KR100677036B1 - 웨이퍼 에지 노광 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 노광방법 - Google Patents

웨이퍼 에지 노광 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 노광방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼가 로딩되고 상기 웨이퍼의 중심을 보정할 수 있는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부와, 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 상기 웨이퍼의 중심을 체크하고 상기 웨이퍼의 노치를 검출할 수 있는 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부와, 상기 웨이퍼의 에지를 노광할 수 있는 웨이퍼 에지 노광부로 이루어진다. 이와 같이 본 발명은 웨이퍼의 중심을 보정하는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부를 구비하여 노치 검출 불량을 방지하여 웨이퍼가 깨지거나 칩 부분에 노광 되는 문제점을 해결할 수 있다.
웨이퍼 로딩, 중심 보정

Description

웨이퍼 에지 노광 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 노광 방법{wafer edge exposure apparatus and wafer edge exposing method using the same}
도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지 노광 장치의 블록도이고,
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 에지 노광 장치의 블록도이고,
도 3은 도 2의 웨이퍼 에지 노광 장치를 이용한 웨이퍼 에지 노광방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 4 및 도 5는 도 2의 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부로 웨이퍼 중심 및 노치를 검출하는 것을 설명하기 위한 도면이고,
도 6 및 도 7은 도 2의 웨이퍼 중심 로딩 및 중심 부정부로 웨이퍼 중심을 보정하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광 공정에 이용되는 웨이퍼 에지 노광 장치 및 이를 이용한 에지 노광 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Exposure, WEE) 장치는 타공정의 클램프(Clamp) 위치에서 발생하는 파티클(particle)의 발생을 억제하고, 웨이퍼 확 인 등을 위해 임의로 불필요한 부분을 노광하는 장치이다.
도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지 노광 장치의 블록도이다.
구체적으로, 종래 기술에 의한 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 로딩부(10)를 포함한다. 상기 웨이퍼 로딩부(10)에는 구동용 암에 의하여 웨이퍼가 로딩부(10)를 구성하는 스핀척(Spin Chuck)에 로딩된다. 상기 웨이퍼 로딩부(10)에 로딩된 웨이퍼는 웨이퍼 노치 검출부(15)에서 웨이퍼 노치(notch)를 검출한다. 상기 웨이퍼 노치 검출부(15)는 LD(Laser diode)와 CCD 센서의 조합으로 구성되며, 웨이퍼의 노치를 검출한다. 상기 웨이퍼 노치가 검출된 웨이퍼는 웨이퍼 에지 노광부(20)로 이동되어 적외선 노출 가이드(Lightguide)를 통해 에지 노광이 수행된다.
종래의 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼 로딩부(10)를 구성하는 스핀척에 웨이퍼를 이동(transfer)시킨 후, 웨이퍼 노치를 검출한 후 노광하는 방식이다. 이에 따라, 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼 중심(wafer centering)이 틀어져 있을 경우 웨이퍼 노치 검출이 되지 않으면 그대로 에지 노광 과정이 진행된다. 이렇게 되면, 웨이퍼 에지가 아닌 일부 칩(chip) 부분을 노광하여 웨이퍼가 못쓰게 되는 경우가 발생한다. 더욱이, 웨이퍼 중심이 틀어져서 에지 노광 공정이 진행되면 위치 이상으로 인하여 웨이퍼가 깨지는 사례가 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로써, 웨이퍼 중심을 체크하고 보정하는 보정부를 구비하 여 웨이퍼 에지가 깨지거나, 칩 부분이 노광되는 것을 해결할 수 있는 웨이퍼 에지 노광 장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 에지 노광 장치를 이용한 웨이퍼 에지 노광 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼가 로딩되고 상기 웨이퍼의 중심을 보정할 수 있는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부와, 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 상기 웨이퍼의 중심을 체크하고 상기 웨이퍼의 노치를 검출할 수 있는 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부와, 상기 웨이퍼의 에지를 노광할 수 있는 웨이퍼 에지 노광부로 이루어진다.
상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부는 상기 웨이퍼로 레이저광을 방출하는 발광부와, 상기 웨이퍼에서 반사되는 레이저광을 수광하는 수광부로 구성될 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부를 구성하는 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블에 웨이퍼를 로딩한다. 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 웨이퍼를 웨이퍼 중심 체크 및 노출 검출부에서 상기 웨이퍼의 중심을 체크한다. 상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부에서 중심이 체크된 웨이퍼는 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에서 웨이퍼의 중심을 보정하고 웨이퍼 노치를 검출한다. 상기 웨이퍼 중심이 보정되고 노치가 검출된 웨이퍼의 에지를 선택적으로 노광한다.
상기 웨이퍼 중심 체크 및 노출 검출부를 이용한 웨이퍼의 중심 체크는 상기 웨이퍼의 원주를 계산하여 수행할 수 있다. 상기 웨이퍼 중심 보정은 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블을 X축 및 Y 축으로 이동함으로써 수행할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명에 의해 웨이퍼 중심 체크 및 보정 기능을 갖는 웨이퍼 에지 노광 장치를 도시한 블록도이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼가 로딩되고 웨이퍼 중심을 보정할 수 있는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부(50)를 포함한다. 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부(50)는 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블로 구성된다.
상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부(50)에 로딩된 웨이퍼의 중심을 체크하고, 웨이퍼 노치를 검출하는 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부(80)를 포함한다. 상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부(80)는 웨이퍼로 레이저광을 방출하는 발광부(도 4의 82)와, 상기 웨이퍼에서 반사되는 레이저광을 수광하는 수광부(도 4의 84)로 구성된다. 상기 발광부는 LD(Laser diode)로 구성되며, 상기 수광부는 CCD 센서로 구성된다. 그리고, 본 발명의 에지 노광 장치는 적외선 노출 가이드(Lightguide, 미도시)를 통해 웨이퍼 에지를 선택적으로 노광할 수 있는 웨이퍼 에지 노광부(90)를 포함한다.
도 3은 도 2의 웨이퍼 에지 노광 장치를 이용한 웨이퍼 에지 노광방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 4 및 도 5는 도 2의 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부로 웨이퍼 중심 및 노치를 검출하는 것을 설명하기 위한 도면이고, 도 6 및 도 7은 도 2의 웨이퍼 중심 로딩 및 중심 부정부로 웨이퍼 중심을 보정하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 트랜스퍼 암에 의해 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부를 구성하는 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블에 웨이퍼(200)를 로딩한다(스텝 210). 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블은 도 6의 참조번호 120으로 자세히 도시되어 있다. 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 웨이퍼(200)는 웨이퍼 중심 체크 및 노출 검출부를 이용하여 웨이퍼(200)의 원주를 계산함으로써 웨이퍼(200)의 중심을 체크한다(스텝 220).
상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부는 앞서 설명, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(200)로 레이저광을 방출하는 발광부(82)와, 상기 웨이퍼(200)에서 반사되는 레이저 광(86)을 수광하는 수광부(84)로 구성된다. 상기 발광부(82)는 LD(Laser diode)로 구성되며, 상기 수광부(84)는 CCD 센서로 구성된다. 도 4의 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부에서 웨이퍼(200)는 화살표로 표시한 바와 같이 상측 방향에 위치한다.
상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부에서 중심이 체크된 웨이퍼(200)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에서 웨이퍼(200)의 중심을 보정하고 웨이퍼 노치를 검출한다(스텝 240). 상기 중심 보정은 도 7의 화살표로 표시한 바와 같이 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블(120)을 X축 및 Y 축으로 이동함으로써 이루어진다. 그리고, 웨이퍼 노치 검출은 도 4에서, 중심 체크할 때와 마찬가지로 발광부(82)와 수광부(84)를 이용한다. 웨이퍼(200)의 중심 및 노치 가 검출된 후에는, 상기 웨이퍼(200)는 적외선 노출 가이드(Lightguide)를 통해 웨이퍼 에지를 선택적으로 노광한다(스텝 260).
상술한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼의 중심을 보정하는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부를 구비하여 노치 검출 불량을 방지하여 웨이퍼가 깨지거나 칩 부분에 노광되는 문제점을 해결할 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 웨이퍼 에지 노광 장치는 웨이퍼의 중심 위치 불량으로 초래되는 문제점을 보정하여 웨이퍼 에지 노광을 정확하게 하여 웨이퍼가 깨지거나 공정 불량이 발생하는 문제점을 해결할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼가 로딩되고 상기 웨이퍼의 중심을 보정할 수 있는 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부;
    상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 상기 웨이퍼의 원주를 계산함으로써 상기 웨이퍼의 중심을 체크하고 상기 웨이퍼의 노치를 검출할 수 있는 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부; 및
    상기 웨이퍼의 에지를 노광할 수 있는 웨이퍼 에지 노광부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부는 상기 웨이퍼로 레이저광을 방출하는 발광부와, 상기 웨이퍼에서 반사되는 레이저광을 수광하는 수광부로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 장치.
  3. 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부를 구성하는 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블에 웨이퍼를 로딩하는 단계;
    상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에 로딩된 웨이퍼를 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부에서 상기 웨이퍼의 원주를 계산하여 상기 웨이퍼의 중심을 체크하는 단계;
    상기 웨이퍼 중심 체크 및 노치 검출부에서 중심이 체크된 웨이퍼는 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 보정부에서 웨이퍼의 중심을 보정하고 웨이퍼 노치를 검출하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 중심이 보정되고 노치가 검출된 웨이퍼의 에지를 선택적으로 노광하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 방법.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼 중심 보정은 상기 웨이퍼 로딩 및 중심 테이블을 X축 및 Y 축으로 이동함으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 방법.
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