JPS63274164A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63274164A JPS63274164A JP10901587A JP10901587A JPS63274164A JP S63274164 A JPS63274164 A JP S63274164A JP 10901587 A JP10901587 A JP 10901587A JP 10901587 A JP10901587 A JP 10901587A JP S63274164 A JPS63274164 A JP S63274164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- spherical
- packing material
- filler
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 240000005220 Bischofia javanica Species 0.000 description 1
- 235000010893 Bischofia javanica Nutrition 0.000 description 1
- 241000274848 Sarcocornia fruticosa Species 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高温における機械強度が優れたエポキシ樹脂
系成形材料によって封止された高信頼性の樹脂封止型半
導体装置に関する。
系成形材料によって封止された高信頼性の樹脂封止型半
導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置に用いられていた充填材は
角ばった粒子形状をしているため流動性が低く、マトリ
ックスへの分散性も悪く、シかも、パッシベーション膜
を突き抜けてアルミニウム配線やスムースコート膜に到
達する危険性があり、多量に配合することが困難であっ
た。そこで、特公昭６０−２６５０５号、同６０−４０
１８８号公報に開示されるように、溶射による溶融球状
化した充填材を使用することによりこの問題を解決する
方法が提案されている。しかし、特に、高温における機
械強度が低下することについては考慮されていなかった
。
角ばった粒子形状をしているため流動性が低く、マトリ
ックスへの分散性も悪く、シかも、パッシベーション膜
を突き抜けてアルミニウム配線やスムースコート膜に到
達する危険性があり、多量に配合することが困難であっ
た。そこで、特公昭６０−２６５０５号、同６０−４０
１８８号公報に開示されるように、溶射による溶融球状
化した充填材を使用することによりこの問題を解決する
方法が提案されている。しかし、特に、高温における機
械強度が低下することについては考慮されていなかった
。
樹脂封止型半導体装置はエポキシ樹脂と無機質充填材を
主成分とする成形材料によって半導体素子を１５０℃以
上でトランスファ成形したものである。ここで半導体装
置の構成材料と成形材料との線膨張係数との差が大きい
と成形温度から室温に戻す際の熱収縮の差、及び、成形
材料の硬化収縮によって半導体素子は大きな圧縮応力を
受け、クラックが発生したり、半導体素子表面に形成さ
れているパッシベーション膜が破壊して耐湿性が低下す
るなどの問題がおこる。そのため、特開昭６１−９１２
４２号公報に記載されているように、線膨張係数の小さ
な充填材、あるいは、日本国特許第８５５．７８９号に
記載されているように充填材の量を増やすなどして改良
してきた。しかし、従来の充填材は角ばった粒子形状を
しているため流動性が低く、樹脂マトリックスへの分散
性も悪く、しかも、パッシベーション膜を突き抜けてア
ルミニウム配線やスムースコート膜に到達する危険性が
あり、多量に配合することが困難であった。そこで、特
公昭６０−２６５０５号、同６０−４０１８８号公報に
開示されるように、溶射による溶融球状化した充填材を
使用することにより、この問題を対策する方法が提案さ
れている。しかし、半導体素子の集積度は年々向上し、
それに伴って半導体素子サイズの大型化、配線の微細化
並びに多層化等が進んでいる。一方、パッケージについ
てみると、実装の高密度化、自動化のために、パッケー
ジサイズは小型薄型化の方向にあり、また、パッケージ
形状も従来のＤ Ｉ Ｐ （Ｄｕａｌ ｉｎ Ｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）、 ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌ
ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｐ Ｌ ＣＣ（Ｐｌａｓｔ
ｉｃＬｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）等ピン
挿入実装型から面付実装型に移行している。このような
集積度の向上、パッケージサイズ、あるいは、形状、実
装方式の変遷に伴い、素子が微細化し、パッケージの封
止樹脂層が薄肉化している。そのため１球状の充填材を
多量に配合し、成形材料の線膨張係数をがなり小さくし
てもリード草子を半田処理する際、パッケージにクラッ
クが発生すると云う問題がある。
主成分とする成形材料によって半導体素子を１５０℃以
上でトランスファ成形したものである。ここで半導体装
置の構成材料と成形材料との線膨張係数との差が大きい
と成形温度から室温に戻す際の熱収縮の差、及び、成形
材料の硬化収縮によって半導体素子は大きな圧縮応力を
受け、クラックが発生したり、半導体素子表面に形成さ
れているパッシベーション膜が破壊して耐湿性が低下す
るなどの問題がおこる。そのため、特開昭６１−９１２
４２号公報に記載されているように、線膨張係数の小さ
な充填材、あるいは、日本国特許第８５５．７８９号に
記載されているように充填材の量を増やすなどして改良
してきた。しかし、従来の充填材は角ばった粒子形状を
しているため流動性が低く、樹脂マトリックスへの分散
性も悪く、しかも、パッシベーション膜を突き抜けてア
ルミニウム配線やスムースコート膜に到達する危険性が
あり、多量に配合することが困難であった。そこで、特
公昭６０−２６５０５号、同６０−４０１８８号公報に
開示されるように、溶射による溶融球状化した充填材を
使用することにより、この問題を対策する方法が提案さ
れている。しかし、半導体素子の集積度は年々向上し、
それに伴って半導体素子サイズの大型化、配線の微細化
並びに多層化等が進んでいる。一方、パッケージについ
てみると、実装の高密度化、自動化のために、パッケー
ジサイズは小型薄型化の方向にあり、また、パッケージ
形状も従来のＤ Ｉ Ｐ （Ｄｕａｌ ｉｎ Ｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）、 ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌ
ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｐ Ｌ ＣＣ（Ｐｌａｓｔ
ｉｃＬｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）等ピン
挿入実装型から面付実装型に移行している。このような
集積度の向上、パッケージサイズ、あるいは、形状、実
装方式の変遷に伴い、素子が微細化し、パッケージの封
止樹脂層が薄肉化している。そのため１球状の充填材を
多量に配合し、成形材料の線膨張係数をがなり小さくし
てもリード草子を半田処理する際、パッケージにクラッ
クが発生すると云う問題がある。
これは球状の充填剤を配合した成形材料は従来の角ばっ
た充填剤を配合した成形材料に比べて半田処理温度のよ
うな高温での機械強度が低いことに起因している。
た充填剤を配合した成形材料に比べて半田処理温度のよ
うな高温での機械強度が低いことに起因している。
本発明は高温における機械強度に優れたエポキシ樹脂系
成形材料によって封止された高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
成形材料によって封止された高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的とする。
上記目的は樹脂マトリックスと溶融球状化した充填材と
の接着力を増すことにより達成することができる。
の接着力を増すことにより達成することができる。
すなわち、発明者等は溶融球状化した充填材の化学的、
物理的処理の有無と成形材料の諸物性並びにこれらの成
形材料で封止した半導体装置の信頼性との関係を詳細に
検討した。
物理的処理の有無と成形材料の諸物性並びにこれらの成
形材料で封止した半導体装置の信頼性との関係を詳細に
検討した。
その結果、化学的、物理的処理を行って表面を粗化、多
孔性構造にした球状の充填材を用いることによって、樹
脂の粘度上昇、流動性の低下及びパッシベーション膜の
破壊の危険性を防止し、多量に配合することができ、し
かも、その成形材料は特に高温における曲げ強度が無処
理のものに比較して高くなった。そのため、この成形材
料を用いて封止した樹脂封止型半導体装置は、リード草
子を半田処理する際のクラックが発生しなくなった。
孔性構造にした球状の充填材を用いることによって、樹
脂の粘度上昇、流動性の低下及びパッシベーション膜の
破壊の危険性を防止し、多量に配合することができ、し
かも、その成形材料は特に高温における曲げ強度が無処
理のものに比較して高くなった。そのため、この成形材
料を用いて封止した樹脂封止型半導体装置は、リード草
子を半田処理する際のクラックが発生しなくなった。
溶融球状化法では、充填材は原石、仮焼、焼成あるいは
電融した無機質粒子を予め粒度調整し。
電融した無機質粒子を予め粒度調整し。
これをプロパン、ブタン、アセチレン、水素などの可燃
ガスを燃料とした溶射装置から発生させた高温火炎中に
一定量ずつ供給し、その高温によす溶融させ、その表面
張力で球状化した後、冷却して得られる。しかし、溶融
段階で、粒子表面は２０００℃以上の高温にさらされる
ため、活性点がつぶれてしまう、そのため、溶融球状化
した充填材を用いた成形材料は樹脂マトリックスとの接
着力が低下し、充填材どうしの接触面積も小さくなる。
ガスを燃料とした溶射装置から発生させた高温火炎中に
一定量ずつ供給し、その高温によす溶融させ、その表面
張力で球状化した後、冷却して得られる。しかし、溶融
段階で、粒子表面は２０００℃以上の高温にさらされる
ため、活性点がつぶれてしまう、そのため、溶融球状化
した充填材を用いた成形材料は樹脂マトリックスとの接
着力が低下し、充填材どうしの接触面積も小さくなる。
この二つの欠点が存在するため、球状の充填材を用いた
成形材料は高温における曲げ強度が低下し、その成形材
料で封止した樹脂封止型半導体装置はり−ド草子を半田
処理する際にクラックが発生する。そこで、本発明者等
は化学的、物理的処理を行って表面を粗化、多孔性構造
にして活性化し、充填材どうしの接触面積も大きくした
球状の充填材を新たに作製した。この球状の充填材を用
いることによって、樹脂の粘度上昇、流動性の低下及び
パッシベーション膜の破壊の危険性を防止し、多量に配
合することができ、しかも樹脂マトリックスとの接着力
が高まり、その成形材料は特に高温における曲げ強度が
無処理のものに比較して高くなる。そのため、この成形
材料を用いて封止した樹脂封止半導体装置では上記の問
題が発生しなくなる。
成形材料は高温における曲げ強度が低下し、その成形材
料で封止した樹脂封止型半導体装置はり−ド草子を半田
処理する際にクラックが発生する。そこで、本発明者等
は化学的、物理的処理を行って表面を粗化、多孔性構造
にして活性化し、充填材どうしの接触面積も大きくした
球状の充填材を新たに作製した。この球状の充填材を用
いることによって、樹脂の粘度上昇、流動性の低下及び
パッシベーション膜の破壊の危険性を防止し、多量に配
合することができ、しかも樹脂マトリックスとの接着力
が高まり、その成形材料は特に高温における曲げ強度が
無処理のものに比較して高くなる。そのため、この成形
材料を用いて封止した樹脂封止半導体装置では上記の問
題が発生しなくなる。
以下１本発明を実施例により具体的に説明する。
充填材は溶射による溶融球状化したものを使用した。こ
の充填材の表面を粗化、多孔性構造にして活性化させる
方法として化学的、物理的処理を行った。
の充填材の表面を粗化、多孔性構造にして活性化させる
方法として化学的、物理的処理を行った。
〔実施例１〕
球状アルミナの場合、化学処理としてＨＦまたはＨａ
Ｐ Ｏ４またはＮ ａ ＯＨまたはＫＯＨを用いて。
Ｐ Ｏ４またはＮ ａ ＯＨまたはＫＯＨを用いて。
８０℃で−ないし工時間浸漬した。その後、純水を用い
て洗浄し、１２０℃、六〜十二時間乾燥した。物理処理
として乾式転勤ボールミルを用いて、関係はＮ／Ｎｃ＝
６５〜８０％にして、−〜工時間粉砕した。
て洗浄し、１２０℃、六〜十二時間乾燥した。物理処理
として乾式転勤ボールミルを用いて、関係はＮ／Ｎｃ＝
６５〜８０％にして、−〜工時間粉砕した。
〔実施例２〕
球状シリカの場合、化学処理としてＨＦを用い純水を用
いて洗浄し、１２０℃、６〜１２時間乾燥した。また、
酸素を８０℃の水槽中でバブルさせたのち、１０００℃
の電気炉に導いて酸化させるウェット酸化を行った。物
理処理は実施例１に示した乾式転勤ボールミル、または
、プラズマ処理を行った。プラズマ処理はコイル式プラ
ズマ装置を用し）で、キャリヤガスとしてＣＦ４、また
は。
いて洗浄し、１２０℃、６〜１２時間乾燥した。また、
酸素を８０℃の水槽中でバブルさせたのち、１０００℃
の電気炉に導いて酸化させるウェット酸化を行った。物
理処理は実施例１に示した乾式転勤ボールミル、または
、プラズマ処理を行った。プラズマ処理はコイル式プラ
ズマ装置を用し）で、キャリヤガスとしてＣＦ４、また
は。
ＣＨＦａを使用して、減圧度０．１〜１０Ｔｏｒｒで行
った。
った。
〔実施例３〜６及び比較例７〜１０）
充填材として第１表に示した各種の充填材の他に以下の
ものを準備した。
ものを準備した。
すなわち、充填材−３（化学処理球状アルミナ）はＨａ
ＰＯａで処理したものである。充填材−４（物理処理球
状アルミナ）は乾式転勤ボールミルで粉砕したものであ
る。充填材−５（化学処理球状シリカ）はＨＦで処理し
たものである。充填材−６（物理処理球状シリカ）はプ
ラズマ処理を行ったものである。上記各種の充填材を用
い、第１表に示す組成の成形材料組成物を約８０℃に加
熱した二軸ロールで杓子分間混練した。得られた各組成
物について１８０℃におけるゲル化時間、高化式フロー
テスターを用いた１８０℃における最低溶融粘度（ηｗ
ｉｎ）及び流動性の尺度としてＥＭＭｌ−１−６６に準
じ、金型温度１８０℃、成形圧カフ ０ ｋｇ／ａｉ？
、成形時間９０秒でスパイラルフロー（ＳＦ）を測定し
た。その結果を第１表の項目成形性に示す。これより、
本発明の化学的、物理的処理を行った球状充填材を用い
た組成物は角状の充填材を用いた組成物と比較すると、
ゲル化時間はほとんど同じであるが、溶融粘度が極めて
低く、また、流動性も大きいことが明らかである。
ＰＯａで処理したものである。充填材−４（物理処理球
状アルミナ）は乾式転勤ボールミルで粉砕したものであ
る。充填材−５（化学処理球状シリカ）はＨＦで処理し
たものである。充填材−６（物理処理球状シリカ）はプ
ラズマ処理を行ったものである。上記各種の充填材を用
い、第１表に示す組成の成形材料組成物を約８０℃に加
熱した二軸ロールで杓子分間混練した。得られた各組成
物について１８０℃におけるゲル化時間、高化式フロー
テスターを用いた１８０℃における最低溶融粘度（ηｗ
ｉｎ）及び流動性の尺度としてＥＭＭｌ−１−６６に準
じ、金型温度１８０℃、成形圧カフ ０ ｋｇ／ａｉ？
、成形時間９０秒でスパイラルフロー（ＳＦ）を測定し
た。その結果を第１表の項目成形性に示す。これより、
本発明の化学的、物理的処理を行った球状充填材を用い
た組成物は角状の充填材を用いた組成物と比較すると、
ゲル化時間はほとんど同じであるが、溶融粘度が極めて
低く、また、流動性も大きいことが明らかである。
一方、無処理の球状の充填材と比較すると化学的。
物理的処理を行っても成形性にはほとんど差はみられな
い。
い。
次に、実施例１〜４及び比較例５，６の組成物を用いて
各種試験片をトランスファ成形し、１８０℃六時間後硬
化を行った後、ガラス転移温度及び曲げ強度を測定した
。また、封止層の耐クラツク性を２６０℃の溶融半田中
に十秒間浸漬して詳価した。その結果を第１表の項目物
性及び信頼性に示す。化学的、物理的処理を行った球状
の充填材を用いた成形材料は無処理の球状の充填材と比
較して、ガラス転移温度はほぼ同等であるが、２５０℃
における曲げ強度はほぼ二倍になっている。そのため、
耐クラツク性が極めて良いことがわかる。
各種試験片をトランスファ成形し、１８０℃六時間後硬
化を行った後、ガラス転移温度及び曲げ強度を測定した
。また、封止層の耐クラツク性を２６０℃の溶融半田中
に十秒間浸漬して詳価した。その結果を第１表の項目物
性及び信頼性に示す。化学的、物理的処理を行った球状
の充填材を用いた成形材料は無処理の球状の充填材と比
較して、ガラス転移温度はほぼ同等であるが、２５０℃
における曲げ強度はほぼ二倍になっている。そのため、
耐クラツク性が極めて良いことがわかる。
本発明によれば、化学的、物理的処理を行った球状の充
填材は無処理の球状充填剤と同様に樹脂の粘度上昇、流
動性の低下及びパッシベーション膜の破壊の危険性が少
ないため、多量に配合することができ、高温における曲
げ強度が無処理のものより高くできる。
填材は無処理の球状充填剤と同様に樹脂の粘度上昇、流
動性の低下及びパッシベーション膜の破壊の危険性が少
ないため、多量に配合することができ、高温における曲
げ強度が無処理のものより高くできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エポキシ樹脂と溶射により溶融球状化した無機質充
填材を主成分とする成形材料によつて半導体素子を封止
する樹脂封止型半導体装置において、 前記無機質充填材は溶融球状化後、化学的、物理的処理
を行い表面を粗化、多孔性構造にしたことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10901587A JPS63274164A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10901587A JPS63274164A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274164A true JPS63274164A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14499413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10901587A Pending JPS63274164A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274164A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154368A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH07312401A (ja) * | 1995-02-20 | 1995-11-28 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP10901587A patent/JPS63274164A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154368A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH07312401A (ja) * | 1995-02-20 | 1995-11-28 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03177450A (ja) | 半導体用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造法 | |
| US5298328A (en) | Packing material and method of making same | |
| JPS63274164A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2649632B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3589694B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びこれに用いるエポキシ樹脂封止材 | |
| JPH0826707A (ja) | 窒化アルミニウム粉末 | |
| JPS6296538A (ja) | 無機充填材及び樹脂組成物 | |
| JPH01101363A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2633856B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3347228B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63108021A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3464125B2 (ja) | シリカフィラーの製造方法 | |
| JPH0551610B2 (ja) | ||
| JPH0238417A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JP2764479B2 (ja) | 半導体封止樹脂用フィラー材 | |
| JP2006257309A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| Yang et al. | The effects of epoxy molding compound composition on the warpage and popcorn resistance of PBGA | |
| JP4765159B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2789088B2 (ja) | 粒子状無機質複合体の製造方法 | |
| JP2675108B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH06305723A (ja) | シリカ質複合粒子及びその用途 | |
| JP2702401B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製法 | |
| JP2001234034A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003155329A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH09176457A (ja) | 熱硬化性樹脂成形材料 |