JPH0628229B2 - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH0628229B2 JPH0628229B2 JP17039286A JP17039286A JPH0628229B2 JP H0628229 B2 JPH0628229 B2 JP H0628229B2 JP 17039286 A JP17039286 A JP 17039286A JP 17039286 A JP17039286 A JP 17039286A JP H0628229 B2 JPH0628229 B2 JP H0628229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray exposure
- exposure mask
- mask
- wafer
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 その表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとその
レジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マス
クとのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好
適なＸ線露光用マスクである。
レジスト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マス
クとのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好
適なＸ線露光用マスクである。
従来技術に係るＸ線露光用マスクの上下面に、下記の関
係を満足する反射防止膜を設けて、ウェーハと対接する
面以外の面（マスク上面）での反射を防止したものであ
る。
係を満足する反射防止膜を設けて、ウェーハと対接する
面以外の面（マスク上面）での反射を防止したものであ
る。
ｎ０＜ｎ＜ｎｓ ｎ２≒ｎ０・ｎｓ 但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、 ｎ０は空気の屈折率であり、 ｎｓはＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。
但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり、 λは入射光の波長である。
本発明はＸ線露光用マスクの改良に関する。特に、その
表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジ
スト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マスクと
のギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好適に
する改良に関する。
表面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジ
スト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マスクと
のギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好適に
する改良に関する。
Ｘ線露光用マスクには、従来、その表面に金属よりなる
パターンが形成された窒化ボン、炭窒化ボロン等の板状
体が使用されていたが、Ｘ線露光法においては、その表
面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジス
ト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マスクとの
ギャップを正確に調節することが必要である。さもない
と、いわゆる「半影ボケ」による精度低下が発生するか
らである。
パターンが形成された窒化ボン、炭窒化ボロン等の板状
体が使用されていたが、Ｘ線露光法においては、その表
面にレジストが塗布された半導体ウェーハとそのレジス
ト膜を露光するために使用されるＸ線露光用マスクとの
ギャップを正確に調節することが必要である。さもない
と、いわゆる「半影ボケ」による精度低下が発生するか
らである。
半導体ウェーハとＸ線露光用マスクとのギャップを正確
に検出するための手法としては、多重干渉縞を利用する
方法（Ｄ．Ｃ．Ｆlanders＆ Ｔ．Ｍ．Ｌyszczarz，
Ｊ．Vac．Sci．Techol．Ｂ１．，１１９６（１９８３）
がすぐれている。
に検出するための手法としては、多重干渉縞を利用する
方法（Ｄ．Ｃ．Ｆlanders＆ Ｔ．Ｍ．Ｌyszczarz，
Ｊ．Vac．Sci．Techol．Ｂ１．，１１９６（１９８３）
がすぐれている。
上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハとＸ線露光
用マスクとのギャップを検出する方法は極めてすぐれて
いるが、従来技術に係るＸ線露光用マスクを使用する
と、マスクの下面（ウェーハと対接する面）での反射光
とウェーハ面での反射光との干渉縞の他に、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とマスク上面で
の反射光との干渉縞も発生し、半導体ウェーハとＸ線露
光用マスクとのギャップを検出する上での障害となって
いた。
用マスクとのギャップを検出する方法は極めてすぐれて
いるが、従来技術に係るＸ線露光用マスクを使用する
と、マスクの下面（ウェーハと対接する面）での反射光
とウェーハ面での反射光との干渉縞の他に、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とマスク上面で
の反射光との干渉縞も発生し、半導体ウェーハとＸ線露
光用マスクとのギャップを検出する上での障害となって
いた。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ウェ
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止し、上記の多重干渉を利用して半導体ウェーハとＸ線
露光用マスクとのギャップを検出する方法の実施が極め
て容易になしうるようにしたＸ線露光用マスクを提供す
ることにある。
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止し、上記の多重干渉を利用して半導体ウェーハとＸ線
露光用マスクとのギャップを検出する方法の実施が極め
て容易になしうるようにしたＸ線露光用マスクを提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、Ｘ
線露光用マスクの上下面31、32に、下記の数式を満足す
る反射防止膜４を形成して、ウェーハと対接する面以外
の面（マスク上面）での反射を防止したものである。
線露光用マスクの上下面31、32に、下記の数式を満足す
る反射防止膜４を形成して、ウェーハと対接する面以外
の面（マスク上面）での反射を防止したものである。
ｎ０＜ｎ＜ｎｓ 望ましくは、 ｎ２≒ｎ０・ｎｓ 但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、 ｎ０は空気の屈折率であり、 ｎｓはＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。
但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり、 λは入射光の波長である。
本発明に係るＸ線露光用マスクの上下面に形成されてい
る反射防止膜は、反射防止の要件を満たしているので、
マスクの下面（ウェーハと対接する面）以外では光を反
射せず、上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハと
Ｘ線露光用マスクとのギャップを検出する方法が、容易
・正確に実施しうる。
る反射防止膜は、反射防止の要件を満たしているので、
マスクの下面（ウェーハと対接する面）以外では光を反
射せず、上記の多重干渉縞を利用して半導体ウェーハと
Ｘ線露光用マスクとのギャップを検出する方法が、容易
・正確に実施しうる。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係るＸ線
露光用マスクについてさらに説明する。
露光用マスクについてさらに説明する。
第２図参照 入射光として半導体レーザ（λ＝7,800Å）を使用す
る。厚さ約４μｍの窒化ボロン、炭窒化ボロン等の基板
１上に金等の金属膜を厚さ約6,000Åに形成し、これを
所望のパターン２にパターニングして、通常のＸ線露光
用マスク３を製造する。
る。厚さ約４μｍの窒化ボロン、炭窒化ボロン等の基板
１上に金等の金属膜を厚さ約6,000Åに形成し、これを
所望のパターン２にパターニングして、通常のＸ線露光
用マスク３を製造する。
第１図参照 この通常のＸ線露光用マスク３の両面31、32に、二フッ
化マグネシウム等の膜４を厚さ約2,000Åに形成する。
この二フッ化マグネシウム等の屈折率は約1.4であり、
一方、空気の屈折率は１であり、窒化ボロンの屈折率は
２であるから、この二フッ化マグネシウム等の膜４は上
記の反射防止膜の要件を満たしている。
化マグネシウム等の膜４を厚さ約2,000Åに形成する。
この二フッ化マグネシウム等の屈折率は約1.4であり、
一方、空気の屈折率は１であり、窒化ボロンの屈折率は
２であるから、この二フッ化マグネシウム等の膜４は上
記の反射防止膜の要件を満たしている。
以上のようにして製造されたＸ線露光用マスクはその上
下面に反射防止膜が形成されているので、マスクの下面
（ウェーハと対接する面）以外では反射は発生しない。
そのため、このＸ線露光用マスクを使用して、上記の多
重干渉縞を利用して半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップを検出する方法を実施すると、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とウェーハ面で
の反射光との干渉縞のみが発生するので、正確・容易
に、半導体ウェーハとＸ線露光用マスクとのギャップを
検出することができる。
下面に反射防止膜が形成されているので、マスクの下面
（ウェーハと対接する面）以外では反射は発生しない。
そのため、このＸ線露光用マスクを使用して、上記の多
重干渉縞を利用して半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップを検出する方法を実施すると、マスクの下
面（ウェーハと対接する面）での反射光とウェーハ面で
の反射光との干渉縞のみが発生するので、正確・容易
に、半導体ウェーハとＸ線露光用マスクとのギャップを
検出することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係るＸ線露光用マスク
は、その上下面に、反射防止膜の要件を満たしている二
フッ化マグネシウム等の膜が形成されているので、ウェ
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止されているので、半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好適
である。
は、その上下面に、反射防止膜の要件を満たしている二
フッ化マグネシウム等の膜が形成されているので、ウェ
ーハと対接する面以外の面（マスク上面）での反射を防
止されているので、半導体ウェーハとＸ線露光用マスク
とのギャップの検出を多重干渉法を使用してなすに好適
である。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
製造工程図である。 １……窒化ボロン、窒炭化ボロンの基板、 ２……金属パターン、 ３……通常のＸ線露光用マスク、 31、32……Ｘ線露光用マスクの上・下面、 ４……反射防止膜。
断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの
製造工程図である。 １……窒化ボロン、窒炭化ボロンの基板、 ２……金属パターン、 ３……通常のＸ線露光用マスク、 31、32……Ｘ線露光用マスクの上・下面、 ４……反射防止膜。
Claims (1)
- 【請求項１】下記の数式を満足する反射防止膜（４）
が、その上下面（31、32）に形成されてなることを特徴
とするＸ線露光用マスク。 ｎ０＜ｎ＜ｎｓ 望ましくは、 ｎ２≒ｎ０・ｎｓ 但し、ｎは反射防止膜の材料の屈折率であり、 ｎ０は空気の屈折率であり、 ｎｓはＸ線露光用マスクの材料の屈折率である。 但し、Ｔは反射防止膜の厚さであり、 Ａは入射光の波長である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039286A JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039286A JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327019A JPS6327019A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0628229B2 true JPH0628229B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15904076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17039286A Expired - Lifetime JPH0628229B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628229B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
| JP3105990B2 (ja) * | 1991-06-26 | 2000-11-06 | 株式会社東芝 | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法 |
| KR960042202A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 김주용 | 반도체 패턴형성용 레티클 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17039286A patent/JPH0628229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220310A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6327019A (ja) | 1988-02-04 |
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