JPS6325819A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6325819A JPS6325819A JP16921486A JP16921486A JPS6325819A JP S6325819 A JPS6325819 A JP S6325819A JP 16921486 A JP16921486 A JP 16921486A JP 16921486 A JP16921486 A JP 16921486A JP S6325819 A JPS6325819 A JP S6325819A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
A 産業上の利用分野
B 発明の概要
C従来の技術
D 発明が解決しようとする問題点
E 問題点を解決するための手段(第1図)F 作用
G 実施例
G1一実施例(第1図〜第3図)
G2他の実施例(第4図)
H発明の効果
A 産業上の利用分野
本発明は、交流バイアス磁界を用いる、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド(以下MR型磁気ヘッドという)に係わる。
磁気ヘッド(以下MR型磁気ヘッドという)に係わる。
B 発明の概要
本発明は、交流バイアス磁界を用いるMR型磁気ヘッド
において、感磁素子の面端に接続された1対の信号導出
線を、バイアス導線により形成されるループ内で少くと
も1回交差させることにより、バイアス導線と信号導出
線との間の電磁結合を相殺させて、不要交流成分が信号
導出線に誘起されることを防止するようにしたものであ
る。
において、感磁素子の面端に接続された1対の信号導出
線を、バイアス導線により形成されるループ内で少くと
も1回交差させることにより、バイアス導線と信号導出
線との間の電磁結合を相殺させて、不要交流成分が信号
導出線に誘起されることを防止するようにしたものであ
る。
C従来の技術
従来、一般のMR型磁気ヘッドは、その感磁素子がff
1層の磁気抵抗効果を有する磁性層(以下MR磁性層と
いう)によって構成され、このM R磁性層に与えられ
る信号磁界に基づく抵抗変化を検出するために、センス
電流が、M R&il性層に対し、その面方向に沿い、
且つ磁気記録媒体との対接(ないしは対向)面のトラッ
ク幅方向に沿う方向に、つまり、磁気記録媒体から与え
られる信号磁界と直交する方向に流されていた。
1層の磁気抵抗効果を有する磁性層(以下MR磁性層と
いう)によって構成され、このM R磁性層に与えられ
る信号磁界に基づく抵抗変化を検出するために、センス
電流が、M R&il性層に対し、その面方向に沿い、
且つ磁気記録媒体との対接(ないしは対向)面のトラッ
ク幅方向に沿う方向に、つまり、磁気記録媒体から与え
られる信号磁界と直交する方向に流されていた。
D 発明が解決しようとする問題点
この単層のM R+61性I−は、磁気異方性エネルギ
ー、形状異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層
全体として最小となるような磁区構造をとる。すなわち
、第5図に示すように、この単層磁性エヨが、長方形の
薄膜磁性層(51)であり短辺方向に磁気異方性を有す
る場合、その面内において、短辺方向に沿って磁化方向
が交互に逆向きの磁区(52) ((52a) 、
(52c) ・・・)が生じると共に、これら隣り
合う磁区(52)に関して閉ループを形成するように、
その両端間に、磁性層(51)の長辺方向に沿って順次
逆向きの磁区(53)((53b ) 、 (53d
) ・・・)が生じている。したがって、このよう
な磁性−層に外部磁界がり、えられると各磁区間の磁壁
(54) 、 (55)が不連続に移動し、これによ
りバルクハウゼンノイズが発生するという問題があった
。
ー、形状異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層
全体として最小となるような磁区構造をとる。すなわち
、第5図に示すように、この単層磁性エヨが、長方形の
薄膜磁性層(51)であり短辺方向に磁気異方性を有す
る場合、その面内において、短辺方向に沿って磁化方向
が交互に逆向きの磁区(52) ((52a) 、
(52c) ・・・)が生じると共に、これら隣り
合う磁区(52)に関して閉ループを形成するように、
その両端間に、磁性層(51)の長辺方向に沿って順次
逆向きの磁区(53)((53b ) 、 (53d
) ・・・)が生じている。したがって、このよう
な磁性−層に外部磁界がり、えられると各磁区間の磁壁
(54) 、 (55)が不連続に移動し、これによ
りバルクハウゼンノイズが発生するという問題があった
。
このようなバルクハウゼンノイズを回避するために、本
出願人は、既に特願昭60−247752号において積
層MR型磁気ヘッドを提案している。
出願人は、既に特願昭60−247752号において積
層MR型磁気ヘッドを提案している。
まず、第6図〜第8図を参照しながら、既提案のMR型
磁気ヘッドに用いる積rv4MR感磁素子について説明
する。
磁気ヘッドに用いる積rv4MR感磁素子について説明
する。
既提案においては、第6図に示すように、感磁素子(2
)は、非磁性中間層(3)を介して、その上下に少くと
も一方がMR磁性層より成り、夫々軟磁性体より成る磁
性N(4)及び(5)の積層構造とする。非磁性中間層
(3)の厚さは、陶磁性層(4)及び(5)間に、クー
ロンの法則に従う静磁的相互作用が支配的に作用するよ
うな厚さ、例えば5〜5000人に選定する。また、陶
磁性層(4)及び(5)は、その飽和磁束密度、厚さ等
の選定によって陶磁性層(4)及び(5)の磁束量が一
致するように選定される。
)は、非磁性中間層(3)を介して、その上下に少くと
も一方がMR磁性層より成り、夫々軟磁性体より成る磁
性N(4)及び(5)の積層構造とする。非磁性中間層
(3)の厚さは、陶磁性層(4)及び(5)間に、クー
ロンの法則に従う静磁的相互作用が支配的に作用するよ
うな厚さ、例えば5〜5000人に選定する。また、陶
磁性層(4)及び(5)は、その飽和磁束密度、厚さ等
の選定によって陶磁性層(4)及び(5)の磁束量が一
致するように選定される。
感磁素子(2)の陶磁性層(4)及び(5)をMR磁性
層とするときは、陶磁性層(4)及び(5)は同一の材
料、寸法形状とすることが望ましいが、一方をMR効果
がないか殆んどない材料によって構成するときは、この
磁性層は、MR効果のある磁性層に比し充分大なる電気
抵抗を有するようにその材料及び厚さ等の選定を行う。
層とするときは、陶磁性層(4)及び(5)は同一の材
料、寸法形状とすることが望ましいが、一方をMR効果
がないか殆んどない材料によって構成するときは、この
磁性層は、MR効果のある磁性層に比し充分大なる電気
抵抗を有するようにその材料及び厚さ等の選定を行う。
既提案においては、その5!、硼素子(2)は、非磁性
中間層(3)を介して、磁性層(4)及び(5)が積層
された構造とされていることによって、外部磁界が与え
られていない状態では、第6図にボすように、磁性層(
4)及び(5)は、矢印M4及びM5で不すように夫々
磁化容易軸Aeの方向に互いに反平行の磁化状態にあり
、陶磁性層(4)及び(5)に関して、磁束が全体的に
閉じた状態にあり、磁壁が生じていない。
中間層(3)を介して、磁性層(4)及び(5)が積層
された構造とされていることによって、外部磁界が与え
られていない状態では、第6図にボすように、磁性層(
4)及び(5)は、矢印M4及びM5で不すように夫々
磁化容易軸Aeの方向に互いに反平行の磁化状態にあり
、陶磁性層(4)及び(5)に関して、磁束が全体的に
閉じた状態にあり、磁壁が生じていない。
このような感磁素子(2)に対し、その磁化困難軸Ah
の方向に外部磁界Hを強めていくと、第7図Aに示す外
部磁界が加えられない反平行の磁化状態から、外部磁界
Hにより同図Bに示すように磁化が回転し、更に強い外
部磁界により、同図Cにボすように、両値性N(4)及
び(5)が同方向に磁化される。第7図においてはその
磁化状態を、磁性層(5)に関しては実線矢印で、磁性
層(4)に関しては破線矢印で模式的に示す。この場合
両値性Jl(4)及び(5)においてその面内で磁化が
回転するので、VA壁が生ずることがない。つまり、陶
磁性層(4)及び(5)の磁化困難軸方向を磁束の伝搬
方向とすることによって磁壁移動に起因するバルクハウ
ゼンノイズが回避される。
の方向に外部磁界Hを強めていくと、第7図Aに示す外
部磁界が加えられない反平行の磁化状態から、外部磁界
Hにより同図Bに示すように磁化が回転し、更に強い外
部磁界により、同図Cにボすように、両値性N(4)及
び(5)が同方向に磁化される。第7図においてはその
磁化状態を、磁性層(5)に関しては実線矢印で、磁性
層(4)に関しては破線矢印で模式的に示す。この場合
両値性Jl(4)及び(5)においてその面内で磁化が
回転するので、VA壁が生ずることがない。つまり、陶
磁性層(4)及び(5)の磁化困難軸方向を磁束の伝搬
方向とすることによって磁壁移動に起因するバルクハウ
ゼンノイズが回避される。
次に既提案によるMR磁気ヘッドの動作を第8図を参照
して説明する。第8図は、感磁素子(2)の陶磁性層(
4)及び(5)のみを模式的に示したもので、これら磁
性層(4)及び(5)は初期状態で、同図A中にボすよ
うに、幅方向に磁化容易軸Aeを有する。
して説明する。第8図は、感磁素子(2)の陶磁性層(
4)及び(5)のみを模式的に示したもので、これら磁
性層(4)及び(5)は初期状態で、同図A中にボすよ
うに、幅方向に磁化容易軸Aeを有する。
そして内磁地層(4)および(5)にセンス電流■を通
ずると、非磁性中間層(図示せず)を挟んで対向する内
磁地層(4)及び(5)にはセンス電流Iと直交する互
いに逆向きの磁界が発生し、これによって磁性18 (
41及び(5)は同図に実線及び破線矢印M4及びM5
で示ずように磁化される。
ずると、非磁性中間層(図示せず)を挟んで対向する内
磁地層(4)及び(5)にはセンス電流Iと直交する互
いに逆向きの磁界が発生し、これによって磁性18 (
41及び(5)は同図に実線及び破線矢印M4及びM5
で示ずように磁化される。
一方、この感磁部(2)に電流Iに沿う方向に外部から
バイアス磁界HBが与えられると、このバイアス磁界H
[1によって、磁性Jfl (41及び(5)の磁化の
向きは、同図Bに矢印M4b及びM5bでボずように、
所要の角度だけ回転される。このバイアス磁界HBによ
って与えられる磁化の方向は、電流Iの方向に対してほ
ぼ45°となるように、そのバイアス磁界HRの大きさ
が選ばれる。
バイアス磁界HBが与えられると、このバイアス磁界H
[1によって、磁性Jfl (41及び(5)の磁化の
向きは、同図Bに矢印M4b及びM5bでボずように、
所要の角度だけ回転される。このバイアス磁界HBによ
って与えられる磁化の方向は、電流Iの方向に対してほ
ぼ45°となるように、そのバイアス磁界HRの大きさ
が選ばれる。
尚、このようにバイアス磁界HHによってセンス電流I
に対してほぼ45°の磁化を与えることによって高い感
度と直線性を得ることができることについては、通常の
MR型磁気ヘッドにおいて行われていると同様である。
に対してほぼ45°の磁化を与えることによって高い感
度と直線性を得ることができることについては、通常の
MR型磁気ヘッドにおいて行われていると同様である。
そして、この状態で第8図Cにボすように、イオ号磁界
HSがセンス電流Tに沿う方向、すなわち磁化困難軸A
hの方向に5.えられると磁化が回転し、矢印M、S及
びM5Sに示すように、その磁化の方向が時計方向及び
反時計方向にそれぞれ角度θ1及び−〇1回転する。こ
れによって各磁性層(4)及び(5)がMR&i性層で
地層場合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、この
MR磁性層の抵抗の変化は角度の変化をθとするときc
os2 θに比例するので、今、第8図Bにおける内磁
地層(4)及び(5)の磁化M4b及びM5bが互いに
90°ずれているとすると、θ1及び−01の変化で、
内磁地層(4)及び(5)に関して抵抗の変化の増減が
一致する。つまり、一方の磁性層(4)の抵抗が増加す
れば、他方の磁性7*(5)もその抵抗は増加する方向
に変化する。そして、これら磁性層(4)及び(5)の
抵抗変化、ずなわら感磁素子(2)の両端の端子t1及
びt2間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子t□及
びも2間の電圧変化として検出することができる。
HSがセンス電流Tに沿う方向、すなわち磁化困難軸A
hの方向に5.えられると磁化が回転し、矢印M、S及
びM5Sに示すように、その磁化の方向が時計方向及び
反時計方向にそれぞれ角度θ1及び−〇1回転する。こ
れによって各磁性層(4)及び(5)がMR&i性層で
地層場合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、この
MR磁性層の抵抗の変化は角度の変化をθとするときc
os2 θに比例するので、今、第8図Bにおける内磁
地層(4)及び(5)の磁化M4b及びM5bが互いに
90°ずれているとすると、θ1及び−01の変化で、
内磁地層(4)及び(5)に関して抵抗の変化の増減が
一致する。つまり、一方の磁性層(4)の抵抗が増加す
れば、他方の磁性7*(5)もその抵抗は増加する方向
に変化する。そして、これら磁性層(4)及び(5)の
抵抗変化、ずなわら感磁素子(2)の両端の端子t1及
びt2間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子t□及
びも2間の電圧変化として検出することができる。
第8図の例では信号磁界HSに対して略々直交する方向
に磁化容易軸Aeを有する磁性層について述べたが、磁
性層の主面内に磁気異方性を有しない等方的磁性層を用
いても同様である。この場合には、比較的小さなセンス
電流を流せば、磁化方向がセンス電流と直交し、つまり
信号磁界の方向と直交するため、バルクハウゼン雑音は
発生しない。
に磁化容易軸Aeを有する磁性層について述べたが、磁
性層の主面内に磁気異方性を有しない等方的磁性層を用
いても同様である。この場合には、比較的小さなセンス
電流を流せば、磁化方向がセンス電流と直交し、つまり
信号磁界の方向と直交するため、バルクハウゼン雑音は
発生しない。
上述したように、既提案のMR型磁気ヘッドにおいては
、MR感磁素子(2)を、磁性層(4)及び(5)が非
磁性中間層(3)の介在によって、静磁的結合状態にあ
るように、つまり、クーロンの法則に従う相互作用によ
る結合が充分強い状態にある積層構造とされ、しかも信
号磁界Hsとセンス電流■の方向を同方向としたことに
よってバルクハウゼンノイズが確実に排除される。
、MR感磁素子(2)を、磁性層(4)及び(5)が非
磁性中間層(3)の介在によって、静磁的結合状態にあ
るように、つまり、クーロンの法則に従う相互作用によ
る結合が充分強い状態にある積層構造とされ、しかも信
号磁界Hsとセンス電流■の方向を同方向としたことに
よってバルクハウゼンノイズが確実に排除される。
ところで、前述のように、MR感磁素子(2)の抵抗値
の変化はcos2θに比例するため、これに基(信号出
力には2次高調波歪が付随する。また、抵抗値の変化分
が同々5%程度と小さいものであるのに対して、抵抗値
の温度係数が1度当り約0.3%程度と大きいため、温
度ドリフトが大きい。
の変化はcos2θに比例するため、これに基(信号出
力には2次高調波歪が付随する。また、抵抗値の変化分
が同々5%程度と小さいものであるのに対して、抵抗値
の温度係数が1度当り約0.3%程度と大きいため、温
度ドリフトが大きい。
更に、動作時に磁気記録媒体と摺接する場合は、ヘッド
の温度が不規則に変化し、所謂、摺動ノイズが発生する
。
の温度が不規則に変化し、所謂、摺動ノイズが発生する
。
直流バイアス磁界を用いるMRヘッドの、上述のような
問題点を解消するために、本出願人は、特開昭61−5
4005号(特願昭59−176476号)において、
交流バイアス磁界を用いる「磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置」を既に提案している。
問題点を解消するために、本出願人は、特開昭61−5
4005号(特願昭59−176476号)において、
交流バイアス磁界を用いる「磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置」を既に提案している。
本出願人による上述の交流型MRヘッド装置は、比較的
大l辰幅の両極性矩形波バイアス磁界と、この矩形波に
同期させた極性反転出力とを用いるごとにより、単一の
MR感硼素子を有しながら、等測的に差動型MRヘッド
を構成するものである。
大l辰幅の両極性矩形波バイアス磁界と、この矩形波に
同期させた極性反転出力とを用いるごとにより、単一の
MR感硼素子を有しながら、等測的に差動型MRヘッド
を構成するものである。
これにより、特性曲線の非直1Iil性が改善されて、
歪のない再生信号が得られる。
歪のない再生信号が得られる。
また、前述の温度ドリフトや摺動ノイズはこの等測的差
動MRヘッドに対して同相となるため、その影響は充分
に抑圧される。
動MRヘッドに対して同相となるため、その影響は充分
に抑圧される。
更に矩形波による変調増幅となるため、直流を含む超低
周波磁界の検出が可能であると共に、矩形波の周波数が
旨く選定されるため、増幅器の人力インピーダンスが低
い場合でも、結合コンデンサの容量を小さく選定するこ
とができる。
周波磁界の検出が可能であると共に、矩形波の周波数が
旨く選定されるため、増幅器の人力インピーダンスが低
い場合でも、結合コンデンサの容量を小さく選定するこ
とができる。
ところで、既提案のMRヘットでは、通常、第9図に示
すように、1対の端子(2c)及び(2d)に、それぞ
れ信号導出線(リード) (2cc)及び(2dd
)を介して、積JiMR感磁素子(2)が「コ」字状に
接続され、他の1対の端子(10a)及び(10b)に
MR感磁素子(2)及びリード(2dd )を跨いでバ
イアス導線(10)が同じく「コ」字状に接続される。
すように、1対の端子(2c)及び(2d)に、それぞ
れ信号導出線(リード) (2cc)及び(2dd
)を介して、積JiMR感磁素子(2)が「コ」字状に
接続され、他の1対の端子(10a)及び(10b)に
MR感磁素子(2)及びリード(2dd )を跨いでバ
イアス導線(10)が同じく「コ」字状に接続される。
MR感磁素子(2)からのリード(2cc)。
(2dd )の抵抗を小さくするために、通常、端子(
2c)及び(2d)はバイアス導線(10)のための端
子(LOa)及び(10b)の内側に配される。
2c)及び(2d)はバイアス導線(10)のための端
子(LOa)及び(10b)の内側に配される。
そし°ζ、第10図に示すように、バイアス電流源(2
2)及び増幅器(24)がMRヘッドの各端子と、例え
ばフレキシブル印刷配線板のような多条平行リード(図
示せず)を介して接続される。なお、第10図では、M
R感fIB、素子(2)にセンス電流■胤を流すための
定電7N、源や結合コンデンサの図示は省略されている
。
2)及び増幅器(24)がMRヘッドの各端子と、例え
ばフレキシブル印刷配線板のような多条平行リード(図
示せず)を介して接続される。なお、第10図では、M
R感fIB、素子(2)にセンス電流■胤を流すための
定電7N、源や結合コンデンサの図示は省略されている
。
ところが、MRヘッドの各端子が第9図のように配設さ
れている場合、MR感磁素子(2)から、端子(2c)
及び(2d)を経て、増幅器(24)に至る出力信号経
路と、バイアス電流源(22)から、端子(10a)及
び(10b)を経て、バイアス導線(10)に至る電流
供給経路とは、かなりの長さとなる多条平行リードの区
間で電磁的に結合している。
れている場合、MR感磁素子(2)から、端子(2c)
及び(2d)を経て、増幅器(24)に至る出力信号経
路と、バイアス電流源(22)から、端子(10a)及
び(10b)を経て、バイアス導線(10)に至る電流
供給経路とは、かなりの長さとなる多条平行リードの区
間で電磁的に結合している。
また、MRヘッド内では、端子(10a)から、バイア
ス導線(10)を経て、端子(10b)に流れるバイア
ス電流LBによって発生する磁束が、積MMR感磁素子
(2)と両リード(2cc )及び(2dd )によっ
て形成される信号導出ループに鎖交する。
ス導線(10)を経て、端子(10b)に流れるバイア
ス電流LBによって発生する磁束が、積MMR感磁素子
(2)と両リード(2cc )及び(2dd )によっ
て形成される信号導出ループに鎖交する。
加えて、MR感磁素子(2)及びバイアス導線(10)
等は、後述のように、磁性基板(1)(第2図参照)に
きわめて近接しており、バイアス導線(10)を含むバ
イアスループはMR感磁素子(2)を含む信号導出ルー
プと電磁的にかなり密に結合している。
等は、後述のように、磁性基板(1)(第2図参照)に
きわめて近接しており、バイアス導線(10)を含むバ
イアスループはMR感磁素子(2)を含む信号導出ルー
プと電磁的にかなり密に結合している。
等測的には、MRヘッドのこの結合状態は、第10図に
示すように変成器T1として表わされる。
示すように変成器T1として表わされる。
即ち、変成器T1のl?j?、巻線(101)及び2次
巻線(2z)は、バイアス導線(10)を含むバイアス
ループ及びMR感磁素子(2)を含む信号導出ループを
それぞれ示す。なお、抵抗器(10r)及び(2r)は
それぞれバイアス導線(10)及びMR感磁素子(2)
の抵抗器である。
巻線(2z)は、バイアス導線(10)を含むバイアス
ループ及びMR感磁素子(2)を含む信号導出ループを
それぞれ示す。なお、抵抗器(10r)及び(2r)は
それぞれバイアス導線(10)及びMR感磁素子(2)
の抵抗器である。
このような電磁結合により、信号出力経路にバイアス電
流の周波数の不要交流成分が誘起される。
流の周波数の不要交流成分が誘起される。
バイアス電流iBの周波数は、記録信号の最晶周波数の
例えば3倍以上のように、かなり商く選定されるため、
信号出力経路に誘起される不要交流成分のレベルはかな
り大きくなり、増幅W(24)を飽和させる虞があった
。
例えば3倍以上のように、かなり商く選定されるため、
信号出力経路に誘起される不要交流成分のレベルはかな
り大きくなり、増幅W(24)を飽和させる虞があった
。
また、この不要交流成分は、前述の同期化出力信号に著
しいオフセット電圧を発生させてダイナミックレンジを
縮小させるという問題があった。
しいオフセット電圧を発生させてダイナミックレンジを
縮小させるという問題があった。
か\る点に鑑み、本発明の目的は、信号出力経路とバイ
アス電流供給経路との間の不要な電磁結合を相殺した磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するところにある。
アス電流供給経路との間の不要な電磁結合を相殺した磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するところにある。
E 問題点を解決するための手段
本発明は、磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第1の信
号導出線が接続されると共に、感磁素子の他端に第2の
信号導出線が接続され、感磁素子にバイアス磁界を与え
るための交流バイアス電流が流れるバイアス導線により
バイアスループが形成され、第1及び第2の信号導出線
がバイアスループ内で少(とも1回交差することにより
複数のループが形成され、バイアスループと複数のルー
プとの電磁結合が相殺されるようにした磁気抵抗効果型
磁気ヘッドである。
号導出線が接続されると共に、感磁素子の他端に第2の
信号導出線が接続され、感磁素子にバイアス磁界を与え
るための交流バイアス電流が流れるバイアス導線により
バイアスループが形成され、第1及び第2の信号導出線
がバイアスループ内で少(とも1回交差することにより
複数のループが形成され、バイアスループと複数のルー
プとの電磁結合が相殺されるようにした磁気抵抗効果型
磁気ヘッドである。
F 作用
か\る構成によれば、信号出力経路とバイアスループと
の電磁結合が相殺されて、信号導出線からの不要交流成
分の導出が防止される。
の電磁結合が相殺されて、信号導出線からの不要交流成
分の導出が防止される。
G 実施例
G1一実施例
以下、第1図〜第3図を参照しながら、本発明による磁
気抵抗効果型磁気ヘッドをシールド型磁気ヘッドに適用
した一実施例について説明する。
気抵抗効果型磁気ヘッドをシールド型磁気ヘッドに適用
した一実施例について説明する。
本発明の一実施例の機械的構成を第1図及び第2図に示
す、この両図において、第9図に対応する部分には同一
の符号を付して一部説明を省略する。
す、この両図において、第9図に対応する部分には同一
の符号を付して一部説明を省略する。
第1図において、MR感磁素子(2)の一端(2a)に
第1のリード(2aa)が接続されると共に、他端(2
b)に第2のリード(2bb)が接続される。
第1のリード(2aa)が接続されると共に、他端(2
b)に第2のリード(2bb)が接続される。
1対のリード(2aa )及び(2bb)は、MR感磁
素子(2)の他端(2b)の近傍で1回交差して、それ
ぞれ端子(2c)及び(2d)に接続される。バイアス
導線(10)の1対の端子(10a)及び(10b)が
互いに隣接して配設され、一方のリード部(10bb)
が、バイアス導線(10)と略rUJ字状をなすように
折曲げられて、端子(10b)に接続される。バイアス
導線(10)がMR感磁素子(2)及びリード(2aa
)を跨ぐと共に、バイアス導線(10)のリード部(
10bb)がリード(2aa )及び(2bb)を跨い
で配設される。なお、信号導出用の端子(2c)及び(
2d)はバイアス導線(10)のための端子(10a)
及び(10b)の外側に配設される。
素子(2)の他端(2b)の近傍で1回交差して、それ
ぞれ端子(2c)及び(2d)に接続される。バイアス
導線(10)の1対の端子(10a)及び(10b)が
互いに隣接して配設され、一方のリード部(10bb)
が、バイアス導線(10)と略rUJ字状をなすように
折曲げられて、端子(10b)に接続される。バイアス
導線(10)がMR感磁素子(2)及びリード(2aa
)を跨ぐと共に、バイアス導線(10)のリード部(
10bb)がリード(2aa )及び(2bb)を跨い
で配設される。なお、信号導出用の端子(2c)及び(
2d)はバイアス導線(10)のための端子(10a)
及び(10b)の外側に配設される。
第1図の実施例の■−■線における断面を第2図に示す
。
。
第2図において、Ni−Zn系フェライト、Mn−Zn
系フェライト等の磁性基板(1)の上に、この基板(1
)が導電性を有する場合は、5t(h等の非磁性絶縁層
を形成し、これの上にMR感磁素子(2)を、磁気記録
媒体との対接ないしは対向面(6)に一端が臨むように
形成する。MR感磁素子(2)の他端に非磁性の導電層
(2bb )を接続し、この導電層(2bb )の上に
、絶縁層を介して、導電層(2aa )を形成する。こ
の導電層(2aa)は、絶縁層に適宜設けられた窓を通
して、MR感磁素子(2)の一端に接続される。
系フェライト等の磁性基板(1)の上に、この基板(1
)が導電性を有する場合は、5t(h等の非磁性絶縁層
を形成し、これの上にMR感磁素子(2)を、磁気記録
媒体との対接ないしは対向面(6)に一端が臨むように
形成する。MR感磁素子(2)の他端に非磁性の導電層
(2bb )を接続し、この導電層(2bb )の上に
、絶縁層を介して、導電層(2aa )を形成する。こ
の導電層(2aa)は、絶縁層に適宜設けられた窓を通
して、MR感磁素子(2)の一端に接続される。
また、導’am (2aa )を横切ってこれらの上に
は、絶縁層を介してバイアス導電層(10)及び(10
bb)を設け、更に絶縁層を介して、磁性板(12)を
設ける。
は、絶縁層を介してバイアス導電層(10)及び(10
bb)を設け、更に絶縁層を介して、磁性板(12)を
設ける。
MR素子(2)は、その磁性rvx (4)及び(5)
のうちの少くとも一方のMR効果のある磁性層を、例え
ばF e + Co + N sのいずれか或いはその
2種以上の合金層によって構成し得る。また、磁性M(
4)または(5)のいずれか一方をMR効果のない磁性
層によって構成する場合は、高透磁率の例えばセンダス
l−、Moパーマロイ、Go系アモルファス合金膜等に
よって構成し得る。また非磁性中間層(3)としては、
5t(h 、 A120) + T i + Mo等の
非磁性膜によって構成し得るものであり、各層(3)
、 (4)及び(5)は、夫々スパッタリング等によっ
て形成し得る。このようにして、例えば300人厚OH
iFe合金磁性層を40人の5i(hを介して積層した
4μ×4μのMR感磁素子が得られる。
のうちの少くとも一方のMR効果のある磁性層を、例え
ばF e + Co + N sのいずれか或いはその
2種以上の合金層によって構成し得る。また、磁性M(
4)または(5)のいずれか一方をMR効果のない磁性
層によって構成する場合は、高透磁率の例えばセンダス
l−、Moパーマロイ、Go系アモルファス合金膜等に
よって構成し得る。また非磁性中間層(3)としては、
5t(h 、 A120) + T i + Mo等の
非磁性膜によって構成し得るものであり、各層(3)
、 (4)及び(5)は、夫々スパッタリング等によっ
て形成し得る。このようにして、例えば300人厚OH
iFe合金磁性層を40人の5i(hを介して積層した
4μ×4μのMR感磁素子が得られる。
上述の構成により、第1図の実施例においては、MR感
磁素子(2)からの出力信号経路のうち、ヘッドと増幅
器(24)とを接続する多条平行リード(図承せず)の
区間ではバイアス電流iBによる磁束が鎖交せず、この
区間の電磁結合は実質的に零となる。
磁素子(2)からの出力信号経路のうち、ヘッドと増幅
器(24)とを接続する多条平行リード(図承せず)の
区間ではバイアス電流iBによる磁束が鎖交せず、この
区間の電磁結合は実質的に零となる。
また、第1図の実施例においては、交差した1対のリー
ド(2aa )及び(2bb)がそれぞれバイアス導線
(lO)及びそのリード部(10bb)と形成する第1
及び第2の交差ループは、磁性基板+1)及び磁性fN
(12)の間にあって、バイアス導線(10)及びその
リード部(10bb)が形成するバイアスループとかな
り密に電磁結合している。そして、バイアス電流1Bと
、MR感磁素子(2)から流れ出る検出電流Tl4Rと
の関係が、・バイアス導線(10)の部分のkBでは互
に逆方向であるに対し、そのリード部(10bb)の部
分のiBでは同一方向となっている。即ち、両交差ルー
プとバイアスループとの電磁結合は互に逆極性となって
いる。そして、両交差ループの面積を互に等しくすれば
、両交差ループとバイアスループとの結合度もまた互に
等しくなる。
ド(2aa )及び(2bb)がそれぞれバイアス導線
(lO)及びそのリード部(10bb)と形成する第1
及び第2の交差ループは、磁性基板+1)及び磁性fN
(12)の間にあって、バイアス導線(10)及びその
リード部(10bb)が形成するバイアスループとかな
り密に電磁結合している。そして、バイアス電流1Bと
、MR感磁素子(2)から流れ出る検出電流Tl4Rと
の関係が、・バイアス導線(10)の部分のkBでは互
に逆方向であるに対し、そのリード部(10bb)の部
分のiBでは同一方向となっている。即ち、両交差ルー
プとバイアスループとの電磁結合は互に逆極性となって
いる。そして、両交差ループの面積を互に等しくすれば
、両交差ループとバイアスループとの結合度もまた互に
等しくなる。
この両交差ループとバイアスループとの結合状態は、第
3図に示すように、等測的に2個の変成器T1及びT2
として表わされる。そして、上述のように、第1及び第
2の交差ループの電磁結合が互に逆極性であるため、例
えば、第1及び第2の変成器T1及びT2の各1次巻線
(10ffi)及び(10m)が同極性で直列に接続さ
れると共に、各2次巻線(21)及び(2m)が互に逆
極性で直列に接続される。
3図に示すように、等測的に2個の変成器T1及びT2
として表わされる。そして、上述のように、第1及び第
2の交差ループの電磁結合が互に逆極性であるため、例
えば、第1及び第2の変成器T1及びT2の各1次巻線
(10ffi)及び(10m)が同極性で直列に接続さ
れると共に、各2次巻線(21)及び(2m)が互に逆
極性で直列に接続される。
これにより、第3図の両変成器T1及びT2の各2次巻
線(2β)及び(2m)に誘起されるバイアス交流成分
のレベルが等しくなり、相殺されて、端子(2c)及び
(2d)間にバイアス交流成分が導出されることがなく
、増幅器の飽和、オフセットによるダイナミックレンジ
の縮小等の問題が解消される。
線(2β)及び(2m)に誘起されるバイアス交流成分
のレベルが等しくなり、相殺されて、端子(2c)及び
(2d)間にバイアス交流成分が導出されることがなく
、増幅器の飽和、オフセットによるダイナミックレンジ
の縮小等の問題が解消される。
G2他の実施例
次に、第4図を参照しながら、本発明をヨーク型磁気ヘ
ッドに適用した他の実施例について説明する。
ッドに適用した他の実施例について説明する。
本発明の他の実施例の構成を第4図に示す。この第4図
において、第1図及び第9図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。
において、第1図及び第9図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。
第4図において、図示を省略した磁性基板(第2図参照
)の上に、絶縁層を介して、バイアス導線(10)が略
rUJ字状に形成され、バイアス導線(10)の上に、
更に絶縁層を介して、積層MR感磁素子(2)が形成さ
れる。
)の上に、絶縁層を介して、バイアス導線(10)が略
rUJ字状に形成され、バイアス導線(10)の上に、
更に絶縁層を介して、積層MR感磁素子(2)が形成さ
れる。
そして、このMR感磁素子(2)を挟んで、その前方及
び後方、すなわち記録媒体との対向ないしは対接面側と
これとは反対側との両端部に前方磁性層(8)と後方磁
性層(9)とが配置される。これら磁性層(8)及び(
9)は例えば電気伝導性を有し、かつMR効果が殆どな
く、磁気異方性をセンス電流と直角方向に有する金属磁
性層によって構成される。前方磁性層(8)は、その一
端が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨み、この
面から後退して配設されたMR感磁素子(2)に信号磁
束を導く、所謂、ヨークである。また、後方磁性rt4
(9)は、絶縁層に通貨穿設された窓を通して、磁性基
板(図示を省略)に密に結合される。
び後方、すなわち記録媒体との対向ないしは対接面側と
これとは反対側との両端部に前方磁性層(8)と後方磁
性層(9)とが配置される。これら磁性層(8)及び(
9)は例えば電気伝導性を有し、かつMR効果が殆どな
く、磁気異方性をセンス電流と直角方向に有する金属磁
性層によって構成される。前方磁性層(8)は、その一
端が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨み、この
面から後退して配設されたMR感磁素子(2)に信号磁
束を導く、所謂、ヨークである。また、後方磁性rt4
(9)は、絶縁層に通貨穿設された窓を通して、磁性基
板(図示を省略)に密に結合される。
本実施例においては、第1のリード(2aa)が前方磁
性層(8)に接続されると共に、第2のリード(2bb
)が後方磁性層(9)に接続される。
性層(8)に接続されると共に、第2のリード(2bb
)が後方磁性層(9)に接続される。
か\る構成により、本実施例においても、前述の一実施
例と同様に、バイアスループと両交差ループとの電磁結
合が相殺されて、信号出力経路への不要交流成分の導出
が防止される。
例と同様に、バイアスループと両交差ループとの電磁結
合が相殺されて、信号出力経路への不要交流成分の導出
が防止される。
なお、上述の両実施例においては、MR感磁素子(2)
の1対のリード(2aa)及び(2bb )は1回だけ
交差しているが、この1対のリード(2aa )及び(
2bb )を2回以上交差させてもよい。この場合、両
リードにより形成される3個以上のループのうち、バイ
アスループとの電磁結合の極性が正であるループと負で
あるループとのそれぞれの面積の和が等しくなるように
すればよい。
の1対のリード(2aa)及び(2bb )は1回だけ
交差しているが、この1対のリード(2aa )及び(
2bb )を2回以上交差させてもよい。この場合、両
リードにより形成される3個以上のループのうち、バイ
アスループとの電磁結合の極性が正であるループと負で
あるループとのそれぞれの面積の和が等しくなるように
すればよい。
H発明の効果
以上詳述のように、本発明によれば、バイアス導線と磁
気抵抗効果型の感磁素子の信号導出線との間の電磁結合
に対して、感磁素子の両端に1対の信号導出線を接続し
、この1対の信号導出線をバイアス導線により形成され
るループ内で少くとも1回交差し、異極性の交差ループ
の面積を互に等しくするようにしたので、バイアス系と
信号系との間の電磁結合が相殺されて、不要交流成分の
導出が防止された磁気抵抗効果型磁気ヘッドが得られる
。
気抵抗効果型の感磁素子の信号導出線との間の電磁結合
に対して、感磁素子の両端に1対の信号導出線を接続し
、この1対の信号導出線をバイアス導線により形成され
るループ内で少くとも1回交差し、異極性の交差ループ
の面積を互に等しくするようにしたので、バイアス系と
信号系との間の電磁結合が相殺されて、不要交流成分の
導出が防止された磁気抵抗効果型磁気ヘッドが得られる
。
第1図及び第2図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の機械的構成を示ず路線平面図及び断面
図、第3図は本発明の一実施例の等価回路を示す結線図
、第4図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第5図〜
第7図は本発明を説明するための♀+1視図及び平面図
、第8図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作状
態を説明するための概念図、第9図は既提案の磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの機械的構成例を示ず路線平面図、第
1O図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの等1回回
路を示す結線図である。 (2)は磁気抵抗効果型感磁素子、(2aa ) 。 (2bb)は信号導出線、(10)はバイアス導線であ
る。
ッドの一実施例の機械的構成を示ず路線平面図及び断面
図、第3図は本発明の一実施例の等価回路を示す結線図
、第4図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第5図〜
第7図は本発明を説明するための♀+1視図及び平面図
、第8図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作状
態を説明するための概念図、第9図は既提案の磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの機械的構成例を示ず路線平面図、第
1O図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの等1回回
路を示す結線図である。 (2)は磁気抵抗効果型感磁素子、(2aa ) 。 (2bb)は信号導出線、(10)はバイアス導線であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第1の信号導出線が
接続されると共に、上記感磁素子の他端に第2の信号導
出線が接続され、 上記感磁素子にバイアス磁界を与えるための交流バイア
ス電流が流れるバイアス導線によりバイアスループが形
成され、 上記第1及び第2の信号導出線が上記バイアスループ内
で少くとも1回交差することにより複数のループが形成
され、 上記バイアスループと上記複数のループとの電磁結合が
相殺されるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16921486A JPS6325819A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16921486A JPS6325819A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325819A true JPS6325819A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15882321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16921486A Pending JPS6325819A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325819A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0650156A1 (en) * | 1993-10-21 | 1995-04-26 | Seagate Technology International | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16921486A patent/JPS6325819A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0650156A1 (en) * | 1993-10-21 | 1995-04-26 | Seagate Technology International | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads |
US5563753A (en) * | 1993-10-21 | 1996-10-08 | Seagate Technology, Inc. | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads |
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