JPS63246810A - 銅内部電極を有する多層セラミックコンデンサに用いる高ｋ誘電組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は内部鋼電極を有する多層セラミックコンデンサ
に用いる誘電定数が５０００を超えるセラミック組成物
に関する。

［従来の技術］ 銅は、高導電性及び安価のため、多層セラミック　−ｙ
ンデンサ［ＭＬＣ−ｓ］の内部電極として°理想的な金
属である。然しながら、ＭＬＣ″Ｓに銅７Ｉ極を用いる
ことにはためらいがあった０次のような技術的問題があ
ったからである。

（ａ）　　銅電極の多層を有する多層セラミック装置の
再現性があり信頼性がある加工の問題、及び （ｂ）　　銅の融点［１０８３℃コ以下で焼結しなけれ
ばならず、また多層セラミック／銅描造を焼成する場合
に銅を酸化から保護するために必要な低酸素含量の雰囲
気下で還元に対する抵抗性がなければならないセラミッ
ク組成物の高誘電定数を達成する問題。

本出願人の係属中の出願［ＥＬ−０２１３１に説明され
ているように、多くの銅電極［例えば２５］を有するＭ
ＬＣ″Ｓの加工は適当なアクリル結合剤でできた電極ペ
ーストを用い１例えば窒素、二酸化炭素及び水素の混合
物のような焼成の間銅を酸化から保護する雰囲気中でコ
ンデンサを焼成して達成できる。さらに銅電極を有する
ＭＬＣ−ｓに用いるに適した１０００以上の誘電定数［
Ｋ］を有するセラミック組成物は米国特許’：ｊＳ　　
４，１０１，９５２号に説明されている。これらの組成
物はアルカリ上類チタネートを基礎としアルカリ上類ア
ルミノボレートを加え９００〜１０８０℃で焼成を行な
う、これらの組成物は易還元性酸化物１例えば酸化鉛、
酸化ビスマス、酸化カドミウム、及び揮発性弗化物を含
まない、即ち、これらは銅電極を有するＭＬＣ−ｓに必
要な焼成工程の間化学的に安定である。然しなから、こ
れらの組成物の誘電定数は≦４０００であり、Ｙ５Ｖ又
はＺ５Ｕの温度安定性についてのＡ、Ｅ、１．仕様を満
たし、減結合及びバイパス適用に通常用いられる小さい
コンデンサに適当なキャパシタンスを提供するには低く
すぎる。従って、（１）化学的に安定で還元に対して抵
抗性であり、（２）銅の融点以下で密な密封構造に焼結
でき、かつ（３）従来達成されたより実質的に高い誘電
定数を有する誘電組成物に対する需要が存在している。

［発明の概要コ 第一に２本発明は、化学量論的に次の基準を特徴とする
。ガラス形成及びガラス変性イオンの両者を有するフラ
ックスの粒子間相を有するドーナ−ドープＢ　ａ　Ｔ　
ｉ　０３から本質的になる誘電組成物に関する。

（ａ）　　　ドープした１３ａＴｉ０３におけるＡ位置
イオンとＢ位置イオンとの比。

式中。

ＮＡ−２価Ａ位置イオンの数； Ｎｎ−４価Ｂ位置イオンの数； ＮＣ−トーナ補償イオンの数； Ｎｏ−電荷３＋又は５＋のトーナ　イオンの数；（ｂ）
　　トーナ　イオン（ＮＤ　）と全イオン（Ｎ工）との
比。

Ｎｏ　／ＮＴ−０，５〜３．０％： （Ｃ）　　ＮＣ／ＮＤは少なくとも０．２０゜（ｄ）　
　ガラス形成イオン（Ｎａ）と全イオン（ＮＩ）との比
。

Ｎａ／ＮＴ−０，５〜３．５％；及び （ｅ）　　ガラス変性イオン（ＮＭ　）　と全イオン（
ＮＴ）との比。

Ｎいｔ　　／　Ｎ□　−１，５〜５．０９６゜第二に１
本発明は、化学ｍ論的に次の基準を特徴とする。ＢａＴ
ｉＯ３の酸化物、ガラス形成カチオンの酸化物、ガラス
変性カチオンの酸化物。

Ａ位置ドーパント酸化物、Ｂ位置ドーパント酸化物、ト
ーナ　イオンの酸化物、トーナ袖償イオンの酸化物の微
細分割粒子の混合物から本質的になる低酸素含有雰囲気
で焼成してガラス形成及びガラス変性イオンの両者を有
するフラックスの粒子間層を有するドーナードープＢａ
ＴｉＯ３を製造するための組成物。

（ａ）　　Ａ位置酸化物とＢ位置酸化物とのモル比が１
．２０〜１．１０゜ （ｂ）　　　トーナ酸化物と全酸化物とのモル比が０．
５〜３．０９ｃｉ； （Ｃ）　　　トーナ補償酸化物とトーナ酸化物とのモル
比が少なくとも０．２０； （ｄ）　　ガラス形成酸化物と全酸化物とのモル比が０
．５〜３，５％； （ｅ）　　ガラス変性酸化物と全酸化物とのモル比が１
．５〜５．０％。

［先行文献コ 米国特許第４，１０１，９５２号［Ｂｕｒｎ］この特許
はに値＞１０００を有する低焼成モノリシック　コンデ
ンサに関し、その誘電層は５〜１５％の非結晶性ガラス
［アルカリ上類アルミノボレート　ガラス］及び９５〜
８５％結晶相［アルカリ土類金属チタネート］からなり
、電極はペース金属でできている。

米国特許第４，２３４．３６７号［Ｈｅｒｒｏｎ、　ｅ
ｔ　ａｔ］ヘロン特許は、（１）結晶化性ガラスの未処
理シートに銅導電体パターンを印刷し、（２）該印刷銅
パターンに第２結晶化性ガラス未処理シートをラミネー
トし、（３）該複合体構造を焼成し先ずＨ２／Ｈ２０中
で結合剤を焼尽した後不活性雰囲気でガラスを焼結して
銅冶金学でガラス−セラミック複合体構造を形成する方
法に関する。

米国特許第４，３０８．５７０号［Ｂｕｒｎｌ〜　この
第２バーン特許は、１０〜５０重量％の非還元性ガラス
［アルカリ上類ボレート］及び９０〜５０重量％の非還
元性結晶性セラミック相［ＭｇＴｉＯ３コからなり約１
０のに値を有する鍋内部電極を有するモノリシック　セ
ラミックコンデンサに関する。

米国特許ｍ　　４，５５１，３５７号［Ｔ　ａｋｅｕｃ
ｈｌ　］この特許は銅／重合体ペーストを誘電体未−処
理シートに印刷するセラミック回路板の製造方法に関す
る。この銅ペーストの有機結合剤は誘電体の有機結合剤
より熱的に安定である。この印刷未処理シートは有機結
合剤の分解点以下の酸化雰囲気で加熱した後低酸素含有
雰囲気で焼成して有機物質を分解する。

Ｅ　Ｐ　Ｏ０１５５３Ｂ３号 （ａ）０．０２〜０．０５モルのＭｇ、Ｚｒ又はＣａで
ドープした１００部のＢａＴｉＯ３及び（ｂ）０．２〜
１０部のＢａ２Ｏ３及びＢａｄ。

ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＢａＯ及びＣａＯから選ばれた金属酸
化物を包含する低温焼結性セラミック誘電組成物。

Ｅ　Ｐ　０　０１５５３Ｇ４号 （ａ　）　０．０２〜０．０５モルのＭｇ、Ｚｎ、Ｓｒ
又はＣａでドープした１００部のＢａＴｉＯ３及び（ｂ
）　Ｌ）、２〜１０部のＢａ２０１又は５ｉ０２を包含
する低温焼結性セラミック誘電組成物。

Ｅ　Ｐ　０　０１５５３［ｉ５号及び　０１５５３０Ｇ
号（ａ　）　０．０２〜Ｇ、（１５モルのＭｇ、Ｚｎ、
Ｓｒ又はＣａでドープした１００部のＢ　ａ　Ｔ　ｉ　
０３及び（ｂ）０．２〜１０部のＬｉ２Ｏ及び５ｉ０２
の混合物を包含する低１Ｍ焼結性セラミック誘電組成物
。

Ｅ　Ｐ　０　０１６４８４１号 本文献は結合剤の焼尽を容易にするため電気絶縁ガラス
、白゛機結合剤及び無機化酸化物に基づ（セラミック誘
電組成物に関する。

［発明の詳細な説明］ Ａ　　：Ａ電組成物 本発明の誘電組成物は、バリウム　チタネートをベース
とし、弗化物及び還元性酸化物、又はその先駆体を含ま
ない、ニオブ、タンタルのような５価のイオン、ネオジ
ミウムのような３価の希土類イオンから選ばれたトーナ
　ドーパントを。

トーナ　ドーパントは低酸素含有雰囲気で加熱するとチ
タネート誘電体が半導体になる傾向を増大することが知
られているにもかかわらず、キューリ一温度低下剤とし
て酸化ジルコニウムと共に用いる。低焼結温度は、ガラ
ス形成酸化物１例えば酸化はう素を変性剤としての酸化
亜鉛及び／又は酸化リチウムと共に含むフラックスの少
量を添加することによって達成された。該フラックスは
酸化アルミニウム及び／又は酸化バリウムのようなアル
カリ土類酸化物をも含むことができる。更に。

アクセプタ　ドーパント、例えば酸化マンガンはバリウ
ム　チタネートに存在するか又はフラックスに添加しな
ければならない、高誘電定数及び高抵抗［半導体のない
こと］は、（ａ）アクセプタによるトーナ　ドーパント
の部分補償及び（ｂ）見出だされた一定の要件に従うカ
チオン化学量論の正確なバランスを同時に調整すること
によって達成される。

誘電組成物の成分は次のように定義される。

ＮＡ−２（ｉ’ｆＡ位置イオン［Ｂａ”、Ｃａ”。

Ｓｒ”］の数 Ｎ３−４ｆｉＨｉＢ位置イオン［Ｔｉ４＋、７：、４＋
］の数 Ｎ、−トーナ　イオン［ＮｂＱ　＋　、　　Ｎｂ＝ｉ　
＋　等］の数 Ｎ、−一ド−す補償［アクセプタコイオンｃ〜ｉｎ”、
Ｍｎ”、Ｃｏ２＋等］の数ＮＧ−ガラス形成イオン［Ｂ
３４．Ｓｉ４＋。

Ｑ　ｅ　４　＋　、　　ｐ　５＋等］の数Ｎ　Ｍ−フラ
ックス変性剤イオン［Ｌｉ”。

Ｚｎ”、Ｃｕ十等］の数、及び トーナーアクセプタ　バランスは、比Ｎｃ／ＮＤで定め
られ、これは半導体を防ぐために約０．２０より大きく
なければならない、因子Ｓは誘電体の化学量論を定義し
、バリウム　チタネート洛Ｔの置換の予期位置にトーナ
及び補償イオンを含み、好ましくは約１．０３の値を有
する。Ｓが約１．０２以下であるとセラミックは一般に
半導体になるが、Ｓが約１．０９より高いと誘電定数は
低下する。ＮＯか高すぎる場合と同様である。

ガラス変性剤酸化物と粒子間［１ｎＬｅｒｇｒａｎｕｌ
ａｒ　］焼結相を形成するガラス形成酸化物は、焼結過
程の間に２価Ａ位置イオン［５ｉｃｅ　１ｏｎｌの未知
量を溶解することによって化学量論に影響し得る。従っ
て、焼結相の量とその組成は誘電体の最終化学量論に影
響する。半導体はＳの値が該範囲の下限である場合この
効果から生じ得る。予め形成したバリウム　チタネート
が用いられる場合、その化学量論をＳの決定にあたって
考慮しなければならない。

Ｂ　試験方法 キャパシタンス キャパシタンスは物質の電荷を貯蔵する能力の規準であ
り、Ｃ−ＫＡＮ／にで数学的に表わされ°る。ここで、
には誘電定数であり、Ａは電極のオーバラップ面積に等
しく、Ｎは誘電層の数であり。

ｔは誘電層の厚さである。

キャパシタンスのｔＦ位は、ファラド又はマイクロファ
ラド［１０″″Ｏファラド］、ノナファラドＮ０−９フ
ァラドコ、ピコファラド［１０−１２フアラド］のよう
なその区分である。

損失係数 損失係数［ＤＦ］は電圧と電流の間の位相差の規準であ
る。完全なコンデンサでは位相差は９［Ｊ’である。然
しなから、実際の誘電系では。

この位（１」差は漏洩及び緩和損のため９０“よりσの
量だけ少ない、特にＤＦは角度σのタンジェントである
。

絶縁抵抗 絶縁抵抗［ＩＲ］はＤＣ電流の漏洩に耐える荷電コンデ
ンサの能力の規準である。絶縁抵抗はオーム・ファラド
［ΩＦ］で表わされキャパシタンスにかかわらず所定の
誘電体について定数である。

キャパシタンスの温度係数［ＴＣＣ］ キャパシタンスの温度係数は２０℃におけるキャパシタ
ンスに対する温度関数としてのキャパシタンスの変化の
規ｑである。Ｙ５Ｕ及びＹ５ＶはＴＣＣについてのＡ、
Ｅ、１．仕（ｌであり、それぞれ＋２２％＋　　　５６
９６　、及び＋２２９６．　　８３９６を超えない一３
０℃及び８５℃の間のキャパシタンス変化を許容する。

キャパシタンス及び損失係数はヒユーレット−パラカー
ドＨＰ４１９２Ａ多周波ＬＣＲメータを用いて測定した
。絶縁抵抗はコンデンサを１００ＶＤＣで２分間帯電し
た後ヒユーレット−バラカード４１４０Ｂ　　ｐＡメー
タを用いて測定した。

誘電層の厚みと面積はコンデンサの磨き断面及び光学顕
微鏡を用いて測定また。誘電定数は次の式を用いて計算
した。

Ｋ−Ｈ−を 式中、Ｃはコンデンサのキャパシタンスてあり。

Ａは誘電層と接触する小電極の面積であり。

ｔは誘電層の厚みである。

全てのコンデンサは電気測定を行なう前に焼成後少なく
とも１５時間エイジングした。この時間の間に物質のエ
イジング速度特性でキャパシタンス及び損失係数は減少
するのが普通である。典型的なキャパシタンス　エイジ
ング速度はディケイド［時間］あたり１〜５％である。

Ｃ焼成方法 内部銅電極を有する多層コンデンサ ［ＭＬＣ−ｓ］は重要な漏洩をすることなく制御雰囲気
を含むように密封した炉内で焼成する。ベース金属電極
を有するＭＬＣ−ｓを焼成するため制御された酸素分圧
の雰囲気の使用は知られている。Ｎ２　、Ｈ，＋Ｈ２、
ＣＯ＋ＣＯ２＋Ｈ２の雰囲気が説明されており、Ｎ２＋
Ｈ２０＋Ｎ２　、及びＣＯ□＋Ｈ２＋Ｎ２を含む他の雰
囲気も使用できる。混合物による雰囲気制御及び安全上
の理由からＣＯ２＋Ｈ２＋Ｈ２の雰囲気が好ましい。

Ｎ２の非爆発性水準のみが必要であり、−酸化炭素の貯
蔵及びパイプ移送は必要ではない。

未処理［グリーン］ＭＬＣ−ｓはＮ２中で４００℃に予
め焼成してほとんどの有機結合剤を除くことができる。

またＭＬＣ−ｓは予め焼成することなく直接焼結するこ
とができる。都合のよい加熱速度は２５℃／分で７５０
℃まで１０℃／分に減少して１０５０℃までである。浸
漬時間は通常１０５０〜１０６５℃で２〜２．５時間で
。

次いで炉を自然速度で冷却する。Ｎ２＋Ｃ０２＋Ｈ２の
気体混合物は全サイクルの間適当な流速で炉を循環して
任かに正の圧力を維持する。ｃｏ２／Ｈ２比は酸素分圧
を決定する。良好な結果は２０／１〜６５／１のＣＯ２
／Ｎ２比で達成され１０５０℃でＩ　Ｘ　１０−９〜ｌ
Ｘｌ０−＋ｏ気圧の酸素分圧を生じる。これは炉の熱ゾ
ーンに設置した酸素センサで確認される。雰囲気がより
還元性である場合、電極の不十分な焼結及び／又は誘′
屯体が半導体になるためＭＬＣ−ｓの脱ラミネート化が
起り品い、雰囲気がより酸化性である場合、銅電極は誘
電体と過剰に反応するか、又はそれに溶解する。電極と
セラミックとの間の仁かな反応は良好な電極結合にａ利
であり得るが、誘電体厚みの変更及び電極の数の変更の
ために特性の変化を避けることを最小にすべきである。

Ｄ　電極 良好な印刷特性のため、空気中で焼成されるＭＬＣ’ｓ
に用いる電極ペーストは通常エチルセルロース結り剤を
含有する。然しなから、従来の経験及び若干のＹ−（ｆ
Ｂ実験で、ＭＬＣ″Ｓの均質焼結内部銅電極はこのタイ
プの電極ペーストではｉすられない、外部電極を過剰に
酸化することなくＭＬＣの中心の電極から結合剤を焼尽
することが困難なため多数の層を有するＭＬＣ−ｓの場
合に特にそうである。

従って、銅電極ペーストはアクリル結合剤に基づくもの
が開発された６　これはエチル　セルロースに伴う焼尽
の問題を避け、低金属レイダウンしコ２マイクロメータ
焼成って秀れた印刷特性を有する。

スクリーン印刷性電極ペーストにアクリル結合剤を用い
る主な困難性は、低い結合剤水準を用いない限りペース
トがスクリーンに粘着し及び／又は過度に流れることで
ある。低い結合剤水準では。

ペーストの固体含量は高く印刷沈青はＭＬＣ電極に濃す
ぎる。この問題はアクリルに対する貧溶媒。

β−テルピネオールでペーストを調合することで解決さ
れた。ブチル　メタクリレート以外にメチル　メタクリ
レートは１０！Ｉｆｍ９６のような低い濃度でもβ−テ
ルピネオールに溶解することはできない、然しなから、
ブチル　メタクリレートは２０〜３０重量％の濃度範囲
で容易に溶解することが見出だされた。少量の表面活性
剤［ＲＫ−５００；フォスフェート　　エステル表面活
性剤に対するＧＡＦの商標名］を含むこのようなビヒク
ルでつくったペーストは、微細銅粉末１例えばメッツ社
の銅粉末＃１０．特に４００−メツシュ　スクリーンを
用いた場合に、極めて良好な成果をあげた。極めて薄い
層［≦３．５３．５ミフロンコた電極均一性が２５電極
のような多くの電極を有するＭＬＣ−ｓを焼成した場合
に達成された。

［実施例］ 例１ 第１セラミツク　フラックスを１００．０ｇのほう酸、
５４７．５ｇのＢａＣＯ３及び４０．０ｇのＭ　ｎ　Ｃ
Ｏ３の混合物からつくった。これらは３ＢａＯ−Ｂ２０
３及びＢ　ａ　Ｏ−Ｍ　ｎ　Ｏ２の混合物の先駆体であ
った。混合成分を７００℃で５時間焼成した後粒径く２
ミクロンにボールミルした１次いでこのフラックスを８
５．６ｇのＢａＴｉ０ｑ、１０．０ｇのＢａＺｒ０ｑ。

１．０ｇのＮｄ２０３．０．７９ｇのＮｂ２Ｏ５及び０
．８８ｇのＬｉ２ＣＯ３とアクリル結合剤溶液［Ｄｕ　
Ｐｏｎｔ　５２００；　　５２００はアクリル結合剤流
し込み溶液のデュポン社の商標名］と共に混合し一夜粉
砕した。このスラリーからセラミックテープを流込み成
形し、１μｍの銅粉末をデュポン　エルバサイト２０４
４　［Ｅ　１ｖａｃｉｔｅ　２０４４はブチルメタクリ
レート樹脂のデュポン社の商標名］の２０％β−テルピ
ネオール溶液に分散した銅ペーストを用いてＭＬＣコン
デンサ［サイズ１２０９］をつくった。コンデンサのあ
るものは５活性層［６電極］を有し、他のものは１５活
性層［１６電極］を有した。厚みは焼成で約２５マイク
ロメータの誘電層を生じるものであった。これらのコン
デンサは１０５０〜１０６５℃で上記のＮ、Ｈ＋Ｈ２＋
ＣＯ２の雰囲気で焼成した。焼成後、チップを仁かに研
心して末端の伜かの酸化物膜を除いた９次いで銅末端ペ
ースト［Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　７００１Ｄ　；７００１Ｄは
厚膜銅ペーストのデュポン社の商標名コを適用し窒素中
７００℃で焼成した。リード線を常法によりＰｂ−３ｎ
はんだで取付けた。

キャパシタンスはＹ５Ｃ’ＴＣＣで５層部品は０．０６
μＦであり１５層のものは０．１５μＦであった。絶縁
抵抗はＭＬＣ″Ｓの両セットとも１５．０００ΩＦを超
え、ＤＦは２％未満であった。誘電定数は多数の電極で
は若干低くみえ［６０００ｖｓ７６００］　、銅電極と
誘電体との若−１′−の相互作用の４能性を示した５然
しなから。

２４時間１２５℃で２００　Ｖ／１１で試験した場合１
５層部品で秀れた安定性が得られ、試験した２２部品の
うち失敗はなかった。

例１の組成物は次の特性を自°する。

Ｓ　糟１．０６ Ｎｏ　＝１．３９６　［Ｎｂ、Ｎｄ］ ＮＣ／ＮＤ　　−０，２９［Ｍｎ／Ｎｂ十ＮｄコＮ＜；
−１，８％　［Ｂ］ ＮＭ　　−２，７９６［Ｌ　　ｉ］ 例２ 第２セラミツク　フラックスを４５．３５重量９６のＺ
ｎＯ，２３，０％のほう酸、２０．０％のＢａＣＯ３及
び１１．６５％のＭ　ｎ　ＣＯ３の混合物からつくった
。この化合物は３ＺｎＯ・Ｂ２Ｏ３及びＢａＯ−ＭｎＯ
２の先駆体であった。

混合成分を７００℃で５時間焼成した後粒径［Ｄｓ。］
く２ミクロンに粉砕した１例１と同様の方法で２．８３
ｇのフラックス、８５．０ｇのＢａＴｉＯ３，１０，０
ｇのＢａＺｒＯ３゜２．０ｇのＮｄ２Ｏ３，及び０．５
ｇのＬｉ２ＣＯ３からなるスリップからセラミック　テ
ープを製造した、銅ｍｈのＭＬＣ−ｓは５活性層で他の
ものは２５活性層で製造した。

キャパシタンスは５層部品は０．０６μＦであり２５層
のものは０．４２μＦであった。絶縁抵抗はＭＬＣ−ｓ
の両セットとも２０，０００ΩＦて、ＤＦは２９６未満
てあった。誘電定数は５層ＭＬＣ″Ｓは８５００〜９０
００であり２５層のものは８２００〜８６００てあった
１例２の組成物は次の特性をＨする。

Ｓ　　−１，０３ Ｎ　ｎ　”　１．４％［Ｎｄ］ Ｎ　ｃ　／　Ｎ　ｌ）　　−０、２９［Ｍ　ｎ　／　Ｎ
　ｄコＮａ　　＝　１．　５？ｔｉ　　［ＢコＮＭ−３
，８％［Ｚｎ、Ｌｉ］ 例３〜１７ Ｍ　Ｌ　Ｓ″Ｓの代わりに単板コンデンサをつくった例
３〜６を除き１上記と同様の方法を用いた次の６例でさ
らに本発明を説明する０組成は表１に示し電気データは
表２に示す。

例３及び４は、ガラス形成酸化物［酸化はう素］への変
性剤酸化物の添加は焼結性を改心するがＫはトーナの添
加なしで低いことを示している３例５〜９は、バリウム
　チタネート　セラミックへのトーナ　ドーパントの添
加はＳが１６０３未満及び／又はアクセプタ水準が低く
すぎる場合に低酸素含量の雰囲気で焼成すると半導体物
質を生じる傾向があることを示している９例１０〜１４
は。

どのような種類のトーナが単独で又は互いに組合わせて
用い得るかを説明する。また１例１０は。

他のアルカリ上類酸化物がフラックス又はセラミックに
含まれ得ることを示す、最後に１例１５〜１７は、シリ
カ又はアルミナを含むフラックス組成物の使用を説明す
るものである。

表　　　１ イオン ３０．３７３０　　０．０５５ｇ　　　　０．３７３０
　　０．０５５１１　　　　−４　　０．３７３０　　
　Ｇ、０５５１１　　　０．３７３０　　０．０５５８
　　　　−　　　　−７　０．４１８９　　−　　０．
３Ｇ４４　０．０３６２　　０．０１＋９　　Ｎｂ５゜
８　０．３８７７　０．０３６３　　０．３７５５　０
．０３Ｂ３　　０．０１＋９　　Ｎｄ”Ｑ　　　［１，
４２４０−０，３［ｉ４４　０．０３Ｂ２　　０．０１
＋９　　　Ｎｂ”＋００．３１ｔ７７　　０．０３６３
　　　０．３７５５　　０．０３８３　　　０．０１＋
９　　　Ｎｄ”ＩＩ　　　Ｏ，４２９０−０，３８４４
０，０３６２Ｇ、０１１９　　　Ｎｂ”１４　０．４３
０２　　　−　　　０．３１ｉ７Ｇ　　０．０３６２　
　０．０１＋９　　　Ｎｄ”１５　　０．４０８８　　
　−　　　　０．３７３０　　０．０３０７　　　０．
０１１９　　　Ｎｄ３”１［ｉ　　０．４０９９　　　
−　　　０．３７３０　０．０３０７　　０．０１１９
　　　Ｎｄ”１７　　０．４０８３　　　−　　　　０
．３７３０　　０．０３０７　　　０．０１＋９　　　
Ｎｄ”表　　　１　　（続き） ３　　−　　０．０４１０　４．８　　　−　　　−　
　０　　０　　　１．００４　　−　　０．０４１０　
４．５　　０．０１３５　　Ｌｉ　　　１．５　０　　
　１．００５　　−　　　０．０４１０　４．５　０．
０Ｏｆｌｉ８　　Ｌｉ　　　Ｑ、８　０　　　１．００
６　　−　　　０．０４１０　４．５　０．０＋３５　
　Ｌｉ　　　１．５　０　　　１．ＱＱ８　０、口０２
０　　　　０．０２７５　　　３．１　　　　０．０２
３８　　　　　Ｌｌ　　　　　　２．７　　　　０．１
７　　　　１．０５１０　０．００３７　　Ｑ、０２７
５　３．Ｉ　　　Ｑ、０２３８　１．ｉ　　　２．７　
　０，３１　　１．０５１２　０．００３４　０．０１
５８　１．８　　０．０２３８　　Ｌｌ　　　２．７　
　０．２９　　１．００１３　０．００３４　０．０１
５１１　　＋、８　０．０２３８　１１　　２．７　０
．２９　　１．０６＋４　０．００３４　０．０１５１
１　　＋、１！　　０．０２３８　　Ｌｌ　　　２．７
　０．２９　　１．０９＋５　０．００３５　０．００
４ｇ　　０．８０．０１３５　　Ｌｌ　　　３．３　０
．２９　　１．０３０．００２４　０．Ｂ　　Ｏ，０１
４１１Ｚｎ（Ｓｌ） ０．００４１　　　＾１ ０．００４１　　　ＡＩ 表　　　２ ３　　　板コンデンサ　　　ｍ−多孔性　　−一４　　
　板コンデンサ　　　ＩＥＩ（１０２，１＜１５　　＜
１５　　−−５　　　板コンデンサ　　　−一　　半導
体　　−一６　　　板コンデンサ　　　−一　　半導体
　　−一７　　　　６　　　　−一　　半導体　　−一
８　　　　６　　　　　−一　　半導体　　−一９　　
　　６　　　　　１１ｔ５００　　１．７　　　＜１＜
Ｉ　　　　Ｙ５Ｖｔｏ　　　　　　６　　　　　　７１
００　　３．２　　　１２Ｋ　　　２００　　　　Ｙ５
ＶＩＩ　　　　　　　　　６　　　　　　　　　　　［
１４０００，５２５Ｋ１０００　　　　　　Ｙ５Ｖ１２
ｂ　　　　　　　ｅ５ｏ０　　１．２　　　２０Ｋ　　
２０ｏｏ　　　　Ｙ５Ｖ１３　　　　　６　　　　　　
５０００　　０．７　　　２０Ｋ　　２０００　　　さ
Ｙ５１１１４　　　　　６　　　　　　５５００　　１
．２　　　４０に１５００　　　　Ｙ５Ｕ１５　　　　
　６　　　　　　５１１ｉ００　　０．６　　　４０Ｋ
Ｉ５００　　　　Ｙ５Ｖ１［ｉ　　　　　　６　　　　
　　５４００　　１１．０　　　　ＩＯＫ　　　３００
　　　　Ｙ５Ｖ１７　　　　　６　　　　　　８５００
　　０．８　　　２０に２０００　　　　Ｙ５Ｖ出願人
代理人　　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、化学量論的に次の基準を特徴とする、ガラス形成及
   びガラス変性イオンの両者を有するフラックスの粒子間
   相を有するドーナードープＢａＴｉＯ＿３から本質的に
   なる誘電組成物。 （ａ）ドープしたＢａＴｉＯ＿３におけるＡ位置イオン
   とＢ位置イオンとの比、 Ｎ＿Ａ＋Ｎ＿Ｄ＾３＾＋ ＝１．０２〜１．１０ Ｎ＿Ｂ＋Ｎ＿Ｄ＾５＾＋＋Ｎｃ 式中、 Ｎ＿Ａ＝２価Ａ位置イオンの数； Ｎ＿Ｂ＝４価Ｂ位置イオンの数； Ｎ＿ｃ＝ドーナ補償イオンの数； Ｎ＿Ｄ＝ドーナイオンの数； （ｂ）ドーナイオン（Ｎ＿Ｄ）と全イオン（Ｎ＿Ｔ）と
   の比、 Ｎ＿Ｄ／Ｎ＿Ｔ＝０．５〜３．０％； （ｃ）Ｎ＿Ｃ／Ｎ＿Ｄは少なくとも０．２０；（ｄ）ガ
   ラス形成イオン（Ｎ＿Ｇ）と全イオン（Ｎ＿Ｔ）との比
   、 Ｎ＿Ｇ／Ｎ＿Ｔ＝０．５〜３．５％；及び （ｅ）ガラス変性イオン（Ｎ＿Ｍ）と全イオン（Ｎ＿Ｔ
   ）との比、 Ｎ＿Ｍ／Ｎ＿Ｔ＝１．５〜５．０％。 ２、ガラス形成イオンがＢ＾３＾＋、Ｓｉ＾４＾＋、Ｇ
   ｅ＾４＾＋、Ｐ＾５＋、及びその混合物から選ばれる請
   求項１記載の誘電組成物。 ３、ガラス変性イオンがＬｉ＾＋、Ｚｎ＾２＾＋、Ｃｕ
   ＾＋、及びその混合物から選ばれる請求項１記載の誘電
   組成物。 ４、２価Ａ位置イオンがＢａ＾２＾＋、Ｃａ＾２＾＋、
   Ｓｒ＾２＾＋、Ｍｇ＾２＾＋、及びその混合物から選ば
   れる請求項１記載の誘電組成物。 ５、４価Ｂ位置イオンがＴｉ＾４＾＋、Ｚｒ＾４＾＋、
   及びその混合物から選ばれる請求項１記載の誘電組成物
   。 ６、ドーナイオンがＮｂ＾５＾＋、Ｔａ＾５＾＋、３価
   希土類イオン、及びその混合物から選ばれる請求項１記
   載の誘電組成物。 ７、ドーナ補償イオンがＭｎ＾２＾＋、Ｍｎ＾３＾＋、
   Ｎｉ＾２＾＋、Ｃｒ＾３＾＋、Ｃｏ＾２＾＋、Ｃｏ＾３
   ＾＋、Ｇａ＾３＾＋、及びその混合物から選ばれる請求
   項１記載の誘電組成物 ８、化学量論的に次の基準を特徴とする、 ＢａＴｉＯ＿３の酸化物、ガラス形成カチオンの酸化物
   、ガラス変性カチオンの酸化物、Ａ位置ドーパント酸化
   物、Ｂ位置ドーパント酸化物、ドーナイオンの酸化物、
   ドーナ補償イオンの酸化物の微細分割粒子の混合物から
   本質的になる低酸素含有雰囲気で焼成してガラス形成及
   びガラス変性イオンの両者を有するフラックスの粒子間
   相を有するドーナードープＢａＴｉＯ＿３を製造するた
   めの組成物。 （ａ）Ａ位置酸化物とＢ位置酸化物とのモル比か１．２
   ０〜１．１０； （ｂ）ドーナ酸化物と全酸化物とのモル比が０．５〜３
   ．０％； （ｃ）ドーナ補償酸化物とドーナ酸化物とのモル比が少
   なくとも０．２０； （ｄ）ガラス形成酸化物と全酸化物とのモル比が０．５
   〜３．５％； （ｅ）ガラス変性酸化物と全酸化物とのモル比が１．５
   〜５．０％。