JPS63280240A - リソグラフィ用レジスト組成物 - Google Patents
リソグラフィ用レジスト組成物Info
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- JPS63280240A JPS63280240A JP11453887A JP11453887A JPS63280240A JP S63280240 A JPS63280240 A JP S63280240A JP 11453887 A JP11453887 A JP 11453887A JP 11453887 A JP11453887 A JP 11453887A JP S63280240 A JPS63280240 A JP S63280240A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造などに利用できるリソ
グラフィ用レジスト組成物に関する。
グラフィ用レジスト組成物に関する。
従来より、半導体集積回路の製造などにおけるリソグラ
フィーには、紫外線が用いられていた。
フィーには、紫外線が用いられていた。
しかし、近年その回路等の高集積化、高性能化の要望に
対応するため、例えばＸ線、電子線、イオンビームなど
を用いたリソグラフィによる微細な回路パターン加工技
術の研究が行われている。
対応するため、例えばＸ線、電子線、イオンビームなど
を用いたリソグラフィによる微細な回路パターン加工技
術の研究が行われている。
その中でも特に、Ｘ線を用いたりソグラフィは有力な方
法として注目されている。
法として注目されている。
Ｘ線は、直進性、非干渉性および低回折性などの特性を
有しているので、紫外線や可視光を用いるリソグラフィ
と比較して、微細な回路のリソグラフィにおいて有利で
ある。
有しているので、紫外線や可視光を用いるリソグラフィ
と比較して、微細な回路のリソグラフィにおいて有利で
ある。
上述のような有利な特性を有しながらも、Ｘ線リソグラ
フィの実用化は遅れているのが現状である。その理由を
以下に述べる。
フィの実用化は遅れているのが現状である。その理由を
以下に述べる。
通常、Ｘ線リソグラフィ用レジストには、Ｘ線吸収係数
の高いハロゲンを含有する組成物がもつばら用いられて
きた０例えば、 Ｉ ■ 等の構造を持つレジスト組成物が商品化されている。
の高いハロゲンを含有する組成物がもつばら用いられて
きた０例えば、 Ｉ ■ 等の構造を持つレジスト組成物が商品化されている。
しかし上記のレジスト組成物は、リソグラフィ技術に要
求される性能に対応するには、Ｘ線感度においてまだ十
分なものではない、また、Ｘ線感度をより向上させるた
めに、ハロゲンの含有量を増すと、例えばシリコン等の
基板とレジストとの密着性が低下してしまう、一方、レ
ジスト組成物の感度の低さを補うためにＸ線の強度を強
めると、そのＸ線エネルギーにより基板や回路にダメー
ジを与えてしまうという問題もある。
求される性能に対応するには、Ｘ線感度においてまだ十
分なものではない、また、Ｘ線感度をより向上させるた
めに、ハロゲンの含有量を増すと、例えばシリコン等の
基板とレジストとの密着性が低下してしまう、一方、レ
ジスト組成物の感度の低さを補うためにＸ線の強度を強
めると、そのＸ線エネルギーにより基板や回路にダメー
ジを与えてしまうという問題もある。
また、Ｘ線リソグラフィ用レジスト組成物の照明光に対
する実効感度を、いわゆるスペクトル増感剤の添加によ
り高める方法も検討されている。
する実効感度を、いわゆるスペクトル増感剤の添加によ
り高める方法も検討されている。
このような目的に用いるスペクトル増感剤とは、光を吸
収する増感剤自身は変化せず吸収した光エネルギーを何
らかの形で基質に伝達するものをいい、例えばベンゾイ
ン化合物、ジアセチル、ベンゾフェノン、パーオキサイ
ドなどが挙げられる。しかしながら、これらのスペクト
ル増感剤の使用においては、本来のレジスト特性を損う
、例えば基板との密着性の低下、指定のレジスト用現像
液の使用が困難になる等の問題点がなお残されている。
収する増感剤自身は変化せず吸収した光エネルギーを何
らかの形で基質に伝達するものをいい、例えばベンゾイ
ン化合物、ジアセチル、ベンゾフェノン、パーオキサイ
ドなどが挙げられる。しかしながら、これらのスペクト
ル増感剤の使用においては、本来のレジスト特性を損う
、例えば基板との密着性の低下、指定のレジスト用現像
液の使用が困難になる等の問題点がなお残されている。
本発明者らは、Ｘ線リソグラフィ用レジスト組成物のス
ペクトル増感について検討する中で、良好な増感が得ら
れ、かつレジスト組成物のレジストとしての特性を損な
うことのない増感効果を有する物質を種々模索した結果
、ミヒラーズケトンを用いることにより上述の問題を解
決できるレジスト組成物を得ることができることを見い
出し、本発明を完成した。
ペクトル増感について検討する中で、良好な増感が得ら
れ、かつレジスト組成物のレジストとしての特性を損な
うことのない増感効果を有する物質を種々模索した結果
、ミヒラーズケトンを用いることにより上述の問題を解
決できるレジスト組成物を得ることができることを見い
出し、本発明を完成した。
本発明の目的は、Ｘ線リソグラフィ用レジスト組成物と
しての十分な性能（基板との密着性、解像力、コントラ
スト、現像性部、液保存性など）を有しており、優れた
実効感度を有する、少なくともＸ線を用いたりソグラフ
ィ用のレジスト組成物を提供することにある。
しての十分な性能（基板との密着性、解像力、コントラ
スト、現像性部、液保存性など）を有しており、優れた
実効感度を有する、少なくともＸ線を用いたりソグラフ
ィ用のレジスト組成物を提供することにある。
本発明の上記目的は、ハロゲンを含有しＸ線リソグラフ
ィ用として用い得るレジスト組成物に。
ィ用として用い得るレジスト組成物に。
更にミヒラーズケトンを含有したことを特徴とするリソ
グラフィ用レジスト組成物により達成される。
グラフィ用レジスト組成物により達成される。
すなわち本発明は、スペクトル増感剤としてミヒラーズ
ケトンを、Ｘ線リソグラフィ用として用い得るレジスト
組成物に含有させたものである。
ケトンを、Ｘ線リソグラフィ用として用い得るレジスト
組成物に含有させたものである。
本発明に用いるミヒラーズケトンは、 ３１３５ＯＡ（
ｉ線）の波長に強い吸収性を示し、レジスト組成物の感
度波長域を紫外域にまで広げる、いわゆるスペクトル増
感効果を有する。しかも、先に挙げた増感剤に比べてよ
り効率が良い。
ｉ線）の波長に強い吸収性を示し、レジスト組成物の感
度波長域を紫外域にまで広げる、いわゆるスペクトル増
感効果を有する。しかも、先に挙げた増感剤に比べてよ
り効率が良い。
このミヒラーケトンの含有量は、Ｘ線リソグラフィ用と
して用い得るレジスト組成物の種類、形成しようとする
回路の用途などにより適宜選定すればよいが、通常１０
重量％以下が望ましく、４重量％以下が好ましく、２重
量％以下が最適である。
して用い得るレジスト組成物の種類、形成しようとする
回路の用途などにより適宜選定すればよいが、通常１０
重量％以下が望ましく、４重量％以下が好ましく、２重
量％以下が最適である。
本発明に用いることのできる、ハロゲンを含むＸ線リソ
グラフィ用として用い得るレジスト組成物としては、ミ
ヒラーズケトンによる上述の効果を有効に利用できるも
のであればどのような組成からなるものでも利用でき、
なかでもクロロメチル化スチレン、ポリクロロメチル化
スチレン、クロロ化ポリメチルスチレン、クロロメチル
化ポリーβ−ナフチルメタクリレート、ポリブロモクロ
ロメチル化スチレン等を含む組成物は、ミヒラーズケト
ンとの良好な相溶性、混合状態での安定性等が得られる
ので好適である。
グラフィ用として用い得るレジスト組成物としては、ミ
ヒラーズケトンによる上述の効果を有効に利用できるも
のであればどのような組成からなるものでも利用でき、
なかでもクロロメチル化スチレン、ポリクロロメチル化
スチレン、クロロ化ポリメチルスチレン、クロロメチル
化ポリーβ−ナフチルメタクリレート、ポリブロモクロ
ロメチル化スチレン等を含む組成物は、ミヒラーズケト
ンとの良好な相溶性、混合状態での安定性等が得られる
ので好適である。
本発明の組成物には、上述のようにミヒラーズケトンが
含有されているので、良好なスペクトル増感効果が付与
されており、少なくともＸ線を含む２種以上のエネルギ
ー線を用いるリソグラフィに好適である。
含有されているので、良好なスペクトル増感効果が付与
されており、少なくともＸ線を含む２種以上のエネルギ
ー線を用いるリソグラフィに好適である。
特に本発明のレジスト組成物を用いれば、Ｘ線を主体と
し、エネルギー線を補助的に用いて、Ｘ線を用いること
の長所を活かしつつ、より低いＸ線の強度において良好
なりソグラフィを行うことができる。
し、エネルギー線を補助的に用いて、Ｘ線を用いること
の長所を活かしつつ、より低いＸ線の強度において良好
なりソグラフィを行うことができる。
なお、補助的エネルギー線としては、ミヒラーズケトン
が感応性を示して上述のようなスペクトル増感効果を有
効に発揮できるものであればいずれのものも利用できる
。そのようなものには例えば、紫外線、または紫外線を
含むエネルギー線などを挙げることができる。また、Ｘ
線と補助的エネルギー線の照射の割合いは、Ｘ線の特性
を損なわない範囲内で、補助的エネルギー線の種類やレ
ジスト組成物の組成などに応じて適宜選択すればよい。
が感応性を示して上述のようなスペクトル増感効果を有
効に発揮できるものであればいずれのものも利用できる
。そのようなものには例えば、紫外線、または紫外線を
含むエネルギー線などを挙げることができる。また、Ｘ
線と補助的エネルギー線の照射の割合いは、Ｘ線の特性
を損なわない範囲内で、補助的エネルギー線の種類やレ
ジスト組成物の組成などに応じて適宜選択すればよい。
本発明のレジスト組成物には、Ｘ線を受光して蛍光線を
発する物質を混在させることもできる。
発する物質を混在させることもできる。
このような物質を混在させることにより、上述したよう
なスペクトル増感効果を、例えばＸ線のみを照射する際
に得ることができる。
なスペクトル増感効果を、例えばＸ線のみを照射する際
に得ることができる。
つまり、このような物質を混在させた本発明の組成物に
Ｘ線を照射すると、その物質が励起状態になり、紫外線
を含む蛍光を発し、その紫外線はミヒラーズケトンに作
用する。このような作用は、上述の補助的エネルギーを
用いるのと同様の効果を奏し、レジスト組成物の実効感
度を増すことができる。
Ｘ線を照射すると、その物質が励起状態になり、紫外線
を含む蛍光を発し、その紫外線はミヒラーズケトンに作
用する。このような作用は、上述の補助的エネルギーを
用いるのと同様の効果を奏し、レジスト組成物の実効感
度を増すことができる。
このような物質としては、例えば以下の組成物（主成分
；添加物）を用いることができる。
；添加物）を用いることができる。
ＺｎＳ；Ａｇ 、 ＺｎＳ；Ｃｕ、ＡＩ 、 Ｚｎ２５
ｉＯ，、；Ｍｎ 、 ＣａＷＯ４、ＹＡｌＯ３；Ｃｅ、
Ａｇ、 ＢａＳｉ２Ｏ５；Ｐｂ、 ＢａＯａ ＥｔＡ
１２０３ ；Ｍｎ、Ｂａ５Ｏ，；Ｐｂ 、 ＭｇＢ、０
７；Ｔｂ 、 ＧａＦ２；Ｅｕ 、 ＭｇＦ２ ＨＥｕ
、ＣａＳ；Ｂｉ 、 Ｚｎ２５ｉＯａ；Ｔｉ、 Ｃａ３
（ＰＯ４）２；Ｃｅ等およびこれらの組合せ。
ｉＯ，、；Ｍｎ 、 ＣａＷＯ４、ＹＡｌＯ３；Ｃｅ、
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１２０３ ；Ｍｎ、Ｂａ５Ｏ，；Ｐｂ 、 ＭｇＢ、０
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、ＣａＳ；Ｂｉ 、 Ｚｎ２５ｉＯａ；Ｔｉ、 Ｃａ３
（ＰＯ４）２；Ｃｅ等およびこれらの組合せ。
これらの物質は微粒子として用いるのが効果的であり、
例えばその粒径としては、０．１〜１．０μが望ましく
、０．１〜０．２．が好ましい、また、その配合量は０
．５〜１重量％程度が望ましい。
例えばその粒径としては、０．１〜１．０μが望ましく
、０．１〜０．２．が好ましい、また、その配合量は０
．５〜１重量％程度が望ましい。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例１
クロロメチル化スチレンを主成分とするレジスト組成物
ＣＭＳ （東洋曹達型）に３重量％のミヒラーズケトン
を溶かし、スピン回転数２０００回のもとでスピンナー
によりウェハー上に塗布した。この塗布厚は０．８ｇで
あった。このレジスト塗布後のウェハーを１２０℃の電
気炉に入れ、２５分間のプリベータを行った６次に、ウ
ェハーを電気炉から取り出し、チャンバー内にセットし
た。チャンバー内を１Ｏ−６ＴＯｒｒノ真空状態にし、
Ｘ線（ＲｈＬｄ４．６ 八）と紫外線（Ｘｅランプ・−
・３００〜４００ｎｍの波長域を選択した）を同時に照
射したところ、実効感度は １００ｍＪ／ｃｒｎ’であ
ったものが５０ｍＪ／ｃｍ″となった。
ＣＭＳ （東洋曹達型）に３重量％のミヒラーズケトン
を溶かし、スピン回転数２０００回のもとでスピンナー
によりウェハー上に塗布した。この塗布厚は０．８ｇで
あった。このレジスト塗布後のウェハーを１２０℃の電
気炉に入れ、２５分間のプリベータを行った６次に、ウ
ェハーを電気炉から取り出し、チャンバー内にセットし
た。チャンバー内を１Ｏ−６ＴＯｒｒノ真空状態にし、
Ｘ線（ＲｈＬｄ４．６ 八）と紫外線（Ｘｅランプ・−
・３００〜４００ｎｍの波長域を選択した）を同時に照
射したところ、実効感度は １００ｍＪ／ｃｒｎ’であ
ったものが５０ｍＪ／ｃｍ″となった。
実施例２
クロロ化ポリメチルスチレンを主成分とするレジスト組
成物（Ｍ！＝８．２ ＸＩＯ’ 、 ＭＷ／ Ｍ ｎ
＝１．２、塩素化率２１．６％）に５重量％のミヒラー
ズケトンを溶かし、スピン回転数３０００回のもとでス
ピンナーによりウェハー上に塗布した。この塗布厚はＩ
ｇｍ＋であった。このレジスト塗布後のウェハーを９０
℃の電気炉に入れ、３０分間のプリベークを行った０次
にウェハーを電気炉から取り出し、チャンバー内にセッ
トした。チャンバー内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空状態に
し、Ｘ線（Ｒｈ Ｌｄ ４．１３ Ａ）と超高圧水銀灯
を同時に照射した。その結果、レジスト組成物の実効感
度は１００ｍＪ／Ｃｍ″から４０ｍＪ／ａｍ’となった
。
成物（Ｍ！＝８．２ ＸＩＯ’ 、 ＭＷ／ Ｍ ｎ
＝１．２、塩素化率２１．６％）に５重量％のミヒラー
ズケトンを溶かし、スピン回転数３０００回のもとでス
ピンナーによりウェハー上に塗布した。この塗布厚はＩ
ｇｍ＋であった。このレジスト塗布後のウェハーを９０
℃の電気炉に入れ、３０分間のプリベークを行った０次
にウェハーを電気炉から取り出し、チャンバー内にセッ
トした。チャンバー内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空状態に
し、Ｘ線（Ｒｈ Ｌｄ ４．１３ Ａ）と超高圧水銀灯
を同時に照射した。その結果、レジスト組成物の実効感
度は１００ｍＪ／Ｃｍ″から４０ｍＪ／ａｍ’となった
。
実施例３
ポリブロモクロロメチル化スチレンを主成分とする感光
性樹脂に３重量％のミヒラーズケトンを溶かし、スピン
回転数２０００回のもとでスピンナーによりウェハー上
に塗布した。この塗布厚は０．８μであった。このレジ
スト塗布後のウェハーを１２０℃の電気炉に入れ、２５
分間のプリベークを行った０次にウェハーを電気炉から
取り出し、チャンバー内にセットした。チャンバー内を
１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空状態にし、Ｘ線（Ｒｈ Ｌｄ
４．８ Ａ）とＢｌａｃｋ Ｌｉｇｈｔから発する光を
同時に照射した。その結果、レジスト組成物の実効感度
は１５０＋ｗＪ／ｃｍ’から９０ｍＪ／ｃゴとなった。
性樹脂に３重量％のミヒラーズケトンを溶かし、スピン
回転数２０００回のもとでスピンナーによりウェハー上
に塗布した。この塗布厚は０．８μであった。このレジ
スト塗布後のウェハーを１２０℃の電気炉に入れ、２５
分間のプリベークを行った０次にウェハーを電気炉から
取り出し、チャンバー内にセットした。チャンバー内を
１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空状態にし、Ｘ線（Ｒｈ Ｌｄ
４．８ Ａ）とＢｌａｃｋ Ｌｉｇｈｔから発する光を
同時に照射した。その結果、レジスト組成物の実効感度
は１５０＋ｗＪ／ｃｍ’から９０ｍＪ／ｃゴとなった。
実施例４
塩素化ポリスチレン系のＭＥＳ−Ｘ （日本合成ゴム製
）に３重量％のミヒラーズケトンを溶かし、蛍光体とし
てＢａＳｉ２Ｏ５；Ｐｂの超微粒子を分散させた。これ
をスピン回転数２０００回のもとでスピンナーによりウ
ェハー上に塗布した。この塗布厚は１．１−であった、
このレジスト塗布後のウェハーを １２０℃の電気炉に
入れ、２５分間のプリベータを行った０次に、ウェハー
を電気炉から取り出し、チャンバー内にセットした。チ
ャンバー内を１０’Ｔｏｒｒｃ７）真空状態にし、Ｘ線
（Ｒｈ Ｌｄ ４．８ Ａ）を照射したところ、ＢａＳ
ｉ２Ｏ５；Ｐｂ微粒子が蛍光を発することにより増感が
はかれた。
）に３重量％のミヒラーズケトンを溶かし、蛍光体とし
てＢａＳｉ２Ｏ５；Ｐｂの超微粒子を分散させた。これ
をスピン回転数２０００回のもとでスピンナーによりウ
ェハー上に塗布した。この塗布厚は１．１−であった、
このレジスト塗布後のウェハーを １２０℃の電気炉に
入れ、２５分間のプリベータを行った０次に、ウェハー
を電気炉から取り出し、チャンバー内にセットした。チ
ャンバー内を１０’Ｔｏｒｒｃ７）真空状態にし、Ｘ線
（Ｒｈ Ｌｄ ４．８ Ａ）を照射したところ、ＢａＳ
ｉ２Ｏ５；Ｐｂ微粒子が蛍光を発することにより増感が
はかれた。
以上説明してきたように、本発明のレジスト組成物は、
従来のＸ線リソグラフィ用レジスト組成物よりも実効感
度が優れており、しかもリソグラフィ用レジスト組成物
としての十分な特性（基板との密着性、解像力、コント
ラスト、現像性能、液保存性、など）が得られる。また
、本発明のレジスト組成物を用いれば、Ｘ線リソグラフ
ィ特有の利点を有効に利用でき、かつより低いＸ線強度
でも十分なリソグラフィ操作を実施できる。
従来のＸ線リソグラフィ用レジスト組成物よりも実効感
度が優れており、しかもリソグラフィ用レジスト組成物
としての十分な特性（基板との密着性、解像力、コント
ラスト、現像性能、液保存性、など）が得られる。また
、本発明のレジスト組成物を用いれば、Ｘ線リソグラフ
ィ特有の利点を有効に利用でき、かつより低いＸ線強度
でも十分なリソグラフィ操作を実施できる。
このような本発明のレジスト組成物は、高集積化、高性
能化された集積回路の製造などにおけるリソグラフィに
非常に有用である。
能化された集積回路の製造などにおけるリソグラフィに
非常に有用である。
Claims (2)
- （１）ハロゲンを含有しＸ線リソグラフィ用として用い
得るレジスト組成物に、更にミヒラーズケトンを含有し
たことを特徴とするリソグラフィ用レジスト組成物。 - （２）Ｘ線を受光し蛍光線を発する物質を含有する特許
請求の範囲第１項記載のリソグラフィ用レジスト組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11453887A JPS63280240A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | リソグラフィ用レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11453887A JPS63280240A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | リソグラフィ用レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63280240A true JPS63280240A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14640268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11453887A Pending JPS63280240A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | リソグラフィ用レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63280240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190594A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 感光性樹脂組成物、波長変換基板および発光デバイス |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148057A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 |
| JPS59149352A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6080844A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11453887A patent/JPS63280240A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148057A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 |
| JPS59149352A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6080844A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料及びパタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190594A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | シャープ株式会社 | 感光性樹脂組成物、波長変換基板および発光デバイス |
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