JPS63265226A - 光変調装置 - Google Patents
光変調装置Info
- Publication number
- JPS63265226A JPS63265226A JP10047387A JP10047387A JPS63265226A JP S63265226 A JPS63265226 A JP S63265226A JP 10047387 A JP10047387 A JP 10047387A JP 10047387 A JP10047387 A JP 10047387A JP S63265226 A JPS63265226 A JP S63265226A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sbe
- gradation
- cell
- code
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
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- 210000004899 c-terminal region Anatomy 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、階調制御回路を有するSBEセルによる光変
調装置に関する。
調装置に関する。
本発明は、SBEセルをパルス巾変調で階調表示する場
合に、階調を決める階調データをSBEセルの反射率特
性に合わせて最適な階調表示特性を得るようにコード変
換をした光変調装置である。
合に、階調を決める階調データをSBEセルの反射率特
性に合わせて最適な階調表示特性を得るようにコード変
換をした光変調装置である。
従来から捩れ角を180°〜360°とし、複屈折効果
を利用するいわゆるSBE型液晶光変調装置は知られて
いる。(特開昭60−107020号、米国特許法第4
.634.229号公報) しかしながら、ドツトマトリクス状に配列したSBBセ
ルを、パルス巾変調により駆動し、かつ階調表示特性を
SBEセルの反射率特性に合わせた光変調装置の階調制
御回路は従来の技術においては見られなかった。
を利用するいわゆるSBE型液晶光変調装置は知られて
いる。(特開昭60−107020号、米国特許法第4
.634.229号公報) しかしながら、ドツトマトリクス状に配列したSBBセ
ルを、パルス巾変調により駆動し、かつ階調表示特性を
SBEセルの反射率特性に合わせた光変調装置の階調制
御回路は従来の技術においては見られなかった。
本発明は、ドツトマトリクス状に配列したSBEセルを
SBEセルの反射率特性に合わせた最適な階調表示特性
を得るための光変調装置の階調制御回路を得ようとする
ものである。
SBEセルの反射率特性に合わせた最適な階調表示特性
を得るための光変調装置の階調制御回路を得ようとする
ものである。
パルス巾変調による階調表示において、ドツトマトリク
ス状に配列されたSB、Eセルの反射率特性に合わせて
、最適な階調表示特性を示すように階調データをコード
変換する。
ス状に配列されたSB、Eセルの反射率特性に合わせて
、最適な階調表示特性を示すように階調データをコード
変換する。
第1図に、本発明による光変調装置の階調制御回路の実
施例を示す。
施例を示す。
第1図は、水平ドツト、数X、垂直ド7ト数yのxxy
ドツトのマトリクス状に配列した5UPERTWIST
ED BIRE FRINGENCE EFFECTセ
ル(以下SBEセルと呼ぶ。)を4ビツトの階調データ
でパルス巾変調をして、8段階の階調表示をする例であ
る。
ドツトのマトリクス状に配列した5UPERTWIST
ED BIRE FRINGENCE EFFECTセ
ル(以下SBEセルと呼ぶ。)を4ビツトの階調データ
でパルス巾変調をして、8段階の階調表示をする例であ
る。
4ビツト階調データD3〜DOはバイナリ−コードで入
力されるものとする。
力されるものとする。
第5図にみられるようにSBEパネルの反射率対実効電
圧の関係は実効電圧ごとにその時点での反射率の勾配が
異なる。この為このまま実効電圧を変化させて階調表示
をすると均一な階調表示特性が得られない、その為反射
率100%から0%の間の実効電圧の変化を均一な反射
率変化になるようにする必要がある。第4図は最適な階
調表示特性になる様に8段階のプロットをしたものであ
る。
圧の関係は実効電圧ごとにその時点での反射率の勾配が
異なる。この為このまま実効電圧を変化させて階調表示
をすると均一な階調表示特性が得られない、その為反射
率100%から0%の間の実効電圧の変化を均一な反射
率変化になるようにする必要がある。第4図は最適な階
調表示特性になる様に8段階のプロットをしたものであ
る。
第1表 コード変換表
後述する階調制御回路3において4ビツトの階調データ
D3〜DOはxxyドツトマトリクスSBEパネル5の
選択波形のパルス中に変換される。
D3〜DOはxxyドツトマトリクスSBEパネル5の
選択波形のパルス中に変換される。
第1図の4ビツト階調データ03〜DOはコード変換回
路9で第4図SBEパネルの反射率対実効電圧の関係を
もとにコード変換される。
路9で第4図SBEパネルの反射率対実効電圧の関係を
もとにコード変換される。
第1表に示すように入力コードがO)+ (16進表示
)ならその出力コードはOH,この点は第4図の反射率
100%点に相当する。入力コードが1H〜3■までは
同一の出力コード3Hを発生させる。この点は第4図の
反射率100%から177落下した反射率点に相当する
。以下、同様にして入力コードが8H〜FHでは出力コ
ードはFHを発生する。
)ならその出力コードはOH,この点は第4図の反射率
100%点に相当する。入力コードが1H〜3■までは
同一の出力コード3Hを発生させる。この点は第4図の
反射率100%から177落下した反射率点に相当する
。以下、同様にして入力コードが8H〜FHでは出力コ
ードはFHを発生する。
第3図にコード変換の詳細回路を示す0回路は、P L
A (Progranable Logic Arr
ay)で構成される。
A (Progranable Logic Arr
ay)で構成される。
黒丸印はAND−ROMwI域の接続点を示す。白丸印
はOR−ROM 6N域のロウレベル接続点を示す、今
、入力コードが5Hであると5列目のAND−ROMが
アクティブとなり、OR−ROMデータ6Hが発生する
。
はOR−ROM 6N域のロウレベル接続点を示す、今
、入力コードが5Hであると5列目のAND−ROMが
アクティブとなり、OR−ROMデータ6Hが発生する
。
第1図のコード変換回路9の変換後の4ビツト階調デー
タDB3〜080はシフトクロックCPに同期してXX
4ビツトシフトレジスタ1にシフトインされる。
タDB3〜080はシフトクロックCPに同期してXX
4ビツトシフトレジスタ1にシフトインされる。
xX3ビットシフトレジスタ1の出力01はx×3ビッ
トに構成されたxX3ビットラッチ2に水平同期信号)
Isの立下でラッチされる。
トに構成されたxX3ビットラッチ2に水平同期信号)
Isの立下でラッチされる。
xX3ビットラッチ2の出力02は階調制御回路3の入
力信号となる。
力信号となる。
第2図に階調制御回路3の詳細回路を示す。
階11制御回路3は水平Xドツトに対応してXユニット
の回路から構成される。各ユニットの回路構成は同じで
ある。第1ユニツト15について説明を行なう。4ビツ
トバイナリカウンク10のリセント端子Rはアクティブ
ハイ動作であり、水平同期信号Hsに接続される。C端
子はクロック端子であり、立上り動作である。C端子は
階調制御クロックCLKに接続される。水平同期信号H
sと階調制御クロックCLKの関係は、第5図のタイム
チャートに示す関係にある。すなわち、水平同期信号)
Isの周期に階調制御クロックCLKは立上りを起点と
して16発入力される。
の回路から構成される。各ユニットの回路構成は同じで
ある。第1ユニツト15について説明を行なう。4ビツ
トバイナリカウンク10のリセント端子Rはアクティブ
ハイ動作であり、水平同期信号Hsに接続される。C端
子はクロック端子であり、立上り動作である。C端子は
階調制御クロックCLKに接続される。水平同期信号H
sと階調制御クロックCLKの関係は、第5図のタイム
チャートに示す関係にある。すなわち、水平同期信号)
Isの周期に階調制御クロックCLKは立上りを起点と
して16発入力される。
第2図の4ビツトバイナリカウンタ10は水平同期信号
Hsのハイレベルでクリアされ、その後の階! IJ
mクロンクCLKの立上りでバイナリカウント動作を行
なう、 QA、QB、口C,Q[lは4ビツトバイナリ
カウンタ10の2°’8’+2”、23の各出力信号で
ある。−数回路11は4ビツトバイナリカウンタ10の
QA、QB、QC,QDの各出力信号とAI、Bl、C
1,Dlの各信号の一致を調べる回路である。
Hsのハイレベルでクリアされ、その後の階! IJ
mクロンクCLKの立上りでバイナリカウント動作を行
なう、 QA、QB、口C,Q[lは4ビツトバイナリ
カウンタ10の2°’8’+2”、23の各出力信号で
ある。−数回路11は4ビツトバイナリカウンタ10の
QA、QB、QC,QDの各出力信号とAI、Bl、C
1,Dlの各信号の一致を調べる回路である。
A1.B1.CI、DI信号はxX4ビットラッチ2の
2o。
2o。
2’、2”、23の各出力信号である。
4ビツトバイナリカウンタ10の出力信号QA、QB。
QC,口りとxX4ビットラッチ2の出力信号^1.B
l。
l。
C1,DI信号が同じになると一敗出力信号12がロウ
レベルになる。−数比力信号12はナントゲート13を
通してDタイプフリップフロップ14のデレ一端子りを
ハイレベルにする。Dタイプフリップフロップ14のク
ロック端子Cには階調制御クロックCLKが接続されて
いるので、階tAN11mクロックCLKの立下りでD
タイプフリップフロップ14の出力である1段目の出力
信号a1をロウレベルにする。
レベルになる。−数比力信号12はナントゲート13を
通してDタイプフリップフロップ14のデレ一端子りを
ハイレベルにする。Dタイプフリップフロップ14のク
ロック端子Cには階調制御クロックCLKが接続されて
いるので、階tAN11mクロックCLKの立下りでD
タイプフリップフロップ14の出力である1段目の出力
信号a1をロウレベルにする。
1段目の出力信号a1はナントゲート13の入力に接続
されているので一致出力信号12のレベルがハイレベル
に戻ってもロウレベルを維持する。この後、水平同期信
号Hsが来ると、Dタイプフリップフロツブ14はクリ
アされ1段目の出力信号alはハイレベルに復帰する。
されているので一致出力信号12のレベルがハイレベル
に戻ってもロウレベルを維持する。この後、水平同期信
号Hsが来ると、Dタイプフリップフロツブ14はクリ
アされ1段目の出力信号alはハイレベルに復帰する。
又、同時に4ビツトバイナリカウンタ10をリセットす
る。1段目の出力信号a1がハイレベルの期間は、第1
図のXビット信号電極ドライバ4を通して、xxyドツ
トマトリクスSBEパネル5に選択波形を印加する。
る。1段目の出力信号a1がハイレベルの期間は、第1
図のXビット信号電極ドライバ4を通して、xxyドツ
トマトリクスSBEパネル5に選択波形を印加する。
前述した動作は:第5図タイムチャートに示しである。
第5図は4ビット階調データが次の場合である。 D
3=O・−・−・・−・・・・・・−MSBD2=O DI=1 0・・・・・・・・−・−ロウレベル ト・−・−・・−・−・ハイレベル この時は、xX4ピッドラフチ2の1段目の出力は
Dl−O l−0 B 1=O AI−0 となり、階調制御クロックCLKの0の時点で一致出力
信号12はハイレベルとなり、6の時点でロウレベルと
なる0階調制御りUツクCLKの6の立下りで階調制御
回路3の1段目の出力信号a1はロウレベルになり、次
の水平同期信号Hsが来るまでこの状態を保持する。
3=O・−・−・・−・・・・・・−MSBD2=O DI=1 0・・・・・・・・−・−ロウレベル ト・−・−・・−・−・ハイレベル この時は、xX4ピッドラフチ2の1段目の出力は
Dl−O l−0 B 1=O AI−0 となり、階調制御クロックCLKの0の時点で一致出力
信号12はハイレベルとなり、6の時点でロウレベルと
なる0階調制御りUツクCLKの6の立下りで階調制御
回路3の1段目の出力信号a1はロウレベルになり、次
の水平同期信号Hsが来るまでこの状態を保持する。
第5図タイムチャートの階調制御回路3の1段目の出力
信号a1のハイレベル期間(ON)が選択期間となる。
信号a1のハイレベル期間(ON)が選択期間となる。
階調制御回路3の出力信号a1〜axは第1図のXビッ
ト信号電極ドライバ4を通して、xxyドツトマトリク
スSBEパネル5の信号電極S1〜Sxを駆動する。
ト信号電極ドライバ4を通して、xxyドツトマトリク
スSBEパネル5の信号電極S1〜Sxを駆動する。
走査側電極C1〜cyの駆動方法は通常の液晶セル駆動
にみられる電圧平均化法による方法であり、yビットシ
フトレジスタ6、yピント走査電極ドライバ7により駆
動される。FRM信号はフレーム開始を示すフレーム信
号であり、DFは液晶交流反転信号である。
にみられる電圧平均化法による方法であり、yビットシ
フトレジスタ6、yピント走査電極ドライバ7により駆
動される。FRM信号はフレーム開始を示すフレーム信
号であり、DFは液晶交流反転信号である。
電源部8はXビット信号電極ドライバ4とyビット走査
電極ドライバ7に印加する選択、非選択電源を発生させ
る。
電極ドライバ7に印加する選択、非選択電源を発生させ
る。
xxyドツトマトリクスSBEパネル5に印加される駆
動波形を第6図に示す、SBBパネル間の電圧のON部
分が第5図タイムチャートのalのON部分に相当する
。
動波形を第6図に示す、SBBパネル間の電圧のON部
分が第5図タイムチャートのalのON部分に相当する
。
以上の動作説明より明らかの様に、階調を決める階調デ
ータをSBEセルの反射率特性に合わせるようにコード
変換をして、階調制御回路でパルス巾変調を行なうこと
により、最適な階調表示特性を得ることが可能である。
ータをSBEセルの反射率特性に合わせるようにコード
変換をして、階調制御回路でパルス巾変調を行なうこと
により、最適な階調表示特性を得ることが可能である。
ドントマトリクス状に配列されたSBEパネルをSBE
セルの反射率特性に合わせて最適な階調表示が可能とな
った為、高い表示品質で、かつ表示情報下の光変調装置
が可能である。また、このSBEセルを電子カーテン、
プリンター用シャッター等のオプティカルシャッターと
して用いる場合には、階調Ja能付きシャッターとする
ことができる。
セルの反射率特性に合わせて最適な階調表示が可能とな
った為、高い表示品質で、かつ表示情報下の光変調装置
が可能である。また、このSBEセルを電子カーテン、
プリンター用シャッター等のオプティカルシャッターと
して用いる場合には、階調Ja能付きシャッターとする
ことができる。
第1図は本発明による光変調A置の実施例を示すブロッ
クダイヤグラム、第2図は階調制御回路3の詳細回路図
、第3図は第1表のコード変換表を回路化した回路図、
第4図はSBEパネルの反射率対実効電圧の関係を示す
特性図、第5図は階調制御回路3のタイムチャート、第
6図はSBEパネルの駆動波形図である。 D3〜Do・・・・4ビット階調データDB3〜DBO
・・・変換後の4ビット階調データCP・・・・・シフ
トクロック CLK・・・・階調制御りσツク Hs・・・・・・水平同期信号 DF・・・・・液晶交流反転信号 FRM・・・・フレーム信号 VCC・・・・・正のン夜晶電源 VLC・・・・・負の液晶電源 a・・・・・・バイアス比 以上 ミ 篭 5 ←W暮衿i
クダイヤグラム、第2図は階調制御回路3の詳細回路図
、第3図は第1表のコード変換表を回路化した回路図、
第4図はSBEパネルの反射率対実効電圧の関係を示す
特性図、第5図は階調制御回路3のタイムチャート、第
6図はSBEパネルの駆動波形図である。 D3〜Do・・・・4ビット階調データDB3〜DBO
・・・変換後の4ビット階調データCP・・・・・シフ
トクロック CLK・・・・階調制御りσツク Hs・・・・・・水平同期信号 DF・・・・・液晶交流反転信号 FRM・・・・フレーム信号 VCC・・・・・正のン夜晶電源 VLC・・・・・負の液晶電源 a・・・・・・バイアス比 以上 ミ 篭 5 ←W暮衿i
Claims (1)
- SBEセルの反射率特性に応じて最適な階調コードを得
るためのコード変換回路と、前記コード変換回路の出力
コードによりSBEセルに印加される選択パルス巾を可
変とし、SBEセルの反射率をかえられるようにしたパ
ルス巾変調を行なう階調制御回路とを有することを特徴
とする光変調装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10047387A JPS63265226A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 光変調装置 |
IT47882/88A IT1219550B (it) | 1987-04-23 | 1988-04-21 | Modulatore elettro-ottico,in particolare dispositivo a cristalli liquidi basato sull' effetto della birifrangenza a supertorsione |
GB8809416A GB2204174B (en) | 1987-04-23 | 1988-04-21 | Electro-optical modulator |
FR8805357A FR2614437B1 (fr) | 1987-04-23 | 1988-04-22 | Modulateur electro-optique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10047387A JPS63265226A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 光変調装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63265226A true JPS63265226A (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=14274880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10047387A Pending JPS63265226A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 光変調装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63265226A (ja) |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10047387A patent/JPS63265226A/ja active Pending
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