JPS63248706A - カ−ボン材の純化処理方法 - Google Patents

カ−ボン材の純化処理方法

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JPS63248706A
JPS63248706A JP62084321A JP8432187A JPS63248706A JP S63248706 A JPS63248706 A JP S63248706A JP 62084321 A JP62084321 A JP 62084321A JP 8432187 A JP8432187 A JP 8432187A JP S63248706 A JPS63248706 A JP S63248706A
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pressure
purification treatment
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Hiroshi Yamazaki
拓 山崎
Shigeo Kato
加藤 茂男
Masahiro Ito
伊藤 正廣
Takashi Umetsu
梅津 高志
Shigeru Abe
茂 安部
Tomoyasu Kawasaki
川崎 知安
Shuichi Tanaka
秀一 田中
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Coorstek KK
Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、カーボン材を高純化するための純化処理方法
に関する。
(従来の技術) カーボン材は、高温下での機械的強度、耐熱性、耐久性
、耐薬品性、電気伝導性、熱伝導性等の優れた特性を有
するため各種の用途に使用されている。
半導体装置、原子炉装置、石英溶融装置等に用いられる
カーボン材には、カーボン材が有する前述の特性に加え
て、高純度であることが要求される。
従来のカーボン材の純化処理方法は、純化炉内に被処理
物としてのカーボン材を配置し、炉壁とカーボン材の間
の間隙をコークス、カーボン等の詰粉を入れ、炉の側壁
下方に設けたガス導入口より純化処理用ガスとして塩素
ガスを流しながら、炉の両側壁の電極に通電して行なう
ものである。
これにより、塩素はカーボン材中の不純物と反応して塩
素化合物となり、カーボン材の周囲に充填されているガ
ス透過性の詰粉の中に侵入する。この塩素化合物の大部
分は詰粉上部の温度の低い部分で凝縮し、−・部の塩素
化合物および未反応の塩素は上方の排気装置から排気さ
れる。
(発明が解決しようとする問題点〉 この従来の純化処理方法では、カーボン材を高純度化す
るのに長時間を要し、電力、ガス等のエエネルギ消費量
が多いため処理コストが高く、また純化処理効率が悪い
という欠点がある。さらに、このような純化炉は炉の上
方が間口されているため純化処理用ガスとして使用され
る人体に有害な!l素ガス等が飛散するため、炉上方に
設けた排気装置でも十分に排気し得す作業環境が悪いと
いう問題がある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は以上のような問題点を解決するため、短時間で
高純度化処理し11、純化効率が良く、処理コスlへの
安いカーボン材の純化処理方法を促供するものである。
本発明の前記目的は、次の構成によって達成される。す
なわち、カーボン材の純化処理のための所定温度にて、
第1の圧力下にある前記カーボン材のための純化!l!
X l!I!用ガスの雰囲気を前記カーボン材に対して
形成ザる第1の過程と、前記第1の過程の後一定時間経
過後に、前記所定温度で第1の圧力よりも低い第2の圧
力下にある前記純化処理用ガスの雰囲気を当該カーボン
材に対して形成する第2の過程とからなることを特徴と
するカーボン材の純化処理方法である。
本発明の純化処理方法においでは、純化処理ガスの圧力
を第1の圧力から第2の圧力に変動させるが故に、カー
ボン材に存在する機構の中まで純化処理用ガスを侵入さ
せ得、カーボン材の純化効率を向上させ得る。
本発明の純化処理方法の純化処理用ガスとしてはハロゲ
ン又はハロゲン含有ガスが望ましい。
(具体例〉 本発明の1具体例を、図面を参照しながら説明する。第
1図は、本発明の方法を実施するための純化処理装置の
縦断面概略図である。純化炉1の炉外壁2内には処理室
3を形成するカーボン製の炉内壁4が設けられており、
純化処理される図示しないカーボン材が処理室3に適宜
な固定治具を介して配置されている。この処理室3は、
カーボン材が配置された後、図示しない両側端の蓋によ
って密閉される。炉内壁4と炉外壁2どの間の間隙5に
は処理室3を加熱するための複数のヒータ6が配設され
ており、このヒータの酸化を防止するために間隙5には
不活性ガス供給手段11から不活性ガス導入路8を介し
て例えば窒素ガス等の不活性ガスが導入される。炉外壁
2は二手構造となっており、その間には冷却水が流され
ている。また、この二重構造の内側の壁は適宜な断熱材
によって断熱されている。
処理室3に配置されたカーボン材を純化処理するための
純化処理用ガスは、純化処理用ガス導入路7を介して適
宜な圧力で処理室3に導入される。
また、この処理室3に導入された純化処理用ガスを排出
するために、炉内壁4にはガス排出手段9が接続されて
いる。このガス排出手段9には、ダストキ(lツチャー
が設けられ、ダスト又は処理室内反応物、例えば塩素化
合物が取り除かれた排気ガスが排出される。
なお、処理室3内の純化処理用ガスが処理室3の外側に
流出しないように間隙5内の不活性ガスの圧力P^は処
理室3内の純化処理用ガスの圧力P8より高く設定され
るのが好ましい。
しかも、間隙5内の不活性ガスが間隙5の外側に流出し
ないように間隙5内の不活性ガスの圧力PAは大気圧よ
りも低く設定されるのが好ましい。
この純化処理装置は第2図のガス供給及び排気系統図に
示されるように接続されており、図示しない制御手段に
よって、以下のように制御される。
処理室3は、ガス排出手段9を介して排気され、0.0
1トール(第3図P1)まで減圧される。
減圧後、炉内壁4と炉外壁2との間の間隙5に設けられ
たヒータにより処理室3を約2.000℃まで昇温する
。’fl温後、処理室3にカーボン材の純化処理用ガス
として塩素ガスを純化処理用ガス供給手段10から処理
用ガス導入路1を介して圧力が大気圧以下の第1の圧力
としての700トール(第3図P2 )となるまで導入
し、処理室3を昇圧する。
界圧後一定時間、例えば5分経過後に処理室3の温度を
2000℃に維持したまま、再度処理室3はガス排気手
段9を介して排気されて、第2の圧力としての0.01
トール(第3図P3 )まC減圧され、その後処理室3
の圧力は、前述と同様の方法で700トールと0.01
トールとの間で純化処理が完了するまで交互に昇圧及び
減圧を繰り返すいわゆるパルス制御が行なわれる。この
時、P3の値は必ずしもPlに等しくなくてもよい。こ
のような純化処理工程中、処理室3を大気圧以下の所定
圧P2 、P3においてカーボン材を純化処理するが故
に、処理室における純化処理用ガスの蒸気圧を低くし得
、カーボン中の不純物を純化処理用ガスの化合物として
カーボン材から除去し易くし得、加えて純化処理用ガス
の排気、導入を交互に繰り返すので効率よくカーボン材
を高純度化し得る。
純化処理工程終了後、純化処理用ガス導入路7、不活性
ガス導入路8及び中間接続路12に夫々設けられた8弁
13を適宜に開閉して、処理室3の純化処理用ガスを7
00トール下の不活性ガスに切換える。この時も前述の
純化処理工程と同様に不活性ガスの導入、排気が交互に
繰返され、処理室3を不活性ガス雰囲気に置換えた後、
炉内を冷却しカーボン材を取出す。
本発明の方法を実施する純化処理装置に対する従来の純
化処理装置との効果の比較を指数で表1この表1からも
明らかなように本具体例の純化処理方法によれば、純化
処理時間を大巾に短縮し、純化処理効率を向上し得る。
また、塩素消費量、電力消vRfflを大巾に減少させ
、処理コストを下げ得る。
さらに、炉の内部が外気としゃ断されるため、従来の炉
のように純化処理用ガスを炉外に漏れなくし冑、詰粉を
使用しないため、粉塵の飛散を防止し得、したがって、
炉の回りの作業環境を良好に維持し得る。
本具体例では、純化処理用ガスとして塩素ガスを使用し
たが、これに限らず塩酸、フレオン、その他のハロゲン
含有ガスを使用できる。
また、本具体例では、間隙5内の圧力PA及び処理室3
内の圧力P、を負圧としたが、大気圧よりも高くしても
よい。
(本発明の効果) 本発明の純化処理方法によれば、純化処理ガスの圧力を
第1の圧力からと第2の圧力に変動させ得るが故に、カ
ーボン材に存在する気孔の中まで純化処理用ガスを侵入
させ得、カーボン材の純化効率を向上させ得る。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明による純化処理装置の縦断面概略図で
あり、第2図は本発明による純化処理装置のガス供給及
び排気系統図であり、第3図は本発明による純化処理装
置の制御方法の説明用グラフである。 1・・・・・・純化炉、3・・・・・・処理室、9・・
・・・・ガス排出手段、 10・・・・・・純化処理用ガス供給手段、11・・・
・・・不活性ガス供給手段。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カーボン材の純化処理のための所定温度にて、第
    1の圧力下にある前記カーボン材のための純化処理用ガ
    スの雰囲気を前記カーボン材に対して形成する第1の過
    程と、前記第1の過程の後一定時間経過後に、前記所定
    温度で第1の圧力よりも低い第2の圧力下にある前記純
    化処理用ガスの雰囲気を当該カーボン材に対して形成す
    る第2の過程とからなることを特徴とするカーボン材の
    純化処理方法。
  2. (2)前記第1の過程と前記第2の過程とが交互に繰返
    されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    方法。
JP62084321A 1987-04-06 1987-04-06 カ−ボン材の純化処理方法 Expired - Fee Related JPH0729762B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2934186A1 (fr) * 2008-07-28 2010-01-29 Tile S Fabrication et purification d'un solide semiconducteur
JP2010095438A (ja) * 2008-09-16 2010-04-30 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン製造用カーボン部品の精製方法

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JPS617536U (ja) * 1984-06-21 1986-01-17 東海カ−ボン株式会社 カ−ボン成形体の均質焼成装置
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