JPS63271199A - Ｘ線透過像縮小投影装置 - Google Patents
Ｘ線透過像縮小投影装置Info
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- JPS63271199A JPS63271199A JP62104236A JP10423687A JPS63271199A JP S63271199 A JPS63271199 A JP S63271199A JP 62104236 A JP62104236 A JP 62104236A JP 10423687 A JP10423687 A JP 10423687A JP S63271199 A JPS63271199 A JP S63271199A
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Links
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線転写装置に係り、特に微細パターン形成に
好適なＸ線像縮小法に関する。
好適なＸ線像縮小法に関する。
従来のＸ線による転写装置はニュークリア、インスツル
メンツ、アンド、メソツメＡ２４６巻（１９８６年）頁
６８１〜６８６ （Ｎｕｃｌ、Ｉｎ５ｔｒ ａｎｄ阿ｅ
ｔｈ Ａ２４６ （１９８６）６８１〜６８６）にある
ように原像を透過したＸ線をそのまま受光体（レジスト
等）に入射させていた。その場合は転写像は物体より小
さくなることはあり得す、微細な転写像を得るにはそれ
に見合った微細な原像が必要であった。
メンツ、アンド、メソツメＡ２４６巻（１９８６年）頁
６８１〜６８６ （Ｎｕｃｌ、Ｉｎ５ｔｒ ａｎｄ阿ｅ
ｔｈ Ａ２４６ （１９８６）６８１〜６８６）にある
ように原像を透過したＸ線をそのまま受光体（レジスト
等）に入射させていた。その場合は転写像は物体より小
さくなることはあり得す、微細な転写像を得るにはそれ
に見合った微細な原像が必要であった。
上記従来技術は、Ｘ線に対してはすべての物質の屈折率
がほとんど１であるため、可視光のレンズのような屈折
効果を利用した集光法による像の縮小投影が実用上不可
能なために、原像の透過Ｘ線像をそのまま転写しており
、原像より微細なパターンは作成出来ないという問題が
あった。
がほとんど１であるため、可視光のレンズのような屈折
効果を利用した集光法による像の縮小投影が実用上不可
能なために、原像の透過Ｘ線像をそのまま転写しており
、原像より微細なパターンは作成出来ないという問題が
あった。
本発明の目的はＸ線透過像の縮小投影を可能とし、粗い
原像から任意の倍率で微細な転写像を作成可能とするこ
とにある。
原像から任意の倍率で微細な転写像を作成可能とするこ
とにある。
上記目的は、単色かつ平行なＸ線を用い、このＸ線によ
る物体の透過Ｘ線を結晶によってブラッグ反射させ、さ
らにこのブラッグ反射する結晶格子面に対して結晶表面
をある角度だけ傾けて加工しておくことによって達成さ
れる。
る物体の透過Ｘ線を結晶によってブラッグ反射させ、さ
らにこのブラッグ反射する結晶格子面に対して結晶表面
をある角度だけ傾けて加工しておくことによって達成さ
れる。
本発明の作用を第１図に従って説明する。結晶のような
内部に周期的な原子の配列を有する物体に波長人の単色
かつ平行なＸ線が入射した場合、適当な条件が満たされ
ていると各原子によって散乱されたＸ線が干渉効果によ
りある特定の方向にのみ集中する。これはブラッグ反射
と呼ばれる良く知られた現象である。この現象は結晶内
部の周期的な原子配列による結晶中の仮想的な反射面の
集合を考えることによって良く理解される。すなわち単
結晶１の内部に原子配列による格子面２が間隔ｄをもっ
て配列している場合を考えると、入射Ｘ線３と反射Ｘ線
４の光路差がＸ線の波長入に等しいとき、すなわちλ＝
２ ｄ ｓｉｎθＢ（ここでθＢは格子面２と入射Ｘ
線３のなす角である）なる条件を満たすときに多数の原
子による散乱波が干渉効果により強められるために１反
射Ｘ線４は入射Ｘ線３に対して格子面２と対称な方向に
のみ強く反射される。すなわち反射Ｘ線４も格子面２に
対してθＢの角をなす。このブラッグ反射は結晶内部の
原子配列のみで定まり、単結晶１の表面の形状とは無関
係である。したがって、この際に単結晶１の表面が格子
面２に対して角αだけ傾いている場合、図１に示すよう
に幅ｄｏの入射ＸＩａ束３に対して反射Ｘ線束４の幅は
ｄｘになり、ブラッグ反射の前後でＸ線束の幅は紙面と
平行な方向にｄ、ｏ ｄ 。
内部に周期的な原子の配列を有する物体に波長人の単色
かつ平行なＸ線が入射した場合、適当な条件が満たされ
ていると各原子によって散乱されたＸ線が干渉効果によ
りある特定の方向にのみ集中する。これはブラッグ反射
と呼ばれる良く知られた現象である。この現象は結晶内
部の周期的な原子配列による結晶中の仮想的な反射面の
集合を考えることによって良く理解される。すなわち単
結晶１の内部に原子配列による格子面２が間隔ｄをもっ
て配列している場合を考えると、入射Ｘ線３と反射Ｘ線
４の光路差がＸ線の波長入に等しいとき、すなわちλ＝
２ ｄ ｓｉｎθＢ（ここでθＢは格子面２と入射Ｘ
線３のなす角である）なる条件を満たすときに多数の原
子による散乱波が干渉効果により強められるために１反
射Ｘ線４は入射Ｘ線３に対して格子面２と対称な方向に
のみ強く反射される。すなわち反射Ｘ線４も格子面２に
対してθＢの角をなす。このブラッグ反射は結晶内部の
原子配列のみで定まり、単結晶１の表面の形状とは無関
係である。したがって、この際に単結晶１の表面が格子
面２に対して角αだけ傾いている場合、図１に示すよう
に幅ｄｏの入射ＸＩａ束３に対して反射Ｘ線束４の幅は
ｄｘになり、ブラッグ反射の前後でＸ線束の幅は紙面と
平行な方向にｄ、ｏ ｄ 。
のＸ線束の幅は不変である。またこのときに、入射Ｘ線
３と反射Ｘ線４は常に１対１に対応し、反射Ｘ線４も波
長人の平行ｘｌＩＡである。したがって、上記手法によ
り、物体を透過したＸ線像が単色かつ平行であれば、透
過Ｘ線像を縮小することが出来る。また倍率ＭはθＢと
αによって定まる。したがってＸ線の波長、結晶の格子
面、及び表面と格子面のなす角を適当に選ぶことによっ
て任意の倍率で縮小出来る。
３と反射Ｘ線４は常に１対１に対応し、反射Ｘ線４も波
長人の平行ｘｌＩＡである。したがって、上記手法によ
り、物体を透過したＸ線像が単色かつ平行であれば、透
過Ｘ線像を縮小することが出来る。また倍率ＭはθＢと
αによって定まる。したがってＸ線の波長、結晶の格子
面、及び表面と格子面のなす角を適当に選ぶことによっ
て任意の倍率で縮小出来る。
以下１本発明の一実施例を第２図により説明する波長０
．６２人の単色Ｘ線を用い、シリコン単結晶の（２２０
）格子面によってブラッグ反射させた。結晶表面と（２
２０）格子面のなす角αを６．２０ とすることによっ
て、１１５の倍率が得られた。等間隔スリットを原像５
として、フィルム６上に原像５を投影した場合、５０μ
ｍの線幅が１０μｍに縮小された。
．６２人の単色Ｘ線を用い、シリコン単結晶の（２２０
）格子面によってブラッグ反射させた。結晶表面と（２
２０）格子面のなす角αを６．２０ とすることによっ
て、１１５の倍率が得られた。等間隔スリットを原像５
として、フィルム６上に原像５を投影した場合、５０μ
ｍの線幅が１０μｍに縮小された。
本発明の他の実施例では、第１の実施例の方法における
反射Ｘ線４をさらに同一の手法で、最初の縮小方向と直
角方向に縮小することで原像５を二次元的に縮小した。
反射Ｘ線４をさらに同一の手法で、最初の縮小方向と直
角方向に縮小することで原像５を二次元的に縮小した。
これによって、−辺５０μｍの正方形のパターンが一辺
１０μｍの正方形のパターンに縮小された。
１０μｍの正方形のパターンに縮小された。
本発明によれば、Ｘ線による微細な画像やパターンを作
成する際に、必要な像に比べて大きい（すなわち粗い）
原像を用いることが出来で、原像の微細加工の限界以上
の細かい像を得ることが出来るという効果がある。また
、原像の加工精度や、位置合わせ精度がゆるやかになる
ため、原像を容易に作成出来ることや、位置合わせ機構
を簡略化出来るという効果がある。
成する際に、必要な像に比べて大きい（すなわち粗い）
原像を用いることが出来で、原像の微細加工の限界以上
の細かい像を得ることが出来るという効果がある。また
、原像の加工精度や、位置合わせ精度がゆるやかになる
ため、原像を容易に作成出来ることや、位置合わせ機構
を簡略化出来るという効果がある。
第１図は本発明におけるＸｇ像縮小法の原理図。
第２図は本発明の一実施例の側面図である。
Claims (1)
- １、単色かつ平行なＸ線束を用いて、これを物体に照射
し、透過したＸ線を結晶格子面に非平行な表面に加工し
た単結晶によつてブラッグ反射させることにより、透過
像を縮小するＸ線透過像縮小投影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104236A JPS63271199A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Ｘ線透過像縮小投影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104236A JPS63271199A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Ｘ線透過像縮小投影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271199A true JPS63271199A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14375327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62104236A Pending JPS63271199A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Ｘ線透過像縮小投影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271199A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032699A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Mc Sci:Kk | Ｘ線装置 |
| CN109243661A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-18 | 同济大学 | 一种侧壁倾斜式x射线层状多层膜光栅结构 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104236A patent/JPS63271199A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH032699A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Mc Sci:Kk | Ｘ線装置 |
| CN109243661A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-18 | 同济大学 | 一种侧壁倾斜式x射线层状多层膜光栅结构 |
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