JPS63279542A - イオンプラズマ電子銃組立体 - Google Patents

イオンプラズマ電子銃組立体

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JPS63279542A
JPS63279542A JP63072149A JP7214988A JPS63279542A JP S63279542 A JPS63279542 A JP S63279542A JP 63072149 A JP63072149 A JP 63072149A JP 7214988 A JP7214988 A JP 7214988A JP S63279542 A JPS63279542 A JP S63279542A
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foil
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cathode
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/024Electron guns using thermionic emission of cathode heated by electron or ion bombardment or by irradiation by other energetic beams, e.g. by laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J33/00Discharge tubes with provision for emergence of electrons or ions from the vessel; Lenard tubes

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、イオンプラズマ電子銃と、この電子銃から2
次電子を形成する方法に関する。
〈従来の技術〉 本発明のイオンプラズマ電子銃は、米国特許第3970
892号及び米国特許願5N596093号に開示され
た電子銃と同一の一般的な形式のものである。この米国
特許及び米国特許願に開示されているように、例えばe
ビーム励起ガスレーザーに使用される高エネルギーの電
子ビームを発生させる技術においての、最近の大きな進
歩は、プラズマカソード電子銃である。この電子銃にお
いては、プラズマは、中空の陰極面と格子に対して比較
的低い電圧において作動される陽極格子との間の中空陰
極放電中において発生する。電子は、陽極格子及び制御
格子を経て、放電プラズマから抽出され、両方の格子と
加速陽極との間のプラズマのない領域において、高エネ
ルギーに加速される。加速電極は通常は、薄いはく窓で
あり、これは陰極に対して比較的高電圧に保たれている
。プラズマカソード電子銃の利点は、構造が簡単で堅牢
なこと、制御可能性及び効率が高くコストが低床であり
、大面積の電子ビームの発生に適していること、などで
ある。
米国特許第3970892号及び第4025818号に
開示された電子銃の電子ビームは、一般に、はく窓の中
心部にピークをもち、その両側の縁端にかけて零値まで
減少するような電子分布を示す。米国特許願5N596
093号に開示された装置は、はく窓から出射したとき
に全ビームを横切る方向に一様な電子分布をもった電子
ビームを発生させる改良された構造を供与する。
従来の技術による電子ビーム発生器を使用する場合、ビ
ームの均等性が本質的にビームの強度とは無関係である
ことが認識されている。ビーム電流は、高電圧電源から
の電流に比例する。即ち、照射される移動中の帯状材料
をボンバードする電子の線量率の制御は、単に、高電圧
電源によって供給される電流を測定し制御する問題とな
る。米国特許第3970892号に開示されたようなワ
イヤイオンプラズマ装置の場合には、高電圧電源の電流
は、入射ヘリウムイオンと放出電子との和である。入射
イオンに対する放出電子の比、即ち、2次放出係数は、
放出面の表面状態に依存する。
この状態が変化し易いことから、移動中の帯状材料の表
面に衝突する2次電子のg量率を制御するには、単に高
電圧電源をモニターするだけでは不適切である。
ワイヤイオンプラズマ装置を更に考えてみると、プラズ
マ室と高電圧放出電極との間の格子を機械的に変化させ
るオプシ目ンを排除するならば、2次電子の瞬時的なビ
ーム強度は、プラズマ放電の強度、従ってヘリウムイオ
ン流を変化させることのみによって変化させうる。しか
しプラズマ電流を因子2だけ上下に変化させると、プラ
ズマ強度の変化と共に、ビームの均等性ないしは一様さ
の際立った望ましくない変化が起こる。
〈発明が解決しようとする課題〉 従って、本発明の1つの目的は、2次電子ビーム出力の
一様さを保ちながら2次電子ビームの強度を変化させる
装置及びその作動方法を提供することにある。本発明の
別の目的は、移動しているか又は固定されている帯状材
料の全表面に亘って2次電子ビームの強度を保ちながら
、ワイヤイオンプラズマ装置を経て伝送される該帯状材
料に衝突する2次電子の線量率を変化させる手段を提供
することにある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、互に隣接した第1室及び第2室を形成してそ
の間の開口を備えている電導性の排気されたハウジング
を備えたイオンプラズマ電子銃を使用する。第1室中に
おいて正イオンと電子のプラズマを発生させる手段が設
けられている。第2室には、ハウジングから隔てられ絶
縁された関係においてカソード即ち陰極が配置されてい
る。陰極は、2次電子放出面を備えている。陰極とハウ
ジングとの間に負の高電圧を発生させる手段が設けられ
ており、これによって陰極により正イオンを第1室から
第2室に引込み、陰極面に衝突させ、2次電子放出面か
ら2次電子を放出させる。
電導性−電子透過性はくは、陰極に指向した第1室の先
端においてハウジングの開口上に延在している。このは
くは、ハウジングに電気的に接続されて2次電子のため
の陽極を形成し、この陽極によって2次電子が電子ビー
ムとしてはくを通過させられる。電導性抽出格子は、一
般に、陰極の2次電子放出面に近接して、第2室中に取
付けてあり、この陰極は、ハウジングに接続されて、該
放出面上に静電界を発生させ、格子中の開口を経て第1
室中に2次電子を通過させる。
電導性支持格子は、はくに近接して、第1室に取付けて
あり、はく及びハウジングに連結されている。支持格子
は、はくを支持する働きをし、抽出格子と共働してはく
中に2次電子を加速させるように作動する。
2次電子パルスを形成する手段が設けられている。これ
は、2次電子がはくを経て放出させる時間を変化させる
ことによって達せられる。そのためには、2次電子が伝
送されている時間を変化させながら、はくを経て放出さ
れる2次電子の強度を実質的に一定に保持する。これに
よって、パルスが発生し、帯状材料の単位長さは、帯状
材料の表面全体に亘って、一様なビーム強度を与えなが
ら帯状材料の表面を照射する全エネルギー量を制御する
ように変化させうる2次電子の線量を受ける。
次に本発明の好ましい実施例を示した添付図面に基づい
て説明する。
〈実施例〉 第1図に1本発明の一実施例に従った構造のイオンプラ
ズマ電子銃の基本的な構成部分が示されている。電子銃
は、導電性の接地された外囲いを含み、この外囲いは、
高電圧室13、イオンプラズマ放電室12及び電子透過
性はく窓2を備えている。ワイヤ4は、プラズマ放電室
12中に入りこみ、そこを通って延長している。はく窓
2は、接地された外囲いに電気的に接続されており、外
囲いに向って、そしてこの外囲いを通って電子を加速す
るための陽極を形成している。外囲いは。
1〜10ミクロンのヘリウムに充満されている。
陰極6は、高電圧室13中に配置してあり、これから絶
縁されている。陰極6のインサート5は。
その下面に取付けられている。インサート5は、典型的
には、モリブデン製であるが、2次放出係数の高いどん
な材料からできていてもよい。外囲いと陰極6との間の
間隙は、電界のパッシェン崩壊を防止する形状を備えて
いる。
高電圧源210は、150〜300Kvの負の高電圧を
陰極6にケーブル9を経て供給し、ケーブル9は、ケー
ブル9と陰極6との間に介在されたオプションの抵抗8
まで、エポキシ絶縁筒14を通り延長している。陰極6
とインサート5とは、ダクト7を経て圧送される適宜の
冷却液、例えば油によって冷却される。
プラズマ放電室12は、機械的及び電気的に一緒に結合
された成る数の金属製リブ3を収容している。リブ3は
、ワイヤ4が全構造物を通過することを許容するための
複数の切欠を中心部に備えている。陰極6に指向したリ
ブ3の側面は、抽出格子16を形成しているか、或いは
、リブ3の他の側面は、電子透過性はく窓2を支持する
ための支持格子15を形成している。別の方法として。
抽出格子と陽極板とは、Pi数の孔を切いて形成した金
属材料の複数のシートから成っていてもよい。
液冷チャンネル11は、プラズマ放電室12から熱を除
去するために用いられる。
電子透過性はく窓2は、0.0064〜0.0025m
m (174〜1ミル)の厚さのチタン又はアルミニウ
ムのはく材からできていてもよく、このはく材は。
支持格子15によって支持され、0リングにより外囲い
にシールされている。ガスマニホルド10は、与圧され
た窒素ではく窓2を冷却してオゾンをビーム域から除去
するためのオプションの手段である。
変調された電g1を作動させると、ヘリウムイオンと電
子放電とから成るプラズマが、ワイヤ4を囲む電界によ
って、プラズマ放電室12中に形成される。変調器は、
直流電源でも、20〜30MH2pM線周波数発生器で
もよい。プラズマが形成されると、ヘリウムイオンは、
抽出格子16を経てプラズマ放電室12に漏出する電界
によって、陰極6に向って吸引される。この電界の強度
は、数100V(ボルト)カら10,0OOVまテノ範
囲とすることができる。イオンは、電界線に沿って、抽
出格子16を経て高電圧室13中に流入する。イオンは
、ここで全ポテンシャルに亘って加速され、平行ビーム
として、陰極6のインサート5をボンバードする。陰極
6から放出された2次電子は、負電荷をもつため、陽極
に向って吸引され、帯状材料50に伝送される所望の電
子ビームを形成する。
はく窓2を経て伝送された電子ビームは、矢印51の方
向に移動する帯状材料50に衝突する。
移動する帯状材料50又は固定された帯状材料の特定の
単位長さを特定の単位時間内にキュアーし。
又は他の仕方で照射するために、2次電子によって供給
される全エネルギー量を制御しうろことが。
時に望まれる。前述したように、本発明の以前には、こ
れはプラズマ室と高電圧放出電極との間の格子を機械的
に変更する(これには、ワイヤイオンプラズマ装置の物
理的な変更が必要とされる)か、又はプラズマ放電の強
さ、従ってヘリウムイオン流を変化させるかすることの
みによってなされていた。しかし、プラズマ流の強、さ
を因子3よりも多く上向き又は下向きに変更することに
よって出力ビームの強度を安定化する実験を行なった結
果として、ビームの一様さにとって非常に好ましくない
変化を生ずることが示された。これは移動しているか又
は固定されている帯状材料がその幅方向に不均等にキュ
アーされる傾向を示すこと′になるため、明らかに容認
できない。
本発明は、移動しているか又は固定されている帯状材料
50の全表面に亘る均等性を保ちながらこの帯状材料に
衝突する2次電子の線量率を変更する問題の、非常に好
ましい解決策を提供する。
これは、瞬時的なビーム強度は一定に保ちながらビーム
の放出される時間区分を変更するようにしたパルス幅変
調方式によって達成される。1ビームパルスの最小接続
時間は、全プラズマ室に亘ってプラズマを形成するため
に必要な時間によって定まる6例えば、ヘリウムの圧力
20μm、・最大゛電圧又は「衝突」電圧1500V、
陽極のワイヤに沿った陽極域の寸法約数インチについて
、プラズマ放電室12全体に亘ってプラズマを形成する
のに必要な時間は、約50μ秒である。移動する帯状材
料50の場合、変調期間の最大持続時間は、帯状材料5
0の走行時間によって定まる。線量率は、設計上の選択
の問題であり、照射される物質並びにキュアーにとって
必要な全エネルギーに依存するが、多くの事情の下では
、はく窓2の下方を通過する間に少くとも10変調周期
の間帯状材料50が曝露されていた場合に、照射の適切
な均等性が得られることが指摘される。例示すると、は
く窓2の長さを25.4(!11(10インチ)とし 
   ゛て、帯状材料50の速度を、1分間300m(
’1000フィート)とした場合、走行時間は50m秒
となる。その場合、パルス期間ないしパルス周期は、5
m秒と選定しうるであろう。パルス持続時間を最小の5
0μ秒から完全な“ON”状態まで°変化させた場合、
配送(デリベリ−)線量は、100〜1の範囲に亘って
調節可能に変化するであろう。明らかなように、より長
いはく窓2及び/又はより遅い帯状材料50の速度を使
用することによって、より法尻なダイナミックレンジが
達成可能となる。
2次電子の所要の線量率を与えるための本発明による電
子銃の作動を定める変数の例は、出力ビームの強度、帯
状材料の速度、並びに、帯状材料をキュアーし又は他の
仕方で帯状材料に作用するのに必要な所望の線量率又は
照射量である。
電子ビーム発生器の出力ビームの強度をモニターするた
めの多くの既知の手段があり、これらのモニタ一手段は
、本発明の範囲に含まれないため。
ここでは説明しない。これらのモニタ一手段には、直接
遮蔽線量率モニター又はX線線量率モニターでもよい。
しかし、瞬時的なビーム強度の測定がなされた後は、帯
状材料のためのデユーティファクターを定めることがで
きる。このデユーティファクターは、単に、移動して、
いる帯状材料の表面に電子ビームを連続的に供給した場
合に供与されるエネルギーに対する。電子ビームがパル
スモードでONになっていた場合に与えられるべきエネ
ルギーの比である。
第2図を参照すると、プラズマ電子銃のワイヤ4のパル
ス変調プラズマ流供給源の配列が概略的に図示されてい
る。電源は電流発生器64に電力を供給す委、スイッチ
66は、パルス発生器68によって制御されで、電流発
生器64とワイヤ4との間の接続を開閉する。電流発性
器64とスイッチ66とは、変調された電源1を共同し
て形成する。
パルス発生器68は、指定されたデユーティサイクルの
パルス列を供給するように、ユーザーによってセットさ
れる。このパルス列は、周期信号であり、その各々の周
期は、全周期の一部分については、ON状態にあり、残
りの部分についてはOFFの状態にある。全周期時間に
対するON時間の比は、パルス列のデユーティサイクル
又はデューティファクターとして知られる。前述したよ
うに、パルス列のデユーティサイクルは、帯状材料50
に対する所望の線量を与えるように選定する。
第3,4図を特に参照して、電流発生器64とスイッチ
66との機能の具体化について一層詳細に説明する。パ
ルス発生器68は、調節可能なデユーティサイクルをも
ったパルス列を、供与しうる多くのパルス発生器のうち
のどれでもよく1例えば米国カルフォルニア州、コンコ
ード、シストロン・ドナー・コーポレイションの100
A型の装置でもよい。
第4図は、パルス発生器68とのインターフェースを取
るために、変調された電源1に含まれる回路を示してい
る。
第3図を参照して、変調された電源1について一層詳細
に説明する0本発明のこの好ましい実施例によれば、電
流発生器64は、最初の高電圧のスパイクと、それに続
く特定の持続時間の持続するレベルとを有するパルスを
供給する。−例として、高電圧スパイク即ちトリガーパ
ルスは、約200vの電圧を、そして持続部分は、約4
00Vのレベルを、それぞれもつことができる。この波
形特性は、トリガーパルス回路70(トリガー源)から
のトリガーパルスを持続電圧源72からの持続電圧と組
合せることによって得られる。これら2つの供給源は、
第3図の回路については、120v交流電力を供給する
べき電源60からの電力を変換する。トリガーパルスと
持続パルスとは、抵抗76とダイオード78との組合せ
を介して、加え合せノード74によって、加え合せられ
る。
抵抗76は、トリガーパルス回路70からのトリガーパ
ルスを受け、ダイオード78を経て加え合せノード74
に信号を供給する。ダイオード78は、トリガーパルス
回路70と加え合せノード74との間の電流が、加え合
せノード74に流入し、それと逆の方向に流れないこと
を保証すると共に、持続電圧源72によって発生した信
号からトリガーパルス回路70を切離す。同様に抵抗8
0とダイオード82とは、持続電圧源72からの持続パ
ルス信号を、一方向に加え合せノード74に結合させる
一般に、トリガーパルス回路70は、必要な電圧スパイ
クを発生させるために、ステップアップ変圧器86とコ
ンデンサー88とを使用する。電圧スパイクの発生の間
に、コンデンサー88には、所定量の電流が供給される
。この電流は、ゼナーダイオード90、抵抗92及びト
ランジスター94のベース−エミッター接合によって定
まる。第3図かられかるように、抵抗92は、トランジ
スター94のエミッターとゼナーダイオード90のカソ
ードとの間に接続されている。ゼナーダイオード90の
アノードは、トランジスター94のベースに接続されて
いる。そのため、ゼナーダイオード90は、抵抗92の
両端間の電圧降下を定める。この電圧降下は、抵抗92
を流れる電流パルスを設定する。
トランジスター94に対するベース暉動は、抵抗96を
介して供給され、抵抗96は、抵抗100を経て、ノー
ド98の整流電力に持続されている。整流電力は、1:
2ステツプアツプ変圧器104の2次巻線からの交流電
流を整流する、余波ダイオードブリッジ102を経て供
給される。ステップアップ変圧器104の1次巻線は、
この例では120v交流電源である電源62に接続され
る。
トランジスター107のエミッターは、トランジスター
94のコレクターに、ベースは、抵抗96.100の間
の接合部に、コレクターはノード98に、それぞれ接続
されている。トランジスター107は、トリガーパルス
回路70がオフ状態にトリガーされた時にトランジスタ
ー94のコレクター−ベース間に供給されるはずの電圧
の一部分を取扱うように動作する。そのため、単一のよ
り高価な高電圧トランジスターではなく破壊電圧のより
低いトランジスターを使用することが可能となる。
コンデンサー88とステップアップ変圧器86とが高電
圧を発生させる機構について説明すると、ダイオード1
06.1’08は、コンデンサー88の充放電を制御す
るように、5CR110と共に動作する。5CRIIO
は、第4図に示した点火トリガー回路109によってオ
ンオフされる。第4図については後に詳述する。
SC’RIIOがオフ状態にあるとき、ダイオード10
6,108は、逆方向にバイアスされ、コンデンサー8
8は、トランジスター94,107、抵抗92及びゼナ
ーダイオード90を介して充電される。コンデンサー8
8がその充電電圧に到達すると、トランジスター94,
106はオフとなる。5CRIIOがオン状態となると
、ダイオード106,108は、順方向にバイアスされ
た状態となるため、トランジスター94,106は、オ
フに保たれ、1次巻線86を経てコンデンサー88を放
電させる。
第3図かられかるように、ステップアップ変圧器86は
、その2つの端子のところのドツトで示したような極性
をもつため、コンデンサー88の放電中にステップアッ
プ変圧器86の2次巻線に。
高電圧スパイクが誘起される。ドツトでマークした変圧
器86の2次側の端子は、正移行高電圧を抵抗76及び
ダイオード78に与える。この状態の下では、ダイオー
ド78は、順方向にバイアスされて導通し、ワイヤ4に
高電圧が供給されることを許容する。
コンデンサー88が最初に充電し始めるときは、その両
端間の電圧は低く、それを通る電流は大きい。コンデン
サー88に供給される電流は、前記のように抵抗92の
両端間の電圧降下によって定まる。コンデンサー88が
充電されるにつれて、その両端間の電圧は増大し、それ
を通る電流は減少する。この状態の下では、トランジス
ター86の1次巻線を通る電流は、ドツトでマークしな
い端子に流入するので、負移行信号が2次巻線に誘起さ
れる。そのためダイオード78は、逆方向にバイアスさ
れ、信号は、ノード74には供給されない。
5CRI 10がオン状態にあるとき、コンデンサー8
8は、変圧器86の1次巻線を経て放電される。この放
電のため、正移行電圧スパイクが変圧器86の2次巻線
の両端間に誘起される。この波形は、高電圧(例えば2
000V)への非常に早い立上り時間と、それに続いて
、零電圧に向ってのより緩徐な電圧の減少とを示す。こ
のスパオりによってダイオード78は順方向にバイアス
されるので、スパイクはノード74に到達する。
ステップアップ変圧器86の1次巻線中のリンギングは
、5CRIIOがそのオフ状態に戻ることを許容する。
コンデンサー88が放電し、5CR110がオフ状態と
なると、トランジスター94.107は、再びオン状態
におかれる。コンデンサー88は、その後に、次のトリ
ガーパルスのための準備のために、前記のように充電さ
れる。
持続電圧源72(第3図)について説明すると、MO8
FET108を介して抵抗8oに対し接続したり切離し
たりできる電圧源が図示されている。
この電圧源は、1対の5CR114,116に接続され
た1次巻線112を備えた変圧器110を使用する。5
CR114,116は、変圧器110の2次巻線118
に存在する電圧レベルを制御するために適切な比率にお
いてオンオフにスイッチングすることができる。
2次巻線118は、2次巻線118からの交流電流を全
波整流するダイオードブリッジ120の両端間に接続さ
れている。インダクター122とコンデンサー124と
は、全波整流された信号を濾波して直流電圧をノード1
26に供給する。MO5FET108のドレンは、ノー
ド126に、ソースは抵抗80にそれぞれ接続されてい
る。MO8FET108のゲートは、抵抗128,13
0を経て接地されている。ゲートは、第4図について後
に詳述するゲート駆動回路132にも接続されている。
抵抗128,130の接合部は、ゲート駆動回路132
にも接合されている。
MO5FE7108は、エンハンスメントモードのn−
チャンネル装置であり、正のゲート−ソース電圧によっ
て、そのドレンからソースに電流が流れる。その逆に、
ゲート−ソース電圧が零に近付くと1M08FET10
8はオフとなる。MO8FET108は、そり自体とし
ては、ゲート−ソース供給電圧に依存して、スイッチと
して動作する。成る場合には、MOSFET108は、
パルスの間プラズマ流を平坦にするようにサーボ制御さ
れる。
ゲート駆動回路132は、ワイヤ4に供給される信号の
持続パルス部分を発生させるように1M08FET10
8のゲート−ソース間に、適切な制御信号を供給するよ
うに動作する。
持続電圧源72には、図示したように、1対の抵抗13
4,136があり、これらの抵抗は、ノニド126とア
ースとの間に結合されている。これらの抵抗は、ノード
126においての電圧の所定の一部分である電圧を電圧
モニター138に供給するための分圧器として用いられ
る。このように持続電圧源102によって供給される電
圧レベルを定めることができる。
同様に、電流感知抵抗140は、ダイオードブリッジ1
20の一方の接合部とアースとの間に接続されている。
電流感知抵抗140の両端間に生ずる電圧は、持続電圧
、源72によって供給される電流に比例する。この電圧
は電圧モニター142に供給される。
前述したように、プラズマ流のための好ましい波形は、
所定のデユーティ−サイクルをもった一連のパルスであ
り、各々のパルスは、最初の高電圧スパイクと、それに
続く、際立って低い一定の電圧の持続パルスとを有して
いる。第5図は、この波形の2周期分を示している。こ
の波形は、第3図のノード74に存在しており、トリガ
ーパルス回路70からのトリガーパルスと持続電圧源7
2からの持続パルスとの和である。点火トリガー回路1
09とゲート駆動回路132との動作は。
各々の供給源からの波形が相互に対する適切な順序にお
いて発生するように同期させる。この機能は、第4図の
インターフェース回路によって制御する。
第4図には、この回路が図示されている。前述したよう
に、第1図において、パルス発生器68は、変調電圧源
1を、線量率モニター69によって測定された電流レベ
ルの関数として駆動する。
第4図の回路は、パルス発生器68と、第3図のトリガ
ーパルス回路70及び持続電圧源72との間のインター
フェースを与える6点火トリガー回路109とゲート駆
動回路132とは、第4図に破線の枠により示されてい
る。
更に詳しく説明すると、点火トリガー回路109は、パ
ルス発生器68から信号を受けるために。
光リンク又はフォトリンクを使用する。これらの信号は
、デジタルワンショット146を駆動し、デジタルワン
ショット146は、MOSFET148を動作させる。
MOSFET148は、パルス発生器68からの信号に
同期して5CR110をオンオフさせる。同様に、ゲー
ト駆動回路132は、フォトリンク150を介して、パ
ルス発生器68からの信号を受ける。ゲート駆動回路1
32が受けた信号は、1対の相互に切離された電圧源の
間に供給されたインバーター152を駆動する。パルス
発生器68からの波形が正に移行すると、インバーター
152は、ノード154をより正とする。ノード154
は、抵抗155,129を経てMOSFET108のゲ
ートに、第3図に示すように接続されている。抵抗15
6は、ノード154と負の切離された供給源との間に、
第4図に示すように接続されている。抵抗156と負の
供給源との間の接合部は、第3図に示した抵抗128.
130の間の接合部に接続されている。
この回路形態において、ノード154が正に移行すると
、抵抗128の両端間、従ってMOSFET108のゲ
ート−ソース間に、正電圧が誘起される。そのためMO
SFET108は、オンになる。
その逆に、パルス発生器68からの信号が論理「0」で
あると、インバーター152は、導通しなくなる。その
ため、ノード154の電圧は、第3図の持続電圧源72
からの信号のみによって定まる。そのため抵抗128の
両端間に零電圧が誘起され、MOSFET108はそれ
によってオフとなる。そのため、パルス発生器68は、
持続電圧源72を、ノード74に対して結合させたり。
切離したりする。
第4図かられかるように、パルス発生器68からの信号
は、フォトリンク144,150に共通に供給され、従
って1点火トリガー回路109及びゲート駆動回路13
2から発生した制御信号は、同期化される。第2図のス
イッチ66との関係において、フォトリンク144,1
45への共通の駆動と、それに応答した5CRIIO及
びMO8FET108の動作とは、スイッチ66の機能
的な均等物である。
フォトリンク144,150は、パルス電力供給源から
パルス発生器68を切離すために使用される。これは、
ゲート駆動回路132への互に切離された電力供給を用
いる理由でもある。
第6図には、直列調整器型の回路72の代りに使用可能
な分路調整器が示されている。ここでは、MO5FET
158の直列接続配列が、電源とアースとの間に分路と
して接続されている。電源は。
適切な保持パルス電圧レベルを与えるようになっている
。所望時間の間パルスが供給されると、制御信号がMO
S、FET158に供給されるので、MO8FET15
8は、電源の出力をアースに短絡させる。直列に接続さ
れたダイオード160は、半波整流された信号を、フィ
ルターコンデンサー162に供給する。ゼナーダイオー
ド164は、ノード166に存在する電圧レベルを調整
する。
抵抗168とゼナーダイオード170とは、MO8FE
T158に対するバイアスを供給する。
以上に説明したパルス幅変調されたプラズマ流の供給は
、本発明のイオンプラズマ電子銃によって供給される線
量をより細密に制御するために、サーボ制御形態におい
て具体化することができる。
より詳細には、第7図には、この形態が、単純化された
機能形式において図示されている。第7図は、第1図と
同様であるが、第1図のパルス発生器68が第7図の線
量率制御ブロック200に代えられることと、直列調整
器の代わりに餉6図の分路調整器201が持続プラズマ
電力供給源202と共に用いられていることでは相違す
る。
第1図において、線量率モニター69からの信号は、パ
ルス発生器68に破線のように接続されたように図示さ
れており、これは、線量率モニター69からの信号がパ
ルス発生器68を間接に制御することを表わしている。
より詳しくは、使用者は、この信号に基づいて、所要の
線量のための適正なパルス幅を定め、それに従ってパル
ス発生器68をセットする。
これと対照的に、第7図の形態において、線量率モニタ
ー信号は、サーボループ内においてフィードバック信号
として使用され、このループにおいて、線量率制御ブロ
ック200は、変調電源1を制御するために、線量率信
号を、線量率セットポイント及び帯状材料の速度と比較
し、パルス幅を自動的に設定する。
同期信号は、トリガーパルス回路70と線量率制御ブロ
ック200とに同時に供給される。トリガーパルス回路
70は、プラズマを開始させるトリガーパルスを次に発
生させる。IwI量率制御ブロック200は、線量率信
号の積分が線量のセットポイントレベルを超過するまで
、持続電圧源72への入力を保つことによって、持続電
圧源72をオンに保持する。この時点で、線量率制御ブ
ロック200は、接続電圧源72への入力をオフにして
、プラズマパルスを終了させる。
第8図は、図示した例による線量率制御ブロック200
の回路を示すより詳細な回路図であり。
積分器202、比較器204及びパルス形成回路206
の回路が図示されている。積分器202は。
線量率モニター69からの線量率信号を受けてこれを積
分する。積分器202の出力は、電子ビームないしは、
eビーム積分閾値と、比較器204によって比較される
。eビーム積分閾値は、本明細書において、線量セット
ポイントとも呼ばれている。積分された線量率信号がe
ビーム積分閾値を超過し、電流周期に対して適正な線量
が供給されたことが、それによって指示されると、比較
器204は、変調電源1をオフ状態に指令するための信
号をパルス形成回路206に供給する。
クロック回路(図示しない)は、パルス列の各々の周期
の開始を行なわせるために、導線207上の同期信号を
積分器202及びパルス形成回路206に供給する。こ
の同期信号は、トリガーパルス回路70に同時に供給さ
れる。積分器202は、その状態を零に再度初期設定す
ることによって、同期信号に応答する。パルス形成回路
206は、変調電源1をオン状態に指令するようにその
状態を再セットすることによって応答する。
開放ループ作動が望まれる事情の下では、線量率信号は
、積分器202に、手動によって供給される。手動セッ
トポイント回路208は、第8図に示され、スイッチ2
10によって積分器202の入力209に、接続可能な
可調節の電源として作動する。スイッチ210は、第1
位置及び第2位置をもち、第1位置では、線量率モニタ
ー69からの信号は、積分器202の入力209に接続
される。第2位置では2手動セットポイント回路208
は、積分器202の入力209に接続される。
第8図の前述した機能ブロックの各々について以下によ
り詳細に説明する。積分器202は、利得段212を含
み、この利得段は、線量率信号を受けてこれを増幅する
。インバーター−バッファ一段214は、利得段212
からの信号の極性を修正する。
実際の積分は、インバーター−バッファ一段214から
の信号に対して作用する積分段216において生ずる。
積分段216は、増幅器218を含み、増幅器218は
、その出力と反転入力との間に接続されたコンデンサー
220を備えている。
非反転入力は、信号共通に接続されている。インバータ
ー−バッファ一段216からの信号は、抵抗222を経
て、増幅器218の反転入力に供給される。MO822
4は、コンデンサー220の分路に接続しであるため、
コンデンサー220の両端間の電圧は、新しい積分動作
が望まれる場合、同期信号に応答して、零にセットする
ことができる。
比較器204は、eビーム積分閾値信号を発生させるた
めの可調節分圧回路226を備えている。
より詳細には、固定抵抗228と可変抵抗230とは、
直列に接続されており、所望の閾値レベルを表わす電圧
に、供給電圧を分圧する。使用者は。
可変抵抗230を操作することによって、発生電圧を変
化させることができる。
eビーム積分閾値信号は、比較器232の反転入力に供
給される。積分された線量率信号は、比較器232の非
反転入力に供給される。積分された線量率信号が、eビ
ーム積分閾値を超過し、所望の線量が供給されたことが
それによって指示されると、比較器232は、論理「1
」の出力レベルをパルス形成回路206に供給する。そ
の逆に、積分された線量率信号がeビーム積分閾値より
も小さい場合には、比較器232は、論理「0」出力信
号を供給する。
パルス形成回路206は、Dフリップフロップ234と
フォロワー−ドライバ一段236とを備えている。比較
器232からの信号は、Dフリップフロップ234のク
ロック入力に供給される。
Dフリップフロップ234のD入力は、論理「1」レベ
ルに固定してあり、Dフリップフロップ234の反転出
力は、フォロワー−ドライバ一段236を駆動する。
Dフリップフロップ234のリセット入力は、インバー
ター238を経て、導線207の同期信号のコンブリメ
ントを受ける。前述したように、同期信号は1M082
24の制御端子にも供給され、新しい積分動作が開始さ
れるべき時にコンデンサー220を放電させるように動
作する。そのため、同期信号が、MO8224の導通し
た論理「1」の状態から、MO8224が不導通となり
コンデンサー220が充電されている論理rQJの状態
に移行する際に、Dフリップフロップ234がリセット
される。
Dフリップフロップ234がリセットされると、その反
転出力は、論理r’J−Jとなり、フォロワー−ドライ
バ一段236は、付勢パルスを開始させることを変調電
源1に通報する。本発明による変調電源1の別の実施例
によれば、第7図のトリガーパルス回路72及び持続電
圧源7oの代わりに、トリガーパルスについて必要とさ
れる値に対応した最大電圧を有する電流制御された供給
源を用いることができる。電流制御された供給源は、分
路調整器201と共に、第7図の持続プラズマ電力供給
源202の位置において使用される。第7図の分路調整
器201がオフになると、電流制御された供給源は、プ
ラズマ放電が形成されるまでその最大電圧レベルに向っ
てランプする。電流制御される供給源は、より低い持続
電圧レベルにおいてプリセットされた電流を供給するよ
うに調節される。
このようにして、ビームが発生し、ターゲット又は製品
に線量が供給される。線量率モニター69は、供給され
る線量を測定し、それを表わす線量率信号を、線量率制
御ブロック200に供給する。線量率制御ブロック20
0中の積分器218は、この信号を積分し、積分値を比
較器204に送出する。積分値がeビーム積分閾値を超
過すると、比較器204は、正移行うロックパルスをD
フリップフロップ234に供給する。Dフリップフロッ
プ234は、そのD入力に存在する論理状態、この場合
には論理rlJを記憶すると共に、論理「0」をその反
転出力に供給する。フォロワー−ドライバー235は、
分路調整器200に、それをオンにする信号を供給する
。分路調整器200は、プラズマ放電を持続させていた
電流を分流させる。プラズマは流失し、電子ビームは終
了し、そのパルス期間についてのパルスは、それにより
終止される。前記の過程は、次のパルス期間についても
反復される。
前記のようにして、サーボ制御される系が供与される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、イオンプラズマ電子銃の基本的な構成要素を
示す一部断面斜視図、第2図は、本発明のワイヤイオン
プラズマ装置からの2次電子放出のパルス幅変調を生ず
るために必要な基本的な構成要素を示す概略配列図、第
3図は、本発明において使用可能な電力供給源の一実施
例を示す回路図、第4図は、パルス幅発生器と電力供給
源との間のインターフェースとして本発明の好ましい実
施例において使用される回路を示す回路図、第5図は、
第3.4図の回路によって発生するパルス列の波形を示
す波形図、第6図は、本発明の持続電力供給源として使
用可能な分路調整器電力供給源を示す結線図、第7図は
、本発明によるサーボ制御される構成部分の形態をX線
線量率モニターと共に示す略配列図、第8図は、線量率
制御ブロックの好ましい実施例を示すためのより詳細な
回路図である。 2・・はく窓(はく)、6・・陰極、15・・支持格子
、16・・抽出格子。 特許出願人  アール・ピー・シー・インダストリイズ
代理人弁理士  兼  坂     異同     酒
  井      − 同     兼  坂      繁 FIG、 I。 ’r’LI”L Fl(L−2゜ 一1’ISO τシ東62がも FIG、J。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)互に隣接した第1室及び第2室を形成し、これらの
    室の間の開口を備えている、電導性の排気されたハウジ
    ングと、該第1室中に正イオンを発生させる発生手段と
    、該ハウジングから隔てられ且つ絶縁された関係におい
    て、該第2室中に配され、2次電子放出面を備えている
    、陰極と、負の高電圧を該陰極と該ハウジングとの間に
    適用して該陰極により正イオンを該第1室から該第2室
    に取出して該陰極の該2次電子放出面に衝突させ該2次
    電子放出面から2次電子を放出させる電圧適用手段と、
    該陰極に指向する該第1室の先端において該ハウジング
    の開口の上方に延在する電導性−電子透過性のはくとを
    有し、該はくは、2次電子のための陽極を形成するよう
    に該ハウジングに電気的に接続され、該2次電子が電子
    ビームとして該はくを通過するようになっており、その
    ほかに、該陰極の該2次電子放出面に隣接して該第2室
    中に取付けられた電導性抽出格子を有し、該抽出格子は
    、該ハウジングに連結されて、該2次電子放出面に静電
    界を形成し、該格子中の開口を経て2次電子を該第1室
    中に移行させ、そのほかに、該はくに隣接して該第1室
    中に取付けてあり、該はく及び該ハウジングに連結され
    ている、電導性支持格子を有し、該支持格子は、該はく
    を支持すると共に、該抽出格子と共働して2次電子を該
    はくに向って加速させるようにしたものにおいて、2次
    電子が該はくを経て伝送される期間を変化させることに
    よって、2次電子のパルスを発生させる発生手段を備え
    たことを特徴とするイオンプラズマ電子銃。 2)該はくを経て伝送される2次電子の強度を2次電子
    の伝送時間を変化させる間実質的に一定に保つ請求項第
    1項記載のイオンプラズマ電子銃。 3)2次電子によって照射されるべき該はく窓に隣接し
    た固定の又は移動している帯状材料に2次電子を衝突さ
    せるようにした請求項第2項記載のイオンプラズマ電子
    銃。 4)2次電子が伝送されて該固定の又は移動している帯
    状材料に衝突する時間を変化させてパルスを形成し、帯
    状材料が2次電子により連続的に照射されたとした場合
    に受けるべき線量の100〜1の範囲において調節自在
    な2次電子の線量を帯状材料の単位長さが受けるように
    した請求項第3項記載のイオンプラズマ電子銃。 5)2次電子の最小のパルスが、プラズマ室を通るプラ
    ズマを形成するのに必要な時間によって定まる請求項第
    1項記載のイオンプラズマ電子銃。 6)互に隣接した第1室及び第2室を形成し、これらの
    室の間の開口を備えている、電導性の排気されたハウジ
    ングと、該第1室中に正イオンを発生させる発生手段と
    、該ハウジングから隔てられ且つ絶縁された関係におい
    て、該第2室中に配され、2次電子放出面を備えている
    、陰極と、負の高電圧を該陰極と該ハウジングとの間に
    適用して該陰極により正イオンを該第1室から該第2室
    に取出して該陰極の該2次電子放出面に衝突させ該2次
    電子放出面から2次電子を放出させる電圧適用手段と、
    該陰極に指向する該第1室の先端において該ハウジング
    の開口の上方に延在する電導性−電子透過性のはくとを
    有し、該はくは、2次電子のための陽極を形成するよう
    に、該ハウジングに電気的に接続され、該2次電子が電
    子ビームとして該はくを通過するようになっており、そ
    のほかに、該陰極の該2次電子放出面に隣接して該第2
    室中に取付けられた電導性抽出格子を有し、該抽出格子
    は、該ハウジングに連結されて、該2次電子放出面に静
    電界を形成し、該格子中の開口を経て2次電子を該第1
    室中に移行させ、そのほかに、該はくに隣接して該第1
    室中に取付けてあり、該はく及び該ハウジングに連結さ
    れている、電導性支持格子を有し、該支持格子は、該は
    くを支持すると共に、該抽出格子と共働して2次電子を
    該はくに向って加速させるようにした、イオンプラズマ
    電子銃から、2次電子を形成するために、該イオンプラ
    ズマ電子銃によって照射されるべき固定の又は移動して
    いる帯状材料に衝突する2次電子の線量を変化させ、該
    はくを通って2次電子が伝送される時間を変化させて該
    2次電子のパルスを発生させることを含む2次電子の形
    成方法。 7)該はくを通って伝送される2次電子の放出時間を変
    化させる間、該2次電子の強度を実質的に一定に保つ請
    求項第6項記載の2次電子の形成方法。 8)2次電子がはくを経て伝送されて該固定の又は移動
    している帯状材料と衝突する時間を、該帯状材料が該2
    次電子によって連続的に照射されたとした場合に受ける
    べき線量100〜1の範囲に亘って可変又は可調節とす
    る請求項第7項記載の2次電子の形成方法。 9)2次電子の最小パルスをプラズマ室に亘ってプラズ
    マを形成するのに必要な時間によって定める請求項第6
    項記載の2次電子の形成方法。
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