JPS63260027A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPS63260027A JPS63260027A JP9375787A JP9375787A JPS63260027A JP S63260027 A JPS63260027 A JP S63260027A JP 9375787 A JP9375787 A JP 9375787A JP 9375787 A JP9375787 A JP 9375787A JP S63260027 A JPS63260027 A JP S63260027A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にウェハにレジスト
を塗布するレジスト塗布装置に関するものである。
を塗布するレジスト塗布装置に関するものである。
従来のこの種の装置は、ウェハにレジスト塗布してプリ
ベークし、引き続き露光、現像して回路パターンを形成
してボストベーク後、エツチング等を行って半導体を製
造するものである。
ベークし、引き続き露光、現像して回路パターンを形成
してボストベーク後、エツチング等を行って半導体を製
造するものである。
然して、半導体はその回路パターンが細密化するととも
に多様化しているため、半導体製造装置についてもかか
る事態に対処して種々改良がなされている。その−環と
して、レジスト塗布後の一貫システムを２系統並設し、
その後の各処理工程においていずれか空いたラインを適
宜選択的に利用することができるようにしてレジスト処
理の迅速化をし、もって生産効率の向上をしたレジスト
処理装置が提案されている（特開昭６０−２３４３１９
号公報）。
に多様化しているため、半導体製造装置についてもかか
る事態に対処して種々改良がなされている。その−環と
して、レジスト塗布後の一貫システムを２系統並設し、
その後の各処理工程においていずれか空いたラインを適
宜選択的に利用することができるようにしてレジスト処
理の迅速化をし、もって生産効率の向上をしたレジスト
処理装置が提案されている（特開昭６０−２３４３１９
号公報）。
一方、半導体デバイスが多様化するにつれて、レジスト
の種類が増加した結果、ラインにおいて適宜レジストを
選択するとともにウェハに対するレジストの塗布量、°
塗膜厚を設定する必要がある。そしてこれらの操作はオ
ペレータに依存しており、そのために却って半導体製造
装置のクリーン度を低下させる弊害を生じていた。
の種類が増加した結果、ラインにおいて適宜レジストを
選択するとともにウェハに対するレジストの塗布量、°
塗膜厚を設定する必要がある。そしてこれらの操作はオ
ペレータに依存しており、そのために却って半導体製造
装置のクリーン度を低下させる弊害を生じていた。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、ウェハがレジスト塗布工程に付される前にウェハに塗
布するレジストの塗布条件を予め自動的に設定し、この
設定条件に従ってウェハ表面にレジストを塗布するよう
にした半導体製造装置を提供することによって作業環境
のクリーン度の低下を防止して歩留りの向上等生産効率
の向上を図ることを目的としている。
、ウェハがレジスト塗布工程に付される前にウェハに塗
布するレジストの塗布条件を予め自動的に設定し、この
設定条件に従ってウェハ表面にレジストを塗布するよう
にした半導体製造装置を提供することによって作業環境
のクリーン度の低下を防止して歩留りの向上等生産効率
の向上を図ることを目的としている。
本発明は、ウェハチャック上にウェハを固定する前にウ
ェハ識別記号をウェハから読み取り、これをデータ信号
として発信する記号読み取り装置と、記号読み取り装置
からのデータ信号を受信して予め記憶された複数のウェ
ハ識別記号と該データ信号とを比較して上記ウェハ識別
記号を判別し判別結果信号として発信する記号データ処
理装置と、記号データ処理装置から判別結果信号を受信
して複数のレジストから１のレジストを選択しその供給
量を設定制御するレジスト供給制御装置と、上記記号デ
ータ処理装置からの判別結果記号を受信してウェハチャ
ックの回転速度を設定制御する駆動制御装置とを備えて
半導体製造装置を構成したものである。
ェハ識別記号をウェハから読み取り、これをデータ信号
として発信する記号読み取り装置と、記号読み取り装置
からのデータ信号を受信して予め記憶された複数のウェ
ハ識別記号と該データ信号とを比較して上記ウェハ識別
記号を判別し判別結果信号として発信する記号データ処
理装置と、記号データ処理装置から判別結果信号を受信
して複数のレジストから１のレジストを選択しその供給
量を設定制御するレジスト供給制御装置と、上記記号デ
ータ処理装置からの判別結果記号を受信してウェハチャ
ックの回転速度を設定制御する駆動制御装置とを備えて
半導体製造装置を構成したものである。
本発明によれば、ウェハチャックにウェハが固定される
と、その識別記号を記号読み取り装置によりて読み取り
、データ信号を発信すると記号データ処理装置が受信し
て予め記憶した複数のウェハ識別記号と比較して特定の
ウェハを判別し、その結果を判別結果信号として発信す
るとレジスト供給制御装置及び駆動制御装置が受信する
。レジスト供給制御装置は判別結果信号に基づいて上記
ウェハ識別記号に対応したレジストを選択してその供給
量を設定する一方、駆動制御装置は判別結果信号に基づ
いて上記レジストの種類及びその供給量に見合った回転
速度に制御して該レジストの塗膜厚を形成することにな
る。
と、その識別記号を記号読み取り装置によりて読み取り
、データ信号を発信すると記号データ処理装置が受信し
て予め記憶した複数のウェハ識別記号と比較して特定の
ウェハを判別し、その結果を判別結果信号として発信す
るとレジスト供給制御装置及び駆動制御装置が受信する
。レジスト供給制御装置は判別結果信号に基づいて上記
ウェハ識別記号に対応したレジストを選択してその供給
量を設定する一方、駆動制御装置は判別結果信号に基づ
いて上記レジストの種類及びその供給量に見合った回転
速度に制御して該レジストの塗膜厚を形成することにな
る。
以下第１図ないし第３図に示す実施例に基づいて本発明
を説明する。′ｓ１図は本実施例に適用したレジスト塗
布装置を示す概念図、第２図は本実施例に用いるウェハ
を示す平面図、第３図は本実施例のレジスト塗布工程を
示すブロック図である。
を説明する。′ｓ１図は本実施例に適用したレジスト塗
布装置を示す概念図、第２図は本実施例に用いるウェハ
を示す平面図、第３図は本実施例のレジスト塗布工程を
示すブロック図である。
本実施例におけるレジスト塗布装置は、ウェハ（１）を
真空吸着して固定するウェハチャック（２）と、該ウェ
ハチャック（２）をシャフト（３）を介して回転駆動す
るモータ（４）と、ウェハ（１）上にレジストを滴下供
給するノズル（５）と、ノズル（５）から供給されたレ
ジストをウェハチャック（２）の回転による遠心力でウ
ェハ（１）表面に塗膜を形成し、その遠視力によって振
り切られたレジストを受ける処理カップ（６）とを備え
ている。
真空吸着して固定するウェハチャック（２）と、該ウェ
ハチャック（２）をシャフト（３）を介して回転駆動す
るモータ（４）と、ウェハ（１）上にレジストを滴下供
給するノズル（５）と、ノズル（５）から供給されたレ
ジストをウェハチャック（２）の回転による遠心力でウ
ェハ（１）表面に塗膜を形成し、その遠視力によって振
り切られたレジストを受ける処理カップ（６）とを備え
ている。
本実施例においては、ウェハ（１）の一部に第２図に示
す如く、ウェハ識別記号（１ａ）が表示されていて、該
識別記号（ｌａ）によってウェハ（１）に塗布するレジ
ストの種類、塗布量等の条件が判別することができるよ
うになされている。更に塗布量を決めるために、ノズル
（５）からのレジストの供給量及びこの供給量に対する
ウェハチャック（２）の回転速度、つまりモータ（４）
の回転数などが識別記号（ｌａ）として表示されている
。
す如く、ウェハ識別記号（１ａ）が表示されていて、該
識別記号（ｌａ）によってウェハ（１）に塗布するレジ
ストの種類、塗布量等の条件が判別することができるよ
うになされている。更に塗布量を決めるために、ノズル
（５）からのレジストの供給量及びこの供給量に対する
ウェハチャック（２）の回転速度、つまりモータ（４）
の回転数などが識別記号（ｌａ）として表示されている
。
識別記号（１ａ）は、ウェハチャック（２）にウェハ（
１）が移送される前に、第１図に示したｘｙテーブル（
））上において読み取れるようにしている。
１）が移送される前に、第１図に示したｘｙテーブル（
））上において読み取れるようにしている。
ｘｙテーブル（７） は識別記号（ｌａ）を正規の位置
で読み取ることができるようにウェハ（１）の位置決め
を行い、その位置において、ランプ（８）からウェハの
識別記号（ｌａ）に向けて光を照射し、これを読み取り
装置である記号読み取りヘッド（９）によって読み取る
。ｔｉみ取られた信号はデータ信号として記号データ処
理ユニット（１０）に送信される。
で読み取ることができるようにウェハ（１）の位置決め
を行い、その位置において、ランプ（８）からウェハの
識別記号（ｌａ）に向けて光を照射し、これを読み取り
装置である記号読み取りヘッド（９）によって読み取る
。ｔｉみ取られた信号はデータ信号として記号データ処
理ユニット（１０）に送信される。
データ信号を受信した記号データ処理ユニット（ｌＯ）
は複数記憶したウェハ識別記号と比較して、いずれのウ
ェハであるかを判別し、その判別結果を判別データ信号
としてレジスト供給制御装置（１１）及びモータ（４）
を駆動制御する駆動制御装置（１２）に発信するよう構
成されている。
は複数記憶したウェハ識別記号と比較して、いずれのウ
ェハであるかを判別し、その判別結果を判別データ信号
としてレジスト供給制御装置（１１）及びモータ（４）
を駆動制御する駆動制御装置（１２）に発信するよう構
成されている。
判別データ信号を受信したレジスト供給Ｉｊｌａ［Ｉ装
置（１１）は、判別データ信号の示すレジストを複数（
本実施例では２極類）あるレジスト（１３Ａ）。
置（１１）は、判別データ信号の示すレジストを複数（
本実施例では２極類）あるレジスト（１３Ａ）。
（１，３Ｂ）のいずれかを選択するとともにその供給量
を設定するようになされている。つまり、レジスト（１
３Ａ） 、 （１３Ｂ）は配管（１４Ａ） 、 （１４
Ｂ）を介して連結されたノズル（５＾） 、 （５Ｂ）
に供給される。配管（１４＾） 、 （１４Ｂ）にはレ
ジスト側からバルブ（１５Ａ） 。
を設定するようになされている。つまり、レジスト（１
３Ａ） 、 （１３Ｂ）は配管（１４Ａ） 、 （１４
Ｂ）を介して連結されたノズル（５＾） 、 （５Ｂ）
に供給される。配管（１４＾） 、 （１４Ｂ）にはレ
ジスト側からバルブ（１５Ａ） 。
（１５Ｂ） 、ポンプ（１６＾）、（１８Ｂ） 、及び
エアオペレータバルブ（１７Ａ） 、 （１７Ｂ）が配
設され、これらはレジスト供給制御装置（１１）からの
指令信号に基づいて協働して、例えばバルブ（１５Ａ）
、エアオペレータバルブ（１７＾）を開放してレジス
ト（１３Ａ）を選択し、ポンプ（１８Ａ）を作動させて
設定量だけレジ０スト（１３Ａ）をウェハ（１）に供給
滴下する。
エアオペレータバルブ（１７Ａ） 、 （１７Ｂ）が配
設され、これらはレジスト供給制御装置（１１）からの
指令信号に基づいて協働して、例えばバルブ（１５Ａ）
、エアオペレータバルブ（１７＾）を開放してレジス
ト（１３Ａ）を選択し、ポンプ（１８Ａ）を作動させて
設定量だけレジ０スト（１３Ａ）をウェハ（１）に供給
滴下する。
一方、判別データ信号を受信した駆動制御装置（１２）
は該判別データ信号に基づいてモータ（４）の回転速度
を設定し、設定したレジスト塗膜厚を形成するようウェ
ハチャック（２） を回転させることになる。
は該判別データ信号に基づいてモータ（４）の回転速度
を設定し、設定したレジスト塗膜厚を形成するようウェ
ハチャック（２） を回転させることになる。
上記構成から成るレジスト塗布装置による塗布工程を第
３図に基づいて説明すると、ウニ八カセット（図示せず
）からウェハ（１）がｘｙ子テーブル７）にローディン
グされると、ランプ（８）からウェハ識別記号（ｌａ）
に光が照射されてその反射光を記号読み取りヘッド（９
）が読み取り、その結果を記号データ処理ユニット（１
０）に発信する。記号データ処理ユニット（１０）はデ
ータ信号を判別して判別データ信号としてレジスト供給
制御装置（１１）及び駆動制御装置（１２）に発信し、
上述したようにレジスト供給制御をするとともに駆動制
御する。この間ウェハ（１）表面にはレジストの密着を
促進するヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が塗布さ
れて密着強化処理が施される。ウェハチャック（２）に
固定されたウェハ（１） には、レジスト供給制御装置
（１１）と駆動制御装置（１２）の協働によってレジス
ト（１３＾）の設定膜厚に制御きれたレジスト塗膜が形
成される。
３図に基づいて説明すると、ウニ八カセット（図示せず
）からウェハ（１）がｘｙ子テーブル７）にローディン
グされると、ランプ（８）からウェハ識別記号（ｌａ）
に光が照射されてその反射光を記号読み取りヘッド（９
）が読み取り、その結果を記号データ処理ユニット（１
０）に発信する。記号データ処理ユニット（１０）はデ
ータ信号を判別して判別データ信号としてレジスト供給
制御装置（１１）及び駆動制御装置（１２）に発信し、
上述したようにレジスト供給制御をするとともに駆動制
御する。この間ウェハ（１）表面にはレジストの密着を
促進するヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が塗布さ
れて密着強化処理が施される。ウェハチャック（２）に
固定されたウェハ（１） には、レジスト供給制御装置
（１１）と駆動制御装置（１２）の協働によってレジス
ト（１３＾）の設定膜厚に制御きれたレジスト塗膜が形
成される。
レジスト塗膜の形成を終了するとウェハ（１）は、レジ
ストを乾燥させるプリベーク処理を経由してアンローダ
に移送されて次工程へとアンローディングされる。
ストを乾燥させるプリベーク処理を経由してアンローダ
に移送されて次工程へとアンローディングされる。
以上の如く、本実施例によればウェハ（１）の識別記号
を読み取ることによってレジストの種類、供給量及びレ
ジスト塗膜の厚さを自動的に設定条件に従つて形成する
ことから、半導体デバイスの多様化にも拘らず半導体製
造装置にオペレータの関与する機会を少なくすることが
でき、もって環境のクリーン度の低下を防止することが
できるとともに、歩留りの向上等生産効率の向上を図る
ことができる。
を読み取ることによってレジストの種類、供給量及びレ
ジスト塗膜の厚さを自動的に設定条件に従つて形成する
ことから、半導体デバイスの多様化にも拘らず半導体製
造装置にオペレータの関与する機会を少なくすることが
でき、もって環境のクリーン度の低下を防止することが
できるとともに、歩留りの向上等生産効率の向上を図る
ことができる。
（発明の効果）
以上本発明によれば、半導体デバイスの多様化にも拘ら
ず作業環境のクリーン度を低下させることがなく、生産
効率の向上を図ることができる。
ず作業環境のクリーン度を低下させることがなく、生産
効率の向上を図ることができる。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の一実施例を示す
要部概念図、第２図は本実施例に用いるウェハを示す平
面図、第３図はレジストの塗布工程を示すブロック図で
ある。 図において、（１）はウェハ、（２）はウェハチャック
、（９） は記号読み取りヘッド、（１０）は記号デー
タ処理ユニット、（１１）はレジスト供給制御装置、（
１２）は駆動制御装置である。 尚、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
要部概念図、第２図は本実施例に用いるウェハを示す平
面図、第３図はレジストの塗布工程を示すブロック図で
ある。 図において、（１）はウェハ、（２）はウェハチャック
、（９） は記号読み取りヘッド、（１０）は記号デー
タ処理ユニット、（１１）はレジスト供給制御装置、（
１２）は駆動制御装置である。 尚、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハチャックによりこれに固定されたウェハを回転
させ、その遠心力によって該ウェハ上に供給されたレジ
ストをレジスト塗膜として形成するようにした半導体製
造装置において、上記ウェハに予め表示されたウェハ識
別記号を読み取って該ウェハのデータ信号として送信す
る記号読み取り装置と、該データ信号を受信して予め記
憶した複数のウェハ識別記号と比較し上記ウェハの識別
記号を判別して判別結果信号を送信する記号データ処理
装置と、該判別結果信号に基づいて複数のレジストから
１のレジストを選択しその供給量を設定制御するレジス
ト供給制御装置と、上記判別結果信号に基づいてウェハ
チャックの回転速度を制御する駆動制御装置とを備えて
構成したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093757A JPH0748467B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093757A JPH0748467B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260027A true JPS63260027A (ja) | 1988-10-27 |
| JPH0748467B2 JPH0748467B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=14091302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62093757A Expired - Lifetime JPH0748467B2 (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748467B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441675A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Photo resist coating unit |
| JPS59167010A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体プロセスの制御方式 |
| JPS6079731A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Toshiba Corp | 半導体基板連続処理装置 |
| JPS61187246A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Nec Corp | Ｌｓｉ生産ロツト構成装置 |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62093757A patent/JPH0748467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441675A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Photo resist coating unit |
| JPS59167010A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Hitachi Ltd | 半導体プロセスの制御方式 |
| JPS6079731A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Toshiba Corp | 半導体基板連続処理装置 |
| JPS61187246A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Nec Corp | Ｌｓｉ生産ロツト構成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748467B2 (ja) | 1995-05-24 |
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