JPH07119572B2 - 位置合せ装置 - Google Patents
位置合せ装置Info
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- JPH07119572B2 JPH07119572B2 JP61186220A JP18622086A JPH07119572B2 JP H07119572 B2 JPH07119572 B2 JP H07119572B2 JP 61186220 A JP61186220 A JP 61186220A JP 18622086 A JP18622086 A JP 18622086A JP H07119572 B2 JPH07119572 B2 JP H07119572B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は位置合せ装置に関し、例えば半導体製造装置に
おける投影露光装置などに適用し得るものである。
おける投影露光装置などに適用し得るものである。
半導体製造装置においては、高密度化された微細パター
ンを有するレチクルを正しく半導体ウエハ上に位置合せ
して、フオトレジスト上にレチクルのパターンを露光さ
せる際に、必要十分な位置合せ精度で半導体ウエハをレ
チクルに位置合せする必要がある。
ンを有するレチクルを正しく半導体ウエハ上に位置合せ
して、フオトレジスト上にレチクルのパターンを露光さ
せる際に、必要十分な位置合せ精度で半導体ウエハをレ
チクルに位置合せする必要がある。
これを実現する手法として従来、レチクル及び半導体ウ
エハ上に所定形状の格子状アライメントマークを予め形
成させておき、レチクル上のアライメントマークについ
て干渉に基づく２光束（例えば±１次光）を得てこれを
半導体ウエハのアライメントマークに照射することによ
つて干渉を生じさせることにより、レチクルと半導体ウ
エハとの位置合せをする方法が提案されている（特開昭
61−65251号）。
エハ上に所定形状の格子状アライメントマークを予め形
成させておき、レチクル上のアライメントマークについ
て干渉に基づく２光束（例えば±１次光）を得てこれを
半導体ウエハのアライメントマークに照射することによ
つて干渉を生じさせることにより、レチクルと半導体ウ
エハとの位置合せをする方法が提案されている（特開昭
61−65251号）。
すなわち第６図（Ｂ）に示すように、レチクル１に付さ
れたアライメントマークを透過するようにコヒーレント
なレーザ光LAを照射し、射出側に得られる±１次回折光
LA+1及びLA-1をフーリエ変換用レンズ２及び３を通じて
射出させ、これを投影レンズ４を通じて半導体ウエハ５
のアライメントマーク位置に集束させる。
れたアライメントマークを透過するようにコヒーレント
なレーザ光LAを照射し、射出側に得られる±１次回折光
LA+1及びLA-1をフーリエ変換用レンズ２及び３を通じて
射出させ、これを投影レンズ４を通じて半導体ウエハ５
のアライメントマーク位置に集束させる。
ここで、レチクル１上には、第７図に示すように、互い
にほぼ等しい幅をもつピツチＰの透過部SO1及び遮光部S
O2でなる強度格子構成のアライメントマークALMが形成
されている。
にほぼ等しい幅をもつピツチＰの透過部SO1及び遮光部S
O2でなる強度格子構成のアライメントマークALMが形成
されている。
このようにすると、半導体ウエハ５のアライメントマー
ク上に２光束干渉による干渉縞が発生し、その反射光を
検出光LADETとして光強度検出器６に斜め方向に取り出
す。
ク上に２光束干渉による干渉縞が発生し、その反射光を
検出光LADETとして光強度検出器６に斜め方向に取り出
す。
ここで光強度検出器６の検出出力は、レチクル１及び半
導体ウエハ５の相対的な位置がずれて行くと、その位置
ずれに応じて光強度が変化して行くので、当該光強度が
所定値になるように、例えば半導体ウエハ５を移動させ
るようにすることにより、半導体ウエハ５を投影レンズ
４を介してレチクル１に位置合せすることができる。
導体ウエハ５の相対的な位置がずれて行くと、その位置
ずれに応じて光強度が変化して行くので、当該光強度が
所定値になるように、例えば半導体ウエハ５を移動させ
るようにすることにより、半導体ウエハ５を投影レンズ
４を介してレチクル１に位置合せすることができる。
また第６図（Ａ）の場合は、第６図（Ｂ）との対応部分
に同一符号を付して示すように、半導体ウエハ５から得
られる検出光LADETを再度投影レンズ４、レンズ３、ミ
ラー７を介してフーリエ変換用レンズ２及び３間位置か
ら検出光LADETとして光強度検出器６へ引き出すように
構成されている。
に同一符号を付して示すように、半導体ウエハ５から得
られる検出光LADETを再度投影レンズ４、レンズ３、ミ
ラー７を介してフーリエ変換用レンズ２及び３間位置か
ら検出光LADETとして光強度検出器６へ引き出すように
構成されている。
ところが第６図の構成によると、入射レーザ光LAに基づ
いて、レチクル１のアライメントマークにおいて発生さ
れる回折光が、±１次光LA+1及びLA-1以外に０次光LA0
をも発生させるような構成が用いられている。この０次
光は、±１次光LA+1及びLA-1間位置に発生するから、±
１次光LA+1及びLA-1を２光束として取り出すときには、
その間にある０次光LA0も一緒に取り出される結果にな
る。
いて、レチクル１のアライメントマークにおいて発生さ
れる回折光が、±１次光LA+1及びLA-1以外に０次光LA0
をも発生させるような構成が用いられている。この０次
光は、±１次光LA+1及びLA-1間位置に発生するから、±
１次光LA+1及びLA-1を２光束として取り出すときには、
その間にある０次光LA0も一緒に取り出される結果にな
る。
しかしこの０次光LA0は、２光束干渉を利用して検出光L
ADETを得る際には不要な光束であり、これを除去するた
め、従来の構成においては、フーリエ変換用レンズ２及
び３間に空間フイルタ７を設け、この空間フイルタ７に
よつて０次光LA0をフイルタリングするように構成され
ている。
ADETを得る際には不要な光束であり、これを除去するた
め、従来の構成においては、フーリエ変換用レンズ２及
び３間に空間フイルタ７を設け、この空間フイルタ７に
よつて０次光LA0をフイルタリングするように構成され
ている。
なお第６図（Ｂ）の場合は、ミラー７が空間フイルタを
兼用している。
兼用している。
このように従来の構成においては、２光束干渉の原理に
基づいて位置合せ検出信号を得るためには、利用されな
い０次光を空間フイルタを用いて除去する構成をもつて
おり、この分入射レーザ光LAの利用率が低下すると共
に、位置合せ装置の構成が複雑になる問題がある。
基づいて位置合せ検出信号を得るためには、利用されな
い０次光を空間フイルタを用いて除去する構成をもつて
おり、この分入射レーザ光LAの利用率が低下すると共
に、位置合せ装置の構成が複雑になる問題がある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、０次光に
対する空間フイルタをもたなくても良いように構成する
ことにより、レーザ光源の利用率を一段と向上させ得る
と共に、全体としての構成を簡易化し得るようにした位
置合せ装置を提案しようとするものである。
対する空間フイルタをもたなくても良いように構成する
ことにより、レーザ光源の利用率を一段と向上させ得る
と共に、全体としての構成を簡易化し得るようにした位
置合せ装置を提案しようとするものである。
かかる問題点を解決するため本発明においては、第１の
位置合せ対象11に設けた位相回折格子でなる第１のアラ
イメントマークPT1をコヒーレントな光源によつて照射
し、この第１のアライメントマークPT1から射出された
回折光のうちの２つの回折光LA+1、LA-1を第２の位置合
せ対象13に設けた第２のアライメントマークPT2に集光
して当該２つの回折光LA+1、LA-1による干渉縞を発生さ
せ、当該干渉縞から得た検出光LADETによつて第１及び
第２の位置合せ対象11、13の相対的位置を位置合せする
ようにする。
位置合せ対象11に設けた位相回折格子でなる第１のアラ
イメントマークPT1をコヒーレントな光源によつて照射
し、この第１のアライメントマークPT1から射出された
回折光のうちの２つの回折光LA+1、LA-1を第２の位置合
せ対象13に設けた第２のアライメントマークPT2に集光
して当該２つの回折光LA+1、LA-1による干渉縞を発生さ
せ、当該干渉縞から得た検出光LADETによつて第１及び
第２の位置合せ対象11、13の相対的位置を位置合せする
ようにする。
第１の位置合せ対象11に設けた第１のアライメントマー
クPT1をコヒーレントな光線LAによつて照射すると、こ
の第１のアライメントマークPT1から０次光を含まない
回折光が射出される。
クPT1をコヒーレントな光線LAによつて照射すると、こ
の第１のアライメントマークPT1から０次光を含まない
回折光が射出される。
この回折光のうちの２つの回折光LA+1、LA-1を第２の位
置合せ対象13に設けた第２のアライメントマークPT2に
集光すると、２つの回折光LA+1、LA-1によつて第２のア
ライメントマークPT2上に干渉縞が発生する。この干渉
縞は、第２のアライメントマークによつて再度回折して
第１及び第２の位置合せ対象11及び13の相対的な位置を
表す大きさの検出光LADETを得ることができ、この検出
光LADETによつて第１及び第２の位置合せ対象11及び13
の相対的位置を位置合せすることができる。
置合せ対象13に設けた第２のアライメントマークPT2に
集光すると、２つの回折光LA+1、LA-1によつて第２のア
ライメントマークPT2上に干渉縞が発生する。この干渉
縞は、第２のアライメントマークによつて再度回折して
第１及び第２の位置合せ対象11及び13の相対的な位置を
表す大きさの検出光LADETを得ることができ、この検出
光LADETによつて第１及び第２の位置合せ対象11及び13
の相対的位置を位置合せすることができる。
かくするにつき、第１のアライメントマークPT1から射
出される回折光には０次の回折光が含まれていないこと
により、相対的位置合せを高い効率で、しかも簡易な構
成で実現し得る。
出される回折光には０次の回折光が含まれていないこと
により、相対的位置合せを高い効率で、しかも簡易な構
成で実現し得る。
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
第１図において、11は位置合せすべき第１の位置合せ対
象例えばレチクルで、レチクル11上には、第２図に示す
構成の透過型位相回折格子でなるアライメントマークPT
1が設けられている。
象例えばレチクルで、レチクル11上には、第２図に示す
構成の透過型位相回折格子でなるアライメントマークPT
1が設けられている。
アライメントマークPT1は、ピツチＰ間隔でスリツト部S
1が形成され、隣り合うスリツト部S1の間に、２枚の遮
光部S21及びS22と、透過部S23とでなるパターン部S2が
形成されている。
1が形成され、隣り合うスリツト部S1の間に、２枚の遮
光部S21及びS22と、透過部S23とでなるパターン部S2が
形成されている。
この実施例の場合、パターン部S2の遮光部S21及びS22
は、互いに透過部S23を侠んで離間した位置に設けられ
ており、透過部S23にλ/2板X1（λはレーザ光LAの波
長）が埋め込まれている。
は、互いに透過部S23を侠んで離間した位置に設けられ
ており、透過部S23にλ/2板X1（λはレーザ光LAの波
長）が埋め込まれている。
かくしてアライメントマークPT1にコヒーレントな光線
すなわちレーザ光LAが照射されたとき、これがスリツト
部S1において位相ずれが生ずることなくそのまま透過す
る。これに対してレーザ光LAが透過部S23を透過したと
きその位相がλ/2だけ遅延される。その結果アライメン
トマークPT1の射出側には、スリツト部S1及び透過部S21
をそれぞれ透過したレーザ光が互いに干渉することによ
り、±１次光LA+1及びLA-1を含む各次数の回折光が射出
される。
すなわちレーザ光LAが照射されたとき、これがスリツト
部S1において位相ずれが生ずることなくそのまま透過す
る。これに対してレーザ光LAが透過部S23を透過したと
きその位相がλ/2だけ遅延される。その結果アライメン
トマークPT1の射出側には、スリツト部S1及び透過部S21
をそれぞれ透過したレーザ光が互いに干渉することによ
り、±１次光LA+1及びLA-1を含む各次数の回折光が射出
される。
これに対してスリツトS1を透過した０次光は、透過部S2
3を透過したレーザ光によつて打ち消されて位相回折格
子PT1から射出されなくなる。
3を透過したレーザ光によつて打ち消されて位相回折格
子PT1から射出されなくなる。
この実施例の場合λ/2板X1は、付着加工を容易にするた
めに、透過部S23を構成するすき間のみならず、隣接す
る遮光部S21及びS22上にも形成されている。しかし有効
な回折動作範囲は透過部S23の部分になるように構成さ
れている。
めに、透過部S23を構成するすき間のみならず、隣接す
る遮光部S21及びS22上にも形成されている。しかし有効
な回折動作範囲は透過部S23の部分になるように構成さ
れている。
このようにしてレチクル11のアライメントマークPT1に
よつて発生された±１次の回折光LA+1及びLA-1は、投影
レンズ12を介して第２の位置合せ物体を構成する半導体
ウエハ13上に形成された回折格子でなるアライメントマ
ークPT2上に集光され、このアライメントマークPT2上に
干渉縞を発生する。
よつて発生された±１次の回折光LA+1及びLA-1は、投影
レンズ12を介して第２の位置合せ物体を構成する半導体
ウエハ13上に形成された回折格子でなるアライメントマ
ークPT2上に集光され、このアライメントマークPT2上に
干渉縞を発生する。
この干渉縞はアライメントマークPT2のパターンによつ
て再度回折され、この回折光LADETが光強度検出器14に
入射される。
て再度回折され、この回折光LADETが光強度検出器14に
入射される。
かくして光強度検出器14に入射された検出光LADETの光
強度は、レチクル11のアライメントマークPT1が形成す
る位相回折格子位置と、半導体ウエハ13上に形成された
アライメントマークPT2が形成する回折格子との相対的
な位置関係によつて変化する。そこで検出光LADETの強
さが所定値になるように半導体ウエハ13を移動させるこ
とにより、半導体ウエハ13をレチクル11に対して相対的
に位置合せすることができる。
強度は、レチクル11のアライメントマークPT1が形成す
る位相回折格子位置と、半導体ウエハ13上に形成された
アライメントマークPT2が形成する回折格子との相対的
な位置関係によつて変化する。そこで検出光LADETの強
さが所定値になるように半導体ウエハ13を移動させるこ
とにより、半導体ウエハ13をレチクル11に対して相対的
に位置合せすることができる。
以上の構成によれば、レチクル11のアライメントマーク
PT1の位相回折作用によつて形成した２光束すなわち±
１次の回折光LA+1及びLA-1を、半導体ウエハ13のアライ
メントマークPT2上に集光することによつて再度回折を
生じさせ、これにより高い精度で半導体ウエハ13をレチ
クル11に位置合せすることができる。
PT1の位相回折作用によつて形成した２光束すなわち±
１次の回折光LA+1及びLA-1を、半導体ウエハ13のアライ
メントマークPT2上に集光することによつて再度回折を
生じさせ、これにより高い精度で半導体ウエハ13をレチ
クル11に位置合せすることができる。
かくするにつきレチクル11において±１次の回折光LA+1
及びLA-1を形成する際に、位相回折格子を用いることに
よつて０次光LA0を発生させないようにしたことによ
り、レチクル11に投射されたレーザ光LAのエネルギーを
効率良く利用しながら半導体ウエハ13のレチクル11への
位置合せをすることができる。
及びLA-1を形成する際に、位相回折格子を用いることに
よつて０次光LA0を発生させないようにしたことによ
り、レチクル11に投射されたレーザ光LAのエネルギーを
効率良く利用しながら半導体ウエハ13のレチクル11への
位置合せをすることができる。
因に照明光LAのエネルギーのうち、±１次の回折光LA+1
及びLA-1と、０次光LA0に振り分けられるエネルギーの
割合を検討すると、次のようになる。
及びLA-1と、０次光LA0に振り分けられるエネルギーの
割合を検討すると、次のようになる。
まず第７図の従来のアライメントマークALMのように、
強度格子を用いた場合には、アライメントマークALMか
ら射出される±１次光LA+1及びLA-1の振幅Ｕ±１は で表される。ここでＣは比例定数であり、またアライメ
ントマークALMのスリツト部SO1と遮光部SO2の大きさは
互いに等しいとする。
強度格子を用いた場合には、アライメントマークALMか
ら射出される±１次光LA+1及びLA-1の振幅Ｕ±１は で表される。ここでＣは比例定数であり、またアライメ
ントマークALMのスリツト部SO1と遮光部SO2の大きさは
互いに等しいとする。
これに対してアライメントマークALMが全体として透明
であると考えたとき、アライメントマークALMの射出側
には０次光LA0のみが射出されており、その振幅U0は として表される。
であると考えたとき、アライメントマークALMの射出側
には０次光LA0のみが射出されており、その振幅U0は として表される。
従つて（１）式及び（２）式よりアライメントマークLA
Mに入射されたレーザ光LAの入射エネルギーに対して、
射出された±１次光のエネルギーの割合は のように1/π２として求めることができる。
Mに入射されたレーザ光LAの入射エネルギーに対して、
射出された±１次光のエネルギーの割合は のように1/π２として求めることができる。
同じような演算方法を用いて第２図の位相回折格子でな
るアライメントマークPT1における入射エネルギーに対
する±１次光LA+1及びLA-1へのエネルギーの割合を求め
る。
るアライメントマークPT1における入射エネルギーに対
する±１次光LA+1及びLA-1へのエネルギーの割合を求め
る。
先ず遮光部S21と光通過部S1、S23の大きさが等しいとす
ると±１次光の振幅Ｕ±１は、 となる。これに対して０次光LH0の振幅U0は（２）式を
そのまま用いることができるので、 のように2/π２になる。（３）式を（５）式と比較して
みれば明らかなように、第２図の位相回折格子でなるア
ライメントマークPT1を用いた場合には、入射エネルギ
ーに対する±１次光LA+1及びLA-1のエネルギーの割合
は、第７図の従来の場合と比較して２倍になり、かくし
て入射レーザ光LAの利用効果を従来と比較して高い状態
で半導体ウエハ13のレチクル11への位置合せをすること
ができる。
ると±１次光の振幅Ｕ±１は、 となる。これに対して０次光LH0の振幅U0は（２）式を
そのまま用いることができるので、 のように2/π２になる。（３）式を（５）式と比較して
みれば明らかなように、第２図の位相回折格子でなるア
ライメントマークPT1を用いた場合には、入射エネルギ
ーに対する±１次光LA+1及びLA-1のエネルギーの割合
は、第７図の従来の場合と比較して２倍になり、かくし
て入射レーザ光LAの利用効果を従来と比較して高い状態
で半導体ウエハ13のレチクル11への位置合せをすること
ができる。
第３図は本発明の他の実施例を示す。この場合レチクル
11（第１図）のアライメントマークPT1は、第３図に示
すように、互いにほぼ等しい幅を有するピツチＰのスリ
ツト部S11及び透過部S12で構成されている。透過部S12
はλ/2板で構成され、レーザ光LAが透過部S12を照射し
たとき、当該レーザ光LAをλ/2だけ位相を遅らせて射出
するようになされている。
11（第１図）のアライメントマークPT1は、第３図に示
すように、互いにほぼ等しい幅を有するピツチＰのスリ
ツト部S11及び透過部S12で構成されている。透過部S12
はλ/2板で構成され、レーザ光LAが透過部S12を照射し
たとき、当該レーザ光LAをλ/2だけ位相を遅らせて射出
するようになされている。
このようにすれば、アライメントマークPT1からは０次
光が射出されず、±１次光LA+1及びLA-1でなる２光束を
得ることができる。
光が射出されず、±１次光LA+1及びLA-1でなる２光束を
得ることができる。
第３図の実施例において、（１）式〜（３）式について
上述したように入射レーザ光LAの入射エネルギーに対す
る±１次光LA+1及びLA-1のエネルギーの割合を求める
と、 スリツト部S11と透過部S12が等しいとして、±１次光の
振幅Ｕ±１は となる。これに対して０次光LA0の振幅U0は（２）式を
そのまま用いることができるので、 のように、第７図の従来の場合と比較して４倍の利用効
率で利用しながら位置合せをすることができる。
上述したように入射レーザ光LAの入射エネルギーに対す
る±１次光LA+1及びLA-1のエネルギーの割合を求める
と、 スリツト部S11と透過部S12が等しいとして、±１次光の
振幅Ｕ±１は となる。これに対して０次光LA0の振幅U0は（２）式を
そのまま用いることができるので、 のように、第７図の従来の場合と比較して４倍の利用効
率で利用しながら位置合せをすることができる。
かくするにつき、第６図について上述したように、０次
光LA0を遮光するための空間フイルタを必要としない
分、従来の場合と比較して一段と簡易な構成にし得る。
光LA0を遮光するための空間フイルタを必要としない
分、従来の場合と比較して一段と簡易な構成にし得る。
第４図は第３の実施例を示すもので、第２図において、
アライメントマークPT1をミラー面MIR上に形成すること
によつて、反射光を利用して２光束を構成する±１次光
LA+1及びLA-1を発生するようにする。このようにしても
第２図について上述したと同様の効果を得ることができ
る。
アライメントマークPT1をミラー面MIR上に形成すること
によつて、反射光を利用して２光束を構成する±１次光
LA+1及びLA-1を発生するようにする。このようにしても
第２図について上述したと同様の効果を得ることができ
る。
第５図は本発明の第４の実施例を示すもので、第３図に
ついて上述したアライメントマークPT1をミラー面MIR上
に形成することにより、反射型の構成によつて±１次光
LA+1及びLA-1を得るようにする。このようにしても第３
図について上述したと同様の効果を得ることができる。
ついて上述したアライメントマークPT1をミラー面MIR上
に形成することにより、反射型の構成によつて±１次光
LA+1及びLA-1を得るようにする。このようにしても第３
図について上述したと同様の効果を得ることができる。
また上述の実施例においては、半導体製造装置に本発明
を適用した場合について述べたが、位置合せすべき対象
としてはこれに限らず、第１及び第２の位置合せ対象の
相対的位置を位置合せする場合に広く適用し得る。
を適用した場合について述べたが、位置合せすべき対象
としてはこれに限らず、第１及び第２の位置合せ対象の
相対的位置を位置合せする場合に広く適用し得る。
また第１の実施例においては、半導体ウエハ13の回折格
子型のアライメントマークPT2として反射型のものを用
いた場合について述べたが、透過型のものを用いても上
述の場合と同様の効果を得ることができる。
子型のアライメントマークPT2として反射型のものを用
いた場合について述べたが、透過型のものを用いても上
述の場合と同様の効果を得ることができる。
以上のように本発明によれば、第１の位置合せ対象上に
形成した位相回折格子型のアライメントマークPT1か
ら、０次光を含まない回折光でなる２光束を発生して第
２の位置合せ対象との位置合せをするようにしたことに
より、レーザ光の利用効率を従来の場合と比較して一段
と向上すると共に、構成を一段と簡易化し得る位置合せ
装置を容易に実現し得る。
形成した位相回折格子型のアライメントマークPT1か
ら、０次光を含まない回折光でなる２光束を発生して第
２の位置合せ対象との位置合せをするようにしたことに
より、レーザ光の利用効率を従来の場合と比較して一段
と向上すると共に、構成を一段と簡易化し得る位置合せ
装置を容易に実現し得る。
第１図は本発明による位置合せ装置の一実施例を示す略
線図、第２図はそのレチクル11上に形成する位相回折格
子型のアライメントマークの詳細構成を示す略線図、第
３図〜第５図はその他の実施例を示す略線図、第６図は
従来の２光束型位置合せ装置の概略構成を示す略線的側
面図、第７図はそのアライメントマークの構成を示す略
線図である。 11……レチクル、12……投影レンズ、13……半導体ウエ
ハ、14……光強度検出器、PT1、PT2……アライメントマ
ーク。
線図、第２図はそのレチクル11上に形成する位相回折格
子型のアライメントマークの詳細構成を示す略線図、第
３図〜第５図はその他の実施例を示す略線図、第６図は
従来の２光束型位置合せ装置の概略構成を示す略線的側
面図、第７図はそのアライメントマークの構成を示す略
線図である。 11……レチクル、12……投影レンズ、13……半導体ウエ
ハ、14……光強度検出器、PT1、PT2……アライメントマ
ーク。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の位置合せ対象に設けられてコヒーレ
ントな光線から回折光を発生しかつ前記コヒーレントな
光線による０次回折光を打ち消す位相回折格子でなる第
１のアライメントマークをコヒーレントな光線によつて
照明し、上記第１のアライメントマークから射出された
回折光のうちの２つの回折光を第２の位置合せ対象に設
けた第２のアライメントマークに集光して上記２つの回
折光による干渉縞を発生させ、上記干渉縞から得た検出
光によつて上記第１及び第２の位置合せ対象の相対的位
置を位置合せする ことを特徴とする位置合せ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186220A JPH07119572B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 位置合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186220A JPH07119572B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 位置合せ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342405A JPS6342405A (ja) | 1988-02-23 |
| JPH07119572B2 true JPH07119572B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16184470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186220A Expired - Lifetime JPH07119572B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119572B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2615778B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1997-06-04 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725127A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Battery disconnection warning device |
| JPS61290306A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置検知方法及びこの方法を用いた露光装置 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186220A patent/JPH07119572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342405A (ja) | 1988-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |