JPS6325819A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする問題点 Ｅ　問題点を解決するための手段（第１図）Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例（第１図〜第３図） Ｇ２他の実施例（第４図） Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、交流バイアス磁界を用いる、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下ＭＲ型磁気ヘッドという）に係わる。

Ｂ　発明の概要 本発明は、交流バイアス磁界を用いるＭＲ型磁気ヘッド
において、感磁素子の面端に接続された１対の信号導出
線を、バイアス導線により形成されるループ内で少くと
も１回交差させることにより、バイアス導線と信号導出
線との間の電磁結合を相殺させて、不要交流成分が信号
導出線に誘起されることを防止するようにしたものであ
る。

Ｃ従来の技術 従来、一般のＭＲ型磁気ヘッドは、その感磁素子がｆｆ
１層の磁気抵抗効果を有する磁性層（以下ＭＲ磁性層と
いう）によって構成され、このＭ　Ｒ磁性層に与えられ
る信号磁界に基づく抵抗変化を検出するために、センス
電流が、Ｍ　Ｒ＆ｉｌ性層に対し、その面方向に沿い、
且つ磁気記録媒体との対接（ないしは対向）面のトラッ
ク幅方向に沿う方向に、つまり、磁気記録媒体から与え
られる信号磁界と直交する方向に流されていた。

Ｄ　発明が解決しようとする問題点 この単層のＭ　Ｒ＋６１性Ｉ−は、磁気異方性エネルギ
ー、形状異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層
全体として最小となるような磁区構造をとる。すなわち
、第５図に示すように、この単層磁性エヨが、長方形の
薄膜磁性層（５１）であり短辺方向に磁気異方性を有す
る場合、その面内において、短辺方向に沿って磁化方向
が交互に逆向きの磁区（５２）　　（（５２ａ）　、　
　（５２ｃ）　　・・・）が生じると共に、これら隣り
合う磁区（５２）に関して閉ループを形成するように、
その両端間に、磁性層（５１）の長辺方向に沿って順次
逆向きの磁区（５３）（（５３ｂ　）　、　　（５３ｄ
　）　　・・・）が生じている。したがって、このよう
な磁性−層に外部磁界がり、えられると各磁区間の磁壁
（５４）　、　　（５５）が不連続に移動し、これによ
りバルクハウゼンノイズが発生するという問題があった
。

このようなバルクハウゼンノイズを回避するために、本
出願人は、既に特願昭６０−２４７７５２号において積
層ＭＲ型磁気ヘッドを提案している。

まず、第６図〜第８図を参照しながら、既提案のＭＲ型
磁気ヘッドに用いる積ｒｖ４ＭＲ感磁素子について説明
する。

既提案においては、第６図に示すように、感磁素子（２
）は、非磁性中間層（３）を介して、その上下に少くと
も一方がＭＲ磁性層より成り、夫々軟磁性体より成る磁
性Ｎ（４）及び（５）の積層構造とする。非磁性中間層
（３）の厚さは、陶磁性層（４）及び（５）間に、クー
ロンの法則に従う静磁的相互作用が支配的に作用するよ
うな厚さ、例えば５〜５０００人に選定する。また、陶
磁性層（４）及び（５）は、その飽和磁束密度、厚さ等
の選定によって陶磁性層（４）及び（５）の磁束量が一
致するように選定される。

感磁素子（２）の陶磁性層（４）及び（５）をＭＲ磁性
層とするときは、陶磁性層（４）及び（５）は同一の材
料、寸法形状とすることが望ましいが、一方をＭＲ効果
がないか殆んどない材料によって構成するときは、この
磁性層は、ＭＲ効果のある磁性層に比し充分大なる電気
抵抗を有するようにその材料及び厚さ等の選定を行う。

既提案においては、その５！、硼素子（２）は、非磁性
中間層（３）を介して、磁性層（４）及び（５）が積層
された構造とされていることによって、外部磁界が与え
られていない状態では、第６図にボすように、磁性層（
４）及び（５）は、矢印Ｍ４及びＭ５で不すように夫々
磁化容易軸Ａｅの方向に互いに反平行の磁化状態にあり
、陶磁性層（４）及び（５）に関して、磁束が全体的に
閉じた状態にあり、磁壁が生じていない。

このような感磁素子（２）に対し、その磁化困難軸Ａｈ
の方向に外部磁界Ｈを強めていくと、第７図Ａに示す外
部磁界が加えられない反平行の磁化状態から、外部磁界
Ｈにより同図Ｂに示すように磁化が回転し、更に強い外
部磁界により、同図Ｃにボすように、両値性Ｎ（４）及
び（５）が同方向に磁化される。第７図においてはその
磁化状態を、磁性層（５）に関しては実線矢印で、磁性
層（４）に関しては破線矢印で模式的に示す。この場合
両値性Ｊｌ（４）及び（５）においてその面内で磁化が
回転するので、ＶＡ壁が生ずることがない。つまり、陶
磁性層（４）及び（５）の磁化困難軸方向を磁束の伝搬
方向とすることによって磁壁移動に起因するバルクハウ
ゼンノイズが回避される。

次に既提案によるＭＲ磁気ヘッドの動作を第８図を参照
して説明する。第８図は、感磁素子（２）の陶磁性層（
４）及び（５）のみを模式的に示したもので、これら磁
性層（４）及び（５）は初期状態で、同図Ａ中にボすよ
うに、幅方向に磁化容易軸Ａｅを有する。

そして内磁地層（４）および（５）にセンス電流■を通
ずると、非磁性中間層（図示せず）を挟んで対向する内
磁地層（４）及び（５）にはセンス電流Ｉと直交する互
いに逆向きの磁界が発生し、これによって磁性１８　（
４１及び（５）は同図に実線及び破線矢印Ｍ４及びＭ５
で示ずように磁化される。

一方、この感磁部（２）に電流Ｉに沿う方向に外部から
バイアス磁界ＨＢが与えられると、このバイアス磁界Ｈ
［１によって、磁性Ｊｆｌ　（４１及び（５）の磁化の
向きは、同図Ｂに矢印Ｍ４ｂ及びＭ５ｂでボずように、
所要の角度だけ回転される。このバイアス磁界ＨＢによ
って与えられる磁化の方向は、電流Ｉの方向に対してほ
ぼ４５°となるように、そのバイアス磁界ＨＲの大きさ
が選ばれる。

尚、このようにバイアス磁界ＨＨによってセンス電流Ｉ
に対してほぼ４５°の磁化を与えることによって高い感
度と直線性を得ることができることについては、通常の
ＭＲ型磁気ヘッドにおいて行われていると同様である。

そして、この状態で第８図Ｃにボすように、イオ号磁界
ＨＳがセンス電流Ｔに沿う方向、すなわち磁化困難軸Ａ
ｈの方向に５．えられると磁化が回転し、矢印Ｍ、Ｓ及
びＭ５Ｓに示すように、その磁化の方向が時計方向及び
反時計方向にそれぞれ角度θ１及び−〇１回転する。こ
れによって各磁性層（４）及び（５）がＭＲ＆ｉ性層で
地層場合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、この
ＭＲ磁性層の抵抗の変化は角度の変化をθとするときｃ
ｏｓ２　θに比例するので、今、第８図Ｂにおける内磁
地層（４）及び（５）の磁化Ｍ４ｂ及びＭ５ｂが互いに
９０°ずれているとすると、θ１及び−０１の変化で、
内磁地層（４）及び（５）に関して抵抗の変化の増減が
一致する。つまり、一方の磁性層（４）の抵抗が増加す
れば、他方の磁性７＊（５）もその抵抗は増加する方向
に変化する。そして、これら磁性層（４）及び（５）の
抵抗変化、ずなわら感磁素子（２）の両端の端子ｔ１及
びｔ２間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子ｔ□及
びも２間の電圧変化として検出することができる。

第８図の例では信号磁界ＨＳに対して略々直交する方向
に磁化容易軸Ａｅを有する磁性層について述べたが、磁
性層の主面内に磁気異方性を有しない等方的磁性層を用
いても同様である。この場合には、比較的小さなセンス
電流を流せば、磁化方向がセンス電流と直交し、つまり
信号磁界の方向と直交するため、バルクハウゼン雑音は
発生しない。

上述したように、既提案のＭＲ型磁気ヘッドにおいては
、ＭＲ感磁素子（２）を、磁性層（４）及び（５）が非
磁性中間層（３）の介在によって、静磁的結合状態にあ
るように、つまり、クーロンの法則に従う相互作用によ
る結合が充分強い状態にある積層構造とされ、しかも信
号磁界Ｈｓとセンス電流■の方向を同方向としたことに
よってバルクハウゼンノイズが確実に排除される。

ところで、前述のように、ＭＲ感磁素子（２）の抵抗値
の変化はｃｏｓ２θに比例するため、これに基（信号出
力には２次高調波歪が付随する。また、抵抗値の変化分
が同々５％程度と小さいものであるのに対して、抵抗値
の温度係数が１度当り約０．３％程度と大きいため、温
度ドリフトが大きい。

更に、動作時に磁気記録媒体と摺接する場合は、ヘッド
の温度が不規則に変化し、所謂、摺動ノイズが発生する
。

直流バイアス磁界を用いるＭＲヘッドの、上述のような
問題点を解消するために、本出願人は、特開昭６１−５
４００５号（特願昭５９−１７６４７６号）において、
交流バイアス磁界を用いる「磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置」を既に提案している。

本出願人による上述の交流型ＭＲヘッド装置は、比較的
大ｌ辰幅の両極性矩形波バイアス磁界と、この矩形波に
同期させた極性反転出力とを用いるごとにより、単一の
ＭＲ感硼素子を有しながら、等測的に差動型ＭＲヘッド
を構成するものである。

これにより、特性曲線の非直１Ｉｉｌ性が改善されて、
歪のない再生信号が得られる。

また、前述の温度ドリフトや摺動ノイズはこの等測的差
動ＭＲヘッドに対して同相となるため、その影響は充分
に抑圧される。

更に矩形波による変調増幅となるため、直流を含む超低
周波磁界の検出が可能であると共に、矩形波の周波数が
旨く選定されるため、増幅器の人力インピーダンスが低
い場合でも、結合コンデンサの容量を小さく選定するこ
とができる。

ところで、既提案のＭＲヘットでは、通常、第９図に示
すように、１対の端子（２ｃ）及び（２ｄ）に、それぞ
れ信号導出線（リード）　　（２ｃｃ）及び（２ｄｄ　
）を介して、積ＪｉＭＲ感磁素子（２）が「コ」字状に
接続され、他の１対の端子（１０ａ）及び（１０ｂ）に
ＭＲ感磁素子（２）及びリード（２ｄｄ　）を跨いでバ
イアス導線（１０）が同じく「コ」字状に接続される。

ＭＲ感磁素子（２）からのリード（２ｃｃ）。

（２ｄｄ　）の抵抗を小さくするために、通常、端子（
２ｃ）及び（２ｄ）はバイアス導線（１０）のための端
子（ＬＯａ）及び（１０ｂ）の内側に配される。

そし°ζ、第１０図に示すように、バイアス電流源（２
２）及び増幅器（２４）がＭＲヘッドの各端子と、例え
ばフレキシブル印刷配線板のような多条平行リード（図
示せず）を介して接続される。なお、第１０図では、Ｍ
Ｒ感ｆＩＢ、素子（２）にセンス電流■胤を流すための
定電７Ｎ、源や結合コンデンサの図示は省略されている
。

ところが、ＭＲヘッドの各端子が第９図のように配設さ
れている場合、ＭＲ感磁素子（２）から、端子（２ｃ）
及び（２ｄ）を経て、増幅器（２４）に至る出力信号経
路と、バイアス電流源（２２）から、端子（１０ａ）及
び（１０ｂ）を経て、バイアス導線（１０）に至る電流
供給経路とは、かなりの長さとなる多条平行リードの区
間で電磁的に結合している。

また、ＭＲヘッド内では、端子（１０ａ）から、バイア
ス導線（１０）を経て、端子（１０ｂ）に流れるバイア
ス電流ＬＢによって発生する磁束が、積ＭＭＲ感磁素子
（２）と両リード（２ｃｃ　）及び（２ｄｄ　）によっ
て形成される信号導出ループに鎖交する。

加えて、ＭＲ感磁素子（２）及びバイアス導線（１０）
等は、後述のように、磁性基板（１）（第２図参照）に
きわめて近接しており、バイアス導線（１０）を含むバ
イアスループはＭＲ感磁素子（２）を含む信号導出ルー
プと電磁的にかなり密に結合している。

等測的には、ＭＲヘッドのこの結合状態は、第１０図に
示すように変成器Ｔ１として表わされる。

即ち、変成器Ｔ１のｌ？ｊ？、巻線（１０１）及び２次
巻線（２ｚ）は、バイアス導線（１０）を含むバイアス
ループ及びＭＲ感磁素子（２）を含む信号導出ループを
それぞれ示す。なお、抵抗器（１０ｒ）及び（２ｒ）は
それぞれバイアス導線（１０）及びＭＲ感磁素子（２）
の抵抗器である。

このような電磁結合により、信号出力経路にバイアス電
流の周波数の不要交流成分が誘起される。

バイアス電流ｉＢの周波数は、記録信号の最晶周波数の
例えば３倍以上のように、かなり商く選定されるため、
信号出力経路に誘起される不要交流成分のレベルはかな
り大きくなり、増幅Ｗ（２４）を飽和させる虞があった
。

また、この不要交流成分は、前述の同期化出力信号に著
しいオフセット電圧を発生させてダイナミックレンジを
縮小させるという問題があった。

か＼る点に鑑み、本発明の目的は、信号出力経路とバイ
アス電流供給経路との間の不要な電磁結合を相殺した磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するところにある。

Ｅ　問題点を解決するための手段 本発明は、磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１の信
号導出線が接続されると共に、感磁素子の他端に第２の
信号導出線が接続され、感磁素子にバイアス磁界を与え
るための交流バイアス電流が流れるバイアス導線により
バイアスループが形成され、第１及び第２の信号導出線
がバイアスループ内で少（とも１回交差することにより
複数のループが形成され、バイアスループと複数のルー
プとの電磁結合が相殺されるようにした磁気抵抗効果型
磁気ヘッドである。

Ｆ　作用 か＼る構成によれば、信号出力経路とバイアスループと
の電磁結合が相殺されて、信号導出線からの不要交流成
分の導出が防止される。

Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例 以下、第１図〜第３図を参照しながら、本発明による磁
気抵抗効果型磁気ヘッドをシールド型磁気ヘッドに適用
した一実施例について説明する。

本発明の一実施例の機械的構成を第１図及び第２図に示
す、この両図において、第９図に対応する部分には同一
の符号を付して一部説明を省略する。

第１図において、ＭＲ感磁素子（２）の一端（２ａ）に
第１のリード（２ａａ）が接続されると共に、他端（２
ｂ）に第２のリード（２ｂｂ）が接続される。

１対のリード（２ａａ　）及び（２ｂｂ）は、ＭＲ感磁
素子（２）の他端（２ｂ）の近傍で１回交差して、それ
ぞれ端子（２ｃ）及び（２ｄ）に接続される。バイアス
導線（１０）の１対の端子（１０ａ）及び（１０ｂ）が
互いに隣接して配設され、一方のリード部（１０ｂｂ）
が、バイアス導線（１０）と略ｒＵＪ字状をなすように
折曲げられて、端子（１０ｂ）に接続される。バイアス
導線（１０）がＭＲ感磁素子（２）及びリード（２ａａ
　）を跨ぐと共に、バイアス導線（１０）のリード部（
１０ｂｂ）がリード（２ａａ　）及び（２ｂｂ）を跨い
で配設される。なお、信号導出用の端子（２ｃ）及び（
２ｄ）はバイアス導線（１０）のための端子（１０ａ）
及び（１０ｂ）の外側に配設される。

第１図の実施例の■−■線における断面を第２図に示す
。

第２図において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライト等の磁性基板（１）の上に、この基板（１
）が導電性を有する場合は、５ｔ（ｈ等の非磁性絶縁層
を形成し、これの上にＭＲ感磁素子（２）を、磁気記録
媒体との対接ないしは対向面（６）に一端が臨むように
形成する。ＭＲ感磁素子（２）の他端に非磁性の導電層
（２ｂｂ　）を接続し、この導電層（２ｂｂ　）の上に
、絶縁層を介して、導電層（２ａａ　）を形成する。こ
の導電層（２ａａ）は、絶縁層に適宜設けられた窓を通
して、ＭＲ感磁素子（２）の一端に接続される。

また、導’ａｍ　（２ａａ　）を横切ってこれらの上に
は、絶縁層を介してバイアス導電層（１０）及び（１０
ｂｂ）を設け、更に絶縁層を介して、磁性板（１２）を
設ける。

ＭＲ素子（２）は、その磁性ｒｖｘ　（４）及び（５）
のうちの少くとも一方のＭＲ効果のある磁性層を、例え
ばＦ　ｅ　＋　Ｃｏ　＋　Ｎ　ｓのいずれか或いはその
２種以上の合金層によって構成し得る。また、磁性Ｍ（
４）または（５）のいずれか一方をＭＲ効果のない磁性
層によって構成する場合は、高透磁率の例えばセンダス
ｌ−、Ｍｏパーマロイ、Ｇｏ系アモルファス合金膜等に
よって構成し得る。また非磁性中間層（３）としては、
５ｔ（ｈ　、　Ａ１２０）　＋　Ｔ　ｉ　＋　Ｍｏ等の
非磁性膜によって構成し得るものであり、各層（３）　
、　（４）及び（５）は、夫々スパッタリング等によっ
て形成し得る。このようにして、例えば３００人厚ＯＨ
ｉＦｅ合金磁性層を４０人の５ｉ（ｈを介して積層した
４μ×４μのＭＲ感磁素子が得られる。

上述の構成により、第１図の実施例においては、ＭＲ感
磁素子（２）からの出力信号経路のうち、ヘッドと増幅
器（２４）とを接続する多条平行リード（図承せず）の
区間ではバイアス電流ｉＢによる磁束が鎖交せず、この
区間の電磁結合は実質的に零となる。

また、第１図の実施例においては、交差した１対のリー
ド（２ａａ　）及び（２ｂｂ）がそれぞれバイアス導線
（ｌＯ）及びそのリード部（１０ｂｂ）と形成する第１
及び第２の交差ループは、磁性基板＋１）及び磁性ｆＮ
（１２）の間にあって、バイアス導線（１０）及びその
リード部（１０ｂｂ）が形成するバイアスループとかな
り密に電磁結合している。そして、バイアス電流１Ｂと
、ＭＲ感磁素子（２）から流れ出る検出電流Ｔｌ４Ｒと
の関係が、・バイアス導線（１０）の部分のｋＢでは互
に逆方向であるに対し、そのリード部（１０ｂｂ）の部
分のｉＢでは同一方向となっている。即ち、両交差ルー
プとバイアスループとの電磁結合は互に逆極性となって
いる。そして、両交差ループの面積を互に等しくすれば
、両交差ループとバイアスループとの結合度もまた互に
等しくなる。

この両交差ループとバイアスループとの結合状態は、第
３図に示すように、等測的に２個の変成器Ｔ１及びＴ２
として表わされる。そして、上述のように、第１及び第
２の交差ループの電磁結合が互に逆極性であるため、例
えば、第１及び第２の変成器Ｔ１及びＴ２の各１次巻線
（１０ｆｆｉ）及び（１０ｍ）が同極性で直列に接続さ
れると共に、各２次巻線（２１）及び（２ｍ）が互に逆
極性で直列に接続される。

これにより、第３図の両変成器Ｔ１及びＴ２の各２次巻
線（２β）及び（２ｍ）に誘起されるバイアス交流成分
のレベルが等しくなり、相殺されて、端子（２ｃ）及び
（２ｄ）間にバイアス交流成分が導出されることがなく
、増幅器の飽和、オフセットによるダイナミックレンジ
の縮小等の問題が解消される。

Ｇ２他の実施例 次に、第４図を参照しながら、本発明をヨーク型磁気ヘ
ッドに適用した他の実施例について説明する。

本発明の他の実施例の構成を第４図に示す。この第４図
において、第１図及び第９図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。

第４図において、図示を省略した磁性基板（第２図参照
）の上に、絶縁層を介して、バイアス導線（１０）が略
ｒＵＪ字状に形成され、バイアス導線（１０）の上に、
更に絶縁層を介して、積層ＭＲ感磁素子（２）が形成さ
れる。

そして、このＭＲ感磁素子（２）を挟んで、その前方及
び後方、すなわち記録媒体との対向ないしは対接面側と
これとは反対側との両端部に前方磁性層（８）と後方磁
性層（９）とが配置される。これら磁性層（８）及び（
９）は例えば電気伝導性を有し、かつＭＲ効果が殆どな
く、磁気異方性をセンス電流と直角方向に有する金属磁
性層によって構成される。前方磁性層（８）は、その一
端が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨み、この
面から後退して配設されたＭＲ感磁素子（２）に信号磁
束を導く、所謂、ヨークである。また、後方磁性ｒｔ４
（９）は、絶縁層に通貨穿設された窓を通して、磁性基
板（図示を省略）に密に結合される。

本実施例においては、第１のリード（２ａａ）が前方磁
性層（８）に接続されると共に、第２のリード（２ｂｂ
　）が後方磁性層（９）に接続される。

か＼る構成により、本実施例においても、前述の一実施
例と同様に、バイアスループと両交差ループとの電磁結
合が相殺されて、信号出力経路への不要交流成分の導出
が防止される。

なお、上述の両実施例においては、ＭＲ感磁素子（２）
の１対のリード（２ａａ）及び（２ｂｂ　）は１回だけ
交差しているが、この１対のリード（２ａａ　）及び（
２ｂｂ　）を２回以上交差させてもよい。この場合、両
リードにより形成される３個以上のループのうち、バイ
アスループとの電磁結合の極性が正であるループと負で
あるループとのそれぞれの面積の和が等しくなるように
すればよい。

Ｈ発明の効果 以上詳述のように、本発明によれば、バイアス導線と磁
気抵抗効果型の感磁素子の信号導出線との間の電磁結合
に対して、感磁素子の両端に１対の信号導出線を接続し
、この１対の信号導出線をバイアス導線により形成され
るループ内で少くとも１回交差し、異極性の交差ループ
の面積を互に等しくするようにしたので、バイアス系と
信号系との間の電磁結合が相殺されて、不要交流成分の
導出が防止された磁気抵抗効果型磁気ヘッドが得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の機械的構成を示ず路線平面図及び断面
図、第３図は本発明の一実施例の等価回路を示す結線図
、第４図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第５図〜
第７図は本発明を説明するための♀＋１視図及び平面図
、第８図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作状
態を説明するための概念図、第９図は既提案の磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの機械的構成例を示ず路線平面図、第
１Ｏ図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの等１回回
路を示す結線図である。 （２）は磁気抵抗効果型感磁素子、（２ａａ　）　。 （２ｂｂ）は信号導出線、（１０）はバイアス導線であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１の信号導出線が
   接続されると共に、上記感磁素子の他端に第２の信号導
   出線が接続され、 上記感磁素子にバイアス磁界を与えるための交流バイア
   ス電流が流れるバイアス導線によりバイアスループが形
   成され、 上記第１及び第２の信号導出線が上記バイアスループ内
   で少くとも１回交差することにより複数のループが形成
   され、 上記バイアスループと上記複数のループとの電磁結合が
   相殺されるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型
   磁気ヘッド。