２１ヲ分離する部分があるが、それらを構成す
る光学素子及びその組立の精度の不完全さ及び光学素子
の端面での反射のために再び半導体レーザ四へ戻る光６
句が存在する。この戻り光（財）が半導体レーザの光出
力を変動させその変化は半導体レーザの前方発光端面（
８）から反射面までの光学的距離の変化に強く依存する
ことが知られている。光学的距離の変化の主な原因はデ
ィスク回転時の面振れであり、面振れと戻り光による光
出力変動の様子を第３図に示す。第３図（ａ）はディス
クの面振れΔＸと時間ｔ、第３図Φ）は半導体レーザ出
力Ｐと時間ｔの関係である。
又出射光量に対する戻り光量の比Ｂと半導体レーザ出力
の変動比△Ｐ／Ｐの関係は第４図のように戻り光量比Ｂ
が０．００５％から０．５％付近で急激に出力反動が大
きくなる台形状をしている。但し、ｐは半導体レーザの
平均出射光景、八Ｐは光出力の変ｊｌＪ量である。
の変動比△Ｐ／Ｐの関係は第４図のように戻り光量比Ｂ
が０．００５％から０．５％付近で急激に出力反動が大
きくなる台形状をしている。但し、ｐは半導体レーザの
平均出射光景、八Ｐは光出力の変ｊｌＪ量である。
上記半導体レーザの出力変動はピックアップ制御信号内
にノイズとして現われピックアップの追従性能を大きく
低下させる。このノイズの対策として従来広の２種の方
法が行なわれている。
にノイズとして現われピックアップの追従性能を大きく
低下させる。このノイズの対策として従来広の２種の方
法が行なわれている。
（ａ） 半導体ンーデへの戻り光量を０．００２％以
下に減らす。
下に減らす。
（ｂｌ ピックアップ本体内にハーフミラ−等の反射
部を設け、戻り光量を１％以上とする。
部を設け、戻り光量を１％以上とする。
（ａ）の方法は光学部品及び組立て精良全非常に厳しく
することが必要であり、価格的に非道に不利となる。又
、（ｂ）を行なうためには信号検出量を一定とすると半
導体レーザの光出力を大＋１１に増加させることが必要
となり、半導体レーザの寿命低下の原因となる。
することが必要であり、価格的に非道に不利となる。又
、（ｂ）を行なうためには信号検出量を一定とすると半
導体レーザの光出力を大＋１１に増加させることが必要
となり、半導体レーザの寿命低下の原因となる。
本発明は上述の問題点を除去するもので、半導体レーザ
の後方発光端面よりの光を半導体レーザに戻すことによ
り、戻り光によるノイズの低減を可能とした半導体レー
ザを提供するものである。
の後方発光端面よりの光を半導体レーザに戻すことによ
り、戻り光によるノイズの低減を可能とした半導体レー
ザを提供するものである。
第５因は本発明の第１の実施例を示し、第６図はその要
部拡大図である。この実施例は、半導体レーザテップ（
２）の後方発光端面（１６）と光検知器（２＠との間に
ハーフミラ−０６）が設けられている点を除いて第１図
示の構成とほぼ同様の構成である。従って、第１図と対
重する部分には第１図と同様の参照番号を符した。ハー
フミラ−（３Ｇ）は、第６図に示すようＣ二で半導体レ
ーザテップ（２）の後方発光端面α６）と角度θを為し
、後方発光端面（１６１との距離をｌとした。ハーフミ
ラ−０６）の反射率をＲ；、後方発光端面０６）から半
導体レーデテップ（２）内にある光波面の平均焦点位置
をｄとすれば、必要な戻り光量比を１％とした場合、角
度θ、距離ｌ、反射率Ｒ及び平均焦点位置ｄは、次式を
満足するように選定される。
部拡大図である。この実施例は、半導体レーザテップ（
２）の後方発光端面（１６）と光検知器（２＠との間に
ハーフミラ−０６）が設けられている点を除いて第１図
示の構成とほぼ同様の構成である。従って、第１図と対
重する部分には第１図と同様の参照番号を符した。ハー
フミラ−（３Ｇ）は、第６図に示すようＣ二で半導体レ
ーザテップ（２）の後方発光端面α６）と角度θを為し
、後方発光端面（１６１との距離をｌとした。ハーフミ
ラ−０６）の反射率をＲ；、後方発光端面０６）から半
導体レーデテップ（２）内にある光波面の平均焦点位置
をｄとすれば、必要な戻り光量比を１％とした場合、角
度θ、距離ｌ、反射率Ｒ及び平均焦点位置ｄは、次式を
満足するように選定される。
θ＝９０°、ｄ＝＝５μｍ、ＦＬ＝０．８とすれば、ｌ
〜２０μｍ程度となる。
〜２０μｍ程度となる。
このように構成された半導体レーザは、前方への出射光
量を鼎することなく、１％以上の光量を常に半導体レー
デテップに戻している為、前方の戻り光による半導体レ
ーザの出方変動を大幅に減することができる。
量を鼎することなく、１％以上の光量を常に半導体レー
デテップに戻している為、前方の戻り光による半導体レ
ーザの出方変動を大幅に減することができる。
第７図は後方発光端面からのンー−を光を戻す手段とし
て球面の八−フミラー弼を使用した例、第８図は全反射
ミラー（４αを用いた例である。これらの実施例は、第
５図に示すものより後方発光端面からのレーザ光を効率
よく戻すこ、とができるため、半導体レーデテップの後
方発光端面ａミラーとの距離を大きくでき、製造が容易
となる。
て球面の八−フミラー弼を使用した例、第８図は全反射
ミラー（４αを用いた例である。これらの実施例は、第
５図に示すものより後方発光端面からのレーザ光を効率
よく戻すこ、とができるため、半導体レーデテップの後
方発光端面ａミラーとの距離を大きくでき、製造が容易
となる。
本発明により、半導体レーザを光ピックアップに用いた
場合、戻り光によるノイズを低減することが可能となっ
た。
場合、戻り光によるノイズを低減することが可能となっ
た。
第１図は従来例を示す図、第２図は光学式ピックアップ
に半導体レーザを用いた場合の半導体レーザ、ピックア
ップ本体及びディスクの概念図、第３図は戻り光による
一羊■レーザの出力変動とディスク面振れとの関係を示
す図、第４図は戻り光址比と光出力変動比の関係を示す
図、第５図はの他の実施例を示す図である。 （２）・・・半導体レーザチップ・ （４）・・・マウントベース、 （□□□・・・光検出
器、（陶００．ハーフミラ−０ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 ム 第２図 第 ３ 図 て 第 ４ 図 勿ｒｏＢ（％） 第 ５ 図 ム ｌδ ｊム Ｉ４ 。ど
に半導体レーザを用いた場合の半導体レーザ、ピックア
ップ本体及びディスクの概念図、第３図は戻り光による
一羊■レーザの出力変動とディスク面振れとの関係を示
す図、第４図は戻り光址比と光出力変動比の関係を示す
図、第５図はの他の実施例を示す図である。 （２）・・・半導体レーザチップ・ （４）・・・マウントベース、 （□□□・・・光検出
器、（陶００．ハーフミラ−０ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 ム 第２図 第 ３ 図 て 第 ４ 図 勿ｒｏＢ（％） 第 ５ 図 ム ｌδ ｊム Ｉ４ 。ど
Claims (4)
- （１） マウントベースと、このマウントベースに固
着されレーザ光を出力する第１及び第２の発光端面を備
えた半導体レーザテップと、前記半導体レーザテップの
第１の発光端面に対向して配置され前記第１の発光端面
からのレーザ光を受光する光検知器とを備えた半導体レ
ーザにおいて、前記半導体レーザチップと前記光検知器
との間に前記第１の発光端面からのレーザ光の一部を前
記第１の発光端面に戻す手段を備えたことを特徴とする
半導体レーザ。 - （２）前記レーザ光の一部を第１の発光端面に戻す手段
がハーフミラ−であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ。 - （３）前記ハーフミラ−が球面状であることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の半導体レーザ。 - （４）前記レーデ光の一部を第１の発光端面に戻す手段
が全反射ミラーであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084174A JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084174A JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210684A true JPS59210684A (ja) | 1984-11-29 |
| JPS6357955B2 JPS6357955B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=13823124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084174A Granted JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63281490A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
| JPS5728391A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
| JPS5811139A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | 東燃株式会社 | 金属蒸着ポリプロピレンフイルム |
| JPS58111391A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58084174A patent/JPS59210684A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
| JPS5728391A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
| JPS5811139A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | 東燃株式会社 | 金属蒸着ポリプロピレンフイルム |
| JPS58111391A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63281490A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6357955B2 (ja) | 1988-11-14 |
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