JPS63254649A - 走査電子顕微鏡による観察装置 - Google Patents
走査電子顕微鏡による観察装置Info
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- JPS63254649A JPS63254649A JP8914987A JP8914987A JPS63254649A JP S63254649 A JPS63254649 A JP S63254649A JP 8914987 A JP8914987 A JP 8914987A JP 8914987 A JP8914987 A JP 8914987A JP S63254649 A JPS63254649 A JP S63254649A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、走査電子顕微鏡等の焦点合わせ方法及び装置
に関するものである。
に関するものである。
走査電子顕微鏡及びその類似装置においては、試料像の
焦点合わせは集束レンズの励磁を調整し試料面上におけ
る照射電子線のビーム径が最小となることを確認して行
われるが、このような調整操作は表示手段に表示される
試料像のＢ察に基づいて行っていたため操作に長い時間
を要し、又正確な！！１５Ｊ整が困雛であった。
焦点合わせは集束レンズの励磁を調整し試料面上におけ
る照射電子線のビーム径が最小となることを確認して行
われるが、このような調整操作は表示手段に表示される
試料像のＢ察に基づいて行っていたため操作に長い時間
を要し、又正確な！！１５Ｊ整が困雛であった。
そのため、例えば、特公昭５９−１７４９６号公報には
、集束レンズの強度を変化させ、各強度における映像信
号の立上りの度合を検出して行なう方法が開示されてい
る。すなわち、この方法は集束レンズ強度を一定の変化
幅で段階的に増加又は減少させ、変換信号の増加傾向が
逆転する毎に集束レンズ系に与えるレンズ強度の段階的
変化の極性を反転させると共に変化幅を減少させ、変換
信号の増加傾向の逆転が数回行なわれた後、最後に変換
信号の増加傾向が逆転した時又はその直前におけるレン
ズ強度を正焦点として保持する焦点合わせ方法で、これ
によって、試料像観察によらず直接に像信号から焦点合
わせに関する信号を検出して自動的に集束レンズの励磁
を最適状態に設定するものである。
、集束レンズの強度を変化させ、各強度における映像信
号の立上りの度合を検出して行なう方法が開示されてい
る。すなわち、この方法は集束レンズ強度を一定の変化
幅で段階的に増加又は減少させ、変換信号の増加傾向が
逆転する毎に集束レンズ系に与えるレンズ強度の段階的
変化の極性を反転させると共に変化幅を減少させ、変換
信号の増加傾向の逆転が数回行なわれた後、最後に変換
信号の増加傾向が逆転した時又はその直前におけるレン
ズ強度を正焦点として保持する焦点合わせ方法で、これ
によって、試料像観察によらず直接に像信号から焦点合
わせに関する信号を検出して自動的に集束レンズの励磁
を最適状態に設定するものである。
しかし、走査電子顕微鏡の映像信号はＳ／、Ｎが低く、
信号の立上りを正しく検出することが難しいため、前述
の焦点合わせ方法のように集束レンズ強度を幾通りにも
変化させる必要がある場合には焦点合わせに要する時間
が長くなり、短時間の焦点合わせには不向である。
信号の立上りを正しく検出することが難しいため、前述
の焦点合わせ方法のように集束レンズ強度を幾通りにも
変化させる必要がある場合には焦点合わせに要する時間
が長くなり、短時間の焦点合わせには不向である。
本発明は、走査電子顕微鏡等の焦点合わせを、高速度、
高精度に実施可能とすることを目的とするものである。
高精度に実施可能とすることを目的とするものである。
前述の問題点を解決するためにとられた本発明の摺電は
、走査電子顕微鏡等の焦点合わせ方法においては、電子
線源で生成され試料に照射される電子線のビームスポッ
ト径を焦光レンズにより試料面上で最小とする走査電子
顕微鏡の焦点合わせ方法において、前記試料に表面と所
定の角度をなす斜め方向から光束を照射し該試料面上に
光束像を形成し、前記試料表面と所定の角度をなす方向
から前記光束像を検出して、前記試料の標準位置からの
上下の移動量を前記試料表面への前記光束像の移動に変
換して、該光束像の移動量を検出し、検出された前記光
束像の移動量に基づいて、前記集光レンズの集束電流を
制御することを特徴とするものであり、走査電子顕微鏡
等の焦合わせ装置においては、電子線源で生成され試料
に照射される電子線のビームスポット径を集光レンズに
より試料面上で最小とする走査電子顕微鏡の焦点合わせ
装置において、レーザ光源から発生するレーザ光を平行
光束とし該平行光束を前記試料面に斜め方向から指向さ
せる入射光学系と、前記試料面よりの光束の方向を変え
シリンドリカルレンズにより圧縮し、リニアセンサに入
射させる検出光学系と、前記リニアセンサの検出値から
前記試料の標準位置からの上下の移動量を検出する高さ
検出回路と、前記集束レンズを該高さ検出回路の検出結
果により制御する制御回路とを有していることを特徴と
するものである。
、走査電子顕微鏡等の焦点合わせ方法においては、電子
線源で生成され試料に照射される電子線のビームスポッ
ト径を焦光レンズにより試料面上で最小とする走査電子
顕微鏡の焦点合わせ方法において、前記試料に表面と所
定の角度をなす斜め方向から光束を照射し該試料面上に
光束像を形成し、前記試料表面と所定の角度をなす方向
から前記光束像を検出して、前記試料の標準位置からの
上下の移動量を前記試料表面への前記光束像の移動に変
換して、該光束像の移動量を検出し、検出された前記光
束像の移動量に基づいて、前記集光レンズの集束電流を
制御することを特徴とするものであり、走査電子顕微鏡
等の焦合わせ装置においては、電子線源で生成され試料
に照射される電子線のビームスポット径を集光レンズに
より試料面上で最小とする走査電子顕微鏡の焦点合わせ
装置において、レーザ光源から発生するレーザ光を平行
光束とし該平行光束を前記試料面に斜め方向から指向さ
せる入射光学系と、前記試料面よりの光束の方向を変え
シリンドリカルレンズにより圧縮し、リニアセンサに入
射させる検出光学系と、前記リニアセンサの検出値から
前記試料の標準位置からの上下の移動量を検出する高さ
検出回路と、前記集束レンズを該高さ検出回路の検出結
果により制御する制御回路とを有していることを特徴と
するものである。
走査電子顕微鏡では電子ビームを集束レンズにより、微
小なスポットとして試料の表面に照射し、試料より発生
する２次電子等を検出することにより、試料表面の像を
得る。しかし試料の高さが変化すると、電子ビームのス
ポット径は変化し、像のぼけが発生する。従って、試料
に光スリツ１〜像を斜め方向から投影すれば、試料の高
さが変わると、試料表面上のスリット像位置は変化し、
その変化量は試料の高さの関数であるため、スリット位
置を検出すれば試料の高さを検出することができ、試料
の高さに応じ走査電子顕微鏡の集束レンズ強度を変化さ
せれば、焦点合わせが可能となる。
小なスポットとして試料の表面に照射し、試料より発生
する２次電子等を検出することにより、試料表面の像を
得る。しかし試料の高さが変化すると、電子ビームのス
ポット径は変化し、像のぼけが発生する。従って、試料
に光スリツ１〜像を斜め方向から投影すれば、試料の高
さが変わると、試料表面上のスリット像位置は変化し、
その変化量は試料の高さの関数であるため、スリット位
置を検出すれば試料の高さを検出することができ、試料
の高さに応じ走査電子顕微鏡の集束レンズ強度を変化さ
せれば、焦点合わせが可能となる。
本発明では光学的手段により試料高さを検出するため、
走査電子顕微鏡の低Ｓ／Ｎ映像信号の影響も受けない。
走査電子顕微鏡の低Ｓ／Ｎ映像信号の影響も受けない。
また、集束レンズ強度の変化は１回のみであるので高速
な焦点合わせが可能となる。
な焦点合わせが可能となる。
このような構成が可能としたのは、電子顕微鏡の電子レ
ンズの被写界深度が用いられる光学系の高さ精度より十
分に大きいためである。
ンズの被写界深度が用いられる光学系の高さ精度より十
分に大きいためである。
以下、実施例について説明する。
第１図は一実施例の構成説明図で、この図で、１は走査
電子顕微鏡の鏡筒、２は集束レンズ、３は試料ステージ
（図示せず）上に取り付けられている試料で、４は平行
光束を試料３面に指向させる入射光学系で、レーザ光源
５．ビームエキスパンダ６、スリット７、第ルンズ８．
第１反射ミラー９より構成されており、１０は検出光学
系で、第２反射ミラー１１．第２レンズ１２．シリンド
リカルレンズ１３．リニアセンサ１４より構成されてお
り、１５は高さ検出回路、１６は集光レンズ制御回路で
ある。なお、この実施例では、入射光学系４と検出光学
系１ｏとは走査電子顕微鏡の真空室中に設けられている
。
電子顕微鏡の鏡筒、２は集束レンズ、３は試料ステージ
（図示せず）上に取り付けられている試料で、４は平行
光束を試料３面に指向させる入射光学系で、レーザ光源
５．ビームエキスパンダ６、スリット７、第ルンズ８．
第１反射ミラー９より構成されており、１０は検出光学
系で、第２反射ミラー１１．第２レンズ１２．シリンド
リカルレンズ１３．リニアセンサ１４より構成されてお
り、１５は高さ検出回路、１６は集光レンズ制御回路で
ある。なお、この実施例では、入射光学系４と検出光学
系１ｏとは走査電子顕微鏡の真空室中に設けられている
。
この実施例の入射光学系は、レーザ光源５より発光した
レーザビームをビームエキスパンダ６により拡大した後
、スリット７を介し形成したスリット像を第ルンズ８を
経て、第１反射ミラー９で光路を曲げ試料３の表面に斜
め方向から投影結像するようになっており、検出光学系
１ｏは、投影結像したスリット像を第２反射ミラー１１
で光路を曲げ、第２レンズ１２を介し、シリンドリカル
レンズ１３を経て、リニアセンサ１４上に結像するよう
になっている。そこで、リニアセンサ１４の開口部が狭
いため、シリンドリカルレンズ１３により、スリット像
を圧縮しリニアセンサ１４上に結像している。リニアセ
ンサ１４上のスリット像の位置から高さ検出回路１５に
より試料３の高さが検出され、求められた試料の高さに
もとづき、集光レンズ制御回路１６により集束レンズ２
を制御して焦点合わせが行なわれる。
レーザビームをビームエキスパンダ６により拡大した後
、スリット７を介し形成したスリット像を第ルンズ８を
経て、第１反射ミラー９で光路を曲げ試料３の表面に斜
め方向から投影結像するようになっており、検出光学系
１ｏは、投影結像したスリット像を第２反射ミラー１１
で光路を曲げ、第２レンズ１２を介し、シリンドリカル
レンズ１３を経て、リニアセンサ１４上に結像するよう
になっている。そこで、リニアセンサ１４の開口部が狭
いため、シリンドリカルレンズ１３により、スリット像
を圧縮しリニアセンサ１４上に結像している。リニアセ
ンサ１４上のスリット像の位置から高さ検出回路１５に
より試料３の高さが検出され、求められた試料の高さに
もとづき、集光レンズ制御回路１６により集束レンズ２
を制御して焦点合わせが行なわれる。
次に試料の高さを検出する原理を第２図により説明する
。第２図では、スリット像が入射角αで試料３上に投影
結像されており、試料３上のスリット像を角度βで検出
している。このとき試料３の高さが２だけ異なると、検
出側でのスリット像の移動量２と２の間には ｚ＝Ｑｓｉｎｃｚ／５ｉｎ（π／２−ａ−β）
−（１）が成立する。Ｑはリニアセンサ１４上において
、検出光学系１０の倍率を乗じたものとして検出できる
ので、試料３の高さを第１図の実施例で求めることがで
きることになる。なお、一般にはα＝βとすることによ
り、リニアセンサ１４へ入射する光量を最大にする（正
反射光を検出するようにする）。
。第２図では、スリット像が入射角αで試料３上に投影
結像されており、試料３上のスリット像を角度βで検出
している。このとき試料３の高さが２だけ異なると、検
出側でのスリット像の移動量２と２の間には ｚ＝Ｑｓｉｎｃｚ／５ｉｎ（π／２−ａ−β）
−（１）が成立する。Ｑはリニアセンサ１４上において
、検出光学系１０の倍率を乗じたものとして検出できる
ので、試料３の高さを第１図の実施例で求めることがで
きることになる。なお、一般にはα＝βとすることによ
り、リニアセンサ１４へ入射する光量を最大にする（正
反射光を検出するようにする）。
第３図によりリニアセンサ１４の出力より、試料３高さ
を検出する高さ検出回路１５の具体的処理例を説明する
。スリット像はりニアセンサ１４上で明るく検出される
ので、第３図に示すような画像信号がリニアセンサ１４
では出力される。この図の横軸には画素位置Ｘ、縦軸に
は出力がとってあり、Ｖｍａｘ及びＶｔｈはそれぞれ出
力の最大値及び閾値を示し、ｘｔ 、Ｘ２は閾値Ｖ ｔ
ｈ における画素位置を示している。
を検出する高さ検出回路１５の具体的処理例を説明する
。スリット像はりニアセンサ１４上で明るく検出される
ので、第３図に示すような画像信号がリニアセンサ１４
では出力される。この図の横軸には画素位置Ｘ、縦軸に
は出力がとってあり、Ｖｍａｘ及びＶｔｈはそれぞれ出
力の最大値及び閾値を示し、ｘｔ 、Ｘ２は閾値Ｖ ｔ
ｈ における画素位置を示している。
この画像信号は試料３の材質による反射率の差異などに
より、信号レベルが変動する。よって画像信号の最大値
Ｖｍａｘを検出した後Ｖｍａｘより閾値ｖｔｈを算出し
、閾値Ｖｔｈを用い、画像信号が初めて閾値Ｖ ｔ ｈ
を越えた画素位置Ｘ１．最後に閾値Ｖｔｈを越えた画素
位置Ｘ２を求め、画素位置Ｘ工、Ｘｘの平均値Ｘをスリ
ット位置とする。一方、前もって試料３の高さとりニア
センサ１４上のスリット位置について、較正を行ってお
けば。
より、信号レベルが変動する。よって画像信号の最大値
Ｖｍａｘを検出した後Ｖｍａｘより閾値ｖｔｈを算出し
、閾値Ｖｔｈを用い、画像信号が初めて閾値Ｖ ｔ ｈ
を越えた画素位置Ｘ１．最後に閾値Ｖｔｈを越えた画素
位置Ｘ２を求め、画素位置Ｘ工、Ｘｘの平均値Ｘをスリ
ット位置とする。一方、前もって試料３の高さとりニア
センサ１４上のスリット位置について、較正を行ってお
けば。
画素位置Ｘより試料３の高さを算出することができ、試
料３高さに従い、集束レンズ２の強度を集束レンズ制御
回路１６により制御することにより、焦点合わせを行う
ことが可能となる。
料３高さに従い、集束レンズ２の強度を集束レンズ制御
回路１６により制御することにより、焦点合わせを行う
ことが可能となる。
また、走査電子顕微鏡では検出器としてホトマルを用い
ることが多いので、焦点合わせ時以外のときは試料３に
スリット光が入射しないように、例えばレーザ光源５と
ビームエキスパンダ６の光路中にシャッタなどを設け、
試料３からの散乱光がホトマルに入らないようにする必
要が生じることもある。
ることが多いので、焦点合わせ時以外のときは試料３に
スリット光が入射しないように、例えばレーザ光源５と
ビームエキスパンダ６の光路中にシャッタなどを設け、
試料３からの散乱光がホトマルに入らないようにする必
要が生じることもある。
なお、走査電子顕微鏡には試料ステージの機能の１つに
、試料と鏡筒の距離を変える機能が付いたものもある。
、試料と鏡筒の距離を変える機能が付いたものもある。
第４図及び第５図はこのような走査電子顕微鏡の焦点合
わせ装置の説明図で、第１図と同一部分には同一符号が
付してあり、１７は試料室、１８及び１９はそれぞれ入
射光学系４の保持箱及び検出光学系１０の保持箱、２０
及び２１はそれぞれ保持箱１８及び１９に設けられてい
るガラス窓、２２及び２３は軸受、２４及び２５はベロ
ーズを示し、２６及び２７はそれぞれ入射光線となす角
が可変の反射ミラーを示している。
わせ装置の説明図で、第１図と同一部分には同一符号が
付してあり、１７は試料室、１８及び１９はそれぞれ入
射光学系４の保持箱及び検出光学系１０の保持箱、２０
及び２１はそれぞれ保持箱１８及び１９に設けられてい
るガラス窓、２２及び２３は軸受、２４及び２５はベロ
ーズを示し、２６及び２７はそれぞれ入射光線となす角
が可変の反射ミラーを示している。
これらの実施例は、試料３と鏡筒１（第１図参照）との
距離に応じ、焦点合わせ用光学系を動かす機能を有して
おり、第４図の実施例では、試料ステージに連動して入
射光学系４．検出光学系１０を上下させるようになって
いる。なお、試料室１７は真空であるため、保持箱１８
及び１９には、それぞれガラス窓２０及び２１が設けら
れ、保持箱１８及び１９を上下させるとき、軸受２２゜
２３、ベローズ２４．２５を用い、試料室１７の内部の
真空を保持するようになっており、第５図の実施例では
、反射ミラー２６．２７の角度を変えることにより、ス
リット像を走査電子顕微鏡の視野に生成するようになっ
ている。
距離に応じ、焦点合わせ用光学系を動かす機能を有して
おり、第４図の実施例では、試料ステージに連動して入
射光学系４．検出光学系１０を上下させるようになって
いる。なお、試料室１７は真空であるため、保持箱１８
及び１９には、それぞれガラス窓２０及び２１が設けら
れ、保持箱１８及び１９を上下させるとき、軸受２２゜
２３、ベローズ２４．２５を用い、試料室１７の内部の
真空を保持するようになっており、第５図の実施例では
、反射ミラー２６．２７の角度を変えることにより、ス
リット像を走査電子顕微鏡の視野に生成するようになっ
ている。
また、走査電子顕微鏡では試料ステージ２８′を第６図
（ａ）に示す如く電子ビーム２９に対して傾けた位置２
８で試料（図示せず）を８６することがある。これは試
料から発生する２次電子の数が、入射電子ビームと試料
表面の角度に比例し、増加するのを利用し、検出した像
のコントラストを高めようとするものである。このよう
な場合には、第６図（ｂ）に示すように光スリットの投
影方向および検出方向を試料ステージ２８′の傾は方向
と直角になるようにすることにより、目的を達成できる
。この図の３０は光スリツト像を示している。
（ａ）に示す如く電子ビーム２９に対して傾けた位置２
８で試料（図示せず）を８６することがある。これは試
料から発生する２次電子の数が、入射電子ビームと試料
表面の角度に比例し、増加するのを利用し、検出した像
のコントラストを高めようとするものである。このよう
な場合には、第６図（ｂ）に示すように光スリットの投
影方向および検出方向を試料ステージ２８′の傾は方向
と直角になるようにすることにより、目的を達成できる
。この図の３０は光スリツト像を示している。
以上の如く、実施例によれば、走査電子顕微鏡の焦点合
わせを自動的に、高精度、高速に行うことが可能になる
。すなわち、走査電子顕微鏡はその特長の１つである高
分解能により半導体のａ察あるいは検査などに使用され
ているが、半導体ウェハの試料表面の高さのばらつきは
１０〜２０μｍあり、走査電子顕微鏡のもう１つの特長
である深い被写界深度（倍率１００００倍において数μ
ｍ）を有していても、焦点ずれが生じるのに対して、こ
の実施例によれば、焦点合わせが容易となり、操作性を
高めることことを可能とすることができる。
わせを自動的に、高精度、高速に行うことが可能になる
。すなわち、走査電子顕微鏡はその特長の１つである高
分解能により半導体のａ察あるいは検査などに使用され
ているが、半導体ウェハの試料表面の高さのばらつきは
１０〜２０μｍあり、走査電子顕微鏡のもう１つの特長
である深い被写界深度（倍率１００００倍において数μ
ｍ）を有していても、焦点ずれが生じるのに対して、こ
の実施例によれば、焦点合わせが容易となり、操作性を
高めることことを可能とすることができる。
本発明は、走査電子顕微鏡等の焦点合わせを、高速度、
高精度に実施可能とするもので、産業上の効果の大なる
ものである。
高精度に実施可能とするもので、産業上の効果の大なる
ものである。
第１図は本発明の走査電子顕微鏡の焦点合わせ方法の一
実施例を実施する装置の構成説明図、第２図は同じく原
理説明図、第３図は同じく具体的処理例の説明図、第４
図及び第５図は同じくそれぞれ異なる他の実施例の構成
説明図、第６図は同じくさらに他の実施例の要部説明図
である。 １・・・走査電子顕微鏡筒、２・・・集束レンズ、３・
・・試料、４・・・入射光学系、５・・・レーザ光源、
６・・・ビームエキスパンダ、７・・・スリット、８・
・・第ルンズ、９・・・第１反射ミラー、１０・・検出
光学系、１１・・・第２反射ミラー、１２・・・第２レ
ンズ、１３・・・シリンドリカルレンズ、１４・・・リ
ニアセンサ、１５・・・第１ 目 ｌ δ −＄１ シ＞ス° ／乙 ・
峯かＣンス゛制轄甲ロ説ト菓２区 茅３目
実施例を実施する装置の構成説明図、第２図は同じく原
理説明図、第３図は同じく具体的処理例の説明図、第４
図及び第５図は同じくそれぞれ異なる他の実施例の構成
説明図、第６図は同じくさらに他の実施例の要部説明図
である。 １・・・走査電子顕微鏡筒、２・・・集束レンズ、３・
・・試料、４・・・入射光学系、５・・・レーザ光源、
６・・・ビームエキスパンダ、７・・・スリット、８・
・・第ルンズ、９・・・第１反射ミラー、１０・・検出
光学系、１１・・・第２反射ミラー、１２・・・第２レ
ンズ、１３・・・シリンドリカルレンズ、１４・・・リ
ニアセンサ、１５・・・第１ 目 ｌ δ −＄１ シ＞ス° ／乙 ・
峯かＣンス゛制轄甲ロ説ト菓２区 茅３目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子線源で生成され試料に照射される電子線のビー
ムスポット径を集光レンズにより試料面上で最小とする
走査電子顕微鏡等の焦点合わせ方法において、前記試料
に表面と所定の角度をなす斜め方向から光束を照射し該
試料面上に光束像を形成し、前記試料表面と所定の角度
をなす方向から前記光束像を検出して、前記試料の標準
位置からの上下の移動を前記試料表面への前記光束像の
移動に変換して、該光束像の移動量を検出し、検出され
た前記光束像の移動量に基づいて、前記集光レンズの集
束電流を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡等の
焦点合わせ方法。 ２、前記試料に前記光束を照射する方向、及び前記試料
上の前記光束像を検出する方向が前記試料の傾斜方向と
直角である特許請求の範囲第１項記載の走査電子顕微鏡
等の焦点合わせ方法。 ３、電子線源で生成され試料に照射される電子線のビー
ムスポット径を集光レンズにより試料面上で最小とする
走査電子顕微鏡等の焦点合わせ装置において、レーザ光
源から発生するレーザ光を平行光束とし該平行光束を前
記試料面に斜め方向から指向させる入射光学系と、前記
試料面よりの光束の方向を変えシリンドリカルレンズに
より圧縮し、リニアセンサに入射させる検出光学系と、
前記リニアセンサの検出値から前記試料の標準位置から
の上下の移動量を検出する高さ検出回路と、前記集束レ
ンズを該高さ検出回路の検出結果により制御する制御回
路とを有していることを特徴とする走査電子顕微鏡等の
焦点合わせ装置。 ４、前記入射光学系及び前記検出光学系が、前記走査電
子顕微鏡等の鏡筒軸方向に対して相対的に移動可能にな
つている特許請求の範囲第３項記載の走査電子顕微鏡等
の焦点合わせ装置。 ５、前記入射光学系及び前記検出光学系が、それぞれ前
記試料表面に照射する光束及び前記試料表面上の光束像
を検出する角度を可変とする反射鏡を有するものである
特許請求の範囲第３項記載の走査電子顕微鏡等の焦点合
わせ装置。 ６、前記入射光学系及び前記検出光学系が、前記走査電
子顕微鏡等の真空室中に設けられている特許請求の範囲
第３項又は第４項又は第５項記載の走査電子顕微鏡等の
焦点合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089149A JPH077653B2 (ja) | 1987-04-11 | 1987-04-11 | 走査電子顕微鏡による観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089149A JPH077653B2 (ja) | 1987-04-11 | 1987-04-11 | 走査電子顕微鏡による観察装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254649A true JPS63254649A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH077653B2 JPH077653B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=13962807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089149A Expired - Lifetime JPH077653B2 (ja) | 1987-04-11 | 1987-04-11 | 走査電子顕微鏡による観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077653B2 (ja) |
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1987
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077653B2 (ja) | 1995-01-30 |
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