JPS59210684A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59210684A JPS59210684A JP58084174A JP8417483A JPS59210684A JP S59210684 A JPS59210684 A JP S59210684A JP 58084174 A JP58084174 A JP 58084174A JP 8417483 A JP8417483 A JP 8417483A JP S59210684 A JPS59210684 A JP S59210684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- emitting end
- emitting surface
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体レーザ、特に光学式ビックアンプに用い
られる半導体レーザに関する。
られる半導体レーザに関する。
従来技術の半導体レーザな第1図に示す。直方体の半導
体レーザテップ(2)はマウントベース(4)に固着さ
れ、これらは円板状の台(6)に固定されている。半導
体レーザテップ(2)の前方発光端面(8)よりレーザ
ー光U@が出射窓(I2Iヲ通じて外部に放射される。
体レーザテップ(2)はマウントベース(4)に固着さ
れ、これらは円板状の台(6)に固定されている。半導
体レーザテップ(2)の前方発光端面(8)よりレーザ
ー光U@が出射窓(I2Iヲ通じて外部に放射される。
この出射窓αaと台(6)は円筒状の側壁αaにより結
合され半導体レーザの外囲器を構成する。一方、後方発
光端面αeより放射されたレーザー光Uの一部は台(6
)に固定された光検知器(2Gに入り、その検出信号に
より前方出射光量の観測、制御が可能である。
合され半導体レーザの外囲器を構成する。一方、後方発
光端面αeより放射されたレーザー光Uの一部は台(6
)に固定された光検知器(2Gに入り、その検出信号に
より前方出射光量の観測、制御が可能である。
以上のような半導体レーザは第2図に示された構成によ
り光学式ピックアップに使用される。半導体レーザ(2
21より放射されたレーザー光Q滲はピックアップ本体
(261で成形、集光されディスクQ印の信号面嬢上で
焦点を結ぶと同時に信号に相当する変調を受は反射され
る。この反射光0りは再びピックアップ本体(至)に入
りピックアップ制御用信号とディスク面上より続み取っ
た情報に分離される。ピックアップ本体(26+内には
、半導体レーザよりの入射光Q4)とディスクからの反
射光C321ヲ分離する部分があるが、それらを構成す
る光学素子及びその組立の精度の不完全さ及び光学素子
の端面での反射のために再び半導体レーザ四へ戻る光6
句が存在する。この戻り光(財)が半導体レーザの光出
力を変動させその変化は半導体レーザの前方発光端面(
8)から反射面までの光学的距離の変化に強く依存する
ことが知られている。光学的距離の変化の主な原因はデ
ィスク回転時の面振れであり、面振れと戻り光による光
出力変動の様子を第3図に示す。第3図(a)はディス
クの面振れΔXと時間t、第3図Φ)は半導体レーザ出
力Pと時間tの関係である。
り光学式ピックアップに使用される。半導体レーザ(2
21より放射されたレーザー光Q滲はピックアップ本体
(261で成形、集光されディスクQ印の信号面嬢上で
焦点を結ぶと同時に信号に相当する変調を受は反射され
る。この反射光0りは再びピックアップ本体(至)に入
りピックアップ制御用信号とディスク面上より続み取っ
た情報に分離される。ピックアップ本体(26+内には
、半導体レーザよりの入射光Q4)とディスクからの反
射光C321ヲ分離する部分があるが、それらを構成す
る光学素子及びその組立の精度の不完全さ及び光学素子
の端面での反射のために再び半導体レーザ四へ戻る光6
句が存在する。この戻り光(財)が半導体レーザの光出
力を変動させその変化は半導体レーザの前方発光端面(
8)から反射面までの光学的距離の変化に強く依存する
ことが知られている。光学的距離の変化の主な原因はデ
ィスク回転時の面振れであり、面振れと戻り光による光
出力変動の様子を第3図に示す。第3図(a)はディス
クの面振れΔXと時間t、第3図Φ)は半導体レーザ出
力Pと時間tの関係である。
又出射光量に対する戻り光量の比Bと半導体レーザ出力
の変動比△P/Pの関係は第4図のように戻り光量比B
が0.005%から0.5%付近で急激に出力反動が大
きくなる台形状をしている。但し、pは半導体レーザの
平均出射光景、八Pは光出力の変jlJ量である。
の変動比△P/Pの関係は第4図のように戻り光量比B
が0.005%から0.5%付近で急激に出力反動が大
きくなる台形状をしている。但し、pは半導体レーザの
平均出射光景、八Pは光出力の変jlJ量である。
上記半導体レーザの出力変動はピックアップ制御信号内
にノイズとして現われピックアップの追従性能を大きく
低下させる。このノイズの対策として従来広の2種の方
法が行なわれている。
にノイズとして現われピックアップの追従性能を大きく
低下させる。このノイズの対策として従来広の2種の方
法が行なわれている。
(a) 半導体ンーデへの戻り光量を0.002%以
下に減らす。
下に減らす。
(bl ピックアップ本体内にハーフミラ−等の反射
部を設け、戻り光量を1%以上とする。
部を設け、戻り光量を1%以上とする。
(a)の方法は光学部品及び組立て精良全非常に厳しく
することが必要であり、価格的に非道に不利となる。又
、(b)を行なうためには信号検出量を一定とすると半
導体レーザの光出力を大+11に増加させることが必要
となり、半導体レーザの寿命低下の原因となる。
することが必要であり、価格的に非道に不利となる。又
、(b)を行なうためには信号検出量を一定とすると半
導体レーザの光出力を大+11に増加させることが必要
となり、半導体レーザの寿命低下の原因となる。
本発明は上述の問題点を除去するもので、半導体レーザ
の後方発光端面よりの光を半導体レーザに戻すことによ
り、戻り光によるノイズの低減を可能とした半導体レー
ザを提供するものである。
の後方発光端面よりの光を半導体レーザに戻すことによ
り、戻り光によるノイズの低減を可能とした半導体レー
ザを提供するものである。
第5因は本発明の第1の実施例を示し、第6図はその要
部拡大図である。この実施例は、半導体レーザテップ(
2)の後方発光端面(16)と光検知器(2@との間に
ハーフミラ−06)が設けられている点を除いて第1図
示の構成とほぼ同様の構成である。従って、第1図と対
重する部分には第1図と同様の参照番号を符した。ハー
フミラ−(3G)は、第6図に示すようC二で半導体レ
ーザテップ(2)の後方発光端面α6)と角度θを為し
、後方発光端面(161との距離をlとした。ハーフミ
ラ−06)の反射率をR;、後方発光端面06)から半
導体レーデテップ(2)内にある光波面の平均焦点位置
をdとすれば、必要な戻り光量比を1%とした場合、角
度θ、距離l、反射率R及び平均焦点位置dは、次式を
満足するように選定される。
部拡大図である。この実施例は、半導体レーザテップ(
2)の後方発光端面(16)と光検知器(2@との間に
ハーフミラ−06)が設けられている点を除いて第1図
示の構成とほぼ同様の構成である。従って、第1図と対
重する部分には第1図と同様の参照番号を符した。ハー
フミラ−(3G)は、第6図に示すようC二で半導体レ
ーザテップ(2)の後方発光端面α6)と角度θを為し
、後方発光端面(161との距離をlとした。ハーフミ
ラ−06)の反射率をR;、後方発光端面06)から半
導体レーデテップ(2)内にある光波面の平均焦点位置
をdとすれば、必要な戻り光量比を1%とした場合、角
度θ、距離l、反射率R及び平均焦点位置dは、次式を
満足するように選定される。
θ=90°、d==5μm、FL=0.8とすれば、l
〜20μm程度となる。
〜20μm程度となる。
このように構成された半導体レーザは、前方への出射光
量を鼎することなく、1%以上の光量を常に半導体レー
デテップに戻している為、前方の戻り光による半導体レ
ーザの出方変動を大幅に減することができる。
量を鼎することなく、1%以上の光量を常に半導体レー
デテップに戻している為、前方の戻り光による半導体レ
ーザの出方変動を大幅に減することができる。
第7図は後方発光端面からのンー−を光を戻す手段とし
て球面の八−フミラー弼を使用した例、第8図は全反射
ミラー(4αを用いた例である。これらの実施例は、第
5図に示すものより後方発光端面からのレーザ光を効率
よく戻すこ、とができるため、半導体レーデテップの後
方発光端面aミラーとの距離を大きくでき、製造が容易
となる。
て球面の八−フミラー弼を使用した例、第8図は全反射
ミラー(4αを用いた例である。これらの実施例は、第
5図に示すものより後方発光端面からのレーザ光を効率
よく戻すこ、とができるため、半導体レーデテップの後
方発光端面aミラーとの距離を大きくでき、製造が容易
となる。
本発明により、半導体レーザを光ピックアップに用いた
場合、戻り光によるノイズを低減することが可能となっ
た。
場合、戻り光によるノイズを低減することが可能となっ
た。
第1図は従来例を示す図、第2図は光学式ピックアップ
に半導体レーザを用いた場合の半導体レーザ、ピックア
ップ本体及びディスクの概念図、第3図は戻り光による
一羊■レーザの出力変動とディスク面振れとの関係を示
す図、第4図は戻り光址比と光出力変動比の関係を示す
図、第5図はの他の実施例を示す図である。 (2)・・・半導体レーザチップ・ (4)・・・マウントベース、 (□□□・・・光検出
器、(陶00.ハーフミラ−0 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) 第1図 ム 第2図 第 3 図 て 第 4 図 勿roB(%) 第 5 図 ム lδ jム I4 。ど
に半導体レーザを用いた場合の半導体レーザ、ピックア
ップ本体及びディスクの概念図、第3図は戻り光による
一羊■レーザの出力変動とディスク面振れとの関係を示
す図、第4図は戻り光址比と光出力変動比の関係を示す
図、第5図はの他の実施例を示す図である。 (2)・・・半導体レーザチップ・ (4)・・・マウントベース、 (□□□・・・光検出
器、(陶00.ハーフミラ−0 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名) 第1図 ム 第2図 第 3 図 て 第 4 図 勿roB(%) 第 5 図 ム lδ jム I4 。ど
Claims (4)
- (1) マウントベースと、このマウントベースに固
着されレーザ光を出力する第1及び第2の発光端面を備
えた半導体レーザテップと、前記半導体レーザテップの
第1の発光端面に対向して配置され前記第1の発光端面
からのレーザ光を受光する光検知器とを備えた半導体レ
ーザにおいて、前記半導体レーザチップと前記光検知器
との間に前記第1の発光端面からのレーザ光の一部を前
記第1の発光端面に戻す手段を備えたことを特徴とする
半導体レーザ。 - (2)前記レーザ光の一部を第1の発光端面に戻す手段
がハーフミラ−であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ。 - (3)前記ハーフミラ−が球面状であることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ。 - (4)前記レーデ光の一部を第1の発光端面に戻す手段
が全反射ミラーであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084174A JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58084174A JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59210684A true JPS59210684A (ja) | 1984-11-29 |
JPS6357955B2 JPS6357955B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=13823124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58084174A Granted JPS59210684A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59210684A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63281490A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
JPS5728391A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
JPS5811139A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | 東燃株式会社 | 金属蒸着ポリプロピレンフイルム |
JPS58111391A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58084174A patent/JPS59210684A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
JPS5728391A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
JPS5811139A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | 東燃株式会社 | 金属蒸着ポリプロピレンフイルム |
JPS58111391A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63281490A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6357955B2 (ja) | 1988-11-14 |
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