JP2621601B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に書き込まれた磁気的情報を、
磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素
子（以下、MR素子と称する。）を具備した磁気抵抗効果
ヘッド（以下、MRヘッドと称する。）に関するものであ
る。
磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素
子（以下、MR素子と称する。）を具備した磁気抵抗効果
ヘッド（以下、MRヘッドと称する。）に関するものであ
る。
［従来の技術］ 周知の如く、MR素子を磁気記憶媒体に書き込まれた磁
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生専
用磁気ヘッドとして使用する場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍのなす角度θ（以下、バイ
アス角度と称する。）を所定の値（望ましくは45度）に
設定するバイアス手段を具備しなければならない。
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生専
用磁気ヘッドとして使用する場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍのなす角度θ（以下、バイ
アス角度と称する。）を所定の値（望ましくは45度）に
設定するバイアス手段を具備しなければならない。
上述のバイアス手段としては、種々の方法が開示され
ているが、この中で実願昭59−048201号に開示されたMR
ヘッドにおいては、MR素子上に非磁性導体層と非晶質軟
磁性体層とを順次積層した構造により良好なバイアス角
度θが得られ、線形応答性に優れたMRヘッドが実現でき
ることが示されている。
ているが、この中で実願昭59−048201号に開示されたMR
ヘッドにおいては、MR素子上に非磁性導体層と非晶質軟
磁性体層とを順次積層した構造により良好なバイアス角
度θが得られ、線形応答性に優れたMRヘッドが実現でき
ることが示されている。
即ち、第１図に示したように、ガラス，フェライト等
からなる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せず）上に、
スパッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体薄膜からな
るMR素子１（例えば膜厚200〜500ÅのNiFe合金）を形成
し、MR素子１上にTi,Mo,Cr,Ta,W等の非磁性導体層２を
同様の方法で形成し、更に非磁性導体層２上に非晶質軟
磁性体層３を同様な方法で形成した構造を有するMRヘッ
ドを開示している。ここで、４はMR素子1,非磁性導体層
２および非晶質磁性体層３の積層体に通電するための端
子である。
からなる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せず）上に、
スパッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体薄膜からな
るMR素子１（例えば膜厚200〜500ÅのNiFe合金）を形成
し、MR素子１上にTi,Mo,Cr,Ta,W等の非磁性導体層２を
同様の方法で形成し、更に非磁性導体層２上に非晶質軟
磁性体層３を同様な方法で形成した構造を有するMRヘッ
ドを開示している。ここで、４はMR素子1,非磁性導体層
２および非晶質磁性体層３の積層体に通電するための端
子である。
このようなMRヘッドにおいては、端子４から供給され
るセンス電流Ｉは、MR素子１のみならず非磁性導体層２
および非晶質体磁性層３にも分流する。従って、このよ
うな構造においては、MR素子１および非磁性導体層２に
分流したセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁性体層３の面
内を通りかつセンス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が発
生し、この磁界により非晶質軟磁性体層３の磁化方向が
回転する。このため、非晶質軟磁性体層３における磁化
は、非晶質軟磁性体層３の周囲に前記磁化の方向とは逆
方向の磁界を生じ、その一部はMR素子１に印加される。
一方、非晶質軟磁性体層３および非磁性導体層２に分流
したセンス電流Ｉにより、MR素子１の面内を通りセンス
電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界の方向は前述
の非晶質軟磁性体層３の磁化によって発生する磁界の方
向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層３の磁化によ
って発生する磁界とセンス電流Ｉによって生じる磁界
が、MR素子１にバイアス磁界として印加される。このバ
イアス磁界は、MR素子１の磁化をセンス電流Ｉに対して
回転させ、MR素子１のバイアス角度θを所定の値（理想
的には45度）とし、線形応答性に優れたMRヘッドを実現
する。
るセンス電流Ｉは、MR素子１のみならず非磁性導体層２
および非晶質体磁性層３にも分流する。従って、このよ
うな構造においては、MR素子１および非磁性導体層２に
分流したセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁性体層３の面
内を通りかつセンス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が発
生し、この磁界により非晶質軟磁性体層３の磁化方向が
回転する。このため、非晶質軟磁性体層３における磁化
は、非晶質軟磁性体層３の周囲に前記磁化の方向とは逆
方向の磁界を生じ、その一部はMR素子１に印加される。
一方、非晶質軟磁性体層３および非磁性導体層２に分流
したセンス電流Ｉにより、MR素子１の面内を通りセンス
電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界の方向は前述
の非晶質軟磁性体層３の磁化によって発生する磁界の方
向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層３の磁化によ
って発生する磁界とセンス電流Ｉによって生じる磁界
が、MR素子１にバイアス磁界として印加される。このバ
イアス磁界は、MR素子１の磁化をセンス電流Ｉに対して
回転させ、MR素子１のバイアス角度θを所定の値（理想
的には45度）とし、線形応答性に優れたMRヘッドを実現
する。
ところで、非晶質軟磁性体層としては、特願平１−12
4209号に記載されているCoTaMo膜、およびジャーナル・
オブ・アプライド・フィジック誌第63巻,4023頁に記載
されているCoZrMo膜が公知例として知られている。この
CoTaMo膜およびCoZrMo膜は、抵抗変化率が通常MR素子と
して使用されるNiFe膜の抵抗変化率1/100と極めて小さ
く、逆に比抵抗はNiFe膜の５〜６倍と大きく、また異方
性磁界は４〜6OeとNiFe膜とほぼ同じであり、非晶質軟
磁性体層として望ましい特性を有している。しかも、磁
歪定数は10-7のオーダーであり、磁気特性の観点からみ
れば非晶質軟磁性体層の材料として理想的と言えるもの
である。
4209号に記載されているCoTaMo膜、およびジャーナル・
オブ・アプライド・フィジック誌第63巻,4023頁に記載
されているCoZrMo膜が公知例として知られている。この
CoTaMo膜およびCoZrMo膜は、抵抗変化率が通常MR素子と
して使用されるNiFe膜の抵抗変化率1/100と極めて小さ
く、逆に比抵抗はNiFe膜の５〜６倍と大きく、また異方
性磁界は４〜6OeとNiFe膜とほぼ同じであり、非晶質軟
磁性体層として望ましい特性を有している。しかも、磁
歪定数は10-7のオーダーであり、磁気特性の観点からみ
れば非晶質軟磁性体層の材料として理想的と言えるもの
である。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、非晶質軟磁性体層に求められる特性として
は、単に上述したような良好な磁気特性を有することの
みではなく、ヘッドの特性を長期的に保証するため、優
れた耐蝕性を有することも重要である。特に、磁気記憶
装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッドでは、膨大な量の
情報を読み出すため高い信頼性が要求されており、磁気
抵抗効果ヘッドを構成する非晶質軟磁性体層にも当然の
ことながら高い信頼性（耐蝕性）が求められている。
は、単に上述したような良好な磁気特性を有することの
みではなく、ヘッドの特性を長期的に保証するため、優
れた耐蝕性を有することも重要である。特に、磁気記憶
装置に用いられる磁気抵抗効果ヘッドでは、膨大な量の
情報を読み出すため高い信頼性が要求されており、磁気
抵抗効果ヘッドを構成する非晶質軟磁性体層にも当然の
ことながら高い信頼性（耐蝕性）が求められている。
本発明はこのような従来の状況を踏まえてなされたも
のであり、従来非晶質軟磁性体層として用いられたCoTa
Mo膜やCoZrMo膜に較べて、より優れた耐蝕性を有する非
晶質軟磁性体層材料を提供し、信頼性の高いMRヘッドを
実現することを目的としている。
のであり、従来非晶質軟磁性体層として用いられたCoTa
Mo膜やCoZrMo膜に較べて、より優れた耐蝕性を有する非
晶質軟磁性体層材料を提供し、信頼性の高いMRヘッドを
実現することを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、か
つ前記非晶質軟磁性体層が、CoTaMoに１〜６原子％のPt
を添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド、および強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質磁性体層
とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、かつ
前記非晶質軟磁性体層が、CoZrMoに２〜６原子％のPtを
添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ドである。
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、か
つ前記非晶質軟磁性体層が、CoTaMoに１〜６原子％のPt
を添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド、および強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質磁性体層
とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、かつ
前記非晶質軟磁性体層が、CoZrMoに２〜６原子％のPtを
添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ドである。
［作用］ 第２図はガラス基板上に成膜した膜厚0.3μｍのCo80T
a8-XMo12PtX（原子％）膜を、湿度85％、温度90℃の環
境下に放置した際の飽和磁化Msの変化を示した図であ
る。ここで、横軸は添加したPtの添加量ｘを原子％で示
しており、縦軸は試験後のMs値が試験前の値の80％にな
る時間をログスケールで示している。
a8-XMo12PtX（原子％）膜を、湿度85％、温度90℃の環
境下に放置した際の飽和磁化Msの変化を示した図であ
る。ここで、横軸は添加したPtの添加量ｘを原子％で示
しており、縦軸は試験後のMs値が試験前の値の80％にな
る時間をログスケールで示している。
第２図から明らかなように、Pt添加膜では、0at％ま
たは1at％未満のPt添加膜では、やはり300時間程度で飽
和磁化が初期値の80％まで低下している。しかし、1at
％以上のPtを添加した膜では飽和磁化の減少が著しく抑
制されており、例えば1at％Pt添加膜および3at％Pt添加
膜では、Ms値が初期値の80％まで減少する時間は各々約
5000時間、約9000時間と、Pt添加量が1at％未満の場合
に比較して、やはり10〜30倍の長い時間を要しており、
膜の耐蝕性が著しく向上しており、信頼性の高い磁気抵
抗効果ヘッドが実現できる。
たは1at％未満のPt添加膜では、やはり300時間程度で飽
和磁化が初期値の80％まで低下している。しかし、1at
％以上のPtを添加した膜では飽和磁化の減少が著しく抑
制されており、例えば1at％Pt添加膜および3at％Pt添加
膜では、Ms値が初期値の80％まで減少する時間は各々約
5000時間、約9000時間と、Pt添加量が1at％未満の場合
に比較して、やはり10〜30倍の長い時間を要しており、
膜の耐蝕性が著しく向上しており、信頼性の高い磁気抵
抗効果ヘッドが実現できる。
また、第３図はガラス基板上に成膜した膜厚0.3μｍ
のCo80Zr8-XMo12PtX（原子％）膜を、湿度85％、温度90
℃の環境下に放置した際の飽和磁化Msの変化を示した図
である。ここで、横軸は添加したPt量ｘを原子％で示し
ており、縦軸は試験後のMs値が試験前の値の80％になる
時間をログスケールで示している。この図から明らかな
ように、Pt添加量が0at％または2at％未満の膜では、僅
か200時間程度で飽和磁化が初期値の80％まで低下して
おり、膜の腐蝕が急激に進行していることがわかる。一
方、2at％以上Ptを添加した膜では飽和磁化の減少が著
しく抑制されており、例えば2at％Pt添加膜および3at％
Pt添加膜では、Ms値が初期値の80％まで減少する時間は
各々約7000時間、約8000時間と、Pt添加量が2at％未満
の場合に比較して、10倍以上の長い時間を要しており、
このことは膜の耐蝕性が著しく向上したことを意味して
いると言える。従って、Ptを2at％以上添加したCoZrMo
膜を非晶質軟磁性体層として用いることにより、従来の
CoZrMo膜に比較して耐蝕性が改善された信頼性の高い磁
気抵抗効果ヘッドが実現できる。
のCo80Zr8-XMo12PtX（原子％）膜を、湿度85％、温度90
℃の環境下に放置した際の飽和磁化Msの変化を示した図
である。ここで、横軸は添加したPt量ｘを原子％で示し
ており、縦軸は試験後のMs値が試験前の値の80％になる
時間をログスケールで示している。この図から明らかな
ように、Pt添加量が0at％または2at％未満の膜では、僅
か200時間程度で飽和磁化が初期値の80％まで低下して
おり、膜の腐蝕が急激に進行していることがわかる。一
方、2at％以上Ptを添加した膜では飽和磁化の減少が著
しく抑制されており、例えば2at％Pt添加膜および3at％
Pt添加膜では、Ms値が初期値の80％まで減少する時間は
各々約7000時間、約8000時間と、Pt添加量が2at％未満
の場合に比較して、10倍以上の長い時間を要しており、
このことは膜の耐蝕性が著しく向上したことを意味して
いると言える。従って、Ptを2at％以上添加したCoZrMo
膜を非晶質軟磁性体層として用いることにより、従来の
CoZrMo膜に比較して耐蝕性が改善された信頼性の高い磁
気抵抗効果ヘッドが実現できる。
ここで重要な点は、膜の耐蝕性はPtの添加により著し
く改善されるが、磁気特性の観点からPtの添加量に上限
があることである。
く改善されるが、磁気特性の観点からPtの添加量に上限
があることである。
つまり、CoTaMo膜の場合、Ptの添加量が6at％を越え
ると、未添加の膜に較べ保磁力が急激に増大（例えば第
２図の場合、6.3at％添加で1.8〜2.5倍に増大）し、し
かも磁気異方性の分散が顕著となり、非晶質軟磁性体層
として用いることができなかった。他のCoTaMoPt膜（両
膜ともCo量にして75〜87原子％の範囲）についても検討
したが、やはりPtを2at％以上添加することにより耐蝕
性が向上すること、並びに6at％を越えるPt添加により
磁気特性が劣化し、非晶質軟磁性体層として使用できな
いことが明らかとなった。
ると、未添加の膜に較べ保磁力が急激に増大（例えば第
２図の場合、6.3at％添加で1.8〜2.5倍に増大）し、し
かも磁気異方性の分散が顕著となり、非晶質軟磁性体層
として用いることができなかった。他のCoTaMoPt膜（両
膜ともCo量にして75〜87原子％の範囲）についても検討
したが、やはりPtを2at％以上添加することにより耐蝕
性が向上すること、並びに6at％を越えるPt添加により
磁気特性が劣化し、非晶質軟磁性体層として使用できな
いことが明らかとなった。
以上から、非晶質軟磁性体層として望ましい磁気的特
性を有し、かつ耐蝕性に優れたCoTaMo膜に対する添加量
ｘは、Ptの場合、原子％表示で１％≦Ｘ≦６％であっ
た。
性を有し、かつ耐蝕性に優れたCoTaMo膜に対する添加量
ｘは、Ptの場合、原子％表示で１％≦Ｘ≦６％であっ
た。
また、CoZrMo膜の場合も、Pt添加量が6at％を越える
と、未添加の膜に較べ保磁力が急激に増大（例えば第３
図の場合、6.4at％添加で約２倍に増大）し、しかも磁
気異方性の分散が顕著となり、非晶質軟磁性体層として
用いることができなかった。他のCoZrMoPt膜（Co量にし
て75〜87原子％）についても検討したが、やはりPtを2a
t％以上添加することにより耐蝕性が向上すること、お
よび6at％を越えるPt添加により磁気特性が劣化し、非
晶質軟磁性体層として使用できないことが明らかとなっ
た。
と、未添加の膜に較べ保磁力が急激に増大（例えば第３
図の場合、6.4at％添加で約２倍に増大）し、しかも磁
気異方性の分散が顕著となり、非晶質軟磁性体層として
用いることができなかった。他のCoZrMoPt膜（Co量にし
て75〜87原子％）についても検討したが、やはりPtを2a
t％以上添加することにより耐蝕性が向上すること、お
よび6at％を越えるPt添加により磁気特性が劣化し、非
晶質軟磁性体層として使用できないことが明らかとなっ
た。
以上から、非晶質軟磁性体層として望ましい磁気的特
性を有し、かつ耐蝕性に優れたCoZrMo膜に対するPt添加
量ｘは、原子％表示で２％≦Ｘ≦６％であった。
性を有し、かつ耐蝕性に優れたCoZrMo膜に対するPt添加
量ｘは、原子％表示で２％≦Ｘ≦６％であった。
［実施例］ 次に本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１ 本発明の一実施例の構成について、第１図を用いて説
明する。第１図において、ガラス等の非磁性基板（図示
せず）上に蒸着法を用いてMR素子１となる膜厚400Åの
パーマロイ（Ni82％−Fe18％，重量％）膜を成膜した。
なお、蒸着時には100Oeの磁界を永久磁石で印加し、パ
ーマロイ膜に一軸異方性を付与した。次いで、同じく蒸
着法を用いて非磁性導体層２となる膜厚200ÅのTi膜を
前記パーマロイ膜上に成膜した。
明する。第１図において、ガラス等の非磁性基板（図示
せず）上に蒸着法を用いてMR素子１となる膜厚400Åの
パーマロイ（Ni82％−Fe18％，重量％）膜を成膜した。
なお、蒸着時には100Oeの磁界を永久磁石で印加し、パ
ーマロイ膜に一軸異方性を付与した。次いで、同じく蒸
着法を用いて非磁性導体層２となる膜厚200ÅのTi膜を
前記パーマロイ膜上に成膜した。
さらに、非晶質軟磁性体層３として、膜厚300Å、異
方性磁界Hk5OeのCoTaMoPt膜層（Co82％−Ta4％−Mo12％
−Pt2％，原子％）を前述のTi膜上に蒸着法を用いて成
膜した。なお、CoTaMoPt膜の蒸着に際しては成膜時の基
板温度を低く抑えるため、基板ホルダを液体窒素で冷却
しつつ行った。
方性磁界Hk5OeのCoTaMoPt膜層（Co82％−Ta4％−Mo12％
−Pt2％，原子％）を前述のTi膜上に蒸着法を用いて成
膜した。なお、CoTaMoPt膜の蒸着に際しては成膜時の基
板温度を低く抑えるため、基板ホルダを液体窒素で冷却
しつつ行った。
その後、この積層体上に所定形状のフォトレジストパ
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mTorrである。
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mTorrである。
次いで、前述の積層体にセンス電流Ｉを供給する端子
４を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。なお、端子４はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚
は各々50Å、0.5μｍである。
４を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。なお、端子４はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚
は各々50Å、0.5μｍである。
以上のような構成を有する本実施例によるMRヘッドに
おいては、センス電流Ｉが15mAで良好な線形応答性と高
い再生効率を有することが確認された。次いで、このMR
ヘッドを湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間連続し
て放置した後、情報の読み出し動作を行ったが、放置前
と全く変わらない再生特性が得られた。
おいては、センス電流Ｉが15mAで良好な線形応答性と高
い再生効率を有することが確認された。次いで、このMR
ヘッドを湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間連続し
て放置した後、情報の読み出し動作を行ったが、放置前
と全く変わらない再生特性が得られた。
比較例１ 非晶質軟磁性体層をPtを添加しないCoTaMo膜（Co82％
−Ta5％−Mo13％，原子％）とした以外は実施例１と全
く同様にしてMRヘッドを作製した。
−Ta5％−Mo13％，原子％）とした以外は実施例１と全
く同様にしてMRヘッドを作製した。
このMRヘッドの初期再生特性は実施例１と全く遜色が
なかったが、湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間放
置した後の再生出力は初期の1/4に低下した。浮揚面側
からMR素子部を観察したところ、非晶質軟磁性体層部分
に変色が認められ、膜の腐蝕により充分なバイアスがMR
素子に印加されなかったことが出力低下の原因と推定さ
れた。
なかったが、湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間放
置した後の再生出力は初期の1/4に低下した。浮揚面側
からMR素子部を観察したところ、非晶質軟磁性体層部分
に変色が認められ、膜の腐蝕により充分なバイアスがMR
素子に印加されなかったことが出力低下の原因と推定さ
れた。
比較例２ 非晶質軟磁性体層をPt添加量6.4％のCoTaMoPt膜とし
た以外は実施例１と全く同様としたMRヘッドを作製し
た。
た以外は実施例１と全く同様としたMRヘッドを作製し
た。
しかし、このCoTaMoPt膜は磁気異方性分散が大きく保
磁力も大きかったため、十分なバイアスをMR素子に印加
することができず、作製したMRヘッドの再生波形に著し
いノイズが認められ、実用に供しないことが明らかとな
った。
磁力も大きかったため、十分なバイアスをMR素子に印加
することができず、作製したMRヘッドの再生波形に著し
いノイズが認められ、実用に供しないことが明らかとな
った。
実施例２ 第１図において、ガラス等の非磁性基板（図示せず）
上に蒸着法を用いてMR素子１となる膜厚400Åのパーマ
ロイ（Ni82％−Fe18％，重量％）膜を成膜した。なお、
蒸着時には100Oeの磁界を永久磁石で印加し、パーマロ
イ膜に一軸異方性を付与した。次いで、同じく蒸着法を
用いて非磁性導体層２となる膜厚200ÅのTi膜を前記パ
ーマロイ膜上に成膜した。
上に蒸着法を用いてMR素子１となる膜厚400Åのパーマ
ロイ（Ni82％−Fe18％，重量％）膜を成膜した。なお、
蒸着時には100Oeの磁界を永久磁石で印加し、パーマロ
イ膜に一軸異方性を付与した。次いで、同じく蒸着法を
用いて非磁性導体層２となる膜厚200ÅのTi膜を前記パ
ーマロイ膜上に成膜した。
更に、非晶質軟磁性体層３として、膜厚300Å、異方
性磁界Hk5OeのCoZrMoPt膜層（Co82％−Zr4％−Mo12％−
Pt2％，原子％）を前述のTi膜上に蒸着法を用いて成膜
した。なお、CoZrMoPt膜の蒸着に際しては成膜時の基板
温度を低く抑えるため、基板ホルダを液体窒素で冷却し
つつ行った。
性磁界Hk5OeのCoZrMoPt膜層（Co82％−Zr4％−Mo12％−
Pt2％，原子％）を前述のTi膜上に蒸着法を用いて成膜
した。なお、CoZrMoPt膜の蒸着に際しては成膜時の基板
温度を低く抑えるため、基板ホルダを液体窒素で冷却し
つつ行った。
その後、この積層体上に所定形状のフォトレジストパ
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mTorrである。
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mTorrである。
次いで、前述の積層体にセンス電流Ｉを供給する端子
４を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。なお、端子４はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚
は各々50Å、0.5μｍである。
４を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。なお、端子４はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚
は各々50Å、0.5μｍである。
以上のような構成を有する本実施例によるMRヘッドに
おいては、センス電流Ｉが15mAで良好な線形応答性と高
い再生効率を有することが確認された。次いで、このMR
ヘッドを湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間連続し
て放置した後、情報の読み出し動作を行ったが、放置前
と全く変わらない再生特性が得られた。
おいては、センス電流Ｉが15mAで良好な線形応答性と高
い再生効率を有することが確認された。次いで、このMR
ヘッドを湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間連続し
て放置した後、情報の読み出し動作を行ったが、放置前
と全く変わらない再生特性が得られた。
比較例３ 非晶質軟磁性体層をPtを添加しない従来のCoZrMo膜
（Co82％−Zr5％−Mo13％，原子％）とした以外は実施
例３と全く同様にしてMRヘッドを作製した。
（Co82％−Zr5％−Mo13％，原子％）とした以外は実施
例３と全く同様にしてMRヘッドを作製した。
このMRヘッドの初期再生特性は実施例３と全く遜色が
なかったが、湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間放
置した後の再生出力は初期の1/4に低下した。浮揚面側
からMR素子部を観察したところ、非晶質軟磁性体層部分
に変色が認められ、膜の腐蝕により充分なバイアスがMR
素子に印加されなかったことが出力低下の原因と推定さ
れた。
なかったが、湿度85％、温度90℃の環境下に3000時間放
置した後の再生出力は初期の1/4に低下した。浮揚面側
からMR素子部を観察したところ、非晶質軟磁性体層部分
に変色が認められ、膜の腐蝕により充分なバイアスがMR
素子に印加されなかったことが出力低下の原因と推定さ
れた。
比較例４ 非晶質軟磁性体層をCoZrMoPt膜（Co82％−Zr4％−Mo
7.5％−Pt6.5％，原子％）とした以外は実施例３と全く
同様としたMRヘッドを作製した。
7.5％−Pt6.5％，原子％）とした以外は実施例３と全く
同様としたMRヘッドを作製した。
しかし、このCoZrMoPt膜は磁気異方性分散が大きく、
充分なバイアスをMR素子に印加することができず、作製
したMRヘッドの再生波形に著しいノイズが認められ、実
用に供し得ないことが明らかとなった。
充分なバイアスをMR素子に印加することができず、作製
したMRヘッドの再生波形に著しいノイズが認められ、実
用に供し得ないことが明らかとなった。
なお、以上の説明においては、MR素子、非磁性導体
層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層する場合のみに
ついて述べたが、非晶質軟磁性体層、非磁性導体層、MR
素子の順序で積層したMRヘッドにおいても本発明の意図
するところはなんら損なわれない。また、非磁性導体層
をなす材料はTiに限定されるものではなく、例えばTa,M
o,Wあるいはこれらの合金等を使用しても構わない。
層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層する場合のみに
ついて述べたが、非晶質軟磁性体層、非磁性導体層、MR
素子の順序で積層したMRヘッドにおいても本発明の意図
するところはなんら損なわれない。また、非磁性導体層
をなす材料はTiに限定されるものではなく、例えばTa,M
o,Wあるいはこれらの合金等を使用しても構わない。
［発明の効果］ 以上述べてきたように、本発明によれば所定量のPtを
含むCoTaMo膜あるいは所定量のPtを含むCoZrMo膜を非晶
質軟磁性体層の材料として用いることにより、非晶質軟
磁性体層の耐蝕性を改善した、信頼性の高いMRヘッドが
実現される。
含むCoTaMo膜あるいは所定量のPtを含むCoZrMo膜を非晶
質軟磁性体層の材料として用いることにより、非晶質軟
磁性体層の耐蝕性を改善した、信頼性の高いMRヘッドが
実現される。
第１図は本発明による磁気抵抗効果ヘッドの基本的構成
を示す構成図、第２図はCoTaMoへのPtの添加量に対する
飽和磁化の変化を示す図、第３図はCoZrMoへのPt添加量
に対する飽和磁化の変化を示ず図である。 １……MR素子 ２……非磁性導体層 ３……非晶質軟磁性体層 ４……端子
を示す構成図、第２図はCoTaMoへのPtの添加量に対する
飽和磁化の変化を示す図、第３図はCoZrMoへのPt添加量
に対する飽和磁化の変化を示ず図である。 １……MR素子 ２……非磁性導体層 ３……非晶質軟磁性体層 ４……端子
Claims (2)
- 【請求項１】強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、か
つ前記非晶質軟磁性体層が、CoTaMoに１〜６原子％のPt
を添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項２】強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有し、か
つ前記非晶質軟磁性体層が、CoZrMoに２〜６原子％のPt
を添加した膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180588A JP2621601B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2180588A JP2621601B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469808A JPH0469808A (ja) | 1992-03-05 |
| JP2621601B2 true JP2621601B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=16085891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2180588A Expired - Fee Related JP2621601B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621601B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428005A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2180588A patent/JP2621601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428005A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469808A (ja) | 1992-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |