JPS6326445B2 - - Google Patents
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- JPS6326445B2 JPS6326445B2 JP12624180A JP12624180A JPS6326445B2 JP S6326445 B2 JPS6326445 B2 JP S6326445B2 JP 12624180 A JP12624180 A JP 12624180A JP 12624180 A JP12624180 A JP 12624180A JP S6326445 B2 JPS6326445 B2 JP S6326445B2
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- recording current
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 102220101353 rs61735044 Human genes 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録再生に使用する2端子薄膜
ヘツド用記録増幅器に関するものである。
ヘツド用記録増幅器に関するものである。
磁気デイスク評価装置においては記録電流特性
等を測定する際、記録電流値を変化させる必要が
ある。しかしながら従来の2端子薄膜磁気ヘツド
用記録増幅器では記録電流を変化させると記録電
流波形のオーバーシユート量が大きく変化し、そ
のままでは正確な評価を行うことができなかつ
た。正確な評価を行うためには、各記録電流値ご
とに記録電流波形を最適化せしめる必要があり、
そのため記録増幅器の回路定数をその都度調整し
なければならなかつた。従つて、磁気デイスクお
よび2端子薄膜ヘツドの評価には非常に長時間が
かかり、検査コストが高くなつていた。
等を測定する際、記録電流値を変化させる必要が
ある。しかしながら従来の2端子薄膜磁気ヘツド
用記録増幅器では記録電流を変化させると記録電
流波形のオーバーシユート量が大きく変化し、そ
のままでは正確な評価を行うことができなかつ
た。正確な評価を行うためには、各記録電流値ご
とに記録電流波形を最適化せしめる必要があり、
そのため記録増幅器の回路定数をその都度調整し
なければならなかつた。従つて、磁気デイスクお
よび2端子薄膜ヘツドの評価には非常に長時間が
かかり、検査コストが高くなつていた。
本発明の目的は記録増幅器中に、記録電流波形
のオーバーシユート量を制御するオーバーシユー
ト制御部を設け、記録電流値の設定と同時にオー
バーシユート量を制御することにより、自動的に
記録電流波形を最適化せしめ、評価時間の大幅な
短縮および検査コストの大幅な減少を行うことが
できる2端子薄膜磁気ヘツド用記録増幅器を提供
することにある。
のオーバーシユート量を制御するオーバーシユー
ト制御部を設け、記録電流値の設定と同時にオー
バーシユート量を制御することにより、自動的に
記録電流波形を最適化せしめ、評価時間の大幅な
短縮および検査コストの大幅な減少を行うことが
できる2端子薄膜磁気ヘツド用記録増幅器を提供
することにある。
本発明による2端子薄膜磁気ヘツド用記録増幅
器は、クロツクにより反転動作するフリツプフロ
ツプと、そのフリツプフロツプより出力される2
つのデジタル信号すなわち書込情報の信号レベル
を変換するる第1信号レベル変換部と、その第1
信号レベル変換部より出力される2信号により記
録増幅部の4つのトランジスタを切換えるための
第2信号レベル変換部と、その第2信号レベル変
換部より出力される4つの信号を入力し、その出
力信号を2端子薄膜磁気ヘツドに供給する記録増
幅部と、その記録電流を供給する記録電流設定部
と、第2信号レベル変換部に流れる電流を制御
し、2端子薄膜磁気ヘツドの記録電流波形のオー
バーシユート量を最適化せしめるオーバーシユー
ト制御回路と、記録電流値を設定する記録電流値
設定スイツチとより構成される。
器は、クロツクにより反転動作するフリツプフロ
ツプと、そのフリツプフロツプより出力される2
つのデジタル信号すなわち書込情報の信号レベル
を変換するる第1信号レベル変換部と、その第1
信号レベル変換部より出力される2信号により記
録増幅部の4つのトランジスタを切換えるための
第2信号レベル変換部と、その第2信号レベル変
換部より出力される4つの信号を入力し、その出
力信号を2端子薄膜磁気ヘツドに供給する記録増
幅部と、その記録電流を供給する記録電流設定部
と、第2信号レベル変換部に流れる電流を制御
し、2端子薄膜磁気ヘツドの記録電流波形のオー
バーシユート量を最適化せしめるオーバーシユー
ト制御回路と、記録電流値を設定する記録電流値
設定スイツチとより構成される。
オーバーシユート制御部は第2信号レベル変換
部に電流を供給する電流源であり、アナログスイ
ツチまたは機械式スイツチと抵抗を並列に接続し
た組み合わせを直列に少なくとも2個以上接続し
て、電流源を構成するトランジスタのベースとエ
ミツタ電源の間に接続し、ベースには他の電流源
より定電流を供給して、前記抵抗を流れる電流に
よる電圧降下によつてベース電圧を決定してい
る。アナログスイツチまたは機械式スイツチは記
録電流設定用のスイツチに連動して直列に接続さ
れた抵抗を選択し、トランジスタのベース電圧を
設定して、第2信号レベル変換部に流れる電流と
記録電流の比が一定になるように制御する。
部に電流を供給する電流源であり、アナログスイ
ツチまたは機械式スイツチと抵抗を並列に接続し
た組み合わせを直列に少なくとも2個以上接続し
て、電流源を構成するトランジスタのベースとエ
ミツタ電源の間に接続し、ベースには他の電流源
より定電流を供給して、前記抵抗を流れる電流に
よる電圧降下によつてベース電圧を決定してい
る。アナログスイツチまたは機械式スイツチは記
録電流設定用のスイツチに連動して直列に接続さ
れた抵抗を選択し、トランジスタのベース電圧を
設定して、第2信号レベル変換部に流れる電流と
記録電流の比が一定になるように制御する。
第2信号レベル変換部の出力信号の振幅は、オ
ーバーシユート制御部より供給される電流値に比
例するので、従つて記録電流に比例して記録増幅
部の入力信号の振幅が制御され、過大入力信号が
記録増幅部に加わることなく、記録増幅部より2
端子薄膜磁気ヘツドに流れる記録電流波形のオー
バーシユート量を自動的に制御する。
ーバーシユート制御部より供給される電流値に比
例するので、従つて記録電流に比例して記録増幅
部の入力信号の振幅が制御され、過大入力信号が
記録増幅部に加わることなく、記録増幅部より2
端子薄膜磁気ヘツドに流れる記録電流波形のオー
バーシユート量を自動的に制御する。
以下、本発明による2端子薄膜磁気ヘツド用記
録増幅器を実施例により詳細に説明する。
録増幅器を実施例により詳細に説明する。
第1図は本発明による2端子薄膜磁気ヘツド用
記録増幅器の実施例を示す回路構成図であり、1
はクロツク信号101によりON―OFFするフリ
ツプフロツプ、2はフリツプフロツプ1の2つの
出力信号すなわち記録情報102,103をレベ
ル変換する第1信号レベル変換部、3は第1信号
レベル変換部2の出力信号104,105により
記録増幅部4の4つのトランジスタを切換えるた
め前記信号104,105をレベル変換する第2
信号レベル変換部、6は第2信号レベル変換部3
の出力信号106,107,108,109を制
御し、記録電流波形のオーバーシユート量を制御
するオーバーシユート制御部、4は第2信号レベ
ル変換部3の出力信号を入力とし、2端子薄膜磁
気ヘツド5に記録電流110,111を供給する
記録増幅部、7は記録増幅部4の記録電流値を設
定する記録電流設定部、8は記録電流を設定する
スイツチ、5は記録増幅部4より供給される記録
電流110,111によつて、磁性媒体へ記録を
行う2端子薄膜磁気ヘツドである。
記録増幅器の実施例を示す回路構成図であり、1
はクロツク信号101によりON―OFFするフリ
ツプフロツプ、2はフリツプフロツプ1の2つの
出力信号すなわち記録情報102,103をレベ
ル変換する第1信号レベル変換部、3は第1信号
レベル変換部2の出力信号104,105により
記録増幅部4の4つのトランジスタを切換えるた
め前記信号104,105をレベル変換する第2
信号レベル変換部、6は第2信号レベル変換部3
の出力信号106,107,108,109を制
御し、記録電流波形のオーバーシユート量を制御
するオーバーシユート制御部、4は第2信号レベ
ル変換部3の出力信号を入力とし、2端子薄膜磁
気ヘツド5に記録電流110,111を供給する
記録増幅部、7は記録増幅部4の記録電流値を設
定する記録電流設定部、8は記録電流を設定する
スイツチ、5は記録増幅部4より供給される記録
電流110,111によつて、磁性媒体へ記録を
行う2端子薄膜磁気ヘツドである。
第1図に示した本発明による回路はスイツチ8
により記録電流設定部7の記録電流値を設定する
と同時に、オーバーシユート制御部6のスイツチ
SW1,SW2,SW3およびSW4を、従つて直
列抵抗R1,R2,R3およびR4を選択し切換
え、記録増幅部4の入力信号の振幅を制御するこ
とによりいかなる記録電流値においても、記録電
流波形のオーバーシユート量を最適化できること
を特徴としている。
により記録電流設定部7の記録電流値を設定する
と同時に、オーバーシユート制御部6のスイツチ
SW1,SW2,SW3およびSW4を、従つて直
列抵抗R1,R2,R3およびR4を選択し切換
え、記録増幅部4の入力信号の振幅を制御するこ
とによりいかなる記録電流値においても、記録電
流波形のオーバーシユート量を最適化できること
を特徴としている。
次に第2図および第3図を参照して第1図の動
作を詳しく説明する。記録電流値は2進数でコー
ド化されたスイツチ8から出るデジタル信号11
2,113,114,115で記録電流設定部7
の電流源9,10,11および12を切換え、記
録電流値を設定すると同時にオーバーシユート制
御部6のスイツチSW1,SW2,SW3および
SW4を切換える。オーバーシユート制御回路部
6の抵抗R1,R2,R3およびR4の値は8R
=8R1=4R2=2R3=4Rとなるように選
択され、記録電流設定部7中の電流源9,10,
11および12の電流値I9,I10,I11お
よびI12も同様に8I=8I9=4I10=2
I11=I12となるように構成されている。第
2図にスイツチ8のデジタル信号112,11
3,114および115に対する記録電流設定部
7の電流源9,10,11および12の動作状態
および全体として設定される記録電流値、オーバ
ーシユート制御部6のSW1,SW2,SW3およ
びSW4の動作状態および全体としての合成抵抗
との相互関係を示す。オーバーシユート制御部の
スイツチSW1,SW2,SW3およびSW4と抵
抗R1,R2,R3およびR4を流れる電流は定
電流源13により一定に保たれ、R1,R2,R
3およびR4からなる合成抵抗の両端に生ずる電
圧がトランジスタQ1のベース電位を決定し、従
つて、トランジスタQ1のエミツタ電流を決定す
るので、結局スイツチ8によつて選択されたR
1,R2,R3およびR4からなる合成抵抗の値
とトランジスタQ1のエミツタ電流は比例する。
従つて、第2図に示したごとく記録電流設定部7
により設定された記録電流値と、オーバーシユー
ト制御部6内のトランジスタQ1のエミツタ電流
は完全に対応し、かつその比はいかなる設定値に
おいても一定になつている。
作を詳しく説明する。記録電流値は2進数でコー
ド化されたスイツチ8から出るデジタル信号11
2,113,114,115で記録電流設定部7
の電流源9,10,11および12を切換え、記
録電流値を設定すると同時にオーバーシユート制
御部6のスイツチSW1,SW2,SW3および
SW4を切換える。オーバーシユート制御回路部
6の抵抗R1,R2,R3およびR4の値は8R
=8R1=4R2=2R3=4Rとなるように選
択され、記録電流設定部7中の電流源9,10,
11および12の電流値I9,I10,I11お
よびI12も同様に8I=8I9=4I10=2
I11=I12となるように構成されている。第
2図にスイツチ8のデジタル信号112,11
3,114および115に対する記録電流設定部
7の電流源9,10,11および12の動作状態
および全体として設定される記録電流値、オーバ
ーシユート制御部6のSW1,SW2,SW3およ
びSW4の動作状態および全体としての合成抵抗
との相互関係を示す。オーバーシユート制御部の
スイツチSW1,SW2,SW3およびSW4と抵
抗R1,R2,R3およびR4を流れる電流は定
電流源13により一定に保たれ、R1,R2,R
3およびR4からなる合成抵抗の両端に生ずる電
圧がトランジスタQ1のベース電位を決定し、従
つて、トランジスタQ1のエミツタ電流を決定す
るので、結局スイツチ8によつて選択されたR
1,R2,R3およびR4からなる合成抵抗の値
とトランジスタQ1のエミツタ電流は比例する。
従つて、第2図に示したごとく記録電流設定部7
により設定された記録電流値と、オーバーシユー
ト制御部6内のトランジスタQ1のエミツタ電流
は完全に対応し、かつその比はいかなる設定値に
おいても一定になつている。
第3図は記録電流値が80mAp―pと20mAp―
pの場合の記録電流波形の一例である。従来は、
オーバーシユート制御部6には記録電流に応じて
トランジスタQ1のエミツタ電流を設定する機能
がなく、その電流値は一定であり、従つて、信号
104,105の振幅は記録電流値によらず一定
であつたため、記録増幅部4のトランジスタ10
6,107,108および109のベース電位を
任意の記録電流に対し常に最適な値に設定できな
かつた。例えば、記録電流値を80mAp―pに設
定し、その電流値において、記録電流波形のオー
バーシユート量を最適にすると、次に記録電流値
を20mAp―pへ変化させた時前記トランジスタ
106,107,108および109のベース電
位が最適値からずれてしまうため、記録電流波形
のオーバーシユート量が著しく大きくなり、もし
くは記録電流値と同程度の値となつた。従つて、
記録増幅部4の記録電流値を変化させて使用する
必要のある磁気デイスク評価装置においては、各
記録電流値に合わせて回路定数を調整する必要が
あり、このために、測定に非常な長時間を要し
た。しかるに本発明では、記録電流値の設定と同
時に、自動的にオーバーシユート制御部6の抵抗
R1,R2,R3およびR4の選択を行うため信
号104,105の振幅は記録電流値によつて変
化し、記録電流値を80mAp―pから20mAp―p
に変化させてもトランジスタ106,107,1
08および109のベース電位が最適値に保たれ
るため、記録電流波形のオーバーシユート量は大
きくならず最適な記録電流波形を保つ。このよう
に本発明の回路により、2端子薄膜磁気ヘツドを
用いた評価装置においては、測定時間を大幅に短
縮することが可能であり、従つて検査コストを減
少させることができる。
pの場合の記録電流波形の一例である。従来は、
オーバーシユート制御部6には記録電流に応じて
トランジスタQ1のエミツタ電流を設定する機能
がなく、その電流値は一定であり、従つて、信号
104,105の振幅は記録電流値によらず一定
であつたため、記録増幅部4のトランジスタ10
6,107,108および109のベース電位を
任意の記録電流に対し常に最適な値に設定できな
かつた。例えば、記録電流値を80mAp―pに設
定し、その電流値において、記録電流波形のオー
バーシユート量を最適にすると、次に記録電流値
を20mAp―pへ変化させた時前記トランジスタ
106,107,108および109のベース電
位が最適値からずれてしまうため、記録電流波形
のオーバーシユート量が著しく大きくなり、もし
くは記録電流値と同程度の値となつた。従つて、
記録増幅部4の記録電流値を変化させて使用する
必要のある磁気デイスク評価装置においては、各
記録電流値に合わせて回路定数を調整する必要が
あり、このために、測定に非常な長時間を要し
た。しかるに本発明では、記録電流値の設定と同
時に、自動的にオーバーシユート制御部6の抵抗
R1,R2,R3およびR4の選択を行うため信
号104,105の振幅は記録電流値によつて変
化し、記録電流値を80mAp―pから20mAp―p
に変化させてもトランジスタ106,107,1
08および109のベース電位が最適値に保たれ
るため、記録電流波形のオーバーシユート量は大
きくならず最適な記録電流波形を保つ。このよう
に本発明の回路により、2端子薄膜磁気ヘツドを
用いた評価装置においては、測定時間を大幅に短
縮することが可能であり、従つて検査コストを減
少させることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路構成図
で、1はフリツプ、フロツプ、2は第1信号レベ
ル変換部、3は第2信号レベル変換部、4は記録
増幅部、5は2端子薄膜磁気ヘツド、6はオーバ
ーシユート制御部、7は記録電流設定部、8はス
イツチである。 第2図は、第1図の回路における各信号レベ
ル、R1,R2,R3およびR4の合成抵抗、記
録電流値を示したものであり、第3図は第1図の
回路を使用した時の記録電流波形を従来の回路の
記録電流波形と比較して示したものである。
で、1はフリツプ、フロツプ、2は第1信号レベ
ル変換部、3は第2信号レベル変換部、4は記録
増幅部、5は2端子薄膜磁気ヘツド、6はオーバ
ーシユート制御部、7は記録電流設定部、8はス
イツチである。 第2図は、第1図の回路における各信号レベ
ル、R1,R2,R3およびR4の合成抵抗、記
録電流値を示したものであり、第3図は第1図の
回路を使用した時の記録電流波形を従来の回路の
記録電流波形と比較して示したものである。
Claims (1)
- 1 磁気ヘツドに記録電流を供給する記録増幅部
と、その記録増幅部に記録すべき情報に対応した
信号を供給する信号レベル変換部と、前記記録電
流の値を変えるためのスイツチと、前記信号レベ
ル変換部に接続され、前記スイツチからの出力信
号により前記磁気ヘツドの記録電流の波形オーバ
ーシユート量を制御するオーバーシユート制御部
と、前記記録増幅部に接続され、前記スイツチか
らの出力信号により前記記録増幅部の前記記録電
流の値を設定する記録電流設定部とを備え、前記
オーバーシユート制御部中の直列に接続された抵
抗を前記スイツチと連動させて切換えることによ
り、前記記録増幅部を流れる電流値と前記信号レ
ベル変換部の出力信号電圧の振幅との比が自動的
に常に一定になるように構成したことを特徴とす
る2端子薄膜磁気ヘツド用記録増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12624180A JPS5750311A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Recording amplifier for two-terminal thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12624180A JPS5750311A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Recording amplifier for two-terminal thin-film magnetic head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5750311A JPS5750311A (en) | 1982-03-24 |
JPS6326445B2 true JPS6326445B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=14930280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12624180A Granted JPS5750311A (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Recording amplifier for two-terminal thin-film magnetic head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5750311A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02306401A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Fujitsu Ltd | 2端子薄膜磁気ヘッド用記録回路 |
-
1980
- 1980-09-11 JP JP12624180A patent/JPS5750311A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5750311A (en) | 1982-03-24 |
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