JPS6325818A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする問題点 Ｅ　問題点を解決するための手段（第１図）Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例（第１図〜第３図） Ｇ２他の実施例（第４図） Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、交流バイアス磁界を用いる、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以十ＭＲ型磁気ヘッドという）に係わる。

Ｂ　発明の概要 本発明は、交流バイアス磁界を用いるＭＲ型磁気ヘッド
において、感磁素子の一端に接続された１対の信号導出
線と、他端に接続された第３の信号導出線とにより、感
磁素子に略対称に１対のル−プを形成し、この１対のル
ープがバイアス導線により形成されるループとそれぞれ
重なる面積を互いに等しくすることにより、バイアス導
線と信号導出線との間の電磁結合を相殺させて、不要交
流成分が信号導出線に誘起されることを防止するように
したものである。

Ｃ従来の技術 従来、一般のＭＲＲ磁気ヘッドは、その感磁素子が単層
の磁気抵抗効果を有する磁性ｒ＠（以下ＭＲＲ性層とい
う）によって構成され、このＭＲＲ性層に与えられる信
号磁界に基づく抵抗変化を検出するために、センス電流
が、ＭＲ磁磁性病に対し、その面方向に沿い、且つ磁気
記録媒体との対接（ないしは対向）而のトランク幅方向
に沿う方向に、つまり、磁気記録媒体からり、えられる
信号磁界と直交する方向に流されていた。

Ｄ　発明が解決しようとする問題点 この単層のＭＲＲ性層は、磁気異方性エネルギー、形状
異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層全体とし
て最小となるような磁区構造をとる。すなわち、第５図
にネオように、この単Ｉ−磁性層が、長方形の薄膜磁性
層（５１）であり短辺方向に磁気異方性を有する場合、
その面内において、短辺方向に沿って磁化方向が交互に
逆向きの磁区（５２）　　（（５２ａ　）　、　　（５
２ｃ　）　　・・・）が生じると共に、これら隣り合う
磁区（５２）に関して閉ループを形成するように、その
両端間に、磁性層（５１）の長辺方向に沿って順次逆向
きの磁区（５３）（（５３ｂ　）　、　　（５３ｄ　）
　　・・・）が生じている。したがって、このような磁
性層に外部磁界が与えられると各磁区間の磁壁（５４）
　、　　（５５）が不連続に移動し、これによりバルク
ハウゼンノイズが発生するという問題があった。

このようなバルクハウゼンノイズを回避するために、歩
出別人は、既に特願昭６０−２４７７５２号において積
層ＭＲＲ磁気ヘッドを提案している。

まず、第６図〜第８図を参照しながら、既提案のＭＲＲ
磁気ヘッドに用いる積層ＭＲＲ磁素子について説明する
。

既提案においては、第６図に示すように、感磁素子（２
）は、非磁性中間層（３）を介してその上下に少（とも
一方が、ＭＲＲ性層より成り、夫々軟磁性体より成る磁
性層（４）及び（５）の積層構造とする。非磁性中間層
（３）の厚さは、陶磁性層（４）及び（５）間に、クー
ロンの法則に従う静磁的相互作用が支配的に作用するよ
うな厚さ、例えば５〜５０００人に選定する。また、陶
磁性層（４）及び（５）は、その飽和磁束密度、厚さ等
の選定によって肉離性Ｍ（４）及び（５）の磁束量が一
致するように選定される。

感磁素子（２）の陶磁性層（４）及び（５）をＭＲ磁性
ｊｉとするときは、肉離性ＪＦｆ　ｆ４）及び（５）は
同一の材料、寸法形状とすることが望ましいが、一方を
ＭＲ効果がないか殆んどない材料によって構成するとき
は、この磁性層は、ＭＲ効果のある磁性層に比し充分大
なる電気抵抗を有するようにその材料及び厚さ等の選定
を行う。

既堤案においては、その感磁素子（２）は、非磁性中間
層（３）を介して磁性層（４）及び（５）が積層された
構造とされていることによって、外部磁界が与えられて
いない状態では、第６図に示すように、磁性層（４）及
び（５）は、矢印Ｍ４及びＭ５で不すように夫々磁化容
易軸Ａｅの方向に互いに反平行の磁化状態にあり、陶磁
性層（４）及び（５）に関して、磁束が全体的に閉じた
状態にあり、磁壁が生じていない。

このような感磁素子（２）に対し、その磁化困難軸Ａｈ
の方向に外部磁界Ｈを強めていくと、第７図へにボす外
部磁界が加えられない反平行の磁化状態から、外部磁界
Ｈにより同図Ｂに示すように磁化が回転し、更に強い外
部磁界により、同図Ｃに示すように、陶磁性層（４）及
び（５）が同方向に磁化される。第７図においてはその
磁化状態を、磁性層（５）に関しては実線矢印で、磁性
Ｗｔ　（４）に関しては破線矢印で模式的に不ず。この
場合陶磁性層（４）及び（５）においてその面内で磁化
が回転するので、磁壁が生ずることがない。つまり、陶
磁性層（４）及び（５）の磁化困難軸方向を磁束の伝ル
方向とすることによってＷＬ壁移動に起因するバルクハ
ウゼンノイズが回避される。

次に既提案によるＭＲ磁気ヘッドの動作を第８図を参照
して説明する。第８図は、感磁素子（２）の肉離地層（
４）及び（５）のみを模式的に示したもので、これら磁
性層（４）及び（５）は初期状態で同図Ａ中に示すよう
に、幅方向に磁化容易軸Ａｅを有する。そして肉離地層
（４）および（５）にセンス電流Ｉを通ずると、非磁性
中間層（図示せず）を挟んで対向する肉離地層（４）及
び（５）にはセンス電流Ｉと直交する互いに逆向きの磁
界が発生し、これによって磁性層（４）及び（５）は同
図に実線及び破線矢印Ｍ４及びＭ５で不ずように磁化さ
れる。

一方、この感磁部（２）に電流Ｉに沿う方向に外部から
バイアス磁界ＨＢが与えられると、このバイアス磁界Ｈ
Ｂによって、磁性層（４）及び（５）の磁化の向きは、
同図Ｂに矢印Ｍ４ｂ及びＭ５ｂで示すように、所要の角
度だけ回転される。このバイアス磁界Ｈ［ｌによって与
えられる磁化の方向は、電流ｌの方向に対してほぼ４５
゛となるように、そのバイアス磁界Ｈ８の大きさが選ば
れる。

尚、このようにバイアス磁界Ｈｓによってセンス電流Ｉ
に対してはば４５°の磁化を５えることによって高い感
度と直線性を得ることができることについては、通當の
ＭＲ型磁気ヘッドにおいて行われていると１司様である
。

そし°ζ、この状態で第８図Ｃに示すように、信号磁界
Ｈｓがセンス電流Ｉに沿う方向、すなわち磁化困難軸Ａ
ｈの方向に与えられると磁化が回転し、矢印Ｍ４ｓ及び
Ｍ２Ｓに示ずように、その磁化の方向が時計方向及び反
時計方向にそれぞれ角度θＬ及び−０１回転する。これ
によって各磁性層（弔及び（５ンがＭＲ磁性層である場
合は、夫々抵抗変化が生じるごとになるが、このＭＲ磁
性層の抵抗の変化は角度の変化をθとするときｃｏｓ’
　θに比例１゛るので、今、第８図Ｂにおける肉離地層
（４）及び（５）の磁化Ｍ４ｂ及びＭ５ｂが互いに９０
°ずれているとすると、θ１及び−θ１の変化で、肉離
地層（４）及び（５）に関して抵抗の変化の増減が一致
する。つまり、一方の磁性層（４）の抵抗が増加すれば
、他方の磁性層（５）もその抵抗は増加する方向に変化
する。そして、これら磁性層（４）及び（５）の抵抗変
化、ずなわち感磁素子（２）の両端の端子ｔ１及びｔ２
間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子ｔ１及びｔ２
間の電圧変化として検出することができる。

第８図の例では信号磁界Ｈｓに対して略々直交する方向
に磁化容易軸Ａｅを有する磁性層について述べたが、磁
性層の主面内に磁気異方性を有しない等方的磁性層を用
いても同様である。この場合には、比較的小さなセンス
電流を流せば、磁化方向がセンス電流と直交し、つまり
信号磁界の方向と直交するため、バルクハウゼン雑音は
発生しない。

上述したように、既提案のＭＲ型磁気ヘッドにおいては
、ＭＲ感磁素子（２）を、磁性層（４）及び（５）が非
磁性中間層（３）の介在によっ°ζ、静磁的結合状態に
あるように、つまり、クーロンの法則に従う相互作用に
よる結合が充分強い状態にある積層構造とされ、しかも
信号磁界Ｈ３とセンス電流Ｉの方向を同方向としたこと
によってバルクハウゼンノイズが確実に排除される。

ところで、前述のように、ＭＲ感磁素子（２）の抵抗値
の変化はｃｏｓ’　θに比例するため、これに基く信号
出力には２次高調波歪が付随する。また、抵抗値の変化
分が高々５％程度と小さいものであるのに対して、抵抗
値の温度係数が１度当り約０．３％程度と大きいため、
温度ドリフトが太きい。

更に、動作時に磁気記録媒体と摺接する場合は、ヘッド
の温度が不規則に変化し、所謂、摺りＪノイズが発生ず
る。

直流バイアス磁界を用いるＭＲヘッドの、上述のような
問題点を解消するために、本出願人は、特開昭６１−５
４００５号（特願昭５９−１７６４７６号）において、
交流バイアス磁界を用いる「磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置」を既に提案している。

本出願人による上述の交流型ＭＲヘッド装置は、比較的
大４１幅の両極性矩形波バイアス磁界と、この矩形波に
同期させた極性反転出力とを用いることにより、単一の
ＭＲ感磁素子を有しながら、等価的に差動型ＭＲヘッド
を構成するものである。

これにより、特性曲線の非直線性が改善されて、歪のな
い再生信号が得られる。

また、前述の温度ドリフトや摺動ノイズはこの等価的差
動ＭＲヘッドに対して同相となるため、その影習は充分
に抑圧される。

更に矩形波による変調増幅となるため、直流を含む超低
周波磁界の検出が口Ｊ能であると共に、矩形波の周波数
が妬く選定されるため、増幅器の入力インピーダンスが
低い場合でも、結合コンデンサの容量を小さく選定する
ことができる。

ところで、既提案のＭＲヘッドでは、通常、第９図に示
すように、１対の端子（２ｃ）及び（２ｄ）に、それぞ
れ信号導出線（リード）（２ｃｃ）及び（２ｄｄ　）を
介して、積ＭＭＲ感磁素子（２）が「コ」字状に接続さ
れ、他の１対の端子（１０ａ）及び（１０ｂ）にＭＲ感
磁素子（２）及びリード（２ｄｄ　）を跨いでバイアス
導線（１０）が同じく「コ」字状に接続される。ＭＲ感
磁素子（２）からのリード（２ｃｃ）。

（２ｄｄ）の抵抗を小さくするために、通常、端子（２
ｃ）及び（２ｄ）はバイアス導線（１０）のための端子
（１０ａ）及び（１０ｂ）の内側に配される。

そして、第１０図に示すように、バイアス電流源（２２
）及び増幅器（２４）がＭＲヘッドの各端子と、例えば
フレキシブル印刷配線板のような多条平行リード（図示
せず）を介して接続される。なお、第１０図では、Ｍ　
Ｆ２感磁素子（２）にセンス電流ＩＭＲを流ずための定
亀流椋や結合コンデンサの図ポは省略されている。

ところが、ＭＲヘッドの各端子が第９図のように配設さ
れている場合、ＭＲ感磁素子（２）から、端子（２ｃ）
及び（２ｄ）を経て、増幅器（２４）に至る出力信号経
路と、バイアス電流源（２２）から、端子（１０ａ）及
び（ｆｏｂ）を経て、バイアス導線（１０）に至る電流
供給経路とは、かなりの長さとなる多条平行リードの区
間で電磁的に結合している。

また、ＭＲヘッド内では、端子（１０ａ）から、バイア
ス導線（１０）を経て、端子（１０ｂ）に流れるバイア
ス電流ｉＢによっ“ζ発生ずる磁束が、積層ＭＲ感磁素
子（２）と両リード（２ｃｃ　）及び（２ｄｄ　）によ
って形成される信号導出ループに鎖交する。

加えて、ＭＲ感磁索子（２）は、後述のように、磁性基
板（１）（第２図参照）にきわめて近接しており、バイ
アス導線（１０）はＭＲ感磁素子（２）と電磁的にかな
り密に結合している。

等価的には、ＭＲヘッドのこの結合状態は、第１０図に
ボすように変成器Ｔ１として表わされる。

即ち、変成器Ｔ１の１次巻線（１０／）及び２次巻線（
２Ｅ）は、バイアス導線（１０）及びＭＲ感磁素子（２
）をそれぞれ示す。なお、抵抗器（１０ｒ）及び（２ｒ
）はそれぞれバイアス導線（１０）及びＭＲ感磁素子（
２）の抵抗器である。

このような電磁結合により、信号出力経路にバイアス電
流の周波数の不要交流成分が誘起される。

バイアス電流１８の周波数は、記録信号のｈｋ、高周波
数の例えば３倍以上のように、かなり冊く選定されるた
め、信号出力経路に誘起される不要交流成分のレベルは
かなり大きくなり、増幅器（２４）を飽和させる虞があ
った。

また、この不要交流成分は、前述の同期化出力信号に著
しいオフセット電圧を発生させてダイナミックレンジを
縮小させるという問題があった。

か＼る点に鑑み、本発明の目的は、ｆｄ号出力経路とバ
イアス電流供給経路との間の不要な電磁結合を相殺した
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するとごろにある。

Ｅ　問題点を解決するための手段 本発明は、磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１及び
第２の信号導出線が接続されると共に、感磁素子の他端
に第３の信号導出線が接続され、第１及び第２の信号導
出線は第３の信号導出線を中心に略対称に配設され、第
１及び第３の信号導出線により第１のループが形成され
ると共に、第２及び第３の信号導出線により第２のルー
プが形成され、感磁素子にバイアス磁界を与えるための
交流バイアス電流が流れるバイアス導線により形成され
るバイアスループと第１及び第２のループとがそれぞれ
重なる面積が互いに等しくなるようにした磁気抵抗効果
型磁気ヘッドである。

Ｆ　作用 か＼る構成によれば、信号出力経路とバイアス導線との
電磁結合が相殺されて、信号導出線からの不要交流成分
の導出が防止される。

Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例 以下、第１図〜第３図を参照しながら、本発明による磁
気抵抗効果型磁気ヘッドをシールド型磁気ヘッドに適用
した一実施例について説明する。

本発明の一実施例の機械的構成を第１図及び第２図に示
す。この両図において、第９図に対応する部分には同一
の符号を付して一部説明を省略する。

第１図において、ＭＲ感磁素子（２）の一端（２ａ）に
１対のリード（２ａａｒ　）及び（２ａａ２）が接続さ
れると共に、他端（２ｂ）に第３のリード（２ｃｃ）が
接続される。１対のリード（２ａａ１）及び（２ａａ２
）は、ＭＲ感磁素子（２）及びリード（２ｃｃ）を中心
として略対称に配設され、端子（２Ｃ）の近傍で第３の
リード（２ｃｃ）を跨いで、「口」字状に連結されて端
子（２ｄ）に接続される。バイアス導線（１０）の１対
の端子（１０ａ）及び（１０ｂ）が互いに隣接して配設
され、一方のリード部（１０ｂｂ）が、バイアス導線（
１０）と略１’　Ｕ　Ｊ字状をなすように折曲げられて
、端子（１０ｂ）に接続される。

バイアス導線（１０）がＭＲ感磁素子（２）並びに１対
のリード（２ａａｔ　）及び（２ａａ２）を跨ぐと共に
、バイアス導線（１０）のリード部（１０ｂｂ）がリー
ド（２ａａｘ　）　、　　（２ａａ２）及び（２ｃｃ）
を跨いで配設される。なお、信号導出用の端子（２Ｃ）
及び（２ｄ）はバイアス導線（１０）のための端子（１
０ａ）及び（ｆｏｂ）の外側に配設される。

第１図の実施例の■−■線における断面を第２図に示す
。

第２図において、：１ｌ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライト等の磁性基板（１）の上に、この基板（
１）が導電性を有する場合は、５ｉ（ｈ等の非磁性絶縁
層を形成し、これの上にＭＲ感磁素子（２）を、磁気記
録媒体との対接ないしは対向面（６）に一端が臨むよう
に形成する。ＭＲ感ＴＩ！ＩＩ素子（２）の他端に非磁
性の導電層（２ｃｃ）を接続し、この導電層（２ｃｃ）
の上に、絶縁層を介して、導電層（２ａａ）を形成する
。この導電層＜２ａａ）は、絶縁層に適宜設けられた窓
を通して、ＭＲ感磁素子（２）の一端（２ａ）に接続さ
れる。

また、導電層（２ａａ　）を横切ってこれらの上には、
絶縁層を介してバイアス導電層（１０）及び（１０ｂｂ
）を設け、更に絶縁層を介して、磁性板（１２）を設け
る。

ＭＲ素子（２）は、その磁性層（４）及び（５）のうち
の少くとも一部のＭＲ効果のある磁性層を、例えばＦｅ
＋Ｃｏ＋Ｎｉのいずれか或いはその２棟以上の合金層に
よって構成し得る。また、磁性層（４）または（５）の
いずれか一方をＭＲ効果のない磁性層によって構成する
場合は、高透磁率の例えばセンダスト、Ｍｏパーマロイ
、Ｃｏ系アモルファス合金膜等によって構成し得る。ま
た非磁性中間層（３）としては、ＳｉＯ２＋＾Ｉ２０ｇ
　＋　Ｔｉ　、　Ｍｏ等の非磁性膜によって構成し得る
ものであり、各層！３＞、（４１及び（５）は、夫々ス
パッタリング等によって形成し得る。このようにして、
例えば３００人厚ＯＨｉＦｅ合金磁性層を４０人の５ｔ
Ｏ２を介して積層した４μ×４μのＭＲ感磁素子が得ら
れる。

上述の構成により、第１図の実施例においては、ＭＲ感
磁素子（２）からの出力信号経路のうち、ヘッドと増幅
器（２４）とを接続する多条平行リード（図示せず）の
区間ではバイアス電流ｉＢによる磁束が鎖交せず、この
区間の電磁結合は実質的に零となる。

また、第１図の実施例においては、１対のＩＪ−ド（２
ａａ１）及び（２ａａ２）がそれぞれＭＲ感磁素子（２
）及び第３のリード（２ｃｃ）と形成する第１及び第２
の信号導出ループは、磁性基板（１）及び磁性板（１２
）の間にあって、バイアス導線（１０）及びそのリード
部（１０ｂｂ）が形成するバイ”７スループとかなり密
に電磁結合している。そして、バイアス電流１Ｂと、Ｍ
Ｒ感磁素子（２）から流れ出る検出電流ＩＭＲとの関係
が、第１のリード（２ａａｔ　）の部分のＩＭＲＩでは
互に逆方向であるに対し、第２のリード（２ａａ２）の
部分の１ＭＲ２では同一方向となっている。即ち、両信
号導出ループとバイアスループとの電磁結合は互に逆極
性となっている。

前述のように、１対のリード（２ａａ１）及び（２ａａ
２）は、第３のリード（２ｃｃ）を中心に略対称に配設
されているので、両信号導出ループがそれぞれバイアス
ループと重なる面積は互に等しくなり、両信号ループと
バイアスループとの結合度もまた互に等しくなる。

この両信号導出ループとバイアスループとの結合状態は
、第３図に示すように、等測的に２個の変成器Ｔ１及び
Ｔ２として表わされる。そして、上述のように、第１及
び第２のにを号導出ループの電磁結合が互に逆極性であ
るため、例えば、第１及び第２の変成器Ｔ１及びＴ２の
各１次巻線（１０ｊり及び（１０ｍ　）が同極性で直列
に接続されるに対して、各２次巻線（２Ｅ）及び（２ｍ
）が互に逆極性で並列に接続される。

これにより、・第３図の両変成器Ｔｌ及びＴ２の各２次
巻線（２Ｉり及び（２ｍ）に誘起されるバイアス交流成
分のレベルが等しくなり、相殺されて、端子（２Ｃ）及
び（２ｄ）間にバイアス交流成分が導出されることがな
く、増幅器の飽和、オフセットによるダイナミックレン
ジの縮小等の問題が解消される。

Ｇ２他の実施例 次に、第４図を参照しながら、本発明をヨーク型磁気ヘ
ッドに適用した他の実施例について説明する。

本発明の他の実施例の構成を第４図に示す。この第４図
において、第１図及び第９図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。

第４図において、図示を省略した磁性基板（第２図参照
）の上に、絶縁層を介して、バイアス導線（１０）が略
ｒＵＪ字状に形成され、バイアス導線（１０）の上に、
更に絶縁層を介して、積層ＭＲ感磁素子（２）が形成さ
れる。

そして、このＭＲ感磁素子（２）を扶んで、その前方及
び後方、すなわち記録媒体との対向ないしは対接面側と
これとは反対側との両端部に前方磁性層（８）と後方磁
性層（９）とが配置される。これら磁性Ｊｉｆ　（８１
及び（９）は例えば電気伝導性を有し、かつＭＲ効果が
殆どなく、磁気異方性をセンス電流と直角方向に有する
金属磁性Ｉ−によって構成される。前方磁性層（８）は
、その一端が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨
み、この面から後退して配設されたＭＲ感磁素子（２）
に信号磁束を導く、所謂、ヨークである。また、後方磁
性ＩＷ　（９１は、絶縁層に通針穿設された窓を通して
、磁性基板（図示を省略）に密に結合される。

本実施例においては、１対のリード（２ａａ【）及び（
２ａａ２）が前方磁性層（８）に接続されると共に、第
３のリード（２ｃｃ）が後方磁性層（９）に接続される
。

か＼る構成により、本実施例においても、前述の一実施
例と間様に、バイアスループと両信号導出ループとの電
磁結合が相殺されて、（バ号出力経路への不要交流成分
の導出が防止される。

Ｈ発明の効果 以上詳述のように、本発明によれば、バイアス導線と磁
気抵抗効果型の感磁素子の信号導出線との間の電磁結合
に対して、感磁素子の一端に１対の信号導出線を接続し
、この１対の信号導出線と感磁素子の他端に接続された
信号導出線とによって感磁素子に略対称に形成される１
対のループがバイアス導線により形成されるループとそ
れぞれ甫なる面積を互に等しくするようにしたので、バ
イアス系と信号系との間の電磁結合が相殺され”ζ、不
要交流成分の導出が防止された磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の機械的構成を示す路線平面図及び断面
図、第３図は本発明の一実施例の等価回路を示す結線図
、第４図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第５図〜
第７図は本発明を説明するだめの斜視図及び平面図、第
８図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作状態を
説明するための概念図、第９図は既提案の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの機械的構成例を示す路線平面図、第１０
図は既提案の磁気抵抗効果型磁気へ・ノドの等価回路を
示す結線図である。 （２）は磁気抵抗効果型感磁素子、（２ａａ１）　。 （２ａａ２）　、　　（２ｃｃ　）は信号導出線、（１
０）はノマイアス導線である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１及び第２の信号
   導出線が接続されると共に、上記感磁素子の他端に第３
   の信号導出線が接続され、 上記第１及び第２の信号導出線は上記第３の信号導出線
   を中心に略対称に配設され、 上記第１及び第３の信号導出線により第１のループが形
   成されると共に、上記第２及び第３の信号導出線により
   第２のループが形成され、 上記感磁素子にバイアス磁界を与えるための交流バイア
   ス電流が流れるバイアス導線により形成されるバイアス
   ループと上記第１及び第２のループとがそれぞれ重なる
   面積が互いに等しくなるようにしたことを特徴とする磁
   気抵抗効果型磁気ヘッド。