JPS63274678A - 高熱伝導性セラミックス基板 - Google Patents
高熱伝導性セラミックス基板Info
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- JPS63274678A JPS63274678A JP10834287A JP10834287A JPS63274678A JP S63274678 A JPS63274678 A JP S63274678A JP 10834287 A JP10834287 A JP 10834287A JP 10834287 A JP10834287 A JP 10834287A JP S63274678 A JPS63274678 A JP S63274678A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は窒化アルミニウム（ＡＱＮ）を主成分とした高
熱伝導性セラミックス基板に金属ニッケルを接合（メタ
ライズ）したヒートシンク、ハイブリッドＩＣ基板、Ｌ
ＳＩパッケージ等の半導体装用の高熱伝導性セラミック
ス基板に関する。
熱伝導性セラミックス基板に金属ニッケルを接合（メタ
ライズ）したヒートシンク、ハイブリッドＩＣ基板、Ｌ
ＳＩパッケージ等の半導体装用の高熱伝導性セラミック
ス基板に関する。
（従来の技術）
ＡＱＮは従来のセラミックス基板であるアルミナ（＾Ｑ
２０．）の５〜１０倍の高熱伝導性を示すため、高密度
実装用半導体基板材料として注目されている。そこで導
体形成のための金属化処理（メタライズ）技術が不可欠
である。しかしながら、ＡＱＮは金属との濡れ性が悪い
ためにメタライズが困難であった０例えば、特開昭５９
−４０４０４のように、＾ＱＮ基板に酸化物層を形成し
てメタライズするなどの改良は試みられているが、十分
な接合強度は得られなかった。また、特開昭５３−１０
２３１０のようにＳｉ、＾Ｑ 、Ｈｇ、Ｃａ、Ｆｅ等の
金属酸化物層を介して、 Ｎｏ、ＭｎＪ等の接合する方
法が報告されているが、例えばＮｏ−Ｍｎ粉末を含むペ
ーストを塗布、乾燥後に１３００℃湿潤Ｈ２雰囲気で加
熱処理することが必要であった。
２０．）の５〜１０倍の高熱伝導性を示すため、高密度
実装用半導体基板材料として注目されている。そこで導
体形成のための金属化処理（メタライズ）技術が不可欠
である。しかしながら、ＡＱＮは金属との濡れ性が悪い
ためにメタライズが困難であった０例えば、特開昭５９
−４０４０４のように、＾ＱＮ基板に酸化物層を形成し
てメタライズするなどの改良は試みられているが、十分
な接合強度は得られなかった。また、特開昭５３−１０
２３１０のようにＳｉ、＾Ｑ 、Ｈｇ、Ｃａ、Ｆｅ等の
金属酸化物層を介して、 Ｎｏ、ＭｎＪ等の接合する方
法が報告されているが、例えばＮｏ−Ｍｎ粉末を含むペ
ーストを塗布、乾燥後に１３００℃湿潤Ｈ２雰囲気で加
熱処理することが必要であった。
（発明が解決しようとする問題点）
このような湿潤（ウェット）Ｈ２雰囲気での高温加熱処
理のための電気炉は非常に高価であり、またＨ２ガス取
り扱いに伴う爆発の危険性もあり、生産コストが高くな
る原因でもあった。さらに、前記のメタライズ方法によ
る金属と＾ｉＮセラミックスの接合界面には中間層とし
てアルミナ層や＾Ｑ ２０３−３ｉＯ□−ＭｎＯ系等の
複合酸化物層が形成されるため、発熱源である半導体素
子をメタライズ面」二に実装した場合にはこのような中
間層は高熱伝導性を有する基板への効率良い熱伝達の防
げとなる。さらに、Ｈａ−にｎ、Ｗ−Ｍｎ法でメタライ
ズした場合にはＷ、Ｎｏ導体にＮｉメッキして使用する
必要があるため、全工程が複雑であるといった問題もあ
った。
理のための電気炉は非常に高価であり、またＨ２ガス取
り扱いに伴う爆発の危険性もあり、生産コストが高くな
る原因でもあった。さらに、前記のメタライズ方法によ
る金属と＾ｉＮセラミックスの接合界面には中間層とし
てアルミナ層や＾Ｑ ２０３−３ｉＯ□−ＭｎＯ系等の
複合酸化物層が形成されるため、発熱源である半導体素
子をメタライズ面」二に実装した場合にはこのような中
間層は高熱伝導性を有する基板への効率良い熱伝達の防
げとなる。さらに、Ｈａ−にｎ、Ｗ−Ｍｎ法でメタライ
ズした場合にはＷ、Ｎｏ導体にＮｉメッキして使用する
必要があるため、全工程が複雑であるといった問題もあ
った。
（問題点を解決するための手段）
本発明者はこのような点に対処して鋭意研究分進めた結
果、ＩＮを主成分としたセラミックス基板と金属ニッケ
ルとの間に二・・ｌケル−アルミニウム音金層を止在さ
せることにより＾９Ｎセラミックス基板と金属ニッケル
とが強固に結合され、良好なメタライズが達成できるこ
とを見出した。
果、ＩＮを主成分としたセラミックス基板と金属ニッケ
ルとの間に二・・ｌケル−アルミニウム音金層を止在さ
せることにより＾９Ｎセラミックス基板と金属ニッケル
とが強固に結合され、良好なメタライズが達成できるこ
とを見出した。
（作用）
本発明の目的は、従来のＭｏ−Ｍｎ法やＷｌｌｎ法のよ
うな危険性を伴う高温のウェットＨ２雰囲気の加熱処理
を必要とせず、生産コストの安いＡｒガス、真空雰囲気
で加熱処理して得られる＾ｆｌＮセラミックスとＮｉ金
属が＾１ｌ−Ｎｉ合金層で強固に接合された＾ＵＮセラ
ミックス基板を提供することにある。また本発明の＾Ｕ
Ｎセラミックス基板には従来のＨａ−Ｍｎ法やｗＭｎ法
のように接合界面にアルミス層や＾Ｑ ２０３−Ｓｉ０
２−ＭｎＯ系等のような熱伝導の阻害となる中間酸化物
層を含まず、熱伝導性の良い＾Ｑ−Ｎｉ合金層が形成さ
れるため、熱放散に効果的であるといった特徴もある。
うな危険性を伴う高温のウェットＨ２雰囲気の加熱処理
を必要とせず、生産コストの安いＡｒガス、真空雰囲気
で加熱処理して得られる＾ｆｌＮセラミックスとＮｉ金
属が＾１ｌ−Ｎｉ合金層で強固に接合された＾ＵＮセラ
ミックス基板を提供することにある。また本発明の＾Ｕ
Ｎセラミックス基板には従来のＨａ−Ｍｎ法やｗＭｎ法
のように接合界面にアルミス層や＾Ｑ ２０３−Ｓｉ０
２−ＭｎＯ系等のような熱伝導の阻害となる中間酸化物
層を含まず、熱伝導性の良い＾Ｑ−Ｎｉ合金層が形成さ
れるため、熱放散に効果的であるといった特徴もある。
さらにＬＭｎ法やＨａ−＞ｉｎ法でのＮｉメッキの工程
も不必要となり低コス）〜化に極めて有効な長所もある
。
も不必要となり低コス）〜化に極めて有効な長所もある
。
次に本発明について詳細に説明する。
本発明は＾ＵＮを主成分としたセラミックス基板と金属
ニッケルとが、ニッケル−アルミニウム合金層を介在し
て接合されていることを特徴とする高熱伝導性セラミッ
クス基板である。Ｎ１−Ａ２層は＾ＵＮセラミックスお
よび金属Ｎｉの両者と反応し、両者を強固に接合する作
用を有する非常に重要なものである。
ニッケルとが、ニッケル−アルミニウム合金層を介在し
て接合されていることを特徴とする高熱伝導性セラミッ
クス基板である。Ｎ１−Ａ２層は＾ＵＮセラミックスお
よび金属Ｎｉの両者と反応し、両者を強固に接合する作
用を有する非常に重要なものである。
本発明での＾ＱＮを主成分とするセラミックス基板は好
しくけ純度が９０％以上であり、焼結のために使用され
たアルカリ土類金属（Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ等）や６１土類
金属（Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、ｌｌｏ、Ｃｅ等）
のアルミネ−１〜（Ｃａ−Ａ Ｑ −０やＹ−＾駐−０
等）を含有しても良い。
しくけ純度が９０％以上であり、焼結のために使用され
たアルカリ土類金属（Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ等）や６１土類
金属（Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、ｌｌｏ、Ｃｅ等）
のアルミネ−１〜（Ｃａ−Ａ Ｑ −０やＹ−＾駐−０
等）を含有しても良い。
本発明での＾ＱＮに接合する金属ニッケルとしてはニッ
ケル粉末にエチルセルロース、ブチルカルピト−ル等の
バインダーとトルエン、アセトン等の溶剤を加えベース
ト化して通常のスクリーン印刷法で塗布したｆ＆＋ｏｏ
ｏ〜１３００℃真空、Ａｒガス中で加熱処理して得られ
る厚膜法、厚さ２０〜５０μｍのニラゲル箔の熱圧着法
、厚さ１〜５ ＋＋＋ｉのブロック状Ｎ＋金属を接合す
る方法、Ｎｉターゲットを使用したスバ・ツタ法、Ｎｉ
蒸着源を使用した蒸着法、めっき法、等が利用可能であ
る。金属ニッケルの純度は９５％以上、好ましくは９Ｂ
？≦以上が望ましい。
ケル粉末にエチルセルロース、ブチルカルピト−ル等の
バインダーとトルエン、アセトン等の溶剤を加えベース
ト化して通常のスクリーン印刷法で塗布したｆ＆＋ｏｏ
ｏ〜１３００℃真空、Ａｒガス中で加熱処理して得られ
る厚膜法、厚さ２０〜５０μｍのニラゲル箔の熱圧着法
、厚さ１〜５ ＋＋＋ｉのブロック状Ｎ＋金属を接合す
る方法、Ｎｉターゲットを使用したスバ・ツタ法、Ｎｉ
蒸着源を使用した蒸着法、めっき法、等が利用可能であ
る。金属ニッケルの純度は９５％以上、好ましくは９Ｂ
？≦以上が望ましい。
本発明はＩＬＮセラミックスと金属ニッケルとの接合（
メタライズ〉界面においてＮｉ−＾見合金層が両者と強
固に結きしてへＱＮセラミックスと金属ニッケルを直後
接合させた高熱伝導性ＡＩＩＮセラミックス基板である
。この場合の中間層であるＮｉ〜＾Ｑ合金層はＮ１−Ａ
Ｉｊ系合金の粉末、箔、めっき、蒸着膜、スパッタ膜
、ペーストのいずれの方法でも可能である。特にＮ１−
Ａ Ｑ系のペーストによる厚膜やスパッタによる薄膜の
場合に強制な結合が得られる。またＮｉ−八発合金層を
前記した様な方法でＡＩＩＮセラミックスとＮｉ金属と
の間に中間層として別途もうけなくても、へＡＮセラミ
ックス上に直接金属Ｎｉを形成した後、１ｏｏｏ〜１３
００℃で真空、Ａｒガス中で加熱処理することによって
も＾ＵＮセラミックスとＮｉ金属の接合界面においてＮ
ｉ−＾Ｑき金層が形成され、強固な接合が得られる。
メタライズ〉界面においてＮｉ−＾見合金層が両者と強
固に結きしてへＱＮセラミックスと金属ニッケルを直後
接合させた高熱伝導性ＡＩＩＮセラミックス基板である
。この場合の中間層であるＮｉ〜＾Ｑ合金層はＮ１−Ａ
Ｉｊ系合金の粉末、箔、めっき、蒸着膜、スパッタ膜
、ペーストのいずれの方法でも可能である。特にＮ１−
Ａ Ｑ系のペーストによる厚膜やスパッタによる薄膜の
場合に強制な結合が得られる。またＮｉ−八発合金層を
前記した様な方法でＡＩＩＮセラミックスとＮｉ金属と
の間に中間層として別途もうけなくても、へＡＮセラミ
ックス上に直接金属Ｎｉを形成した後、１ｏｏｏ〜１３
００℃で真空、Ａｒガス中で加熱処理することによって
も＾ＵＮセラミックスとＮｉ金属の接合界面においてＮ
ｉ−＾Ｑき金層が形成され、強固な接合が得られる。
本発明での＾ＩＩＮセラミ・ソクスとＮｉ金属との接合
界面でのＮｉ−＾９系合金層はＮｉの含有量が１０〜９
５重景％が重量しい。
界面でのＮｉ−＾９系合金層はＮｉの含有量が１０〜９
５重景％が重量しい。
（実施例１）
Ｃａｌｌ ２Ａ Ｑ ｚｏ３（Ｃａとして ０．２重量
％〉を含むＡＱＮセラミックス基板上にＮ１−Ａ２合金
粉末（平均粒径２μｍ、Ｎｉ含有量６８重量％）ペース
トを使用したスクリーン印刷法により約ｌＯμｍ厚さの
塗布層を形成した。この上に厚さ １００μｍ、純度９
９％のＮｉ金属箔をのせ、１ｋｇ／ｃｍ２の機械的圧力
を接合面に加えた状態で１３００℃真空中で１時間加熱
処理した。その後この上にへｇ−Ｃｕロー材を用いて２
×１ａｌｌのコバール（コバルトと鉄を含むニッケル合
金）板を ９００℃、１０分間でロー付けして貼り合せ
、その接合強度を測定したところ、引張り強度として５
〜］ Ｏｋｇ ／ｍ ｍ”と極めて高い値を示した。接
合部でのｌ＋ｌｉ断は全てセラミックスで生じており、
Ｎ１−Ａ Ｑ合金層でＡＩＩＮセラミックスとＮｉ金属
箔の接合に有効に作用した。
％〉を含むＡＱＮセラミックス基板上にＮ１−Ａ２合金
粉末（平均粒径２μｍ、Ｎｉ含有量６８重量％）ペース
トを使用したスクリーン印刷法により約ｌＯμｍ厚さの
塗布層を形成した。この上に厚さ １００μｍ、純度９
９％のＮｉ金属箔をのせ、１ｋｇ／ｃｍ２の機械的圧力
を接合面に加えた状態で１３００℃真空中で１時間加熱
処理した。その後この上にへｇ−Ｃｕロー材を用いて２
×１ａｌｌのコバール（コバルトと鉄を含むニッケル合
金）板を ９００℃、１０分間でロー付けして貼り合せ
、その接合強度を測定したところ、引張り強度として５
〜］ Ｏｋｇ ／ｍ ｍ”と極めて高い値を示した。接
合部でのｌ＋ｌｉ断は全てセラミックスで生じており、
Ｎ１−Ａ Ｑ合金層でＡＩＩＮセラミックスとＮｉ金属
箔の接合に有効に作用した。
（実施例２）
ＣａＯ・＾Ｑ ２０３（Ｃａとして０．１重量％）を含
むＡｕＮセラミックス基板上に純度ｇ９，５％のＮｉ−
へ発合金ターゲット（Ｎｉ含有量８７％重量％）をスパ
ッタ法にてＮｉ−＾回層を５μｍ厚さに堆積した。この
上に厚さ１ｎＩＩのＮｉ金属ブロックをのせ、約２ｋｇ
／ｃｍ”の機械的圧力を接合面に加えた状態で１１００
℃真空中で３０分間加熱処理した。その後Ａ４−Ｃｕロ
ー材を用いて２Ｘ２＋１１のコバール板を９００℃、１
０分間でロー付けして貼り合せ、その接合強度を測定し
たところ、引張り強度として４〜６ｋｇ／ｍｍ２と極め
て高い値を示した。接合部での破断は全てセラミ・・ノ
クスで生じており、スパッタ膜によるＮｉ−＾Ｑ合金属
が＾ＱＮセラミックスとＮｉ金属プロ・・ツクの接合に
有効に作用した。
むＡｕＮセラミックス基板上に純度ｇ９，５％のＮｉ−
へ発合金ターゲット（Ｎｉ含有量８７％重量％）をスパ
ッタ法にてＮｉ−＾回層を５μｍ厚さに堆積した。この
上に厚さ１ｎＩＩのＮｉ金属ブロックをのせ、約２ｋｇ
／ｃｍ”の機械的圧力を接合面に加えた状態で１１００
℃真空中で３０分間加熱処理した。その後Ａ４−Ｃｕロ
ー材を用いて２Ｘ２＋１１のコバール板を９００℃、１
０分間でロー付けして貼り合せ、その接合強度を測定し
たところ、引張り強度として４〜６ｋｇ／ｍｍ２と極め
て高い値を示した。接合部での破断は全てセラミ・・ノ
クスで生じており、スパッタ膜によるＮｉ−＾Ｑ合金属
が＾ＱＮセラミックスとＮｉ金属プロ・・ツクの接合に
有効に作用した。
（実施例３）
３Ｙ２０３・５Ａ悲２０３（Ｙとして２重量％）を古む
ＡｕＮセラミックス基板上に純度９９％、平均粒径１μ
ｍのＮｉ粉末にエチルセルロース、ブチルカルビ）・−
ル、アセトンを添加したペーストをスクリーン印刷法に
より約１５μｍの厚さで塗布し、乾燥後、１２００℃Ａ
ｒガス雰囲気下で１時間加熱処理してＡｕＮセラミック
ス基板上にＮｉ金属をメタライズした。
ＡｕＮセラミックス基板上に純度９９％、平均粒径１μ
ｍのＮｉ粉末にエチルセルロース、ブチルカルビ）・−
ル、アセトンを添加したペーストをスクリーン印刷法に
より約１５μｍの厚さで塗布し、乾燥後、１２００℃Ａ
ｒガス雰囲気下で１時間加熱処理してＡｕＮセラミック
ス基板上にＮｉ金属をメタライズした。
この上にＡｇ−Ｃｕロー材を用いて２ Ｘ ｌ 龍のコ
バール板を９００℃、５分間でロー付けして貼り合せ、
その接合強度を測定したところ、引張り強度として５〜
７ｋｇ／ｍｍ”と極めて高い値を示した。またＡｕＮセ
ラミックス基板とＮｉ金属層の接合界面を走査型電子顕
微鏡（ＳＥＸ ）とＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ
）で分析したところ、厚さ７μｍのＮｉ金属層が厚さ
４μｍのＸｌ−Ａ２合金層（中間層）を介在してＡｕＮ
セラミックス基板に強固に結合していた。
バール板を９００℃、５分間でロー付けして貼り合せ、
その接合強度を測定したところ、引張り強度として５〜
７ｋｇ／ｍｍ”と極めて高い値を示した。またＡｕＮセ
ラミックス基板とＮｉ金属層の接合界面を走査型電子顕
微鏡（ＳＥＸ ）とＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ
）で分析したところ、厚さ７μｍのＮｉ金属層が厚さ
４μｍのＸｌ−Ａ２合金層（中間層）を介在してＡｕＮ
セラミックス基板に強固に結合していた。
（発明の効果）
本発明によれば＾Ｑ２０３基板の５〜１０倍の高熱伝導
性を示す＾ｕＮを主成分としたセラミックス基板と金属
ニッケルとがＮｉ−へ見台金属を介在して強固に接合さ
れた高熱伝導性セラミックス基板が得られる。また本発
明のＡＩＩＮセラミックス基板は従来のＮｏ−Ｍｎ法や
ＬＭｎ法のように危険性を伴う高温のウェットＨ２雰囲
気を必要とせず、生産性の良い真空、Ａｒガス雰囲気で
生産可能であるといった特長以外にも、従来のＨａ−Ｍ
ｎ法やＶ−Ｍｎ法での接合界面での＾Ｑ２０３層や＾Ｑ
２０３−３ｉ０２−ＭｎＯ系等のような熱伝導の阻害
となる中間酸化物層を含まないため熱放散に効果的であ
り、さらに旧メッキ工程も不必要となった画期的な特長
もある。この結果、熱伝導性、電気特性に優れたＡｕＮ
セラミックス基板をヒートシンク、ハイブリッドＩＣ基
板、ＬＳＩバッゲージ等の半導体装用の高熱伝導性セラ
ミックス基板として低コストで利用できることが可能と
なった。特にＮｉベーストを使用した厚膜法、Ｎｉのス
パッタや蒸着の技術を用いた薄膜法、Ｎｉ箔を接合する
熱圧着法では微細な導体回路の形成に有効である。
性を示す＾ｕＮを主成分としたセラミックス基板と金属
ニッケルとがＮｉ−へ見台金属を介在して強固に接合さ
れた高熱伝導性セラミックス基板が得られる。また本発
明のＡＩＩＮセラミックス基板は従来のＮｏ−Ｍｎ法や
ＬＭｎ法のように危険性を伴う高温のウェットＨ２雰囲
気を必要とせず、生産性の良い真空、Ａｒガス雰囲気で
生産可能であるといった特長以外にも、従来のＨａ−Ｍ
ｎ法やＶ−Ｍｎ法での接合界面での＾Ｑ２０３層や＾Ｑ
２０３−３ｉ０２−ＭｎＯ系等のような熱伝導の阻害
となる中間酸化物層を含まないため熱放散に効果的であ
り、さらに旧メッキ工程も不必要となった画期的な特長
もある。この結果、熱伝導性、電気特性に優れたＡｕＮ
セラミックス基板をヒートシンク、ハイブリッドＩＣ基
板、ＬＳＩバッゲージ等の半導体装用の高熱伝導性セラ
ミックス基板として低コストで利用できることが可能と
なった。特にＮｉベーストを使用した厚膜法、Ｎｉのス
パッタや蒸着の技術を用いた薄膜法、Ｎｉ箔を接合する
熱圧着法では微細な導体回路の形成に有効である。
さらに本発明の高熱伝導性セラミックス基板は半導体装
用基板以外にも、ＡＩＩＮセラミックスと金属Ｎｉとの
強固な接合を利用した自動車部品、ガスタービン部品、
レーザ部品等の各種の産業機器部品としての応用も可能
であるなど、工業的に多くの利点を有するものである。
用基板以外にも、ＡＩＩＮセラミックスと金属Ｎｉとの
強固な接合を利用した自動車部品、ガスタービン部品、
レーザ部品等の各種の産業機器部品としての応用も可能
であるなど、工業的に多くの利点を有するものである。
Claims (1)
- １、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板
と金属ニッケルとがニッケル−アルミニウム合金によっ
て接合されていることを特徴とする高熱伝導性セラミッ
クス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10834287A JPS63274678A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 高熱伝導性セラミックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10834287A JPS63274678A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 高熱伝導性セラミックス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274678A true JPS63274678A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14482258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10834287A Pending JPS63274678A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 高熱伝導性セラミックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274678A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841774A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | 大同特殊鋼株式会社 | セラミツクス−金属複合体の製造方法 |
| JPS60108376A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-13 | 株式会社東芝 | 窒化物セラミツクスと金属の接合体 |
| JPS6245499A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-02-27 | アメリカ合衆国 | ろう付け用ろうおよびそれを用いる結合方法 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10834287A patent/JPS63274678A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841774A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | 大同特殊鋼株式会社 | セラミツクス−金属複合体の製造方法 |
| JPS60108376A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-13 | 株式会社東芝 | 窒化物セラミツクスと金属の接合体 |
| JPS6245499A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-02-27 | アメリカ合衆国 | ろう付け用ろうおよびそれを用いる結合方法 |
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