JPS63281234A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS63281234A JPS63281234A JP62116005A JP11600587A JPS63281234A JP S63281234 A JPS63281234 A JP S63281234A JP 62116005 A JP62116005 A JP 62116005A JP 11600587 A JP11600587 A JP 11600587A JP S63281234 A JPS63281234 A JP S63281234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording film
- recording medium
- thickness
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、光学的に情報を記録する情報記録媒体に関す
る。
る。
（従来の技術）
光学的に情報を記録する情報記録媒体においては、レー
ザ光によって金属膜や半導体膜（記録膜）に穴（ピット
）を形成して情報の記録を行ない、またこのピットの列
の間隔や、ピット自身の径の大きさによって記録された
情報を読み取る。ここで記録膜が炭素及び水素若しくは
フッ素又はこれらの両者を含む場合には、反射率が膜厚
に応じていくつかの極大値及び極小値を示す多重干渉効
果が起こる。そこで反射率が最大になる膜厚の記録膜に
情報を書込むと、再生時にはその信号を最も高いコント
ラスト比で読み取ることができるので有利である。この
場合膜厚の薄い方に最初に現れる極大値が最大値であり
、以下膜厚が厚くなるにつれて極大値は段々小さくなっ
ている。
ザ光によって金属膜や半導体膜（記録膜）に穴（ピット
）を形成して情報の記録を行ない、またこのピットの列
の間隔や、ピット自身の径の大きさによって記録された
情報を読み取る。ここで記録膜が炭素及び水素若しくは
フッ素又はこれらの両者を含む場合には、反射率が膜厚
に応じていくつかの極大値及び極小値を示す多重干渉効
果が起こる。そこで反射率が最大になる膜厚の記録膜に
情報を書込むと、再生時にはその信号を最も高いコント
ラスト比で読み取ることができるので有利である。この
場合膜厚の薄い方に最初に現れる極大値が最大値であり
、以下膜厚が厚くなるにつれて極大値は段々小さくなっ
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
ビットを形成する方式はこれまでにも種々提案されてい
るが、基本的には、レーザ光が吸収されたときに発生す
る熱で記録膜を融解させて、ビットを形成する方式（ヒ
ートモード方式）である。
るが、基本的には、レーザ光が吸収されたときに発生す
る熱で記録膜を融解させて、ビットを形成する方式（ヒ
ートモード方式）である。
従って、膜厚が厚くなればなるほど、これを融解するに
は大きなレーザパワーが必要となるため、半導体レーザ
のような低出力のレーザ光では書込み感度の低下が避け
られなかった。本発明は、低出力のレーザ光でも十分な
書込み感度が得られる情報記録媒体を提供することを目
的とする。
は大きなレーザパワーが必要となるため、半導体レーザ
のような低出力のレーザ光では書込み感度の低下が避け
られなかった。本発明は、低出力のレーザ光でも十分な
書込み感度が得られる情報記録媒体を提供することを目
的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、基板と、金属又
は半導体元素と、炭素及び水素若しくはフッ素又はこれ
らの両者を含む記録膜とを具備した情報記録媒体におい
て前記記録膜は多重干渉効果による反射率の最大値を与
える膜厚より薄い膜厚で形成したことを特徴とする情報
記録媒体を提供する。
は半導体元素と、炭素及び水素若しくはフッ素又はこれ
らの両者を含む記録膜とを具備した情報記録媒体におい
て前記記録膜は多重干渉効果による反射率の最大値を与
える膜厚より薄い膜厚で形成したことを特徴とする情報
記録媒体を提供する。
（作用）
ヒートモード方式によってビットを形成する場合には、
一般にレーザをパルス発振させるが、このときパルス幅
とレーザパワーの積はエネルギーの次元になる。従って
、同一のエネルギーでパルス幅を縮めて高密度記録をす
る場合には、レーザパワーを高める必要がある。本発明
においては、反射率の最大値を与える薄い膜厚よりもさ
らに薄い膜厚の記録膜を用いて、記録膜自身の熱容量を
小さくするため、２０〜５０ナノ秒のパルス幅が必要な
場合でも、ソースレーザパワーは３０ｍＷ、以下で記録
できる。
一般にレーザをパルス発振させるが、このときパルス幅
とレーザパワーの積はエネルギーの次元になる。従って
、同一のエネルギーでパルス幅を縮めて高密度記録をす
る場合には、レーザパワーを高める必要がある。本発明
においては、反射率の最大値を与える薄い膜厚よりもさ
らに薄い膜厚の記録膜を用いて、記録膜自身の熱容量を
小さくするため、２０〜５０ナノ秒のパルス幅が必要な
場合でも、ソースレーザパワーは３０ｍＷ、以下で記録
できる。
（実施例）
以下添附の図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に示すように、直径５インチのＴｅスパッタター
ゲット２をカソードとして収納した真空チェンバ４を、
一度ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、メタンガ
ス６とアルゴンガス８をチェンバ４内に導入し、グロー
放電の可能な圧力にするため、その流量を調節した。こ
こではメタンガス６及びアルゴンガス８の流量を、それ
ぞれ６０及び４０ ＳＣＣＭとした。この雰囲気下でＤ
Ｃ電源１０から１００Ｗの電力を供給してターゲット２
をスパッタし、基板用のガラス板（ｎｍ−１，５２）１
２に記録膜１４を形成した。この記録膜は、炭素、水素
及びＴｅを含むことが認められた。
ゲット２をカソードとして収納した真空チェンバ４を、
一度ｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した後、メタンガ
ス６とアルゴンガス８をチェンバ４内に導入し、グロー
放電の可能な圧力にするため、その流量を調節した。こ
こではメタンガス６及びアルゴンガス８の流量を、それ
ぞれ６０及び４０ ＳＣＣＭとした。この雰囲気下でＤ
Ｃ電源１０から１００Ｗの電力を供給してターゲット２
をスパッタし、基板用のガラス板（ｎｍ−１，５２）１
２に記録膜１４を形成した。この記録膜は、炭素、水素
及びＴｅを含むことが認められた。
この記録膜の複素屈折率ｎ＊は、波長８３０ ｎｍのレ
ーザ光に対し、ｎｍ−２，８−ｉｏ、７５であった。こ
の波長のレーザ光における記録膜の膜厚と反射率の関係
は、基板の屈折率をも考慮に入れたところ、第２図のよ
うになった。なお空気の屈折率は１とする。
ーザ光に対し、ｎｍ−２，８−ｉｏ、７５であった。こ
の波長のレーザ光における記録膜の膜厚と反射率の関係
は、基板の屈折率をも考慮に入れたところ、第２図のよ
うになった。なお空気の屈折率は１とする。
第２図から、反射率が極大になるのは、記録膜の厚さが
、薄い方から４００．１３００及び２１００人のときで
あることが分かる。膜厚が４００人のときには、反射率
が最大になる。
、薄い方から４００．１３００及び２１００人のときで
あることが分かる。膜厚が４００人のときには、反射率
が最大になる。
記録膜の厚さは、１００〜８００人が好ましい。
８００Å以下ならば、低出力の半導体レーザを用いても
情報の記録をすることができるが、１００Å以下では均
質な膜の形成ができにくい、ピンホールの影響を受ける
などの理由により信頼性が悪いからである。
情報の記録をすることができるが、１００Å以下では均
質な膜の形成ができにくい、ピンホールの影響を受ける
などの理由により信頼性が悪いからである。
次にレーザ光案内用の溝が予め設けられた前述のガラス
基板上に、ｎｍ−４，５−ｉｏ、９５の前述の記録膜を
４００人積層し、ＧａＡｓ半導体レーザを用いて、８ｍ
Ｗ・１００ナノ秒のパルス幅で書込んだ後、これを読み
出した時の再生信号を第３図（ａ）に示す。また同じ基
板及びｎｍの記録膜からなる記録媒体で記録膜の厚さが
２００人のもののそれを、同図（ｂ）に示す。
基板上に、ｎｍ−４，５−ｉｏ、９５の前述の記録膜を
４００人積層し、ＧａＡｓ半導体レーザを用いて、８ｍ
Ｗ・１００ナノ秒のパルス幅で書込んだ後、これを読み
出した時の再生信号を第３図（ａ）に示す。また同じ基
板及びｎｍの記録膜からなる記録媒体で記録膜の厚さが
２００人のもののそれを、同図（ｂ）に示す。
信号のコントラスト比は図中のＢ／Ａの比で考えること
ができ、このＢ／Ａの値が大きいほど、コントラスト比
が高いことになる。前述のように反射率の最大値を与え
る記録膜（同図（ａ））の方がコントラスト比が高いが
、その差はそれほど大きなものではない。
ができ、このＢ／Ａの値が大きいほど、コントラスト比
が高いことになる。前述のように反射率の最大値を与え
る記録膜（同図（ａ））の方がコントラスト比が高いが
、その差はそれほど大きなものではない。
次に上記２つの記録膜について、書込み時のレーザパワ
ーと読み出し信号のＢ／Ａ比の関係を調べた。その結果
を第４図に示す。同図から、Ｂ／Ａ比が０．５以下のと
きは、同じＢ／Ａ比を得るためには、膜厚が、反射率が
最大の記録膜より薄いものの方が、書込み時のパワーの
閾値が低く、より高感度であることが分る。
ーと読み出し信号のＢ／Ａ比の関係を調べた。その結果
を第４図に示す。同図から、Ｂ／Ａ比が０．５以下のと
きは、同じＢ／Ａ比を得るためには、膜厚が、反射率が
最大の記録膜より薄いものの方が、書込み時のパワーの
閾値が低く、より高感度であることが分る。
なお本実施例では、炭素及び水素源としてＣＨ４ガスを
用いたが、他の炭化水素ガス、即ちＣ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８
等の他のアルカンガスや、Ｃ２Ｈ４等のアルケンガス、
及びＣ２Ｈ２等のアルキンガスを用いて、同様に記録膜
中に炭素及び水素を存在させることができる。
用いたが、他の炭化水素ガス、即ちＣ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８
等の他のアルカンガスや、Ｃ２Ｈ４等のアルケンガス、
及びＣ２Ｈ２等のアルキンガスを用いて、同様に記録膜
中に炭素及び水素を存在させることができる。
実施例２
前実施例と同様の装置において、メタンガスの代わりに
、Ｃ３Ｆ、ガスを６０８ＣＣＭの流量で供給した。得ら
れた記録膜は、炭素、フッ素及びＴｅを含むことが認め
られた。この記録膜の複素屈折率は、前実施例と同一の
条件下において、前実施例のものとほぼ同一であった。
、Ｃ３Ｆ、ガスを６０８ＣＣＭの流量で供給した。得ら
れた記録膜は、炭素、フッ素及びＴｅを含むことが認め
られた。この記録膜の複素屈折率は、前実施例と同一の
条件下において、前実施例のものとほぼ同一であった。
従って膜厚と反射率の関係も、第２図と同様である。膜
厚４００及び２００人の記録膜について、前実施例と同
様に再生信号のＢ／Ａ比と書込み時のパワーを観察した
ところ、それぞれ第３及び第４図と同様のものが得られ
た。
厚４００及び２００人の記録膜について、前実施例と同
様に再生信号のＢ／Ａ比と書込み時のパワーを観察した
ところ、それぞれ第３及び第４図と同様のものが得られ
た。
なお本実施例においては、炭素及びフッ素源としてＣ３
Ｆ８ガスを用いたが、ＣＦ４．０２Ｆ６などの他のフル
オロカーボンガスも用いることができる。
Ｆ８ガスを用いたが、ＣＦ４．０２Ｆ６などの他のフル
オロカーボンガスも用いることができる。
実施例３
実施例１と同様の装置において、メタンガスに０３Ｆ８
ガスを加えた混合ガスを６０８ＣＣＨの流量で供給した
。得られた記録膜は、炭素、水素、フッ素及びＴｅを含
むことが認められた。この記録膜の複素屈折率は、実施
例１と同一の条件下において、実施例１のものと同一で
あった。従って膜厚と反射率の関係も、第２図で与えら
れる。膜厚４００及び２００人の記録膜について、実施
例１と同様に再生信号のＢ／Ａ比と書込み時のパワーを
観察したところ、それぞれ第３及び第４図と同様のもの
が得られた。
ガスを加えた混合ガスを６０８ＣＣＨの流量で供給した
。得られた記録膜は、炭素、水素、フッ素及びＴｅを含
むことが認められた。この記録膜の複素屈折率は、実施
例１と同一の条件下において、実施例１のものと同一で
あった。従って膜厚と反射率の関係も、第２図で与えら
れる。膜厚４００及び２００人の記録膜について、実施
例１と同様に再生信号のＢ／Ａ比と書込み時のパワーを
観察したところ、それぞれ第３及び第４図と同様のもの
が得られた。
なお本発明は、上記実施例に限られるものではない。記
録膜中の金属又は半導体元素としては、Ｔｅ以外に、Ｓ
ｅ、Ｂ１５ＧｅＳＳｂｓ ５ｎｓＰｂ、Ｇａ、Ｉｎ又は
Ａｇを用いることができる。
録膜中の金属又は半導体元素としては、Ｔｅ以外に、Ｓ
ｅ、Ｂ１５ＧｅＳＳｂｓ ５ｎｓＰｂ、Ｇａ、Ｉｎ又は
Ａｇを用いることができる。
本実施例における８３０ｎｍの波長は、特定組成のＧａ
Ａｓ半導体レーザの発振波長に相当するが、同じＧａＡ
ｓ半導体でも他の組成のもの、又はＡｒレーザ若しくは
Ｈｅ−Ｎｅレーザのように異なる発振波長のレーザ光の
場合は、各々の波長における１本から反射率を求める必
要がある。また基板材料としては、ガラス板だけでなく
、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ） 、ポリカー
ボネート（ｐ ｃ）などの有機樹脂基板も用いることが
できる。
Ａｓ半導体レーザの発振波長に相当するが、同じＧａＡ
ｓ半導体でも他の組成のもの、又はＡｒレーザ若しくは
Ｈｅ−Ｎｅレーザのように異なる発振波長のレーザ光の
場合は、各々の波長における１本から反射率を求める必
要がある。また基板材料としては、ガラス板だけでなく
、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ） 、ポリカー
ボネート（ｐ ｃ）などの有機樹脂基板も用いることが
できる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、炭素、水素及び半
導体元素を含む多重干渉効果を有する記録膜において、
再生信号のコントラスト比は、反射率が最大の記録膜に
比べ幾分小さくなるが、書込み時のパワーはより低くて
すみ、半導体レーザなどの低いパワーのレーザ光を用い
る場合は、総合的にみて最も実用的な光学的情報記録媒
体を得ることができる。
導体元素を含む多重干渉効果を有する記録膜において、
再生信号のコントラスト比は、反射率が最大の記録膜に
比べ幾分小さくなるが、書込み時のパワーはより低くて
すみ、半導体レーザなどの低いパワーのレーザ光を用い
る場合は、総合的にみて最も実用的な光学的情報記録媒
体を得ることができる。
第１図は本発明に係る記録膜の形成方法を示す図、第２
図は記録膜の厚さと多重干渉効果による反射率の関係を
示す図、第３図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ反射率が最
大の及びそれより薄い記録膜から再生した信号を示す図
、第４図は第３図の記録膜のＢ／Ａ比と書込みパワーの
関係を示す図である。 ２・・・スパッタターゲット、１２・・・ガラス板、１
４・・・記録膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ａ） 第３図 第４図
図は記録膜の厚さと多重干渉効果による反射率の関係を
示す図、第３図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ反射率が最
大の及びそれより薄い記録膜から再生した信号を示す図
、第４図は第３図の記録膜のＢ／Ａ比と書込みパワーの
関係を示す図である。 ２・・・スパッタターゲット、１２・・・ガラス板、１
４・・・記録膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ａ） 第３図 第４図
Claims (5)
- （１）基板と、金属又は半導体元素と、炭素及び水素若
しくはフッ素又はこれらの両者を含む記録膜とを具備し
た情報記録媒体において前記記録膜は多重干渉効果によ
る反射率の最大値を与える膜厚より薄い膜厚で形成した
ことを特徴とする情報記録媒体。 - （２）前記記録膜の膜厚は１００〜８００Åである特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 - （３）前記金属又は半導体元素は、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉ、
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｉｎ又はＡｇである特
許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 - （４）前記記録膜は、炭化水素ガス若しくはフルオロカ
ーボンガス又はこれらの両者及び希ガス雰囲気中で、金
属又は半導体元素をスパッタ蒸着して形成される特許請
求の範囲第１項又は第３項に記載の光学的情報記録媒体
。 - （５）前記記録膜への情報の記録は、レーザ光を用いた
ヒートモード記録である特許請求の範囲第１項記載の光
学的情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116005A JPS63281234A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 情報記録媒体 |
| EP19880107163 EP0290009B1 (en) | 1987-05-08 | 1988-05-04 | Information storage medium |
| DE19883884662 DE3884662T2 (de) | 1987-05-08 | 1988-05-04 | Medium für Informationsspeicherung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116005A JPS63281234A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281234A true JPS63281234A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14676476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116005A Pending JPS63281234A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-14 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06223405A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体およびこれを用いた情報記録再生システム |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62116005A patent/JPS63281234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06223405A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-08-12 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体およびこれを用いた情報記録再生システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4772897A (en) | Optical recording medium | |
| KR20050010809A (ko) | 고융점의 기록층을 갖는 기록 매체 및 그 기록 매체의정보 기록 방법, 및 그 기록 매체로부터 정보를 재생하는정보 재생 장치 및 정보 재생 방법 | |
| JP2834131B2 (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| EP0290009B1 (en) | Information storage medium | |
| JPS63281234A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3034124B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2001035014A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法並びにその製造に用いるスパッタ装置 | |
| JPS63276722A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH052769A (ja) | 情報光記録媒体 | |
| US6168901B1 (en) | Recordable optical element using low absorption materials | |
| JPS63276723A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| US5725741A (en) | Method of forming recordable optical element using low absorption materials | |
| JP2643566B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10289478A (ja) | 光学式情報記録媒体及びその製造方法 | |
| Iwata et al. | High-density rewritable optical disk using groove recording | |
| JPH01220153A (ja) | 情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2000298874A (ja) | 相変化型光ディスク及びその製造方法 | |
| JPH03240589A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH08138247A (ja) | 光記録媒体、その記録再生方法及び装置 | |
| JPH11345438A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10208296A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS6383932A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| KR19980026723A (ko) | 상변화형 광디스크 구조 | |
| JP2001236689A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH10324063A (ja) | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |