JPS63279410A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS63279410A JPS63279410A JP11434687A JP11434687A JPS63279410A JP S63279410 A JPS63279410 A JP S63279410A JP 11434687 A JP11434687 A JP 11434687A JP 11434687 A JP11434687 A JP 11434687A JP S63279410 A JPS63279410 A JP S63279410A
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- film magnetic
- magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気コアやコイル導体2層間絶縁膜等が薄膜
形成技術により形成される薄膜磁気ヘッドに関するもの
であり、詳細には薄膜部を補強し磁気記録媒体に対する
当たりを確保するために設けられる保護板の改良に関す
るものである。
形成技術により形成される薄膜磁気ヘッドに関するもの
であり、詳細には薄膜部を補強し磁気記録媒体に対する
当たりを確保するために設けられる保護板の改良に関す
るものである。
本発明は、3膜磁気ヘツドの保護板を酸化ジルコニウム
を主成分とするセラミックスとすることにより、 走行性や耐摩耗性の向上を図り、ドロップアウトや減磁
を抑制しようとするものである。
を主成分とするセラミックスとすることにより、 走行性や耐摩耗性の向上を図り、ドロップアウトや減磁
を抑制しようとするものである。
磁気記録の分野においては、近年高密度記録技術が進歩
し、磁気ヘッドとしてもフォトリソ技術を使用し多チャ
ンネル化が容易な薄■り磁気へンドの応用が多様化して
きている。
し、磁気ヘッドとしてもフォトリソ技術を使用し多チャ
ンネル化が容易な薄■り磁気へンドの応用が多様化して
きている。
上記薄膜磁気ヘッドは、ヘッドを小型化する上で有利で
あるばかりか、ギャップ長のコントロールが容易で狭ギ
ャップ化が可能であること、記録磁界が象、峻で高密度
記録に適していること、多数のヘッド素子を一括形成す
ることが可能で均質なものを大量生産できること、等の
数々の利点を有している。
あるばかりか、ギャップ長のコントロールが容易で狭ギ
ャップ化が可能であること、記録磁界が象、峻で高密度
記録に適していること、多数のヘッド素子を一括形成す
ることが可能で均質なものを大量生産できること、等の
数々の利点を有している。
ところで、一般に薄膜磁気ヘッドは、フォトリソ技術に
よって磁気回路部の形成が完了されたへラドチップと、
薄膜により構成される磁気回路部を補強する保護板とを
、有機接着剤あるいは無機接着剤にて接合し、しかる後
に加工1組立て等の工程を経て完成されている。
よって磁気回路部の形成が完了されたへラドチップと、
薄膜により構成される磁気回路部を補強する保護板とを
、有機接着剤あるいは無機接着剤にて接合し、しかる後
に加工1組立て等の工程を経て完成されている。
この場合、上記保護板の材質としては、ガラスセラミッ
クスや非磁性フェライト材(例えばZnフェライト)、
セラミックス材(チタン酸バリウム、チタン酸カリウム
等)等が主流である。
クスや非磁性フェライト材(例えばZnフェライト)、
セラミックス材(チタン酸バリウム、チタン酸カリウム
等)等が主流である。
しかしながら、たとえばガラスセラミックスは、γ−F
e20=系の磁性粉末を使用した磁気記録媒体ではそれ
程問題なく使用されているが、狭トラツク対応走行や高
抗磁力メタルテープ走行においては、摩擦係数が高くこ
れらの磁気記録媒体に対するテープダメージ、たとえば
傷付きによるドロップアウトの増加(デジタル仕様では
エラーレートの増加)や、いわゆるテープ鳴きの要因と
なっている。
e20=系の磁性粉末を使用した磁気記録媒体ではそれ
程問題なく使用されているが、狭トラツク対応走行や高
抗磁力メタルテープ走行においては、摩擦係数が高くこ
れらの磁気記録媒体に対するテープダメージ、たとえば
傷付きによるドロップアウトの増加(デジタル仕様では
エラーレートの増加)や、いわゆるテープ鳴きの要因と
なっている。
一方、非磁性フェライト材やチタン酸バリウム。
チタン酸カリウム等のセラミックス材は、ボイド(穴)
が多く摩擦係数も大きいばかりか、結晶粒の脱落も多く
、減磁要因もさることながらドロップアウトにも影響が
大きい。また、これら材料は一般に摩耗に対して弱く、
耐摩耗性の向上が必要とされている。
が多く摩擦係数も大きいばかりか、結晶粒の脱落も多く
、減磁要因もさることながらドロップアウトにも影響が
大きい。また、これら材料は一般に摩耗に対して弱く、
耐摩耗性の向上が必要とされている。
以上のように、高密度記録化に対応せんとする薄膜磁気
ヘッドにおいては、特に走行性の観点から保護板に対す
る要求に厳しいものがある。
ヘッドにおいては、特に走行性の観点から保護板に対す
る要求に厳しいものがある。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、テープ走行による損傷を改善し、耐摩耗
性に優れ高密度記録可能な薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とを目的とする。
ものであって、テープ走行による損傷を改善し、耐摩耗
性に優れ高密度記録可能な薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板に保護板が接
合されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも上記
保護板が酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックス
により形成されたことを特徴とするものである。
は、薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板に保護板が接
合されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも上記
保護板が酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックス
により形成されたことを特徴とするものである。
酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックスは、いわ
ゆるボイド(穴)が少なく、メタルテープに対しても低
い摩擦係数を示す。
ゆるボイド(穴)が少なく、メタルテープに対しても低
い摩擦係数を示す。
したがって、これにより保護板を形成すれば、走行性を
含めて高密度記録に対応可能となる。
含めて高密度記録に対応可能となる。
〔実施例]
以下、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
薄膜磁気ヘッドは、第1図及び第2図に示すように、基
板(1)上にコイル導体(2)や上部磁性膜(3)等か
らなり各々磁気回路部として作動する薄膜磁気ヘッド素
子(10)を複数形成してなるものである。
板(1)上にコイル導体(2)や上部磁性膜(3)等か
らなり各々磁気回路部として作動する薄膜磁気ヘッド素
子(10)を複数形成してなるものである。
上記基板(1)は、下部磁性体としての役割を果たすも
のであって、Mn−Znフェライト基板やNi−Znフ
ェライト基板等の酸化物磁性基板が使用される。あるい
は、基板(1)にセラミックス等の非磁性基板を使用し
、この上に下部磁性膜を形成して下部磁性体としてもよ
いが、前述のように酸化物磁性基板を使用した場合と比
較して、再生効率が1dB程度低下すること、隣接ヘッ
ドへの電流や磁束の流れ込みによりクロストークの問題
が生じ効率の点でも不利であること、磁性膜の膜組成が
成膜条件等により微妙に変化し安定性に欠けること、下
部磁性膜の形成によりエツチングプロセス等の工数が増
えること、等が問題となる。
のであって、Mn−Znフェライト基板やNi−Znフ
ェライト基板等の酸化物磁性基板が使用される。あるい
は、基板(1)にセラミックス等の非磁性基板を使用し
、この上に下部磁性膜を形成して下部磁性体としてもよ
いが、前述のように酸化物磁性基板を使用した場合と比
較して、再生効率が1dB程度低下すること、隣接ヘッ
ドへの電流や磁束の流れ込みによりクロストークの問題
が生じ効率の点でも不利であること、磁性膜の膜組成が
成膜条件等により微妙に変化し安定性に欠けること、下
部磁性膜の形成によりエツチングプロセス等の工数が増
えること、等が問題となる。
コイル導体(2)は、所定の巻数を有する渦巻状に形成
されるものであって、通常は基板(1)の全面にCu、
A1等の導電金属材料を被着した後、所定形状にパター
ンエツチングすることにより形成される。なお、コイル
導体(2)の巻数や巻回方式等はこの例に限定されるも
のではなく、たとえば巻回方式はスパイラル型、ヘリカ
ル型、ジグザグ型等、如何なるものであってもよい。巻
回されるコイル導体(2)の各巻線間は、SiO□等の
絶縁膜(4)によって電気的に分離されている。
されるものであって、通常は基板(1)の全面にCu、
A1等の導電金属材料を被着した後、所定形状にパター
ンエツチングすることにより形成される。なお、コイル
導体(2)の巻数や巻回方式等はこの例に限定されるも
のではなく、たとえば巻回方式はスパイラル型、ヘリカ
ル型、ジグザグ型等、如何なるものであってもよい。巻
回されるコイル導体(2)の各巻線間は、SiO□等の
絶縁膜(4)によって電気的に分離されている。
上記コイル導体(2)上には、絶縁膜(4)を介して上
部磁性膜(5)が被着形成されている。この上部磁性膜
(5)は、上記コイル導体(2)の巻回中心から磁気記
録媒体対接面に跨がって形成され、上記コイル導体(2
)の巻回中心では絶縁膜(4)に設けられた窓部を介し
て基板(1)と磁気的に結合されてパックギャップを形
成するとともに、磁気記録媒体対接面近傍では、5iO
zやT a 、O3等のギャップスペーサを挾んで基板
(1)と対向し、作動ギャップgを構成している。
部磁性膜(5)が被着形成されている。この上部磁性膜
(5)は、上記コイル導体(2)の巻回中心から磁気記
録媒体対接面に跨がって形成され、上記コイル導体(2
)の巻回中心では絶縁膜(4)に設けられた窓部を介し
て基板(1)と磁気的に結合されてパックギャップを形
成するとともに、磁気記録媒体対接面近傍では、5iO
zやT a 、O3等のギャップスペーサを挾んで基板
(1)と対向し、作動ギャップgを構成している。
上部磁性膜(5)の材質としては、通常この種の磁気ヘ
ッドにおいて磁性膜として用いられる材料であれば何れ
も使用でき、例えば強磁性非晶質合金(いわゆるアモル
ファス合金)や、Fe−Al1!−3i系合金、Ni−
Fe系合金、Fe−Aj!系合金、Fe−3i系合金、
Fe−3i−Co系合金、Fe−Ga−3i系合金等の
結晶質強磁性合金等が使用される。これら合金膜は、単
層膜で上部磁性膜(5)としてもよいが、S i Ot
+ T a O5゜Affi2es、 Z r O
x、 S i、Na等の高耐摩耗性絶縁膜またはフェ
ライト等の酸化物磁性薄膜と交互に積層した構造として
も良い。
ッドにおいて磁性膜として用いられる材料であれば何れ
も使用でき、例えば強磁性非晶質合金(いわゆるアモル
ファス合金)や、Fe−Al1!−3i系合金、Ni−
Fe系合金、Fe−Aj!系合金、Fe−3i系合金、
Fe−3i−Co系合金、Fe−Ga−3i系合金等の
結晶質強磁性合金等が使用される。これら合金膜は、単
層膜で上部磁性膜(5)としてもよいが、S i Ot
+ T a O5゜Affi2es、 Z r O
x、 S i、Na等の高耐摩耗性絶縁膜またはフェ
ライト等の酸化物磁性薄膜と交互に積層した構造として
も良い。
このように、コイル導体(2)、上部磁性膜(5)等に
より構成される薄膜磁気ヘッド素子(10)が形成され
た基板(1)には、保護板(6)がガラス融着等の手法
により接合一体化されている。なお、本実施例では、4
50’C〜550’C,窒素+酸素雰囲気中で融着炉を
使ってガラス接合法番こより接合した。
より構成される薄膜磁気ヘッド素子(10)が形成され
た基板(1)には、保護板(6)がガラス融着等の手法
により接合一体化されている。なお、本実施例では、4
50’C〜550’C,窒素+酸素雰囲気中で融着炉を
使ってガラス接合法番こより接合した。
接合方法としてはこれに限らず、各種の無機接着剤や有
機接着剤等を使用して接合するようにしてもよい。
機接着剤等を使用して接合するようにしてもよい。
作製されたTRpQ磁気ヘッドの外観を第3図に示す。
この薄膜磁気ヘッドにおいては、基板(1)および保護
板(6)により磁気記録媒体対接面が構成されることに
なる。
板(6)により磁気記録媒体対接面が構成されることに
なる。
そこで、本実施例では、上記保護板(6)に酸化ジルコ
ニウムを主成分とするセラミックス(ジルコニアセラミ
ックス)を使用することとした。
ニウムを主成分とするセラミックス(ジルコニアセラミ
ックス)を使用することとした。
酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックスは、Zr
0z にCaO,TiC,MgO,YxOs等の安定化
剤と称する酸化物を添加し焼成したもので、これら安定
化剤を添加することで立方晶の安定化領域が拡大され、
機械的強度に優れた焼結体が得られる。かかるジルコニ
アセラミックスとしては、具体的には東し社製、商品名
トレセラム等が挙げられる。
0z にCaO,TiC,MgO,YxOs等の安定化
剤と称する酸化物を添加し焼成したもので、これら安定
化剤を添加することで立方晶の安定化領域が拡大され、
機械的強度に優れた焼結体が得られる。かかるジルコニ
アセラミックスとしては、具体的には東し社製、商品名
トレセラム等が挙げられる。
本発明者等が前述のジルコニアセラミックスを保護板(
6)とする薄膜磁気ヘッドを作製し、ガラスセラミック
スやチタン酸バリウム、チタン酸カリウムを保護板(6
)とした場合と摩擦係数、テープダメージ等を比較した
ところ、ジルコニアセラミックスが他の材料の組合せよ
りも優れていることが証明された。たとえば、ガラスセ
ラミックスではメタルテープに対する摩擦係数が特に大
きくヘッド部でテープダメージが発生している虞れがあ
り、チタン酸バリウムでは摩擦係数は比較的小さいもの
の、ボイドが大きく減磁要因となる可能性が大であった
。また、チタン酸カリウムでは、摩擦係数が大きくボイ
ドもあり、減磁、ドロップアウトの要因となる可能性が
大であった。これに対して、ジルコニアセラミックスを
使用した場合には、メタルテープに対しても摩擦係数が
小さく、ボイドも浅<減磁やテープダメージにほとんど
影響を与えないものであった。
6)とする薄膜磁気ヘッドを作製し、ガラスセラミック
スやチタン酸バリウム、チタン酸カリウムを保護板(6
)とした場合と摩擦係数、テープダメージ等を比較した
ところ、ジルコニアセラミックスが他の材料の組合せよ
りも優れていることが証明された。たとえば、ガラスセ
ラミックスではメタルテープに対する摩擦係数が特に大
きくヘッド部でテープダメージが発生している虞れがあ
り、チタン酸バリウムでは摩擦係数は比較的小さいもの
の、ボイドが大きく減磁要因となる可能性が大であった
。また、チタン酸カリウムでは、摩擦係数が大きくボイ
ドもあり、減磁、ドロップアウトの要因となる可能性が
大であった。これに対して、ジルコニアセラミックスを
使用した場合には、メタルテープに対しても摩擦係数が
小さく、ボイドも浅<減磁やテープダメージにほとんど
影響を与えないものであった。
また、ヘッド摩耗に関しても、従来のフォトセラムに比
べて3倍以上の長寿命化が確認された。
べて3倍以上の長寿命化が確認された。
すなわち、Co被被着−FezOzを磁性粉末とする磁
気テープを室温で76cm/秒の速さで100時間走行
させ、保護板(6)をガラスセラミックスとした場合と
ジルコニアセラミックスとした場合の摩耗量を比べた。
気テープを室温で76cm/秒の速さで100時間走行
させ、保護板(6)をガラスセラミックスとした場合と
ジルコニアセラミックスとした場合の摩耗量を比べた。
結果を次表に示す。
表
この表からも明らかなように、従来用いられていたガラ
スセラミックス等に比べ、ジルコニアセラミックスは薄
n9磁気ヘッドの保護材として有用なものであると言え
る。
スセラミックス等に比べ、ジルコニアセラミックスは薄
n9磁気ヘッドの保護材として有用なものであると言え
る。
ところで、本発明において、ジルコニアセラミックスの
保護材としての利用法は、第3図に示すように保護板(
6)として貼り合わせるものに限定されるものではなく
、たとえば第4図に示すように基板(1)の保護板(6
)接合面とは反対側の面にもジルコニアセラミック板(
7)を貼り付けるようにしてもよい、このように、基板
(1)の両側からジルコニアセラミックスで挾み付ける
ようにすれば、偏摩耗が防止され、走行性がより一層安
定する。
保護材としての利用法は、第3図に示すように保護板(
6)として貼り合わせるものに限定されるものではなく
、たとえば第4図に示すように基板(1)の保護板(6
)接合面とは反対側の面にもジルコニアセラミック板(
7)を貼り付けるようにしてもよい、このように、基板
(1)の両側からジルコニアセラミックスで挾み付ける
ようにすれば、偏摩耗が防止され、走行性がより一層安
定する。
あるいは、第5図に示すように、基板(1)の一部〔薄
膜磁気ヘッド素子(10)が形成される領域以外の部分
〕にジルコニアセラミックス片(8)を接合して埋め込
むようにしてもよい。これにより、磁気記録媒体対接面
にジルコニアセラミックスが占める割合が拡大され、や
はりより一層の耐摩耗性の向上を図ることが可能となる
。
膜磁気ヘッド素子(10)が形成される領域以外の部分
〕にジルコニアセラミックス片(8)を接合して埋め込
むようにしてもよい。これにより、磁気記録媒体対接面
にジルコニアセラミックスが占める割合が拡大され、や
はりより一層の耐摩耗性の向上を図ることが可能となる
。
前述のように基板(1)の一部にジルコニアセラミック
ス(8)を埋め込むには、たとえば第6図に示すように
、コイル導体(2)や上部磁性体(3)からなる薄膜磁
気ヘッド素子(10)間の領域を略矩形状に切取り、こ
れに合わせた大きさ、形状を有するジルコニアセラミッ
クス片(8)を嵌合し無機接着剤や有機接着剤等で接合
した後、第7図に示すように、別体として形成された保
護板(6)を上記薄膜磁気・\ラド素子(10)側から
接合一体化すればよい。
ス(8)を埋め込むには、たとえば第6図に示すように
、コイル導体(2)や上部磁性体(3)からなる薄膜磁
気ヘッド素子(10)間の領域を略矩形状に切取り、こ
れに合わせた大きさ、形状を有するジルコニアセラミッ
クス片(8)を嵌合し無機接着剤や有機接着剤等で接合
した後、第7図に示すように、別体として形成された保
護板(6)を上記薄膜磁気・\ラド素子(10)側から
接合一体化すればよい。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板に保護板が接合さ
れてなる′yi膜磁気ヘッドの前記保護板を酸化ジルコ
ニウムを主成分とするセラミックスにより形成している
ので、メクルテープに対しても摩擦係数が小さくなって
ドロップアウトが減少するとともに、ボイド(穴)が非
常に少ないことから減磁も大幅に改善される。したがっ
て、走行性に優れ高密度記録に対応可能な薄sm気ヘッ
ドを提供することが可能となる。
薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板に保護板が接合さ
れてなる′yi膜磁気ヘッドの前記保護板を酸化ジルコ
ニウムを主成分とするセラミックスにより形成している
ので、メクルテープに対しても摩擦係数が小さくなって
ドロップアウトが減少するとともに、ボイド(穴)が非
常に少ないことから減磁も大幅に改善される。したがっ
て、走行性に優れ高密度記録に対応可能な薄sm気ヘッ
ドを提供することが可能となる。
また、酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックスは
耐摩耗性にも優れることから、薄膜磁気ヘッドの長寿命
化を図ることも可能である。
耐摩耗性にも優れることから、薄膜磁気ヘッドの長寿命
化を図ることも可能である。
第1図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの要部概略分
解斜視図、第2図は第1図A−A線位置での断面図、第
3図はその外観斜視図である。 第4図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの他の例を示
す外観斜視図、第5図はさらに他の例を示す外観斜視図
である。 第6図および第7図は第5図に示す薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す概略斜視図であり、第6図はジルコニアセ
ラミックス片の基板への取付は工程、第7図は保護板の
接合工程をそれぞれ示す。 l ・ ・ ・ 1−1;讐反 2・・・コイル導体 3・・・上部磁性膜 6 ・ ・ ・ 保護讐反 第3図 第4図 第5区
解斜視図、第2図は第1図A−A線位置での断面図、第
3図はその外観斜視図である。 第4図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの他の例を示
す外観斜視図、第5図はさらに他の例を示す外観斜視図
である。 第6図および第7図は第5図に示す薄膜磁気ヘッドの製
造工程を示す概略斜視図であり、第6図はジルコニアセ
ラミックス片の基板への取付は工程、第7図は保護板の
接合工程をそれぞれ示す。 l ・ ・ ・ 1−1;讐反 2・・・コイル導体 3・・・上部磁性膜 6 ・ ・ ・ 保護讐反 第3図 第4図 第5区
Claims (1)
- 薄膜磁気ヘッド素子が形成された基板に保護板が接合さ
れてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも上記保護
板が酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックスによ
り形成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11434687A JPS63279410A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11434687A JPS63279410A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63279410A true JPS63279410A (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14635460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11434687A Pending JPS63279410A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63279410A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6172682A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-14 | 日立金属株式会社 | 磁気ヘツド用ジルコニア基板 |
JPS61106455A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-24 | 日立金属株式会社 | ジルコニアセラミツクス |
JPS6282508A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-16 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11434687A patent/JPS63279410A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61106455A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-24 | 日立金属株式会社 | ジルコニアセラミツクス |
JPS6172682A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-14 | 日立金属株式会社 | 磁気ヘツド用ジルコニア基板 |
JPS6282508A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-16 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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