JPS63255363A - 薄膜の製作方法 - Google Patents
薄膜の製作方法Info
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- JPS63255363A JPS63255363A JP8689487A JP8689487A JPS63255363A JP S63255363 A JPS63255363 A JP S63255363A JP 8689487 A JP8689487 A JP 8689487A JP 8689487 A JP8689487 A JP 8689487A JP S63255363 A JPS63255363 A JP S63255363A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000005840 alpha-Galactosidase Human genes 0.000 description 1
- 108010030291 alpha-Galactosidase Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940033685 beano Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 nitrogen ion Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は＃＃の製作方法に係り、特に、イオン注入と蒸
着を併用して複雑な形状の工具や金型の表面に強固な薄
膜を作るのに好適な薄膜の製作方法に関する。
着を併用して複雑な形状の工具や金型の表面に強固な薄
膜を作るのに好適な薄膜の製作方法に関する。
イオン注入と蒸着を同時に併用した薄膜の製作方法とし
て、従来は、例えば、ニュークリアインストルメンツア
ンドメソッズインフィビックスリサーチＢ６（１９８５
年）第１１１頁がら第１１５頁（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎ
ｓｔｒｕｗ＋ｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈａｄｓ １ｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｂ６ （１９８５
）ｐｐＨｌ−１１５）において論じられている。
て、従来は、例えば、ニュークリアインストルメンツア
ンドメソッズインフィビックスリサーチＢ６（１９８５
年）第１１１頁がら第１１５頁（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎ
ｓｔｒｕｗ＋ｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈａｄｓ １ｎ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｂ６ （１９８５
）ｐｐＨｌ−１１５）において論じられている。
上記従来技術は、複雑な形状の工具や金型の処理につい
ては、配慮がされておらず、何度も、処理する等の問題
があった。
ては、配慮がされておらず、何度も、処理する等の問題
があった。
本発明の目的は、複雑な形状の工具や金型を一度で処理
することのできる薄膜の製作方法を提供するにある。
することのできる薄膜の製作方法を提供するにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、粒子源からの粒子の流れと注入イオンの流
れが、はぼ直交するように配置し、粒子とイオンが同時
照射される面と間欠照射される面に注目し、間ケラ照射
面の薄膜の高性能化を計ることにより達成される。即ち
、イオン源のイオンビームと粒子源の粒子の同時照射を
行う面と、この同時照射を行う面に隣接する面に同時に
必要な薄膜を形成するために回転軸が半回転する時間を
ｔ、単位時間あたりの膜成長速度をａ、イオンビームが
被薄膜形成物表面での平均的な侵入深さをＲｐ とする
とき、ｔｓＲｐ／ａとなるように回転軸の回転速度を設
定したものである。
れが、はぼ直交するように配置し、粒子とイオンが同時
照射される面と間欠照射される面に注目し、間ケラ照射
面の薄膜の高性能化を計ることにより達成される。即ち
、イオン源のイオンビームと粒子源の粒子の同時照射を
行う面と、この同時照射を行う面に隣接する面に同時に
必要な薄膜を形成するために回転軸が半回転する時間を
ｔ、単位時間あたりの膜成長速度をａ、イオンビームが
被薄膜形成物表面での平均的な侵入深さをＲｐ とする
とき、ｔｓＲｐ／ａとなるように回転軸の回転速度を設
定したものである。
第２図により説明する。第２図において、イオンビーム
と粒子の飛ぶ方向が、はぼ直交するようにイオン源と粒
子源（蒸着やスパッタで金属やセラミック等の薄膜を作
る電子ビーム蒸着装置やイオンビームスパッタ装置等を
意味する）を配置する。被薄膜形成物前面にあたるＡ面
は、イオンビームと粒子が同時に照射される。隣接する
Ｂ、Ｃ。
と粒子の飛ぶ方向が、はぼ直交するようにイオン源と粒
子源（蒸着やスパッタで金属やセラミック等の薄膜を作
る電子ビーム蒸着装置やイオンビームスパッタ装置等を
意味する）を配置する。被薄膜形成物前面にあたるＡ面
は、イオンビームと粒子が同時に照射される。隣接する
Ｂ、Ｃ。
Ｄ、Ｅの各面は、間欠的に照射される。例えば。
第２図では、８面がイオンビームの照射のみであるのに
対し、Ｄ面は粒子源からの粒子の照射のみである。した
がって、Ｄ面の粒子の膜厚が厚くなりすぎると、イオン
ビームが表面から侵入する深さにイオンビームのエネル
ギーで決まる限界があり、厚い膜では、イオン注入の効
果のない膜の部分が生じる。これを防ぐには、回転数を
早くして、充分薄い膜の段階でイオンビーノーで照射で
きるようにする。粒子源の粒子によるＤ面の膜厚成長速
度を単位時間あたりａとし、半回転する時間をｔとする
と、Ｄ面が第・２図の状態から半回転して、イオンビー
ムの照射をうけるようになると、イオンビームのその膜
での平均的な飛程Ｒｐ程度侵入被薄膜形成物の回転速度
を速くすることで、良好な膜質の薄膜を、Ａ面と同時に
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各面に°つけることができる。
対し、Ｄ面は粒子源からの粒子の照射のみである。した
がって、Ｄ面の粒子の膜厚が厚くなりすぎると、イオン
ビームが表面から侵入する深さにイオンビームのエネル
ギーで決まる限界があり、厚い膜では、イオン注入の効
果のない膜の部分が生じる。これを防ぐには、回転数を
早くして、充分薄い膜の段階でイオンビーノーで照射で
きるようにする。粒子源の粒子によるＤ面の膜厚成長速
度を単位時間あたりａとし、半回転する時間をｔとする
と、Ｄ面が第・２図の状態から半回転して、イオンビー
ムの照射をうけるようになると、イオンビームのその膜
での平均的な飛程Ｒｐ程度侵入被薄膜形成物の回転速度
を速くすることで、良好な膜質の薄膜を、Ａ面と同時に
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各面に°つけることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。被薄
膜形成物１は、円筒のピンで、イオンビーム２は、２０
ｋＶで加速した窒素イオンビーム、粒子源３は電子ビー
ム蒸着装置であり、チタンの蒸発により、チタン粒子を
、被薄膜形成物１の表面に供給している。第１図に示す
ように、被薄膜形成物１の前面を含み、回転軸に直交す
る平面と回転軸を含む平面の２つの平面で４つの空間に
分けた時、被薄膜形成物１の前面を直視する２つの異な
る空間のされぞれにイオン源と粒子源を配置している。
膜形成物１は、円筒のピンで、イオンビーム２は、２０
ｋＶで加速した窒素イオンビーム、粒子源３は電子ビー
ム蒸着装置であり、チタンの蒸発により、チタン粒子を
、被薄膜形成物１の表面に供給している。第１図に示す
ように、被薄膜形成物１の前面を含み、回転軸に直交す
る平面と回転軸を含む平面の２つの平面で４つの空間に
分けた時、被薄膜形成物１の前面を直視する２つの異な
る空間のされぞれにイオン源と粒子源を配置している。
被薄膜形成物１を回転軸で回転させる時、チタンの蒸着
速度を、粒子源３からの粒子の方向に対して、４５度傾
いた平面での蒸着速度を６人／秒に設定した。２０ｋｅ
Ｖの窒素イオンは侵入深さ１４０人程度あるため、１４
０Ｘ２÷６二４７秒で一回転する回転速度以上で、回転
させた円筒のピン１は、窒化チタンの連続膜ができてい
るため、溶融アルミに対して、未処理ピンの６倍以上の
耐食性があった４回転速度をこれより遅くした試料は、
上記より徐々に性能が劣化し、例えば、回転速度を上記
の１７４にしたピンの耐食性は、上記処理ピンの１７３
に低下した。
速度を、粒子源３からの粒子の方向に対して、４５度傾
いた平面での蒸着速度を６人／秒に設定した。２０ｋｅ
Ｖの窒素イオンは侵入深さ１４０人程度あるため、１４
０Ｘ２÷６二４７秒で一回転する回転速度以上で、回転
させた円筒のピン１は、窒化チタンの連続膜ができてい
るため、溶融アルミに対して、未処理ピンの６倍以上の
耐食性があった４回転速度をこれより遅くした試料は、
上記より徐々に性能が劣化し、例えば、回転速度を上記
の１７４にしたピンの耐食性は、上記処理ピンの１７３
に低下した。
以上説明した本発明によれば、同時照射面とその隣接面
を一度に処理できるので、複雑な工具や第１図は本発明
の一実施例の断面構成図、第２図は本発明の詳細な説明
する説明図である。
を一度に処理できるので、複雑な工具や第１図は本発明
の一実施例の断面構成図、第２図は本発明の詳細な説明
する説明図である。
Claims (1)
- １、被薄膜形成物を回転させる回転軸を含む平面と、被
薄膜形成物前面を含み前記回転軸を含む平面に直交する
平面の２つの平面で分割された４つの空間のうち、被薄
膜形成前面を直視する２つの異なる空間のそれぞれにイ
オン源と粒子源を設け、前記イオン源のイオンビームと
前記粒子源の粒子の同時照射を行う面と、前記同時照射
を行う面に隣接する面に同時に必要な薄膜を形成する為
に、回転軸が半回転する時間をｔ、単位時間あたりの膜
成長速度をａ、イオンビームが被薄膜形成物表面での平
均的な侵入深さ（平均的な飛程）をＲｐとする時、ｔ≦
Ｒｐ／ａとなるように、回転軸の回転速度を設定したこ
とを特徴とする薄膜の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8689487A JPH0781180B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 薄膜の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8689487A JPH0781180B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 薄膜の製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255363A true JPS63255363A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH0781180B2 JPH0781180B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=13899543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8689487A Expired - Lifetime JPH0781180B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 薄膜の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781180B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156070A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷間鍛造用金型およびその製法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8689487A patent/JPH0781180B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156070A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷間鍛造用金型およびその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0781180B2 (ja) | 1995-08-30 |
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