JPS6327019A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6327019A JPS6327019A JP61170392A JP17039286A JPS6327019A JP S6327019 A JPS6327019 A JP S6327019A JP 61170392 A JP61170392 A JP 61170392A JP 17039286 A JP17039286 A JP 17039286A JP S6327019 A JPS6327019 A JP S6327019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray exposure
- refractive index
- exposure mask
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 240000007643 Phytolacca americana Species 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 magnesium nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
その表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとその
レジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マス
クとのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好
適なＸ線露光用マスクである。
レジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マス
クとのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好
適なＸ線露光用マスクである。
従来技術に係るＸ線露光用マスクの上下面に、下記°の
関係を満足する反射防止膜を設けて。
関係を満足する反射防止膜を設けて。
ウェーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射
を防止したものである。
を防止したものである。
ｎ ＜ｎ＜ｎＳ
ｎ −ｎ ｏ ｎｓ
但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、ｎ は空
気の屈折率であり。
気の屈折率であり。
ｎ はＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。
入
Ｔ＝−
但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり、
入は入射光の波長である。
本発明はＸ線露光用マスクの改良に関する。
特に、その表面にレジストが塗布された半導体ウェーハ
とそのレジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光
用マスクとのギャップの検出を多重干渉法を使用してな
すに好適にする改良に関する。
とそのレジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光
用マスクとのギャップの検出を多重干渉法を使用してな
すに好適にする改良に関する。
Ｘ線露光用マスクには、従来、その表面に金属よりなる
パターンが形成された窒化ポロン、炭窒化ポロン等の板
状体が使用されていたが、Ｘ線露光法においては、その
表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジ
スト膜を露光するために使用されるｘｍ露光用マスクと
のギャップを正確に２ｇ１箇することが必要である。さ
もないと、いわゆる「半影ポケ」による精度低下が発生
するからである。
パターンが形成された窒化ポロン、炭窒化ポロン等の板
状体が使用されていたが、Ｘ線露光法においては、その
表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジ
スト膜を露光するために使用されるｘｍ露光用マスクと
のギャップを正確に２ｇ１箇することが必要である。さ
もないと、いわゆる「半影ポケ」による精度低下が発生
するからである。
半導体ウェーハとＸ線露光用マスクとのギャップを正確
に検出するための手法としては、多重干渉縞を利用する
方法（Ｄ 、 Ｃ、Ｆ １ａｎｄｅｒｓ ＆ Ｔ 。
に検出するための手法としては、多重干渉縞を利用する
方法（Ｄ 、 Ｃ、Ｆ １ａｎｄｅｒｓ ＆ Ｔ 。
Ｍ 、 Ｌｙｓｚｃｚａｒｚ、 Ｊ 、 Ｖａｃ、 Ｓ
ｃｉ、 Ｔｅｃｈｏｌ 。
ｃｉ、 Ｔｅｃｈｏｌ 。
Ｂ１、．１１９６ （ｌＨ３）’）がすぐれている。
上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハとｘ！！露
光用マスクとのギャップを検出する方法は極めてすぐれ
ているが、従来技術に係るＸ線露光用マスクを使用する
と、マスクの下面（ウェーハと対接する面）での反射光
とウェーハ面での反射光との干渉縞の他に、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とマスク上面で
の反射光との干渉縞も発生し、半導体ウェーハとＸ線露
光用マスクとのギャップを検出する上での障害となって
いた。
光用マスクとのギャップを検出する方法は極めてすぐれ
ているが、従来技術に係るＸ線露光用マスクを使用する
と、マスクの下面（ウェーハと対接する面）での反射光
とウェーハ面での反射光との干渉縞の他に、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とマスク上面で
の反射光との干渉縞も発生し、半導体ウェーハとＸ線露
光用マスクとのギャップを検出する上での障害となって
いた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ウェ
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止し、上記の多重干渉を利用して半導体ウェーハとＸ線
露光用マスクとのギャップを検出する方法の実施が極め
て容易になしうるようにしたＸ線露光用マスクを提供す
ることにある。
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止し、上記の多重干渉を利用して半導体ウェーハとＸ線
露光用マスクとのギャップを検出する方法の実施が極め
て容易になしうるようにしたＸ線露光用マスクを提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、Ｘ
線露光用マスクの上下面３１．３２に。
線露光用マスクの上下面３１．３２に。
下記の数式を満足する反射防止膜４を形成して。
ウェーハと対接する面以外の而（マスク上面）での反射
を防止したものである。
を防止したものである。
ｎ ＜ｎ＜ｎＳ
望ましくは、
ｎ２＃。。ｌ１ｆｉ！
但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、ｎ は空
気の屈折率であり。
気の屈折率であり。
ｎ はＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。
入
Ｔ＝−
但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり。
入は入射光の波長である。
本発明に係るＸ線露光用マスクの上下面に形成されてい
る反射防止膜は１反射防止の要件を満たしているので、
マスクの下面（ウェーハと対接する面）以外では光を反
射せず、上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハと
Ｘ線露光用マスクとのギャップを検出する方法が、容易
・正確に実施しうる。
る反射防止膜は１反射防止の要件を満たしているので、
マスクの下面（ウェーハと対接する面）以外では光を反
射せず、上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハと
Ｘ線露光用マスクとのギャップを検出する方法が、容易
・正確に実施しうる。
以下、図面を参照しつ覧、本発明の一実施例に係るｘｍ
露光用マスクについてさらに説明する。
露光用マスクについてさらに説明する。
第２図参照
入射光として半導体レーザ（λ＝ ？、８００人）を使
用する。厚さ約４＃Ｌ烏の窒化ポロン、炭窒化ポロン等
の基板ｌ上に金等の金属膜を厚さ約８．（１０（ｌ入に
形成し、これを所望のパターン２にパターニングして、
通常のＸ ｍ Ｎ光用マスク３を製造する。
用する。厚さ約４＃Ｌ烏の窒化ポロン、炭窒化ポロン等
の基板ｌ上に金等の金属膜を厚さ約８．（１０（ｌ入に
形成し、これを所望のパターン２にパターニングして、
通常のＸ ｍ Ｎ光用マスク３を製造する。
第１図参照
この通常のＸ線露光用マスク３の両面３１．３２に、エ
フ−２化マグネつウム等のＩｆ！２４を厚さ約２，００
０八に形成する。このニフフ化マグネシウム等の屈折率
は約１．４であり、一方、空気の屈折率はｌであり、窒
化ポロンの屈折率は２であるから、このニフッ化マグネ
シウム等の［４は上記の反射防止膜の要件を満たしてい
る。
フ−２化マグネつウム等のＩｆ！２４を厚さ約２，００
０八に形成する。このニフフ化マグネシウム等の屈折率
は約１．４であり、一方、空気の屈折率はｌであり、窒
化ポロンの屈折率は２であるから、このニフッ化マグネ
シウム等の［４は上記の反射防止膜の要件を満たしてい
る。
以上のようにして製造されたＸ線露光用マスクはその上
下面に反射防止膜が形成されているので、マスクの下面
（ウェーハと対接する面）以外では反射は発生しない、
そのため、このｘａｇ光用マスクを使用して、上記の多
重干渉縞を利用して半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップを検出する方法を実施すると、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とウェーハ面で
の反射光との干渉縞のみが発生するので。
下面に反射防止膜が形成されているので、マスクの下面
（ウェーハと対接する面）以外では反射は発生しない、
そのため、このｘａｇ光用マスクを使用して、上記の多
重干渉縞を利用して半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップを検出する方法を実施すると、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とウェーハ面で
の反射光との干渉縞のみが発生するので。
正確・容易に、半導体ウェーハとＸ線露光用マスクとの
ギャップを検出することができる。
ギャップを検出することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係るＸ線露光用マスクは
、その上下面に、反射防止膜の要件を満たしているニフ
フ化マグネシウム等の膜が形成されているので、ウェー
ハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防止
されているので。
、その上下面に、反射防止膜の要件を満たしているニフ
フ化マグネシウム等の膜が形成されているので、ウェー
ハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防止
されているので。
半導体ウェーハとｘ＆ｉｓ光用マスクとのギャップの検
出を多重干渉法を使用してなすに好適である。
出を多重干渉法を使用してなすに好適である。
第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
製造工程図である。 １・Φ・窒化ボロン、窒炭化ポロンの基板、２１・金属
パターン。 ３目−通常のＸ線露光用マスク、 ３１、３２−−− Ｘ線露光用マスクの上・下面、４φ
拳・反射防止膜。 第２図 本発明 第１図。
断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
製造工程図である。 １・Φ・窒化ボロン、窒炭化ポロンの基板、２１・金属
パターン。 ３目−通常のＸ線露光用マスク、 ３１、３２−−− Ｘ線露光用マスクの上・下面、４φ
拳・反射防止膜。 第２図 本発明 第１図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記の数式を満足する反射防止膜（４）が、その上下面
（３１、３２）に形成されてなることを特徴とするＸ線
露光用マスク。 ｎ＿０＜ｎ＜ｎ＿Ｓ 望ましくは、 ｎ＾２≒ｎ＿０・ｎ＿Ｓ 但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、ｎ＿０は
空気の屈折率であり、 ｎ＿ＳはＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。 Ｔ＝λ／４ 但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり、 λは入射光の波長である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039286A JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039286A JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327019A true JPS6327019A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0628229B2 JPH0628229B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15904076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17039286A Expired - Lifetime JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628229B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
| US5291536A (en) * | 1991-06-26 | 1994-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method |
| KR960042202A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 김주용 | 반도체 패턴형성용 레티클 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17039286A patent/JPH0628229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
| US5291536A (en) * | 1991-06-26 | 1994-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method |
| KR960042202A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 김주용 | 반도체 패턴형성용 레티클 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628229B2 (ja) | 1994-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4370405A (en) | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye | |
| JPS6267514A (ja) | ホトマスク | |
| US5437961A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0799730B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0455323B2 (ja) | ||
| JP2829555B2 (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| JPS6327019A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH0450943A (ja) | マスクパターンとその製造方法 | |
| JPS6379322A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS63204259A (ja) | マスク | |
| JP2979651B2 (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPS63202915A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5294506A (en) | Photomask | |
| US5910337A (en) | Phase-averaging resist coating for reflectivity control | |
| JP2589060B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPH1070067A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| KR950004969B1 (ko) | 반도체 장치 제조시의 노광 방법 | |
| JPH04309952A (ja) | フォトマスク | |
| JPH0547658A (ja) | ホトリソグラフイーのハレーシヨン防止方法 | |
| JP2622318B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP3166803B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS63110725A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08236417A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0515301B2 (ja) |