KR20030006828A - 에지 노광장치를 갖는 프리얼라인먼트 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에지 노광장치를 갖는 프리얼라인먼트 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 프리얼라인먼트 시스템은 회전축, 스테이지, 정렬 센서 및 에지 노광장치로 이루어져 있으며, 상기 에지 노광장치는 광원과 에지 폭 센서 및 제어부로 구성된다. 상기 프리얼라인먼트 시스템은 웨이퍼의 정렬을 위한 공정을 수행하면서 동시에 웨이퍼의 에지 노광공정을 수행함으로써, 생산성을 향상할 수 있다. 또한, 상기 광원이 레이저이므로 더욱 정밀한 에지 노광공정을 수행할 수 있다.

Description

에지 노광장치를 갖는 프리얼라인먼트 시스템{PRE-ALIGNMENT SYSTEM HAVING EDGE EXPOSURE DEVICE}

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 제조 설비에는 웨이퍼에 도포공정을 수행하는 스피너(spinner)와 노광공정을 수행하는 스텝퍼(stepper)가 있다. 스피너에서 웨이퍼의 표면에 감광액을 도포하고, 도포공정이 끝난 상기 웨이퍼는 스테퍼에서 노광공정이 이루어진다. 노광이 완료된 상기 웨이퍼에는 현상공정이 이루어진다. 상기 스피너와 스테퍼 사이에는 웨이퍼의 에지 부분을 노광하는 웨이퍼 에지 노광장치 (wafer edge exposure, WEE라고도 함)가 포함되어있다. 상기 웨이퍼 에지 노광장치는 웨이퍼의 원주 부위에 도포된 불필요한 감광액을 노광시키는 장치이다. 에지 영역은 노광이 블필요한 영역이기는 하나 유효 영역과의 밀도차로 제품의 특성 저하 및 제품의 불량을 방지하기 위하여 노광공정이 이루어진다. 상기 에지 노광공정이 끝난 웨이퍼는 노광공정을 수행하기 위하여 웨이퍼를 일정한 방향으로 정렬하는 상기 스테퍼의 프리얼라인먼트 시스템으로 보내진다.

도 1은 종래의 프리얼라인먼트 시스템을 나타낸 도면이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 프리얼라인먼트 시스템은 웨이퍼를 정렬시켜주는 공정으로 회전축(10)과 상기 회전축(10) 위에 위치하여 웨이퍼가 놓여지는 스테이지(미 도시된) 및 정렬 센서(30)(40)로 이루어져 있다. 상기 도포공정과 상기 에지 노광공정이 완료된 웨이퍼는 상기 스테이지 상에 놓여지고 상기 회전축(10)이 회전하면서 상기 스테이지 상의 웨이퍼(10)가 회전을 한다. 상기 웨이퍼(10)가 회전을 할 때 상기 웨이퍼의 위치를 상기 정렬 센서인 에지 센서(30)와 마크 센서(40)가 감지하여 웨이퍼 정렬공정을 수행한다. 상기 프리얼라인먼트 시스템은 웨이퍼 에지노광공정을 따로 수행함으로써 보다 많은 작업시간이 소요되며, 이로 인한 생산성이 저하된다.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 설비를 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 프리얼라인먼트 시스템의 구성도이다.

도 2는 본 발명의 에지 노광장치를 갖는 프리얼라인먼트 시스템의 구성도이다.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 노광 방법을 설명하기 위한 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 회전축20 : 웨이퍼(wafer)

30 : 에지 센서(edge sensor)

40 : 마크 센서(mark sensor)

50 : 에지 폭 센서

60 : 광원(light source)

70 : 제어부80 : 웨이퍼 스테이지

90 : 에지 폭

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비중 스테퍼의 프리얼라인먼트 시스템은 회전축과 상기 회전축 위에 설치되고, 웨이퍼가 놓여지는 스테이지 및 상기 스테이지 상의 웨이퍼를 정렬하기 위한 정렬 센서를 구비한다. 또한, 상기 웨이퍼의 에지 노광공정을 수행하는 에지 노광장치를 포함하며, 상기 에지 노광장치는 상기 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광원과 상기 광원에서 조사되는 광의 폭을 제어하는 제어부를 포함한다.

이와 같은 본 발명에서, 상기 웨이퍼 상에 노광된 에지 노광의 폭을 감지하는 에지 폭 센서를 더 포함하고, 상기 에지 폭 센서에서 감지한 에지 폭은 상기 제어부로 보내져서 에지 폭의 조정이 이루어진다.

이와 같은 본 발명에서, 상기 광원은 레이저이며, 상기 정렬 센서는 웨이퍼의 에지 부분을 감지하는 에지 센서와 웨이퍼 상의 정렬마크를 감지하는 마크 센서이다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 웨이퍼 제조 공정의 작업처리량이 증가하여 생산성이 향상되며, 광원으로 레이저를 사용함으로써, 에지 노광을 더욱 정밀하게 할수 있다.

이하 본 발명의 실시예를 첨부 도면 도 2 내지 도 3에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 첨가 도면에서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.

도 2는 본 발명의 에지 노광장치를 갖는 프리얼라인먼트 시스템의 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 에지 노광 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 노광공정을 수행하는 반도체 제조 설비인 스테퍼는 웨이퍼를 정렬하기 위한 프리얼라인먼트 시스템을 구비하고 있다. 상기 프리얼라인먼트 시스템은 웨이퍼의 정렬 뿐만아니라 웨이퍼의 에지 노광을 위한 에지 노광 장치(WEE)를 함께 포함하고 있다. 상기 프리얼라인먼트 시스템은 회전축(10), 스테이지(80), 정렬 센서 및 에지 노광 장치로 구성되어 있다. 상기 에지 노광 장치는 광원 (60)과 제어부(70)를 포함하고 있으며, 상기 광원(60)에 의해 노광된 에지 폭(90)을 감지하는 에지 폭 센서(50)를 포함하고 있다.

스피너(미 도시된)에서 도포공정을 마친 웨이퍼는 노광공정을 수행하기 위하여 스테퍼로 이송되어진다. 상기 이송된 웨이퍼는 스테퍼의 프리얼라인먼트 시스템에서 노광공정을 수행하기 전에 일정한 방향을 가지도록 정렬 공정이 이루어지는데, 이 때, 웨이퍼의 원주 부위에 도포된 불필요한 감광액을 노광시키는 공정을 동시에 수행한다. 상기 회전축(10)에 의해 회전이 이루어지는 상기 스테이지(80) 상의 웨이퍼(20)는 회전이 되면서 상기 에지 센서(30)와 상기 마크 센서(40)로 이루어진 정렬 센서에 의해 상기 웨이퍼의 에지와 마크의 위치가 검출된다. 상기 웨이퍼는 검출된 위치에 의하여 상기 스테퍼에서 노광공정을 수행하기 위한 일정한 방향을 가지도록 정렬이 이루어진다.

상기 정렬 공정이 이루어지는 동안 도 3에 도시된 바와 같이 상기 스테이지 (80) 상의 상기 웨이퍼(20)는 회전이 되면서 상기 웨이퍼의 에지 부분이 노광된다. 광원(60)인 레이저는 상기 웨이퍼의 면에 수직으로 조사되도록 설치되며, 상기 광원 (60)의 에지 폭(90)에 의해 에지 노광부분이 결정된다. 이때 에지 폭(90)은 상기 에지 폭 센서(50)에 의해 감지되며, 상기 에지 폭 센서(50)에 의해 감지된 에지 폭(90)은 상기 광원(60)을 제어하는 상기 제어부(70)에 보내져서 조절된다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 웨이퍼 에지 노광 장치를 프리얼라인먼트 시스템내에 설치하여 정렬공정과 에지 노광공정을 동시에 수행함으로써, 웨이퍼 제조 공정의 작업처리량이 증가하여 생산성이 향상된다. 또한, 광원으로 레이저를 사용함으로써, 에지 노광을 더욱 정밀하게 할 수 있다.

Claims (4)

1. 회전축;

   상기 회전축 위에 설치되고, 웨이퍼가 놓여지는 스테이지;

   상기 스테이지 상의 웨이퍼를 정렬하기 위한 정렬 센서; 및

   상기 웨이퍼의 에지 노광 공정을 수행하는 에지 노광장치를 구비하되;

   상기 에지 노광장치는 상기 웨이퍼 상에 광을 조사하는 광원과 상기 광원에서 조사되는 광의 폭을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리얼라인먼트 시스템.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 웨이퍼 상에 노광된 에지 노광의 폭을 감지하는 에지 폭 센서를 더 포함하고, 상기 에지 폭 센서에서 감지한 에지 폭은 상기 제어부로 보내져서 에지 폭이 조정되어 지는 것을 특징으로 하는 프리얼라인먼트 시스템.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 광원은 레이저인 것을 특징으로 하는 프리얼라인먼트 시스템.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 정렬 센서는 웨이퍼의 에지 부분을 감지하는 에지 센서와 웨이퍼 상의정렬마크를 감지하는 마크 센서인 것을 특징으로 하는 프리얼라인먼트 시스템.