JPS63264471A - チアジアゾール酢酸誘導体 - Google Patents

チアジアゾール酢酸誘導体

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JPS63264471A
JPS63264471A JP63087862A JP8786288A JPS63264471A JP S63264471 A JPS63264471 A JP S63264471A JP 63087862 A JP63087862 A JP 63087862A JP 8786288 A JP8786288 A JP 8786288A JP S63264471 A JPS63264471 A JP S63264471A
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acid
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ester
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Tsutomu Terachi
寺地 務
Kazuo Sakane
坂根 和夫
Jiro Goto
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    • C07D285/081,2,4-Thiadiazoles; Hydrogenated 1,2,4-thiadiazoles
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般式 (&中R1はアミノ又は保護されたアミノ、R2は低級
アルキルをそれぞれ意味する) で示されるチアンアゾール酢酸誘導体およびセファロス
ボリン化合物のアミノ基のアシル化反応に使用しうる、
そのカルボキン基における反応性誘導体並びにそれらの
塩類に関するものである。
この発明の目的物質(I)は新規であり、下記方法によ
って製造される。
又はその塩類 (F/) (V) (■) (■) (Ib) (これらの式においてRは上記と同じ意味、R3はカル
ボキシ基の保護基、Mはアルカリ金属、la     
      4 Rは保護されたアミノ、Rは低級アルキルを夫々意味す
る。) 得られた化合物(Ia)および(Ib)は、常法により
、セファロスポリン化合物のアミノ基のアシル化反応に
使用しうる、そのカルボキシ基における反応性誘導体に
導くことができる。
目的物質(1)において、下記式で示される部分構造は C−C0− ; 2 −R 下記式で示される幾何異性体の両方を含むものとして理
解されるべきである。゛ (A)            (A’)この明細書で
は、上記部分構造式を有する全ての化合物に関し、式(
A)で示される幾何異性体を有する化合物をシン異性体
と称し、式(A′)で示す異性体を有するものをアンチ
異性体と呼ぶこととする。
目的物質(I)及び出発物質(IV)、(V)、(■)
及び(■)に関しては、チアジアゾリル基に基つく互変
異性体を含むものとして理解される・\きものである。
即し、目的物質及び出発物質において式で示される基は
その互変異性体である、護されたイミノ)の式で表わす
こともできる。即ち、上記の基(B)及び(B′)は下
記平衡式で示され兆互変異性の状態で存在し得るもので
ある。
(B)          (B’) (式中R及びR1′は夫々+’+iTと同し意味)この
明、1411占(特許請求の範囲及び実施例を含む)に
おいては、上記の基を有する目的物質及び出発物質は、
便宜上それらのうち一方即ち式で示される基によって代
表的に表現することとする。
目的物質(1)の塩類としては無機塩基との塩[例えば
アルカリ金属塩(例えばナトリウム塩、カリウム塩)、
アルカリ土類金属塩(例えばカルシウム塩、マグネシウ
ム塩)コニ有機塩基(例えばトリメチルアミノ、トリエ
チルアミノ、ピリジン)との塩:酸(例えば塩酸、臭化
水素酸)との塩等が例示される。
この明細書における種々の例示並びに各種定義の説明等
について、本発明の技術的範囲に包含されるものを詳細
に述べると下記の如(である。
1低級」なる用語は、別設の定めがないかぎり1〜6個
の炭素原子を有する基を意味する。
保護きれたアミノの好適例としては、アシルアミノがあ
り、その他には、アシル基以外の汎用保護基例えばアリ
ール(低級)アルキル(例えばヘンシル、トリチル等)
、アリール(低級)アルキリデン(例えばベンジリデン
等)、低級アルコキシカルボニル若しくはジ(低級)ア
ルキルアミノで置換された低級アルキリデン(例えば1
−エトキシカルボニル−2−プロピリデン、ジメチルア
ミノメチレン等)、ホスホノ等の基で置換されたアミノ
が包含される。
保護されたイミノの好適例としては、アシルイミノがあ
り、その他には、アシル基以外の汎用保護基例えば前記
アリール(低級)アルキル等で置換されたイミノが包含
される。
アシル並びにアシルアミノ及びアシルイミノにおけるア
シル部分としては、カルバモイル、脂肪族アシル基、及
び芳香環苦しくは複素環を含むアシル基が包含される。
そして前記アシルの好適例としては、低級アルカノイル
(例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル
、インブチリル、バレリル、インバレリル、オキサリル
、サクシニル、ピバロイル等で、好ましくは炭素数1〜
4個、更に好ましくは炭素数1〜2個のもの);炭素数
2〜7個の低級アルコキシカルボニル(例えばメトキシ
カルボニル、エトキシカルボニルプロポキシカルボニル
、1−シクロプロピルエトキン力ルポニル、インプロポ
キシカルボニル、ブトキ・ノカルボニル、第3級ブトキ
シカルボニル、ペンチルオキン力ルボニル、第3級ペン
チルオキンカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等で
、好ましくは炭素数3〜6個のもの):低級アルカンス
ルホニル(例えばメシル、エタンスルホニル、プロパン
スルホニル、イソプロパンスルホニル、ブタンスルホニ
ル等;アレーンスルホニル(例えばベンゼンスルホニル
、トシル等);アロイル(イ列えばベンゾイル、トルオ
イル、ナフトイル、フタロイル、インダンカルボニル等
);アリール(低級)アルカノイル(例えばフェニルア
セチル、フェニルプロピオニル等);アリール(低級)
アルコキシカルボニル(例えばペンジルオキン力ルボニ
ル、フェネチルオキシカルボニル等)等が例示きれる。
上記のアシル又はアシル部分は、1〜3個の置換基を有
していてもよく、該置換基としては、例えばハロゲン(
例えば塩素、臭素、沃素、弗素)、ヒドロキシ、シアン
、ニトロ、低級アルコキシ(例えばメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、インプロポキシ等)、低級アルキル(例
えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
等)、低級アルケニル(例えばビニル、アリル等)、ア
リール(例えばフェニル、トリル等)等が例示きれる。
低級アルキルは1〜6個の炭素を含むものであり、例え
ばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、第3級ブチル、ペンチル、第3級ペンチル
、ヘキシル等があり、より好ましいのは炭素数1〜3個
のものである。
セファロスポリン化合物のアミノ基のアシル化反応に使
用しうる、目的物質(I)のカルボキシ基における反応
性誘導体としては、酸ハライド、酸無水物、活性アミド
、活性エステル等が例示される、これらの好適例を挙げ
ると、酸クロライド:酸アジド;置換燐酸(例えばジア
ルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐酸、ジベンジ
ル燐酸、ハロゲン燐酸等)、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸
、チオ硫酸、硫酸、アルキル炭酸、詣肪族カルボン酸(
例えばピバリン酸、吉草酸、イソ吉草酸、2−エチル酪
酸、酢酸、トリクロロ酢酸等)或は芳香族カルボン酸(
例えば安息香酸等)の酸との混合酸無水物;対称酸無水
物;イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾール
或はテトラゾール等との活性アミド;活性エステル(例
えばシアンメチルエステル、メトキシメチルエステル、
ジメチルイミノメチル[(CH3)2− N”=CH−
]エステル、ビニルエステル、プロパルギルエステル、
p−ニトロフェニルエステル、2.4−ジニトロフェニ
ルエステル、トリクロロフェニルエステル、ペンタクロ
ロフェニルエステル、メシルフェニルエステル、フェニ
ルアゾフェニルエステル、フェニルチオエステル、p−
ニトロフェニルチオエステル、p−タレジルチオエステ
ル シメチルチオエステル、ピラニルエステル、ビリノルエ
ステル、ピペリジルエステル、8−キノリルチオエステ
ル、又はN.N−ジメチルヒドロキシルアミノ、1−ヒ
ドロキシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシフ
タルイミド、N−ヒドロキシフタルイミド或は1−ヒド
ロキシ−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾールとのエ
ステル等)を例示することができる。
カルボキシ基の保護基における好適保護基としては、エ
ステル化されたカルボキシにおけるエステル残基を掲げ
ることができ、該エステルとしては例えば低級アルキル
エステル(例えばメチルエステル、エチルエステル、プ
ロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステ
ル、イソブチルエステル、第3iブチルエステル、ペン
チルニスフル、第3 141k ヘンチルエステル、ヘ
キシルエステル、1−シクロプロピルエチルエステル等
であり、該低級アルキル基は炭素数1〜4個のものが好
ましい);低級アルケニルエステル(例えばビニルエス
テル、アリルエステル等):低級フェニルエステル(例
えばニブニルエステル、プロピニルエステル等);モノ
(又はジ又はトリ)ハロ(低級アルキルエステル(例え
ば2−ヨードエチルエステル、2.2.2−トリクロロ
エチルエステル等);低級アルカノイルオキシ(低級)
アルキルエステル(例えばアセトキシメチルエステノ呟
プロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメ
チルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロ
イルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチル
エステル、2−アセトキシエチルエステル、2−プロピ
オニルオキシエチルエステル等):低級アルカンスルホ
ニル(低級)アルキルエステル(例えばメシルメチルエ
ステル、2−メシルエチルエステル等);アリール(低
級)アルキルエステル、例えばフェニル(低級)アルキ
ルエステルで、これは1又はそれ以上の置換基で置換さ
れていてもよい(例えばベンジルエステル、4−メトキ
シベンジルエステル、4−ニトロベンジルエステル、フ
ェネチルエステル、トリチルエステル、ジフェニルメチ
ルエステル、ビス(メトキシフェニル)メチルエステル
、3.4−ジメトキシベンジルエステル、4−ヒドロキ
シ−3.5−ジ第3級ブチルベンジルエステル等);1
又はそれ以上の置換基を有していてもよいアリールエス
テル(例えばフェニルエステル、トリルエステル、第3
級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシチ
ルエステル、クメニルエステル等)等が例示される。
ここにおいてカルボキシ保護基の好適例を挙げると、上
記の低級アルキルが示される。
好適なアルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム及
びリチウムが挙げられる。
目的物質(I)におけるR1の好適例は、アミノ、アシ
ルアミノ(より好ましくは低級アルカノイルアミノ)、
ジ(低級)アルキルアミノ(低級)アルキリデンアミノ
又はホスホノアミノである。
上記目的物質の製造法は以下詳述ずろ通りである。
製造法(1) 化合物(IV)は化合物(II)又はその塩類に、ハロ
ゲン化剤及び化合物(I[[)を作用させることによっ
て製造される。
この方法で用いられる好適なハロゲン化剤としては、臭
素及び塩素等が含まれる。
この反応は、無機塩基や有機塩基の如き塩基、例えば炭
酸アルカリ金属、アルカリ金属アルコキサイド、トリア
ルキルアミノ等の存在下に行なうのが好ましい。又この
反応はアルコール(例えばメタノーノ呟エタノール等)
或はその他この反応に悪影響を与えない溶媒等の存在下
に行なうのが一般的である。反応温度は制限がなく、通
常冷却下又は室温下に行なわれる。この反応において、
化合物(I[)のR3は、反応条件或は保護基の種類に
よっては、他のカルボキシ保護基に変換される場合があ
り、その様なときも本発明の範囲に含まれる。
鼠貞1匹幻 化合物(V)は、化合物(IV)をアミノ保護基の導入
反応に付することによって得られる。
この反応は常法に従って行なわれ、アミノ基に導入され
るべきアミノ保護基がアシルである場合には、後述の方
法1に述べた方法と実質的に同一の方法で行なわれる。
従って詳細な説明は、nlの項を参照されたい。
11旧上 化合物(■)は、化合物(Vlと化合物(VI)を作用
させることによって製造される。
通常この方法は、アルカリ金属水素化物(例えば水素化
ナトリウム、水素化カリウム等)やアルカリ土類金属水
素化物(例えば水素化カルシウム等)等の塩基の存在下
に行なわれ、且つ一般的には、ジメチルホルムアミド或
はその他この反応に悪影響を与えない溶媒中で行なわれ
る0反応温度に制限はなく、通常、冷却下、室温下或は
加温下に遂行される。
製造法(4) 化合物(■)は化合物(■)に酸及び/又は酸無水物、
例えば酢酸及び/又は無水酢酸を作用させることによっ
て得られる。この工程の反応は、過ハロゲン化酸アルカ
リ金属(例えば過塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウ
ム、過塩素酸カリウム等)、過塩素酸アルカリ土類金属
(例えば過塩素酸マグネシウム、過塩素酸カルシウム等
)等の池、有機酸(例えばギ酸、酢酸等)や無機酸(例
えば塩酸)等の酸の存在下において効率良く進行させる
ことができる。
反応温度は制限されず、通常は加温下に行なわれる。
製造法(5) 製造法り5)における加水分解反応は常法に従って、塩
基或は酸の存在下に行なわれる。好適な塩基としては、
無機塩基或は有機塩基、例えばアルカリ金属(ナトリウ
ムやカリウム等)、アルカリ土類金属(マグネシウムや
カルシウム等)、それらの水酸化物、炭酸塩、炭酸水素
化物、トリアルキルアミノ(例えばトリメチルアミノ、
トリエチルアミノ等)、ピコリン、1.5−ジアザビシ
クロ[4,3,0コノン−5−エン、1.4−ジアザビ
シクロ[2,2,2]オクタン、1,8−ジアザビシク
ロ[5,4,O]ラウンセン−7等が挙げられる。
好適な酸としては、有機酸(例えばギ酸、酢酸、プロピ
オン酸、トリフルオロ酢酸等)及び無Ja酸(例えば塩
酸、臭化水素酸、硫酸等)が挙げられる。
反応は一般に水、アルコール(例えばメタノール、エタ
ノール等)、それらの混合物、或はこの反応の進行に悪
影響を与えない他の溶媒の存在下に行なわれる。塩基及
び酸が液体であるときは溶媒として使用することもでき
る。反応温度は制限的でなく、一般には冷却乃至加温下
に行なわれる。
製造法(5)においては、反応条件によって、Ia Rを有する化合物、又は該Rhaの代りにアミノを有す
る化合物が製造され、それらは引き続いて化合物(IX
)又はその塩類と反応され、製造法(6)に示す様にし
て、化合物(Ia)又は(Ib)が夫々製造きれる。
製造法(6) 化合物(IX)の好適塩とは、一般的な酸塩、例えば無
機酸塩(例えば塩酸塩等)、有機酸塩(例えばp−トル
エンスルホン酸塩等)である。該化合物(IX)の塩を
本工程において用いるときは、通常、塩基例えば水酸化
アルカリ金pA(例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等)の存在下に反応を行なうことができる0反応は
、通常、水、アルコール(例えばメタノール、エタノー
ル等)或はこの反応の進行に悪影響を与えない他の溶媒
)等の溶媒中で行なう0反応部度に制限はなく、通常は
室温下に行なう。
製造法(7) 化合物(Ib)又はその塩類は、化合物(Ia)又はそ
の塩類をアミノ保護基の脱離反応に付すことによって製
造される。
この脱離反応は、常法例えば加水分解;還元;保護基が
アシルである場合に化合物(Ia)をイミノハロゲン化
剤と反応し、次いでイミノエーテル化剤と反応し、必要
であれば更に加水分解する方法等によって遂行される。
加水分解法は酸、塩基或はヒドラジンを用いる方法を含
む、これらの方法は、脱離さるべき保護基の種類によっ
て適宜選択される。
これらの方法のうち、酸を使う加水分解法は、保護基が
置換若しくは非置換アルコキシカルボニル(例えば第3
級ペンチルオキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニ
ル等)、アルカノイル(例えばホルミル等)、シクロア
ルフキジカルボニル、置換若しくは非置換アラルコキシ
カルボニル(例えばベンジルオキシカルボニル、置換ベ
ンジルオキシカルボニル等)、置換フェニルチオ、置換
アラルキリデン、置換アルキリデン、置換シクロアルキ
リデン、アリール(低級)アルキル(例えばベンジル、
トリチル等)等である場合において汎用され且つ好まし
い方法である。
好ましい酸としては有機酸、無ja#があり、例えばギ
酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、p−トル
エンスルホン酸、塩酸等が挙げられるが、より好ましい
のはギ酸、トリフルオロ酢酸、塩酸等である0反応に都
合の良い酸は、脱離さるべき保護基の種類に応じて選択
される。脱離反応を酸で行なう場合には、溶媒の存在若
しくは非存在下に行なわれる。好ましい溶媒とは、汎用
有機溶媒、水及びそれらの混合物を含む、トリフルオロ
酢酸を用いるときは、アニソールの存在下に反応を行な
うのが好ましい。
ヒドラジンを用いる加水分解は、サクシニルやフタロイ
ル等の保護基の脱離反応として一般的である。
塩基を用いる加水分解は、アシル基[例えばハロアルカ
ノイル(例えばジクロロアセチル、トリフルオロアセチ
ル等)]の脱離反応に好適である。好適な塩基としては
、無機塩基[例えば水酸化アルカリ金属(例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等)、水酸化アルカリ土類
金属(例えば水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等
)、炭酸アルカリ金属(例えば炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム等)、炭酸アルカリ土類金属(例えば炭酸マグネ
シウム、炭酸カルシウム等)、炭酸水素アルカリ金属(
例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等)、酢
酸アルカリ金属(例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム
等)、燐酸アルカリ土類金属(例えば燐酸マグネシウム
、燐酸カルシウム等)、燐酸水素アルカリ金属(例えば
燐酸水素2ナトリウム、燐酸水素2カリウム等)等]、
有機塩基[例えばトリアルキルアミノ(例えばトリメチ
ルアミノ、トリエチルアミノ)、ピッリン、N−メチル
ピロリジン、N−メチルモルホリン、1,5−ジアザビ
シクロ[4,3,0コノン−5−エン、1.4−ジアザ
ビシクロ[2,2,2]オクタン、1.5−ジアザビシ
クロ[5,4,Oコランデセン−5等コが含まれる。塩
基を用いる加水分解は、しばしば水、常用有機溶媒或は
それらの混合物中で行なわれる。
保護基のうち、アシル基は一般に上記或はその他汎用加
水分解によって脱離される。アシル基がハロゲン置換ア
ルコキシカルボニル或は8−キノリルオキシカルボニル
であるときは、重金属例えば銅、亜鉛等で処理すること
によって脱離される。
還元的脱離反応は、保護基が次の様なものであるとき、
即ちイ列えばハロアルコキシカルボニル((列えばトリ
クロロエトキシカルボニル等)、置換若しくは非置換ア
ラルコキシカルボニル(例えばベンジルオキシカルボニ
ル、置換ペンジルオキンカルポニル等)、2−ピリジル
メトキシカルボニル等の場合に一般的に適用される。好
ましい還元反応とは、例えば水素化はう素アルカリ金属
(例えば水素化はう素ナトリウム等)等を用いる方法を
含むものである。
反応温度は制限的ではなく、アミノ保護基の種類、脱離
反応の種類に応じて適宜設定され、好ましくは、緩和な
条件、即ち、冷却下、室温下又は若干の加熱下に行なわ
れる。
上記の各反応及び/又は反応の後処理において上記互変
異性体が他の互変異性体に変換されることがあり、その
様な場合もこの発明の範囲に含まれる。
この発明の目的物質(I)は、抗菌性物質とじて有用な
一般式 (式中Rはアミノ又は保護きれたアミノ、R2は低級ア
ルキル、R5は水素又は低級アルキノ呟R6は水素、ア
シルオキシ(低級)アルキノ呟アシルチオ(低級)アル
キル又は適当な置換基で置換されていてもよい複素環チ
オ(低級)アルキル、R7はカルボキシ又は保護された
カルボキシをそれぞれ意味する) で示されるセフェム化合物またはその塩類を合成するた
めの中間体として有用である。
このセフェム化合物(C)は下記の方法によって製造さ
れる。
工人ユ CX)          (I) もしくはそのアミノ  もしくはその方ルポ基における
反応性誘  キシ基における反応導体又はそれらの塩 
性誘導体又はそれら類          の塩類 又はその塩類 (式中、R、R、R、R及びR7はそれぞれ前と同じ意
味である) 化合物(C)またはその塩類は、化合物(X)もしくは
そのアミノ基における反応性誘導体又はそれらの塩類に
、化合物(、I)もしくはそのカルボキシ基における反
応性誘導体又はそれらの塩類を作用させることによって
得られる。
化合物(X)のアミノ基における反応性誘導体としては
、アミド化反応における汎用の誘導体、例えば化合物(
X)とカルボニル化合物との反応によって形成されるシ
ッフの塩基又はその互変異性に係るエナミン型異性体;
化合物(X)にシリル化合物、例えばビス(トリメチル
シリル)アセトアミド、トリメチルシリルアセトアミド
等を反応させて得られるシリル誘導体;化合物(X)と
3塩化燐との反応によって得られる誘導体等を挙げるこ
とができる。
化合物(X)の好適な塩類としては、酸付加塩、例えば
有45M酸塩(例えば酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン醜塩等)や
無機酸塩(例えば塩酸塩、臭化水素M塩、硫酸塩、燐酸
塩等);金属塩(例えばナトリウム塩、カリウム塩、カ
ルシウム塩、マグネシウム塩等);アンモニウム塩;有
機アミノ塩(例えばトリエチルアミノ塩、ジシクロヘキ
シルアミノ塩等)等が例示される。
反応は、汎用溶媒中で行なうのが一般的であリ、該溶媒
としては水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、
クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒ
ドロフラン、酢酸エチル、N、N−’、;メチルホルム
アミド、ピリジン、或はこの反応に悪影響を与えないそ
の他の有機溶媒が例示される。これらの溶媒のうち親水
性溶媒は水との混合溶媒として使用することもできる。
化合物(I)が遊離酸又はその塩の状態で使用されると
きは、常用の縮合剤例えばN、N−ジシクロヘキシルカ
ルボジイミド −N’ −モルホリノエチルカルポジイミ)?.Nーシ
クロへキシル−N’−(4−ジエチルアミノシクロヘキ
シル)カルボジイミド、N.N−ジエチルカルボジイミ
ド ボジイミド;N−エチル−N’−(3−ジメチルアミノ
プロピル)カルボジイミド、N.N−カルボニルビス(
2−メチルイミダゾール);ペンタメチレンケテン−N
−シクロヘキシルイミン:ジフェニルケテン−N−シク
ロヘキシルイミン;エトキシアセチレン;ポリ燐酸エチ
ル;ポリ燐酸イソプロピル;ジエチルホスホロクロリダ
イト;オキシ塩化燐;3塩化燐;5塩化燐;塩化チオニ
ル;オキザリルクロライド;トリフェニルホスフィン;
N−エチル−7−ヒトロキシベンズインキサゾリウムフ
ルオロボーレート、N−エチル−5−フェニルインキサ
ゾリウム−3′−スルホへ ネ−ト;1−(p−’10ロベンゼンスルホニルオキシ
)−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール:所謂ビル
スマイヤー試薬(例えばジメチルホルムアミドと塩化チ
オニルやホスゲンとの反応によって得られる(クロロメ
チレン)ジメチルアンモニウムクロライド、又はジメチ
ルボルムアミドとオキシ塩化燐との反応によって得られ
る化合物等);等の存在下に行なうのが好ましい。
反応は、又有機塩基或は無機塩基例えば以下例示する様
な水酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ土類金属、炭
酸アルカリ金属、酢酸アルカリ金属、トリ(低級)アル
キルアミノ、とリジン、N−(低級)アルキルモルホリ
ン、N.N−ジ(低級)アルキルベンジルアミノ、N.
N−u(低級)アルキルアニリン等の存在下に行なうこ
ともできる。塩基又は縮合剤が液体であるときは、溶媒
を兼ねて用いることもできる.反応温度は制限がなく、
通常は冷却下又は室温下に行なわれる。
この反応においては化合物(X)に対して化合物(I)
のシン異性体を反応させることにより、化合物(C)の
シン異性体を効率良く得ることができる。
この反応においては、反応条件により化合物(I)中の
R1で示移れるアミノ基が、反応中に保護されたアミノ
に転換することもあり、この様な場合もこの方法の範囲
に含まれる。
以下、実施例によりこの発明を説明する。
火蓋■ユ 5−アミノ−1.2.4−チアジアゾール−3−カルボ
ン酸メチルの製造 1−エトキシカルボニルホルムアミジン臭酸塩( 18
.6g )の無水メタノール(84絨)溶液に、ナトリ
ウム(1.93g)の無水メタノール( 42mQ )
溶液をOoCで加えた。この混合物に、臭素(12.8
g)と、ナトリウム(t.93g)の無水メタノール(
42−)溶液をを0°Cで交互に加え、得られた懸濁液
にチオシアン酸カリウム(8.1g)の無水メタノール
( xoomu )溶液を加えた.反応混合物を0℃で
1時間攪拌し、室温で更に6時間攪拌した。
反応混合物をセルローズ粉末で濾過し、濾液を蒸発乾燥
した.残渣を酢酸エチルと水の混液に溶解し、酢酸エチ
ル層を分離して無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を留去し、残渣に酢酸エチルを加えてこれを粉末化する
と表題化合物(9.0g>が得られた, mp 202
〜205℃1、R.(スジョール)  :  3400
.  3250,  3100.  1710,  1
610。
1540 am−1 N.M.R (d6−DMSO) 8  : 3.85 (3H.s) 8、25 (2H.s) 火及贋造 5−ホルムアミド−1.2.4−チアジアゾール−3−
カルボン酸メチルの製造 ギ酸(33g)と無水酢酸(22g)のl捏合物に5−
アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−カルボン酸
メチル(6,2g)を加え、得られた混合物を2日間室
温で攪拌した。反応液を減圧下に濃縮し、ジエチルエー
テルとn−ヘキサンの混合物を残渣に加えて粉末化する
と、表題化合物(7,2g)が得られた。mp 210
〜215℃ 1、R,(スジシール)  :  3100. 172
0. 1680  amIN、 M、 R1(d6−D
MSO) s  : 3.90 (3H,s) 8、85(IH,s) 汲濾忽ユ 5−ホルムアミド−3−(2−メチルチオ−2−メチル
スルフィニルアセチル)−1,2,4−チアジアゾール
の製造 5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール−3−
カルボン酸メチル(9,2g)とメチルメチルチオメチ
ルスルホキシド(6,1g)をN、N−ジメチルホルム
アミド(1oomf1)に加えた混合物を水浴中で冷却
しておき、これに50%水素化ナトリウム(7,1g)
を加えた。混合物を室温で1時間攪拌し、40°Cにし
て更に1時間攪拌した。室温まで冷却した反応混合物に
塩化メグーレン(300m11 )を加え、析出した沈
殿を濾取して塩化メチレンで洗浄した。そして塩酸(1
4,7mx )、氷水(200mQ)及び塩化メチレン
(200m11)の混合物を攪拌しつつこれに前記の沈
殿を加えた不溶物を濾去し、濾液から塩化メデレン層を
分離した。この溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を留去した。残渣にジエチルエーテルを加えて粉末
化すると、表題の化合物(4,5g)が得られた。mp
 130〜132℃1、R,(スジ1−ル)  ’  
3100. 1680. 1670  cm−’N、 
M、 R,(d6−DMSO) 8.86 (LH,s) 米JC礼工 (5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)チオグリオキシル酸のS−メチルエステルの製
造 5−ホルムアミド−3−(2−メチルチオ−2−メチル
スルフィニルアセチル−1,2,4−チア/アゾール(
0,85g)と過沃素酸ナトリウム(0,2g)の木酢
H(tonQ)中温合物を、70℃で45分攪拌した。
反応混合物から溶媒を蒸発させた後の残渣を酢酸エチル
と水の混液に溶解した。これに炭酸水素ナトリウム水溶
液を加えてpH7とし、チオ硫酸ナトリウム水溶液で処
理した。有機溶媒層を分離し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後蒸発乾固した。残渣にジエチルエーテルと石
油エーテルの混合物を加えて粉末化すると、表題化合物
(280mg)が得られた。mp 186〜187°C
01、R,(スジシール)  :  3100. 16
80. 1660  cm−’N、 M、 R,(d6
−DMSO) 8  : 2.55 (3H,s) 8.95 (IH,s) 衷」01旦 2−メトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)
の製造 (5−ホルムアミド−1,2,4−チアジアゾール−3
−イル)チオグリオキシル酸のS−メチルエステル(2
31mg)をメタノール(2mA)と1規定水酸化カリ
ウム水溶液(3,51d)の混液に加え、室温で1時間
攪拌した。混合物に1規定塩酸を加えてpH7,6とし
、0−メチルヒドロキシルアミノ塩酸塩(90mg)を
加えた後室温で30分攪拌した0反応混合物に炭酸水素
ナトリウム水溶液を加えて中性とし、メタノールを留去
した。濃縮された水溶液を塩酸でpH4とし、酢酸エチ
ルで洗浄した。水層に塩酸を加えてpH1とし、塩化ナ
トリウムで飽和した後酢酸エチルで抽出した。抽出液を
蒸発乾固し、残渣にジエチルエーテルを加えて粉末化し
た後濾取乾燥すると、表題化合物(80mg)が得られ
た。 mp 185〜186℃。
1、R,(スジシール)  :  3150. 172
0. 1690  am−1N、 M、 R,(九−D
MSO) 1;  :  3.9g  (3H,s)8゜84  
(IH,s) 火J1乳旦 2−メトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)
の製造 5−ホルムアミド−3−(2−メチルチオ−2−メチル
スルフィニルアセチル)−1,2,4−チアジアゾール
(3,2g)と過沃素酸ナトリウム(0,8g)の氷酢
酸< 32111Q )中混合物を70℃で45分攪拌
した。溶媒を留去し、残渣をn−ヘキサンで洗浄した後
、メタノール(201119)と1規定水酸化カリウム
水溶液(40mJl )を加えた。この溶液を室温で1
時間攪拌した0反応混合物に1規定塩酸を加えてpH8
とし、0−メチルヒドロキシルアミノ塩酸塩(0,96
g)を加えた後室温で1時間攪拌した。炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を加えて反応液を中和し、メタノールを留去
した。得られた水溶液を酢酸エチルで洗浄し、10%塩
酸でpH1とじた後、塩化ナトリウムで飽和し、酢酸エ
チルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去した後の残渣にジイソプロピルエーテル
を加えて粉末化すると、表題化合物(1,02g )が
得られた。 mp 185〜186℃。
火及孤1 2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1゜2.4−
チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)の製造 2−メトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)
(1,4g)の1規定水酸化ナトリウム水溶液(19,
1mA )中溶液を50〜55°Cで1時間加熱した。
この混合液を水浴中で冷却しながら、これに濃塩酸(1
,9mQ)を加えた。混合物を塩化ナトリウムで飽和し
た後、酢酸エチルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、蒸発乾固した。残渣にジエチルエーテ
ルを加えて粉末化すると、表題化合物(0,9g)が得
られた。
mp 180〜182℃(分解)。
1、R,(スジ3−ル)  :  3450. 325
0. 3100. 1715. 1610゜1530 
am−1 N、 M、 R,(d6−DMSO) S  :  3.90 (3H,s) 8.10 (3H,broad s) 実施例8 5−ホルムアミド−3−(2−メチルチオ−2−メチル
スルフィニルアセチル)−1,2,4−チアジアゾール
(Log)と過沃素酸ナトリウム(2,0g)の氷酢酸
(50+r+I2 )中混合物を70°Cで50分攪拌
した。溶媒を留去し、残渣をn−ヘキサンで洗浄した。
残渣に1規定水酸化ナトリウム水溶液(160mQ )
を加え、室温で1時間攪拌した。反応混合物に0−エチ
ルヒドロキシルアミノ塩酸塩(3,5g)を加え、10
%塩酸でpH3〜4に調整した後、室温で1時間攪拌し
た。不溶物を濾去した後、濾液を酢酸エチルで洗浄し、
10%塩酸で再びpH1にしてから酢酸エチルで抽出し
た。抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥し蒸発乾固した。
残渣にジエチルエーテルとジイソプロピルエーテルの混
合物を加えて粉末化すると、2−エトキシイミノ−2−
(5−ホルムアミド−1,2,4−デアジアゾール−3
−イル)酢#(シン異性体) (4,5g )が得られ
た。 mp 165〜168℃(分解)。
1、R,(スジ3−ル)  ;  3450. 317
0゜ 3050. 1730. 1690゜1595、
1565 am−1 N、 M、 R,(d6−DMSO) f;  : 1.30 (3H,t、J=7Hz)4.
30 (2H,q、J=7Hz> 8.87 (LH,s) 夫産±1 実施例8と同様の方法によって下記の化合物を製造した
(1〉2−プロポキシイミノ−2−(5−ホルムアミド
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン
異性体)、mp 168〜170°C(分解)。
1、R,(スジ3−ル)  :  3250. 314
0. 1720. 1690. 1590゜1530 
cm−’ N、 M、 R,(d6−DMSO) 1;  : 0.90 (3H,t、J=6Hz>1.
4−1.9 (2H,m> 4.17 (2H,仁、 J=6Hz )8.85 (
IH,5) (2)2−イソプロポキシイミノ−2−(5−ホルムア
ミド−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(
シン異性体)、mp 180〜L82°C(分解)。
1、R,(スジ9−ル)  :  3230. 172
0. 1690. 1590゜1530 am−1 N、 M、 R,(d6−DMSO) 、5’ : 1.25 (6H,d、J=6Hz)4.
2−4.7 (IH,m) 8.85 (LH,s) 火凰血刊 2−エトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)
(4,4g)と1規定水酸化ナトリウム水溶液(54m
M )の混合物を50−55℃で2時間攪拌した。混合
物を水浴中で冷却し、塩酸(5,4緘)で酸性にした後
、酢酸エチルで抽出した。抽出液を硫酸マグネシウムで
乾燥し、蒸発乾固した。残渣にジエチルエーテルを加え
て粉末化すると、2−エトキシイミノ−2−(5−アミ
ノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シ
ン異性体) (2,92g )が得られた。mp 16
8〜170”C(分解)。
L、R,(スジ1−ル)  :  3450. 337
0. 3250. 3150. 1665゜1610、
1530 am−1 N、 M、 R,(d6−DMSO) δ : 1.22 <314.t、に7Hz)、 4.
17 (21,q。
J−7Hz)、 8.17 (2H,broad s)
火亙輿U 実施例10と同様の方法によって下記の化合物を製造し
た。
(1)2−プロポキシイミノ−2−(5−アミノ−1,
2,4−チアジアゾール−3−イル)酢#(シン異性体
)、mp 100〜103℃(分解)。
1、R,(スジョール)  :  3620. 352
0. 3350. 3120. 2600゜2500、
1720.1620.1550 am−IN、M、R,
(d6−DMSO) 8  :  1.00 (3H,t、J=6Hz)、 
 1.3−2.0  (2H。
m)、  4.13 (21,t、に6Hz)、  8
.17(2H,broad 5) (2)2−インプロポキシイミノ−2−(5−アミノ−
1,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(ノン異
性体)、mp 152〜155℃(分解)。
1、R(スジ1−ル)  :  3450. 3300
. 3200. 1730. 1620゜1530 c
m−1 N、M、R,(d6−DMSO) 6  : 1.22 <6H,d、J=6Hz>、 4
.1−4.6 (LH。
m)、 8.20 (2H,broad s)参考例1 7−[2−メトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−
1,2,4−デアジアゾール−3−イル)アセトアミド
]−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−イル
チオメチル)−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異
性体)の製造N、N−ジメチルホルムアミド(6mM)
とオキレ塩化燐(918mg)の混合物を室温で30分
攪拌し、これに塩化メy−レン(5mM)と2−メトキ
シイミノ−2−(5−ホルムアミド−1,2,4−デア
ジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体:1.1g)
を−15〜−10℃で加え、同温度で30分攪拌した。
7−アミノ−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−
5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−カルボン#
(1,97g)とトリメチルシリルアセトアミド(6g
)の混合物を塩化メチレン(60mM )に加え加温す
ると澄明な溶液になった。
この溶液を一15℃に冷却し、先に得た溶液中に加λた
。反応混合物を0℃で1時間攪拌し、炭酸水素ナトリウ
ムの冷水溶液中に注いだ。水石を分離し、10%塩酸で
pH2にU!4mした後、酢酸エチルで抽出した。抽出
液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発乾固した。残
渣にジエチルエーテルを加 ・えて粉末化すると、粗製
の表題化合物(2,75g)が得られた。これを炭酸水
素ナトリウム水溶液に溶解し、希塩酸を加えて再沈殿さ
せると表題化合物の純品(15g )が得られた。mp
 170〜175°C(分解)。
1、R,(スジタール)  ’  3300. 178
0. 1680  cm−1N、M、R,(d6−DM
SO,l; ) ’ 3.90 (28,broad 
s)。
3.95 (3H,s)、  4.00 (38,s)
、  4.33 (2H。
broad s)、  5.17 (IH,d、J=4
Hz)、  5.87(IH,2d、J=4. 8Hz
)、  8.83 (1)1.s)、  9.70(1
)1.d、J=8Hz> 参2目乳主 7−[2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1,2
,4−チアジアゾール−3−イル)アセトアミド]−3
−(1−メチル−IH−テトラゾール−5−イルチオメ
チル)−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
の製造 2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1゜2.4−
チアジアゾール−3−イル)酢#(シン異性体: 10
0mg)とオキシ塩化燐(306mg )の塩化メチレ
ン(5mQ )中温合物を室温で30分攪拌した。この
混合物に、氷浴冷却下N、N−ジメチルホルムアミド(
Q4mR)を加え、30分攪拌した。
7−アミノ−3−(1−メチル−IH−テトラゾール−
5−イルチオメチル)−3−セフェム−4−カルボン#
 (300mg )とトリメチルシリルアセトアミド(
0,9g)の塩化メチレン(gmQ)中温合物を加温す
ると澄明な溶液となった。この混合物を水浴中で冷却し
、上記で得た溶液中に加えた後、0°Cで30分攪拌し
た。反応混合物を、炭酸水素ナトリウムの冷水溶液に注
ぎ、水層を分離し、10%塩酸でpH1に調整した後、
酢酸エチルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、蒸発乾固した。残渣にジエチルエーテルを加
えて粉末化すると、粗製の表題化合物(、120mg 
)が得られた。これを次酸水素ナトリウl、水溶液に溶
解し、希塩酸を加えて再沈殿させると、表題化合物の純
品(60mg)が得られた。mp 170〜175℃(
分解)。
1、R,(スジコール)  :  3300. 177
0. 1660. 1610゜1520 cm’ N、M、R,(d6−DMSO,S ) ’ 3.73
 (2H,broad s)。
3.97 (6H,s)、 4.33 (2H,bro
ad s)、 5.13(LH,d、J4Hz)、 5
.1113 (LH,2d、J=4゜8.5Hz>、 
8.12 (2)1.s)、 9.57 (IH,d。
J=8.5Hz) 参2■号ユ 5塩化燐(2,5g)の塩化メチレン(6QmQ )冷
溶液中に、2−エトキシイミノ−2−(5−アミノ−1
,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性
体:2.16g)を−15°Cで加え、同温度で30分
攪拌して、2−エトキシイミノ−2−(5−アミノ−1
,2,4−グーアジアゾール−3−イル)酢酸クロリド
(シン異性体)を含む混合物を得た。他方7−アミノ−
3−セフェム−4−カルボン酸−4−ニトロベンジル(
4,0g)とトリメチルシリルアセトアミド(12g)
と塩化メチレン(60mA )中温合物を加温して澄明
な溶液とし、これを先に得た活性混合物中に加え、0〜
5°Cで30分攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナトリ
ウム(7,0g)の冷水溶液(150m11 )中に注
ぎ、有m石を硫酸マグネシウムで乾燥した後、蒸発乾固
した。残渣にジエチルエーテルを加えて粉末化し、これ
を濾取乾燥すると、7−[2−エトキシイミノ−2−(
5−アミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)
アセトアミド] −3−t!フエムー4−カルボン酸−
4−ニトロベンジル(シン異性体:5.5g)が得られ
た。mp 120〜125℃(分解)。
1、R,(スジ9−ル)  :  3300. 177
0. 1720. 1670. 1620゜1605、
1520 cm−’ N、 M、 R,(ds−DMSo、8 ) ’ 1 
、23 (3H1t、J=7Hz )。
3.50−3.70 (2B、m)、 4.33 (2
H,q、J’7Hz)。
5.10 (LH,d、J=4Hz>、 5.37 (
2H,s)、 5.88(LH,dd、 J=4および
8Hz)、 6.60 (IH,t。
J=4Hz)、 7.63 (2H,d、J=8Hz)
、 8.07 (2H。
S)、8.17 (2H,d、J=8Hz)、 9.5
0 (LH,d。
J=8H2)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R^1はアミノ又は保護されたアミノ、R^2は
    低級アルキルをそれぞれ意味する) で示されるチアジアゾール酢酸誘導体およびセファロス
    ポリン化合物のアミノ基のアシル化反応に使用しうる、
    そのカルボキシ基における反応性誘導体並びにそれらの
    塩類。
  2. (2)シン異性体である特許請求の範囲第1項記載の化
    合物。
  3. (3)R^1がアミノである特許請求の範囲第2項記載
    の化合物。
  4. (4)2−メトキシイミノ−2−(5−アミノ−1,2
    ,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異性体)
    である特許請求の範囲第3項記載の化合物。
  5. (5)R^1がアシルアミノである特許請求の範囲第2
    項記載の化合物。
  6. (6)R^1が低級アルカノイルアミノである特許請求
    の範囲第5項記載の化合物。
  7. (7)2−メトキシイミノ−2−(5−ホルムアミド−
    1,2,4−チアジアゾール−3−イル)酢酸(シン異
    性体)である特許請求の範囲第6項記載の化合物。
JP63087862A 1978-07-10 1988-04-08 チアジアゾール酢酸誘導体 Granted JPS63264471A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
GB29357/78 1978-07-10
GB7829357 1978-07-10
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