JPS6327028A - 混成集積回路の構造 - Google Patents

混成集積回路の構造

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JPS6327028A
JPS6327028A JP61170217A JP17021786A JPS6327028A JP S6327028 A JPS6327028 A JP S6327028A JP 61170217 A JP61170217 A JP 61170217A JP 17021786 A JP17021786 A JP 17021786A JP S6327028 A JPS6327028 A JP S6327028A
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JP
Japan
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circuit board
lead frame
active
hybrid integrated
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP61170217A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoharu Senba
仙波　直治
Toshio Komiyama
込山　利男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6327028A publication Critical patent/JPS6327028A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路の構造に関し、特に厚い素子また
は回路基板を伴う混成集積回路の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の混成集積回路は、フラットな金属製のリー
ドフレームに接着剤を用いて絶縁性の回路基板を接着し
、この回路基板に能動素子及び受動素子（以下能動及び
受動素子という）を搭載した混成集積回路の構造となっ
ている。
すなわち第３図および第４図（第４図は第３図のＢ−Ｂ
の断面図）を見るに、混成集積回路のモールドされた外
装２の厚み方向の中央に金属製リードフレームＩＡを位
置せしめ、その片面に回路基板５を接着し、この回路基
板５に能動及び受動素子６を搭載し、受動及び能動素子
６相互間ならびにこれらの金属製リードフレーム１との
間を金属細線４・４Ａで接続し、合成樹脂などのモール
ド材の外装２を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の技術による混成集積回路の構造は、金属
製リードフレームの片側にのみ回路基板と能動及び受動
素子が搭載されているので、これら素子の収容に制限が
あり回路基板の多層化および集積度を上げて高機能化す
ることには向かないという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の混成集積回路の構造は、金属製リードフレーム
の保持端子と絶縁性の回路基板とを直接接合し、前記回
路基板に能動及び受動素子を搭載し、前記能動及び受動
素子と前記金属製リードフレームとの間ならびに前記能
動及び受動素子相互間を金属細線で接続して混成集積回
路素子を構成し、前記混成集積回路素子をトランスファ
モールド封止して構成される。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の一実施例の構造を示す平
面図および断面図である（第２図は第１図のＡ−Ａの断
面図）。第１図および第２図を見るに、混成集積回路の
モールドされた外装２の厚み方向の中央に金属製リード
フレーム１を位置せしめ、その片面に回路基板５を保持
端子３の部位で金属製リードフレーム１に半田付などの
熱圧着、金属製リーボンを介した溶接、導電ペーストな
どによる直接接合を行う。この回路基板５の金属製リー
ドフレーム１側に能動及び受動素子６を搭載し、能動及
び受動素子６相互間を金属細線４で接続し、能動及び受
動素子６と金属製リードフレーム１との間を金属細線４
Ａで接続し、混成集積回路素子を形成する。こののちト
ランスファーモールド方式によって合成樹脂などのモー
ルド材の外装２を形成する。
なお、以上のようにして形成された混成集積回路はその
周囲に露出している金属製リードフレーム１のうち、端
子部分を残して他はすべて切除して使用に供されるよう
になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、金属製リードフレームの
保持部と回路基板とを接合し、回路基板の金属製リード
フレーム側に能動素子及び受動素子を搭載するようにな
したので、従来の技術に比べ金属製リードフレームと回
路基板との厚さ分だけ背の高い素子の取付けが可能のな
って集積度が上り、回路基板の多層化及び高機能化によ
る板厚の増大と製品の小型化指向に対応できるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の一実施例の構造を示す平
面図および断面図、第３図および第４図は従来の技術に
よる構造の一例を示す平面図および断面図。 １・ＩＡ・・・金属製リードフレーム、２・・・外装、
３・・・保持端子、４・４Ａ・・・金属細線、５・・・
回路基板、６・・・能動及び受動素子、７・・・接着剤
。 第１　■ ろ 第２　回

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属製リードフレームの保持端子と絶縁性の回路基板
    とを直接接合し、前記回路基板に能動素子及び受動素子
    を搭載し、前記能動素子及び受動素子と前記金属製リー
    ドフレームとの間ならびに前記能動素子及び受動素子相
    互間を金属細線で接続して混成集積回路素子を構成し、
    前記混成集積回路素子をトランス・ファーモルド封止し
    た事を特徴とする混成集積回路の構造。
JP61170217A 1986-07-18 1986-07-18 混成集積回路の構造 Pending JPS6327028A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01218048A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Nec Corp 混成集積回路装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60213055A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Nec Kansai Ltd ハイブリツドｉｃ

Patent Citations (1)

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