JPS63273372A - 磁気抵抗センサ - Google Patents
磁気抵抗センサInfo
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- JPS63273372A JPS63273372A JP63062109A JP6210988A JPS63273372A JP S63273372 A JPS63273372 A JP S63273372A JP 63062109 A JP63062109 A JP 63062109A JP 6210988 A JP6210988 A JP 6210988A JP S63273372 A JPS63273372 A JP S63273372A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗（ＭＲ）読取りセンサ、詳細にいえば
反強磁性層がセンサの強磁性ＭＲ層に長手方向のバイア
ス磁界をもたらすＭＲ読取りセンサに関するものである
。
反強磁性層がセンサの強磁性ＭＲ層に長手方向のバイア
ス磁界をもたらすＭＲ読取りセンサに関するものである
。
Ｂ、従来技術
磁気記録システムにおけるＭＲセンサの作動原理に関す
る一般的な説明は、ツァング（Ｔｓａｎｇ）の「小型磁
気抵抗センサの磁気学（Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆＳｍ
ａｌｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎ
ｓｏｒｓ）Ｊ ％ Ｊ、Ａｐｐｌ。
る一般的な説明は、ツァング（Ｔｓａｎｇ）の「小型磁
気抵抗センサの磁気学（Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ｏｆＳｍ
ａｌｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ５ｅｎ
ｓｏｒｓ）Ｊ ％ Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、、Ｖｏ １ 、５５ （６）、１９８４年３
月１５日、ｐｐ、２２２Ｂ−２２３１に記載されている
。
月１５日、ｐｐ、２２２Ｂ−２２３１に記載されている
。
磁気記録媒体から情報信号を読み取るためのＭＲセンサ
が、本出願人に譲渡されたヘムステッド他（ｌｌｅｍｐ
ｓｔｅａｄ、 ｅｔ ａｌ、）の米国特許第４１０３３
１５号に記載されている。この米国特許第４１０３３１
５号は反強磁性−強磁性交換結合を利用して、センサの
ＭＲａに均一な長手方向バイアスをもたらすＭＲ読取り
センサを記載したものである。反強磁性層と強磁性層の
間の交換結合は、強磁性層に単磁区状態を生じ、これに
よって磁区の活動に関連したいわゆるバルクハウゼン雑
音を抑制する。米国特許第４１０３３１５号で示唆され
ている材料は、強磁性ＭＲ層としてはニッケルー鉄（Ｎ
ｉＦｅ）であり、反強磁性層としては面心立方（ＦＣＣ
）相（ガンマ相）のマンガン（Ｍｎ）合金である。米国
特許第４１０３３１５号はコバルト（ｃｏ）、銅（Ｃｕ
）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびロ
ジウム（Ｒｈ）とのＭｎの合金が、ＮｉＦｅ上に付着さ
せたときに、安定したガンマ層のＭｎ合金をもたらすこ
とがあることを示唆しており、またクロム−マンガン（
ＣｒＭｎ） 合金およびマンガン−パラジウム（Ｍｎβ
ｄ）が安定したガンマ層を生じないことを示している。
が、本出願人に譲渡されたヘムステッド他（ｌｌｅｍｐ
ｓｔｅａｄ、 ｅｔ ａｌ、）の米国特許第４１０３３
１５号に記載されている。この米国特許第４１０３３１
５号は反強磁性−強磁性交換結合を利用して、センサの
ＭＲａに均一な長手方向バイアスをもたらすＭＲ読取り
センサを記載したものである。反強磁性層と強磁性層の
間の交換結合は、強磁性層に単磁区状態を生じ、これに
よって磁区の活動に関連したいわゆるバルクハウゼン雑
音を抑制する。米国特許第４１０３３１５号で示唆され
ている材料は、強磁性ＭＲ層としてはニッケルー鉄（Ｎ
ｉＦｅ）であり、反強磁性層としては面心立方（ＦＣＣ
）相（ガンマ相）のマンガン（Ｍｎ）合金である。米国
特許第４１０３３１５号はコバルト（ｃｏ）、銅（Ｃｕ
）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびロ
ジウム（Ｒｈ）とのＭｎの合金が、ＮｉＦｅ上に付着さ
せたときに、安定したガンマ層のＭｎ合金をもたらすこ
とがあることを示唆しており、またクロム−マンガン（
ＣｒＭｎ） 合金およびマンガン−パラジウム（Ｍｎβ
ｄ）が安定したガンマ層を生じないことを示している。
可能なガンマＭｎ合金のうち、鉄−マンガン（ＦｅＭｎ
）がＮ ｉ Ｆ ｅｍと交換結合を行なうのに最も高い
能力を示すと思われる。スパッタ付着したＮ ｉ Ｆ
ｅ／Ｆ ｅＭｎおよびＦｅＭｎ／ＮｉＦｅの交換結合層
に対する交換バイアス磁界の力は、ツァング他によって
’ Ｆ ｅ Ｍ ｎ−Ｎ’ｉ ｓｏ Ｆ ｅ ２０の界
面における交換誘導単方向異方性（ＥｘｃｈａｎｇｅＩ
ｎｄｕｃｅｄ Ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｙ ａｔ ＦｅＭｎ−旧５ｏＦｅ２ｏ Ｉ
ｎｔｅｒｆａｃｅｓ） Ｊ ｓ Ｊ、Ａｐｐｌ、’Ｐｈ
ｙｓ、１Ｖｏｌ。
）がＮ ｉ Ｆ ｅｍと交換結合を行なうのに最も高い
能力を示すと思われる。スパッタ付着したＮ ｉ Ｆ
ｅ／Ｆ ｅＭｎおよびＦｅＭｎ／ＮｉＦｅの交換結合層
に対する交換バイアス磁界の力は、ツァング他によって
’ Ｆ ｅ Ｍ ｎ−Ｎ’ｉ ｓｏ Ｆ ｅ ２０の界
面における交換誘導単方向異方性（ＥｘｃｈａｎｇｅＩ
ｎｄｕｃｅｄ Ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｙ ａｔ ＦｅＭｎ−旧５ｏＦｅ２ｏ Ｉ
ｎｔｅｒｆａｃｅｓ） Ｊ ｓ Ｊ、Ａｐｐｌ、’Ｐｈ
ｙｓ、１Ｖｏｌ。
５２ （３）、１９８１年３月、ｐｐ、２４７１−２４
７３で検討されている。
７３で検討されている。
同じく本出願人に譲渡された現在出願中の米国特許願第
７６８１５７号は端部が分割されており、。
７６８１５７号は端部が分割されており、。
主として対応する端部に交換バイアスをもたらすＦｅＭ
ｎ反強磁性層を存するＭＲセンサを記載している。
ｎ反強磁性層を存するＭＲセンサを記載している。
反強磁性層としてＦ ｅ Ｍ ｎを使用した場合の問題
のひとつは、これが腐食しゃすいことである。
のひとつは、これが腐食しゃすいことである。
この材料は薄膜′製造工程において、また磁気記録シス
テムの作動中において腐食性環境にさらされる。それ故
、ＮｉＦｅの耐食性に匹敵する耐食性を与え、かつＮｉ
ＦｅのＭＲ層との十分な交換結合をもたらす反強磁性材
料を利用して、ＭＲセンサを改良することが望ましい。
テムの作動中において腐食性環境にさらされる。それ故
、ＮｉＦｅの耐食性に匹敵する耐食性を与え、かつＮｉ
ＦｅのＭＲ層との十分な交換結合をもたらす反強磁性材
料を利用して、ＭＲセンサを改良することが望ましい。
Ｃ０開示の概要
この発明はＭＲ層と密着して形成された反強磁性層が、
ＦｅｌＭｎおよびＣｒからなる合金であるＭＲセンサで
ある。改良された反強磁性層の組成は、十分な交換バイ
アスおよびＮｉＦｅｆｆに匹敵する耐食性の両方を有す
るものである。
ＦｅｌＭｎおよびＣｒからなる合金であるＭＲセンサで
ある。改良された反強磁性層の組成は、十分な交換バイ
アスおよびＮｉＦｅｆｆに匹敵する耐食性の両方を有す
るものである。
Ｄ、実施例
第１図に示すように、典型的な薄ＩＩ！ＸＭＲセンサは
基板１０１横方向バイアス層１２、スペーサ層。
基板１０１横方向バイアス層１２、スペーサ層。
１４、ＭＲ層１６および反強磁性層１８からなっている
。Ｎｉ６（ＩＦｅ２０などの強磁性体で形成されている
ＭＲＪＷ１６は、導電線２０に接続されており、出力電
流をもたらす。ＭＲ，ｌｉＢからの出力電流は、独立し
た検知回路がＭＲ層の抵抗の変化を判定できるよ″うに
する信号である。抵抗の変化はＭＲ層１６が遮る、磁気
記憶媒体上の記録データからの磁場の変化の関数である
。
。Ｎｉ６（ＩＦｅ２０などの強磁性体で形成されている
ＭＲＪＷ１６は、導電線２０に接続されており、出力電
流をもたらす。ＭＲ，ｌｉＢからの出力電流は、独立し
た検知回路がＭＲ層の抵抗の変化を判定できるよ″うに
する信号である。抵抗の変化はＭＲ層１６が遮る、磁気
記憶媒体上の記録データからの磁場の変化の関数である
。
ＭＲ層１６が確実に一軸異方性を有するようにするため
、反強磁性層がＭＲ層１６上に形成される。従来技術に
おいてはガンマ相のＭｎ合金であることがある反強磁性
層は、強磁性ＭＲ層１６との界面交換結合を生じる。こ
のことはＭＲＪｉＵ １８に長手方向交換バイアス磁界
（ＨＵＡ）をもたらし、ＭＲ層１６に単磁区状態を生じ
る。ＭＲ層１６に単磁区状態が存在することは、複磁区
状態を示すＭＲ材料に関連したバルクハウゼン雑音を抑
制するのに必須のものである。
、反強磁性層がＭＲ層１６上に形成される。従来技術に
おいてはガンマ相のＭｎ合金であることがある反強磁性
層は、強磁性ＭＲ層１６との界面交換結合を生じる。こ
のことはＭＲＪｉＵ １８に長手方向交換バイアス磁界
（ＨＵＡ）をもたらし、ＭＲ層１６に単磁区状態を生じ
る。ＭＲ層１６に単磁区状態が存在することは、複磁区
状態を示すＭＲ材料に関連したバルクハウゼン雑音を抑
制するのに必須のものである。
横方向バイアス層１２は媒体にほぼ直交した磁場をもた
らすので、ＭＲ層１６内の磁場を媒体と平行でない方向
に若干偏倚させる。この横方向バイアスは、ＭＲ層１６
を線形応答モードに維持し、電流出力が抵抗の変化のほ
ぼ線形関数になるようにする。この技術分野で周知のよ
うに、横方向バイアスをシャント・バイアス、ソフト・
フィルム・バイアスまたぼ永久磁石バイアスによって与
えることができる。
らすので、ＭＲ層１６内の磁場を媒体と平行でない方向
に若干偏倚させる。この横方向バイアスは、ＭＲ層１６
を線形応答モードに維持し、電流出力が抵抗の変化のほ
ぼ線形関数になるようにする。この技術分野で周知のよ
うに、横方向バイアスをシャント・バイアス、ソフト・
フィルム・バイアスまたぼ永久磁石バイアスによって与
えることができる。
第１図のＭＲセンサの詳細な説明は、米国特許第４１０
３３１５号に記載されている。第１図に示したＭＲセン
サは米国特許願第７６６１５７号に記載されているもの
と類似しているが、米国特許願第７６６１５７号におい
ては、反強磁性層１８の端部が間にスペースのある２つ
の部分に分割され、主としてＭＲ層１６の端部に長手方
向の交換バイアスをもたらしている点が異なっている。
３３１５号に記載されている。第１図に示したＭＲセン
サは米国特許願第７６６１５７号に記載されているもの
と類似しているが、米国特許願第７６６１５７号におい
ては、反強磁性層１８の端部が間にスペースのある２つ
の部分に分割され、主としてＭＲ層１６の端部に長手方
向の交換バイアスをもたらしている点が異なっている。
ＭＲセンサ内に改良された反強磁性層をもたらすために
Ｎ Ｆ ｅ Ｍ ｎをベースとした各種の三元合金を薄
膜構造として、１００ガウスの均一な磁性層の形にＲＦ
スパッタ付着によって作成する。電力密度、システム圧
力および基板温度のそれぞれを、２．６Ｗ／ｃＩ１１２
．２５ミリトルおよび５０ ’Ｃに固定した。システム
の基本圧力は約５Ｘ１０−９トルであった。基板は半導
体グレードの単結晶シリコン、ガラスまたは石英であり
゛、これらはまず溶剤によって清浄とされ、次いでグロ
ー放電に露出することによ′って清浄となされてから、
付着が行なわれた。ニッケルー鉄（Ｎ ｉｓ□Ｆｅ＋ｓ
）層を基板上に、約１オングストローム／秒の速度で付
着させた。ＮｉＦｅｆｆの厚さは約２００オングストロ
ームから６００オングストロームであった。−５０ボル
トのバイアス電圧を使用して、残留ガス汚染を減少させ
た。次いで、ＦｅＭｎの三元合金をＮｉＦｅ層上に、第
３のターゲットおよびＦｅｓｏＭｎｓｏのターゲットを
コスバッタすることによって付着させた。次いで、この
方法にしたがって調製したサンプル材料をテストし、Ｎ
Ｉ Ｆ ｅのＭＲＩ内の交換バイアス（ＨυＡ）およ
び反強磁性層の耐食性を測定した。
Ｎ Ｆ ｅ Ｍ ｎをベースとした各種の三元合金を薄
膜構造として、１００ガウスの均一な磁性層の形にＲＦ
スパッタ付着によって作成する。電力密度、システム圧
力および基板温度のそれぞれを、２．６Ｗ／ｃＩ１１２
．２５ミリトルおよび５０ ’Ｃに固定した。システム
の基本圧力は約５Ｘ１０−９トルであった。基板は半導
体グレードの単結晶シリコン、ガラスまたは石英であり
゛、これらはまず溶剤によって清浄とされ、次いでグロ
ー放電に露出することによ′って清浄となされてから、
付着が行なわれた。ニッケルー鉄（Ｎ ｉｓ□Ｆｅ＋ｓ
）層を基板上に、約１オングストローム／秒の速度で付
着させた。ＮｉＦｅｆｆの厚さは約２００オングストロ
ームから６００オングストロームであった。−５０ボル
トのバイアス電圧を使用して、残留ガス汚染を減少させ
た。次いで、ＦｅＭｎの三元合金をＮｉＦｅ層上に、第
３のターゲットおよびＦｅｓｏＭｎｓｏのターゲットを
コスバッタすることによって付着させた。次いで、この
方法にしたがって調製したサンプル材料をテストし、Ｎ
Ｉ Ｆ ｅのＭＲＩ内の交換バイアス（ＨυＡ）およ
び反強磁性層の耐食性を測定した。
第２図は、ＮｉＦｅ１ＦＲ層の交換バイアスを、反強磁
性層におけるＲｈ１Ｎｔ１ＡｆｌおよびＣｒという三元
添加物のＦ ｅ Ｍ ｎに対するさまざまな割合の関数
として示したものである。第２図において、正規化した
Ｆｅ、０Ｍｎ５ｏに対するＨＵＡ値は、約２４エルステ
ツド（Ｏｅ）である。第２図に示すように、交換バイア
スを減少させるのに、Ｒｈが最も効果が少ない。第２図
に示したデータは、三元添加物の原子パーセント（ａｔ
、％）濃度が比較的低ければ、すべての溶質をＦ ｅ
Ｍ ｎをベースとした三元合金の反強磁性層に使用でき
ることを示している。
性層におけるＲｈ１Ｎｔ１ＡｆｌおよびＣｒという三元
添加物のＦ ｅ Ｍ ｎに対するさまざまな割合の関数
として示したものである。第２図において、正規化した
Ｆｅ、０Ｍｎ５ｏに対するＨＵＡ値は、約２４エルステ
ツド（Ｏｅ）である。第２図に示すように、交換バイア
スを減少させるのに、Ｒｈが最も効果が少ない。第２図
に示したデータは、三元添加物の原子パーセント（ａｔ
、％）濃度が比較的低ければ、すべての溶質をＦ ｅ
Ｍ ｎをベースとした三元合金の反強磁性層に使用でき
ることを示している。
各種の三元合金層の耐食性を判定するために、層をＳＯ
２、ＮＯ２、Ｈ２ＳおよびＨ（ｌの雰囲気に、相対湿度
７０％および２８℃において１００時間の間露出、する
。第３図は、表面面積当りの層の重量利得の量として与
えられる、ＮｉＦｅ１Ｆ ｅ Ｍ ｎおよび各種のＦｅ
Ｍｎベースの三元合金層の腐食速度を示したものである
。Ｎ１ ａｌ ’Ｆ ｅ １９の腐食速度は約１１マイ
クログラム／ｃｍ２であり、ＦｅａｏＭｎｓｏは約３７
マイクログラム／ｃｍ２である。Ｆｅ５＋）Ｍｎ５゜に
Ｃｒを添加すると、Ｆｅ５ｏＭｎｓｏの腐食速度は約３
７マイクログラム／ｃｍ２（Ｃｒ １３ａｔ、％）から
約１５マイクログラム／ｃｍ２（Ｃｒ、 １０ａｔ、
％）に低下する。約１０ａｔ、％のＮｉを添加すると、
腐食速度はＦｅＭｎのものよりも低いが、１０ａｔ、％
のＣｒで達成されるものよりも十分高いレベルに低下す
る。第３図に示されているように、ＦｅＭｎにＲｈまた
はＡＱを添加しても、腐食速度にはほとんど、あるいは
まったく効果がない。ＮｉＦｅにＲｈを添加すると腐食
速度が大幅に低下することが知られているので、ＦｅＭ
ｎの腐食速度にＲｈがほとんど効果をおよぼさないこと
は、若干驚くべきことである。同様に、ＡＱは当初、こ
れが鋼を不動態化する際に使用されているので、ＦｅＭ
ｎの耐食性を増加させるための候補であると考えられて
いた。しかしながら、実際には、ＦｅＭｎＡｆ１合金は
ＦｅＭｎの大気腐食速度にはほとんど効果をおよぼさな
かった。
２、ＮＯ２、Ｈ２ＳおよびＨ（ｌの雰囲気に、相対湿度
７０％および２８℃において１００時間の間露出、する
。第３図は、表面面積当りの層の重量利得の量として与
えられる、ＮｉＦｅ１Ｆ ｅ Ｍ ｎおよび各種のＦｅ
Ｍｎベースの三元合金層の腐食速度を示したものである
。Ｎ１ ａｌ ’Ｆ ｅ １９の腐食速度は約１１マイ
クログラム／ｃｍ２であり、ＦｅａｏＭｎｓｏは約３７
マイクログラム／ｃｍ２である。Ｆｅ５＋）Ｍｎ５゜に
Ｃｒを添加すると、Ｆｅ５ｏＭｎｓｏの腐食速度は約３
７マイクログラム／ｃｍ２（Ｃｒ １３ａｔ、％）から
約１５マイクログラム／ｃｍ２（Ｃｒ、 １０ａｔ、
％）に低下する。約１０ａｔ、％のＮｉを添加すると、
腐食速度はＦｅＭｎのものよりも低いが、１０ａｔ、％
のＣｒで達成されるものよりも十分高いレベルに低下す
る。第３図に示されているように、ＦｅＭｎにＲｈまた
はＡＱを添加しても、腐食速度にはほとんど、あるいは
まったく効果がない。ＮｉＦｅにＲｈを添加すると腐食
速度が大幅に低下することが知られているので、ＦｅＭ
ｎの腐食速度にＲｈがほとんど効果をおよぼさないこと
は、若干驚くべきことである。同様に、ＡＱは当初、こ
れが鋼を不動態化する際に使用されているので、ＦｅＭ
ｎの耐食性を増加させるための候補であると考えられて
いた。しかしながら、実際には、ＦｅＭｎＡｆ１合金は
ＦｅＭｎの大気腐食速度にはほとんど効果をおよぼさな
かった。
第２図および第３図に示したような、得られた実験結果
に基づくと、約３原子パーセントから約１２原子パーセ
ントのＣｒが存在する ＦｅＭｎＣｒの反強磁性層が、ＭＲｆｆに十分な交換バ
イアスををし、かつＮｉＦｅのＭＲｆｆのものに近いほ
ど、腐食速度が大幅に改善されたＭＲセンサがもたらさ
れる。ＣｒＭｎ合金がガンマ相のＭｎ合金をもだらさな
いということは、すでに米国特許第４１０３３１５号に
示唆されているが、第２図の結果が示しているのは、（
ＦｅｓｏＭｎｓｏ）Ｃｒ反強磁性フィルム内のＣｒｃＩ
度が約１２ａｔ。
に基づくと、約３原子パーセントから約１２原子パーセ
ントのＣｒが存在する ＦｅＭｎＣｒの反強磁性層が、ＭＲｆｆに十分な交換バ
イアスををし、かつＮｉＦｅのＭＲｆｆのものに近いほ
ど、腐食速度が大幅に改善されたＭＲセンサがもたらさ
れる。ＣｒＭｎ合金がガンマ相のＭｎ合金をもだらさな
いということは、すでに米国特許第４１０３３１５号に
示唆されているが、第２図の結果が示しているのは、（
ＦｅｓｏＭｎｓｏ）Ｃｒ反強磁性フィルム内のＣｒｃＩ
度が約１２ａｔ。
％以下の場合、十分な交換結合が存在し、ＦｅＭｎＣｒ
合金がガンマ相であることを示していることである。
合金がガンマ相であることを示していることである。
Ｆ ｅＭｎに少毒のＣｒを添加することで、ＮｉＦｅｆ
ｆに長手方向バイアスを誘導できる耐食性反強磁性層が
得られることを発見したことによって、Ｃｒだけではな
く、ＦｅＭｎの三元または四元添加物、あるいはＦ ｅ
ＭｎＣｒの四元添加物のいずれかとしてのイツトリウム
（Ｙ）、チタン（Ｔｉ）またはシリコン（Ｓｉ）も同様
に機能すると結論づけられるが、これはこれらの元素が
すべて安定した不動態化酸化物を生じることがわかって
いるからである。
ｆに長手方向バイアスを誘導できる耐食性反強磁性層が
得られることを発見したことによって、Ｃｒだけではな
く、ＦｅＭｎの三元または四元添加物、あるいはＦ ｅ
ＭｎＣｒの四元添加物のいずれかとしてのイツトリウム
（Ｙ）、チタン（Ｔｉ）またはシリコン（Ｓｉ）も同様
に機能すると結論づけられるが、これはこれらの元素が
すべて安定した不動態化酸化物を生じることがわかって
いるからである。
１０発明の効果
上述のように本発明によれば、交換結合をもたらす反強
磁性層を有しながら、しかも優れた耐食性を有する磁気
゛抵抗センサを提供できる。
磁性層を有しながら、しかも優れた耐食性を有する磁気
゛抵抗センサを提供できる。
第１図は典型的な薄膜ＭＲセンサの構成を示す斜視図、
第２図はＦ ｅＭｎをベースとした合金の反強磁性層中
に存在するさまざまな溶質に対する溶質の割合の関数と
しての、Ｎ ｔ Ｆ ｅｍにおけるループ・シフトすな
わち交換バイアス（ＨＵＡ）を示す線図、第３図はＦｅ
Ｍｎ合金内のさまざまな溶質に対する溶質の割合の関数
としての腐食速度を示す線図である。 １０・・・・基板、１２・・・・横方向バイアス層、１
４・・・・スペーサ層、１６・・・・ＭＲ層、１８・・
・・反強磁性層、２０・・・・導電線。 磁筑媒体の 脩Ｉ間 移動方向 Ｆｅ５ＱＭｎ５Ｑ中の各１８．介ノ叡后（臣↓パーセン
ト） 第２図 ＦｅＭｎ中の各へ今の割合 （原↓）ぐ−ヒシト） 第３図
に存在するさまざまな溶質に対する溶質の割合の関数と
しての、Ｎ ｔ Ｆ ｅｍにおけるループ・シフトすな
わち交換バイアス（ＨＵＡ）を示す線図、第３図はＦｅ
Ｍｎ合金内のさまざまな溶質に対する溶質の割合の関数
としての腐食速度を示す線図である。 １０・・・・基板、１２・・・・横方向バイアス層、１
４・・・・スペーサ層、１６・・・・ＭＲ層、１８・・
・・反強磁性層、２０・・・・導電線。 磁筑媒体の 脩Ｉ間 移動方向 Ｆｅ５ＱＭｎ５Ｑ中の各１８．介ノ叡后（臣↓パーセン
ト） 第２図 ＦｅＭｎ中の各へ今の割合 （原↓）ぐ−ヒシト） 第３図
Claims (1)
- 反強磁性層が磁気抵抗層に接触して前記磁気抵抗層に長
手方向バイアスが誘導される磁気抵抗センサであって、
前記反強磁性層はＭｎ、Ｆｅ、およびＣｒから成る合金
により形成され、前記合金中にはＣｒが約３原子パーセ
ントから約１２原子パーセントの割合で存在する磁気抵
抗センサ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US43675 | 1987-04-28 | ||
| US07/043,675 US4755897A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film |
| SG151294A SG151294G (en) | 1987-04-28 | 1994-10-17 | Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273372A true JPS63273372A (ja) | 1988-11-10 |
| JPH0636443B2 JPH0636443B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=26664440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63062109A Expired - Lifetime JPH0636443B2 (ja) | 1987-04-28 | 1988-03-17 | 磁気抵抗センサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4755897A (ja) |
| EP (1) | EP0288766B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0636443B2 (ja) |
| DE (1) | DE3883831T2 (ja) |
| SG (1) | SG151294G (ja) |
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| JPH07202294A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
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| DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
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| US8755152B1 (en) | 2008-09-24 | 2014-06-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an improved sensor stack for a recording head |
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1987
- 1987-04-28 US US07/043,675 patent/US4755897A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63062109A patent/JPH0636443B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-29 EP EP88105079A patent/EP0288766B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-29 DE DE88105079T patent/DE3883831T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-17 SG SG151294A patent/SG151294G/en unknown
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| EP0288766B1 (en) | 1993-09-08 |
| SG151294G (en) | 1995-03-17 |
| DE3883831T2 (de) | 1994-04-14 |
| JPH0636443B2 (ja) | 1994-05-11 |
| US4755897A (en) | 1988-07-05 |
| EP0288766A2 (en) | 1988-11-02 |
| EP0288766A3 (en) | 1990-12-05 |
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