JPS63272045A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子の組立てに係り、特に、薄型の半導
体装置を組立てるのに好適な半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の装置は、特開昭６１−９５５３９号公報に記載の
ように、タブに取り付けられてなる半導体素子がリード
線端部と電気的に、薄い金属製の箔を介して接続されて
いた。

特開昭６１−６７９４９号公報。

絶縁性フィルム上にはり合せた銅箔にリード線のパター
ンを形成し、このリード線端部と半導体素子の電極部分
とを圧着していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術では、金属箔とフレームのリード端部とを
一体化することについて考慮されておらず、半導体装置
を薄くできない問題があった。

従来技術３は、半導体素子を支持する絶縁性フィルムの
帯電を防止することについて考慮がされておらず、歩留
りよく半導体装置を作製できない問題があった。

フレームをエツチングして、リード線端部を薄く形成す
る方法は、リード線端部の厚さを均一に調整することに
ついて考慮されておらず、リード線端部と素子のｆＩ！
極部分とを均一に圧着できないなど、接触不良を生じる
おそれがあった。

本発明の目的は、リード線端部と支持部分とを一体化し
、帯電しない支持体を設け、かつ、リード線端部を平滑
にすること及び、半導体素子を薄くすることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的の一つは、厚さ２００μｍ以上の金属製板にリ
ード線パターンを形成し、リード線端部を圧着して５０
μｍ以下にし、さらに、リード線の形状に打抜くことに
より達成される。リード線端部を圧着するとき、極圧剤
として、リン酸エステル、二硫化モリブデン及び、グラ
ファイトの粉末を単独、あるいは、二成分以上を混合し
て用いることにより、本目的は円滑に達成される。

第二の目的は、シリコンウェハを厚さ２５０μｍ以下に
エツチングすることにより達成される。

〔作用〕

リン酸エステル、二硫化モリブデン及び、グラファイト
の粉末は、リード線端部と、圧着治具との焼き付けを防
止するので、リード線端部を平滑に形成できるように動
作する。それによってリード線端部の羊滑度は１μｍ以
下となり、リード線端部の厚さの公差を±３μｍ以下に
することができるので、半導体素子の電極部分とを均一
に圧着することができ、不圧着の半導体素子を形成する
ことがない。

〔実施例〕

以下１本発明の実施例を第１図ないし第３図により説明
する。

〈実施例１〉 厚さ２５０μｍの４２７０イにッケルを含む鉄合金）の
金属箔に、第１図（ａ）に示したリード線のパターンを
形成する。次に、リード線の端部２だけを極圧剤を用い
ないで圧着して、厚さ５０μｍにし、第１図（ｂ）に示
したパターンにする。さらに、このリード線端部２を打
ち抜くことにより、第１図（ｃ）に示した所定のパター
ンを得る。第１図（ｄ）に、その断面を示す。各リード
線端部２の厚さの公差は±３μｍであった。

回路を形成した厚さ４００μｍのシリコンウェハを固定
し、素子の形状にそって深さ２５０μｍの切り込みを入
れた後に、素子の表面にエチレン製ワックスを塗布し、
耐酸性のポリエチレン樹脂板をのせて固着した。この試
料をフッ硝酸系の混酸中に浸漬し、２００μｍの厚さに
なるまで、エツチングした。この試料を、キシレンの沸
騰液中に入れてワックスを溶解し、素子を個別に切断し
た。これらの製造工程におけるウェハの断面の形状変化
を第２図に示す。

この素子の電極部分に凸起物として半田ボールを介して
、第１図（Ｑ）に示すパターンのリード線部分に圧着し
て固定した。この状態を第３図に示す。

〈実施例２〉 リード線端部を圧着するときに極圧剤としてリン酸エチ
ルエステルを用いた。これ以外は、実施例１と同じ操作
をした。

〈実施例３〉 リード線端部に圧着するときに極圧剤として二硫化モリ
ブデンを用いた。これ以外は実施例１と同じ操作をした
。

〈実施例４〉 リード線端部を圧着するときに極圧剤として黒鉛粉末を
用いた。これ以外は、実施例１と同じ操作をした。

〈実施例５〜８〉 リード線端部と素子の電極部分とを圧着するために凸起
物１２として金バンプを用いた。これ以外は実施例１〜
４と同じ操作をした。

〈比較例１〉 エツチング法により、フレームのリード線端部を第１図
（ｄ）に示すような形状に加工した。この先端部分の公
差は±１０μｍであった。このフレームを用いて、半導
体素子の電極部分１１とリード線端部を金バンプを介し
て圧着した。

〈比較例２〉 テープキャリヤのリード線端部の厚さの公差は±１μｍ
であり、不圧着率は７％であった。また、製造中におけ
る。静電気による破損率は３０％であった。

く比較例３〉 テープキャリヤに組込んだ半導体素子を第１図（ａ）に
示したリードフレームに圧着した。このときの不圧着率
は３％であったが、静電気による破損は５０％に達した
。

実施例１〜８及び、比較例１〜３でそれぞれ作製したー
千個の半導体装置の不圧着率と、静電気による破損率を
表１に示す。

第　　１　　表 実施例１〜８の不圧着率は５％以下であり比較例１の３
０％より少ない、また、本実施例１〜８の製造中におけ
る静電気による破損は０％であり、比較例２，３の３０
〜５０％に比較してきわめて少ない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半導体素子の電極部分とリード線端部
を歩留りよく圧着することができ、また、半導体素子及
び、リード線を支持する部分は、全部メタルであり、同
一電位にあるので、静電気による破損もない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例のリードフレ
ームの平面図、第１図（ｄ）はその断面図、第２図（ａ
）〜（ｃ）はシリコンウェハの切断方法を説明する断面
図、第２図（ｄ）は切断した素子の断面図、第３図（ａ
）はリード線端部と素子を圧着したときの平面図、第３
図（ｂ）はその断面図である。 １・・リードフレーム、２・・・圧着する前のリード線
￥　１１￥１ ′６２　図 （し） （丈） 口口２０）、７０ 名　３　口 （久） （し）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子をフレームのリード線部分に圧着して製
   造する半導体装置において、 前記フレームにリード線のパターンを形成した後に、前
   記リード線の端部を選択的に極圧剤の存在化に圧接して
   押しつぶし、均一な厚さに圧着した後に、再度リード線
   のパターンを形成した前記フレームの前記リード線の端
   部を、素子の電極部分に圧着することを特徴とする半導
   体装置。 ２、前記半導体素子の回路を形成したシリコンウェハに
   、素子の形状にそつて溝を掘つた後に、素子の表面を耐
   酸性の有機物で耐酸性の治具に固定し、ウェハの裏面を
   エッチングし、溝の底部迄エッチングし素子を切り断し
   た後に、耐酸性の有機物を有機溶剤を用いて溶解して分
   離独立させた半導体素子を前記フレームのリード線部分
   に圧着することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体装置。 ３、５０μｍ以下の厚さ圧着したリード線端部を、２５
   ０μｍ以下の厚さにエッチングした半導体素子の電極部
   分に圧着したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の半導体装置。 ４、極圧剤としてリン酸エステル、二硫化モリブデンの
   粉末及び、グラファイトの粉末などを用いることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。