JPS63258028A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPS63258028A JPS63258028A JP9365587A JP9365587A JPS63258028A JP S63258028 A JPS63258028 A JP S63258028A JP 9365587 A JP9365587 A JP 9365587A JP 9365587 A JP9365587 A JP 9365587A JP S63258028 A JPS63258028 A JP S63258028A
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- JP
- Japan
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- resin
- island
- cut
- pin
- semiconductor chip
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造方法に係り、特に半導体
集積回路を樹脂封入する製造方法に関する。
集積回路を樹脂封入する製造方法に関する。
従来・、半導体集積回路(以下ICと記す)を樹脂封入
する工程においては、樹脂が所望の大きさになるまで、
一度に封入を行ない、その後半導体チップをマウントす
る為のアイランドを支えている金属パターン(以下用り
ピンと記す)を切断していた。
する工程においては、樹脂が所望の大きさになるまで、
一度に封入を行ない、その後半導体チップをマウントす
る為のアイランドを支えている金属パターン(以下用り
ピンと記す)を切断していた。
前述した従来の樹脂封入方法は、封入後に吊りピンを切
断している為、切断時の衝撃により、樹脂と帛りピンと
の界面に小さなりラック等が入り、この部分が水分の侵
入ルートとなり、ICの長期信頼性を低下させる原因と
なっていた。
断している為、切断時の衝撃により、樹脂と帛りピンと
の界面に小さなりラック等が入り、この部分が水分の侵
入ルートとなり、ICの長期信頼性を低下させる原因と
なっていた。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、高い信頼性を確
保できるようにした半導体集積回路の製造方法を提供す
ることにある。
保できるようにした半導体集積回路の製造方法を提供す
ることにある。
本発明の半導体集積回路の製造方法の構成は、アイラン
ドと、これを支える吊りピンと、リードとを備えたリー
ドフレームの前記アイランドに半導体チップを固着する
工程と、前記半導体チップ’eatうように樹脂を封入
する第1の封入工程と、次に前記吊りピンを切断する工
程と、さらに所望の大きさまで樹脂を封入する第2の封
入工程とを備えていることを特徴とする。
ドと、これを支える吊りピンと、リードとを備えたリー
ドフレームの前記アイランドに半導体チップを固着する
工程と、前記半導体チップ’eatうように樹脂を封入
する第1の封入工程と、次に前記吊りピンを切断する工
程と、さらに所望の大きさまで樹脂を封入する第2の封
入工程とを備えていることを特徴とする。
次に本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第1図乃至第4図は本発明の第1の実施例の半導体集積
回路の製造方法を工程順に示す平面図である。
回路の製造方法を工程順に示す平面図である。
第1図において、半導体チップを固着するアイランド2
と、このアイランド2t−支える一対の吊りピン5と、
リード4とを備えたリードフレーム1が用意される。
と、このアイランド2t−支える一対の吊りピン5と、
リード4とを備えたリードフレーム1が用意される。
半導体チップを樹脂封入するには、アイランド2に半導
体チップ(図示せず)を接着し、この半導体チップのパ
ッド部分と、リードフレーム1のリード4とを金線等(
図示せず)で結線し、その後第2図に示すようにその上
に樹脂を流し込む。
体チップ(図示せず)を接着し、この半導体チップのパ
ッド部分と、リードフレーム1のリード4とを金線等(
図示せず)で結線し、その後第2図に示すようにその上
に樹脂を流し込む。
@2図では、半導体チップ周辺、即ちアイランド20周
辺のみを樹脂3で封入した状態が示されている。この状
態では、アイランド2け樹脂3によって保持されている
為、帛りピン5を切断する事か出来る。
辺のみを樹脂3で封入した状態が示されている。この状
態では、アイランド2け樹脂3によって保持されている
為、帛りピン5を切断する事か出来る。
第3図では、実際にこの吊りピン5を切断した状態であ
る。この後に、この樹脂3の上にさらに樹脂封入を行な
えば、吊りピン切断時に発生した吊りピンと樹脂との間
の小さなりラック1f!:榎う事か出来る。
る。この後に、この樹脂3の上にさらに樹脂封入を行な
えば、吊りピン切断時に発生した吊りピンと樹脂との間
の小さなりラック1f!:榎う事か出来る。
第4図では、その様に樹脂3′でさらに封入を行ない、
リードフレーム外周の金属パターンを切断してリード4
tl−残し、最終製品に近い形状まで成形【7たもので
ある。
リードフレーム外周の金属パターンを切断してリード4
tl−残し、最終製品に近い形状まで成形【7たもので
ある。
第5図乃至第8図は本発明の第2の実施例の半導体集積
回路を工程順に示す平面図である。まず第5図において
、本実施例のリードフレーム1は、アイランドの対角線
方向に、二対の吊りピン5が伸びており、リード41d
となり同士が互いに連結され、さらにフレーム本で一体
化されている。第6図に示すように、第1回目の封入と
して、第1の樹脂3で〜われる。次に第7図に示すよう
に、二対の吊りピン5を切断する。さらに第8図に示す
ように、所定の寸法となるように樹脂を封入し、第2の
樹脂3′を形成し、フレーム本体と連結部分とが除去さ
れる。
回路を工程順に示す平面図である。まず第5図において
、本実施例のリードフレーム1は、アイランドの対角線
方向に、二対の吊りピン5が伸びており、リード41d
となり同士が互いに連結され、さらにフレーム本で一体
化されている。第6図に示すように、第1回目の封入と
して、第1の樹脂3で〜われる。次に第7図に示すよう
に、二対の吊りピン5を切断する。さらに第8図に示す
ように、所定の寸法となるように樹脂を封入し、第2の
樹脂3′を形成し、フレーム本体と連結部分とが除去さ
れる。
本実施例においても全く同様に、吊りピンの切断時に発
生する小さな樹脂クラックを機う事が出来る。
生する小さな樹脂クラックを機う事が出来る。
以上説明したように、本発明は、帛りピン切断時に発生
する小さな樹脂クラックを覆う事が出来、長期信頼性の
高いICを製造する事が可能となる効果がある。
する小さな樹脂クラックを覆う事が出来、長期信頼性の
高いICを製造する事が可能となる効果がある。
第1図乃至第4図は本発明の第1の実施例の半導体集積
回路の製造方法を工程順に示す平面図、第5図乃至第8
図は本発明の第2の実施例の半導体集積回路の製造方法
を工程順に示す平面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・−・・アイラ
ンド、3゜3′・・・・・・樹M’fl、4・・・−=
リード、5・・・・・・帛りピン。
回路の製造方法を工程順に示す平面図、第5図乃至第8
図は本発明の第2の実施例の半導体集積回路の製造方法
を工程順に示す平面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・−・・アイラ
ンド、3゜3′・・・・・・樹M’fl、4・・・−=
リード、5・・・・・・帛りピン。
Claims (1)
- アイランドと、このアイランドを支える吊りピンと、
リードとを備えたリードフレームの前記アイランドに半
導体チップを固着する工程と、前記半導体チップを覆う
ように樹脂を封入する第1の封入工程と、次に前記吊り
ピンを切断する工程と、さらに所望の大きさまで樹脂を
封入する第2の封入工程とを備えていることを特徴とす
る半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9365587A JPS63258028A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9365587A JPS63258028A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63258028A true JPS63258028A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14088398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9365587A Pending JPS63258028A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63258028A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188946A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9365587A patent/JPS63258028A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188946A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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