JPS63265433A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPS63265433A JPS63265433A JP62100466A JP10046687A JPS63265433A JP S63265433 A JPS63265433 A JP S63265433A JP 62100466 A JP62100466 A JP 62100466A JP 10046687 A JP10046687 A JP 10046687A JP S63265433 A JPS63265433 A JP S63265433A
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- plating
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- metallic particles
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣチップを基板上の配線パターンにギヤング
ボンディングすることにおけるボンディング川金属突起
電極の形成方法に関するものである。
ボンディングすることにおけるボンディング川金属突起
電極の形成方法に関するものである。
従来、転写によるバンプ形成は、琵板上に導電性層及び
絶縁性層を被着した後該絶縁層の所望のｉｇｒＴｔを開
孔して４Ｔ［ｔ１８：ＩＦＪを露出させ露出部出を電極
として選択的に電解メッキによ・り金属を析出させるこ
とにより仮形成したバンプを熱圧むにより配線バクーン
に転写して行なっていた。
絶縁性層を被着した後該絶縁層の所望のｉｇｒＴｔを開
孔して４Ｔ［ｔ１８：ＩＦＪを露出させ露出部出を電極
として選択的に電解メッキによ・り金属を析出させるこ
とにより仮形成したバンプを熱圧むにより配線バクーン
に転写して行なっていた。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら従来技術では、工程が複雑な上、電解メッ
キを行うための電極をフォトエッチ工程により作らなけ
ればならないため、コスト高になるという問題点を訂す
る。
キを行うための電極をフォトエッチ工程により作らなけ
ればならないため、コスト高になるという問題点を訂す
る。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とする所は、簡単な工程により、短時間で安価にバンプ
を形成することである。
とする所は、簡単な工程により、短時間で安価にバンプ
を形成することである。
本発明のバンプ形成方法は、あらかじめ基板上に金属メ
ッキを施したものにレーザ光を照射し、溶融凝集せしめ
て金属粒子を生成する工程と該金属粒子を回路パターン
上に熱圧行により転写する工程を特徴とする。
ッキを施したものにレーザ光を照射し、溶融凝集せしめ
て金属粒子を生成する工程と該金属粒子を回路パターン
上に熱圧行により転写する工程を特徴とする。
この時の金属メッキの材質は、金、銅、ニッケル、アル
ミニウム等である。またレーザとしては炭酸ガスレーザ
、ヤグレーザ、ルビーレーザ等上記金属を溶融するもの
であれば何でも良い。
ミニウム等である。またレーザとしては炭酸ガスレーザ
、ヤグレーザ、ルビーレーザ等上記金属を溶融するもの
であれば何でも良い。
本発明の上記の構成によれば、ガラス基板上に形成した
金属メッキにレーザ光を照ｑ１シ、金属メッキを加熱溶
融させると表面張力により球状に凝集し、金属粒子とな
り、これが転写用バンプとなるのである。又、金属粒子
の大きさすなわちバンプの大きさを変化させるためには
、金属メッキの膜厚を調整ずれば良い。
金属メッキにレーザ光を照ｑ１シ、金属メッキを加熱溶
融させると表面張力により球状に凝集し、金属粒子とな
り、これが転写用バンプとなるのである。又、金属粒子
の大きさすなわちバンプの大きさを変化させるためには
、金属メッキの膜厚を調整ずれば良い。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は、本発明のバンプの形成工程を示したものであ
る。
る。
〈実施例１〉
第１図（ａ）の如＜ＩＴＯを蒸むしたガラス基板に膜厚
１μｍのニッケルメッキを無電解メッキにより行う。こ
れを窒素雰囲気中で２２０°Ｃで１時間焼成する。次に
ｂ図の如く、半ＪΩ体素子の電極に対応する部分に、ヤ
グレーザ（４）を照射し、Ｎｉメッキを溶融し、粒子化
した（５）、この時のヤグレーザの出力は５００ｍｗで
ビーム径は１００μｍであった。次に、０図の如く配線
パターン（６）と転写バンプ基＠（１）とを位置合せし
、加熱圧むした。ここで圧行条件は、Ｑ度２５０°０１
圧力２０ｋｇ／ａｍ″、圧管時間２０秒である。次に転
写バンプ基板を取り除（と６図の如（配線パターン上に
バンプが形成される。
１μｍのニッケルメッキを無電解メッキにより行う。こ
れを窒素雰囲気中で２２０°Ｃで１時間焼成する。次に
ｂ図の如く、半ＪΩ体素子の電極に対応する部分に、ヤ
グレーザ（４）を照射し、Ｎｉメッキを溶融し、粒子化
した（５）、この時のヤグレーザの出力は５００ｍｗで
ビーム径は１００μｍであった。次に、０図の如く配線
パターン（６）と転写バンプ基＠（１）とを位置合せし
、加熱圧むした。ここで圧行条件は、Ｑ度２５０°０１
圧力２０ｋｇ／ａｍ″、圧管時間２０秒である。次に転
写バンプ基板を取り除（と６図の如（配線パターン上に
バンプが形成される。
〈実施例２〉
メッキ厚を０．２．０．５．０．８ミクロンとして、そ
れぞれ〈実施例１〉と同様の工程によりバンプを形成し
た。この時、ヤグレーザの出力は０．２ミクロンで２０
０ ｍｗｓ ０ 、５ミクロンで３００ ｍｗｓ ０．
８ミクロンで５００ｍｗであった。
れぞれ〈実施例１〉と同様の工程によりバンプを形成し
た。この時、ヤグレーザの出力は０．２ミクロンで２０
０ ｍｗｓ ０ 、５ミクロンで３００ ｍｗｓ ０．
８ミクロンで５００ｍｗであった。
〈実施例３〉
金属粒子の転写性を良好にするため、第２図の如く基板
上にポリイミドを０．５μｍ厚にスピンコードし２００
°Ｃで２時間焼成した０次にこの上にニッケルを無電解
メッキにより１μｍＦＸにメッキした。以後の工程は〈
実施例１〉と同様に行なった。
上にポリイミドを０．５μｍ厚にスピンコードし２００
°Ｃで２時間焼成した０次にこの上にニッケルを無電解
メッキにより１μｍＦＸにメッキした。以後の工程は〈
実施例１〉と同様に行なった。
また、ポリイミドの代わりに他の打機膜を使用しても良
い。
い。
（発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、あらかじめガラス基
板上に金属メッキを施したものにレーザ光を照射し、溶
融凝集せしめて金属粒子を生成し該金属粒子を配線パタ
ーンに転写することにより従来より簡単でかつ工数が少
ないため、大幅なコストダウンができるという効果を訂
する。また、レーザ光により転写バンプを形成するため
微細ピッチにも対応できる。またポリイミド痕を基板と
メッキの間に形成することにより、ＩＴＯ上に形成した
場合より粒子の密行性が悪いため転写を行なった場合、
転写基板からハク離し易くなり転写欠陥を防ぐことがで
きる。
板上に金属メッキを施したものにレーザ光を照射し、溶
融凝集せしめて金属粒子を生成し該金属粒子を配線パタ
ーンに転写することにより従来より簡単でかつ工数が少
ないため、大幅なコストダウンができるという効果を訂
する。また、レーザ光により転写バンプを形成するため
微細ピッチにも対応できる。またポリイミド痕を基板と
メッキの間に形成することにより、ＩＴＯ上に形成した
場合より粒子の密行性が悪いため転写を行なった場合、
転写基板からハク離し易くなり転写欠陥を防ぐことがで
きる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における転写工
程の概略図を示したものである。 １・・・転写基板 ２・・・ｌ ＴＯｆｌ ３・・・ニッケルメッキ ４・・・ヤグレーザ光 ５・・・ニッケル粒子 ６・・・配線パターン ７・・・配線基板 第２図は、本発明の〈実施例２〉における転写基板の構
造を示した図である。 １・・・基板 ２・・・ポリイミ ド膜 ３・・・ニッケルメッキ 以 上 ｆｊｓｌ 日 ｓ２図
程の概略図を示したものである。 １・・・転写基板 ２・・・ｌ ＴＯｆｌ ３・・・ニッケルメッキ ４・・・ヤグレーザ光 ５・・・ニッケル粒子 ６・・・配線パターン ７・・・配線基板 第２図は、本発明の〈実施例２〉における転写基板の構
造を示した図である。 １・・・基板 ２・・・ポリイミ ド膜 ３・・・ニッケルメッキ 以 上 ｆｊｓｌ 日 ｓ２図
Claims (1)
- あらかじめ基板上に金属メッキを施したものにレーザ
光を照射し、溶融凝集せしめて金属粒子を生成する工程
と該金属粒子を回路パターン上に熱圧着により転写する
工程を特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100466A JPS63265433A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100466A JPS63265433A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265433A true JPS63265433A (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=14274684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100466A Pending JPS63265433A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265433A (ja) |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP62100466A patent/JPS63265433A/ja active Pending
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