JPS63245404A - アニオン重合開始剤 - Google Patents
アニオン重合開始剤Info
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- JPS63245404A JPS63245404A JP8039887A JP8039887A JPS63245404A JP S63245404 A JPS63245404 A JP S63245404A JP 8039887 A JP8039887 A JP 8039887A JP 8039887 A JP8039887 A JP 8039887A JP S63245404 A JPS63245404 A JP S63245404A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F4/00—Polymerisation catalysts
- C08F4/42—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors
- C08F4/72—Metals; Metal hydrides; Metallo-organic compounds; Use thereof as catalyst precursors selected from metals not provided for in group C08F4/44
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
′r゛よび一
本発明は、ベンゼン環上に直接またはアルキレン基を介
して保護されたヒドロキシル基やアミノ基のような官能
基を有するα−アルギルスチレンの四量体以上のジアニ
オン型リビングテロマーよりなるアニオン重合開始剤に
関する。
して保護されたヒドロキシル基やアミノ基のような官能
基を有するα−アルギルスチレンの四量体以上のジアニ
オン型リビングテロマーよりなるアニオン重合開始剤に
関する。
近年、塗料用基体樹脂分野において、ハイソリッド化が
強く要請されている。周知のように、ハイソリッド化の
ためには基体樹脂が高濃度において塗装可能な粘度を保
つように低分子量化する必要がある。しかし既存の技術
による基体樹脂の低分子量化は、i)分子量分布が広い
ため闇雲な低分子量化は極端な低分子量分の生成の原因
となり塗装作業性、塗膜物性に悪影響を及ぼす、ii
)塗膜中の末端自由鎖の増加に伴い、望ましい塗膜物性
が得られない、等の欠点を有する。
強く要請されている。周知のように、ハイソリッド化の
ためには基体樹脂が高濃度において塗装可能な粘度を保
つように低分子量化する必要がある。しかし既存の技術
による基体樹脂の低分子量化は、i)分子量分布が広い
ため闇雲な低分子量化は極端な低分子量分の生成の原因
となり塗装作業性、塗膜物性に悪影響を及ぼす、ii
)塗膜中の末端自由鎖の増加に伴い、望ましい塗膜物性
が得られない、等の欠点を有する。
すなわち、ラジカル重合法によって得られる樹脂は、低
分子量化すると分子量分布が広いため極端な低分子量分
が生成し、極端な低分子量分の中には架橋点となる官能
基が含まれていない可能性がある。
分子量化すると分子量分布が広いため極端な低分子量分
が生成し、極端な低分子量分の中には架橋点となる官能
基が含まれていない可能性がある。
アニオン重合法、特にアニオンリビング重合法は比較的
分子量分布の狭い高分子が得られ、しかも分子量の調節
が容易であるので、より低粘度のハイソリッド塗料用樹
脂の合成法として適している。他方、塗料用樹脂として
使用するためには、分子鎖中に架橋剤と反応し得る官能
基を持っていることが必要である。しかもすぐれた物性
を有する硬化塗膜を得るためには、同じ分子鎮中に少な
くとも2個のそのような官能基を持っていることが望ま
しい。
分子量分布の狭い高分子が得られ、しかも分子量の調節
が容易であるので、より低粘度のハイソリッド塗料用樹
脂の合成法として適している。他方、塗料用樹脂として
使用するためには、分子鎖中に架橋剤と反応し得る官能
基を持っていることが必要である。しかもすぐれた物性
を有する硬化塗膜を得るためには、同じ分子鎮中に少な
くとも2個のそのような官能基を持っていることが望ま
しい。
ところが例えばα−メチルスチレンにNa金属を反応さ
せて得られるジアニオン型リビング四量体を開始剤とし
、二つの生長開始点からアニオン重合法によって生長さ
せて得られるポリマーの生長末端に官能基を導入して多
官能性ポリマーを得ようとする場合、もし一方の生長末
端が停止反応を起こすと単官能のモノマーしか得られな
い。
せて得られるジアニオン型リビング四量体を開始剤とし
、二つの生長開始点からアニオン重合法によって生長さ
せて得られるポリマーの生長末端に官能基を導入して多
官能性ポリマーを得ようとする場合、もし一方の生長末
端が停止反応を起こすと単官能のモノマーしか得られな
い。
そこで本発明は、アニオン重合法によってポリマー鎖の
中心付近と両末端に架橋剤と反応し得る官能基を有し、
分子量分布の狭いポリマーを合成するためのアニオン重
合開始剤を提供する。
中心付近と両末端に架橋剤と反応し得る官能基を有し、
分子量分布の狭いポリマーを合成するためのアニオン重
合開始剤を提供する。
本m列W斐
本発明は、一般式(I)
■
(式中、R1は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アルキ
ル基、R2ないしR4は独立にそれぞれ炭素数1〜6の
直鎖もしくは分岐アルキル基もしくはアルコキシ基、ま
たはフェニル基、R5は直接結合手または炭素数1〜6
のアルキレン基、^は一〇−か、または式−N−を表し
、R6は炭素数1〜6の直鎖わす。)を有する少なくと
も1種の化合物1〜4モルと、一般式(n) (式中、R1は前記に同じであり、R7は水素か、また
は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基を表す。
ル基、R2ないしR4は独立にそれぞれ炭素数1〜6の
直鎖もしくは分岐アルキル基もしくはアルコキシ基、ま
たはフェニル基、R5は直接結合手または炭素数1〜6
のアルキレン基、^は一〇−か、または式−N−を表し
、R6は炭素数1〜6の直鎖わす。)を有する少なくと
も1種の化合物1〜4モルと、一般式(n) (式中、R1は前記に同じであり、R7は水素か、また
は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基を表す。
)を有する化合物0〜3モルの割合からなるタキソマー
にアルカリ金属を反応させて得られるジアニオン型リビ
ングテロマーよりなるアニオン重合開始剤に関する。
にアルカリ金属を反応させて得られるジアニオン型リビ
ングテロマーよりなるアニオン重合開始剤に関する。
本発明の開始剤は、置換シリル基で保護されたヒドロキ
シル基および/またはアミノ基を有し、重合後得られた
ポリマーに微量の水分や酸を添加し、緩和な条件下で保
護基を説離することができるから、得られるポリマーは
両末端と、中心付近とに架橋剤と反応し得る官能基を有
することとなる。
シル基および/またはアミノ基を有し、重合後得られた
ポリマーに微量の水分や酸を添加し、緩和な条件下で保
護基を説離することができるから、得られるポリマーは
両末端と、中心付近とに架橋剤と反応し得る官能基を有
することとなる。
さらに、かりに一方の生長末端が停止反応を起こしても
、開始剤自体が官能基を有するため、物性に悪影響を及
ぼす一官能性もしくは無官能性のポリマーの生長確率が
従来の技術に比べ格段に低い。しかも開始剤に含まれる
ヒドロキシル基やアミノ基は置換シリル基で保護されて
いるため、アニオンリビング重合に際して開始点および
生長末端に対して安定である。
、開始剤自体が官能基を有するため、物性に悪影響を及
ぼす一官能性もしくは無官能性のポリマーの生長確率が
従来の技術に比べ格段に低い。しかも開始剤に含まれる
ヒドロキシル基やアミノ基は置換シリル基で保護されて
いるため、アニオンリビング重合に際して開始点および
生長末端に対して安定である。
々 しい h能1の一日
一般式(1)のうち八が一〇−である式1−aの化合物
R2−5i−Ra
彊
は、対応する遊離ヒドロキシル基を有するα−アルキル
スチレン誘導体(II[) 酵 H に、式 (式中、R1−R6は前記に同じであり、Xはハロゲン
を表す。)の置換シリル基含有化合物を反応させること
によって合成することができる。
スチレン誘導体(II[) 酵 H に、式 (式中、R1−R6は前記に同じであり、Xはハロゲン
を表す。)の置換シリル基含有化合物を反応させること
によって合成することができる。
例、tば、p−(2−ヒドロキシエチル)−α−メチル
スチレン(III、 R1=C1la 、 R5= −
CtlzCHz−)にトリメチルクロロシランを反応さ
せることにより・I)−(2−トリメチルシロキシエチ
ル)−α−メチルスチレン(I −a 、 R1,R2
,Ra、 R4=CH3。
スチレン(III、 R1=C1la 、 R5= −
CtlzCHz−)にトリメチルクロロシランを反応さ
せることにより・I)−(2−トリメチルシロキシエチ
ル)−α−メチルスチレン(I −a 、 R1,R2
,Ra、 R4=CH3。
Rs = −CH2CH2−)が得られる。
この反応はテトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド等の溶媒中、好ましくは窒素雰
囲気中、室温ないし加温下で行うことができる。
、ジメチルスルホキシド等の溶媒中、好ましくは窒素雰
囲気中、室温ないし加温下で行うことができる。
化合物1−aは、o−、m−またはp−ハローα−アル
キルスチレンのグリニヤー試薬(IV)gX (式中、R1は前記に同じであり、Xはハロゲンを状エ
ーテルを反応せしめ、さらに式 R3−5t−X薯 (符号は前記に同じ。)の置換ハロゲノシランを反応さ
せることによっても合成することができる。
キルスチレンのグリニヤー試薬(IV)gX (式中、R1は前記に同じであり、Xはハロゲンを状エ
ーテルを反応せしめ、さらに式 R3−5t−X薯 (符号は前記に同じ。)の置換ハロゲノシランを反応さ
せることによっても合成することができる。
例えばp−ブロモ−α−メチルスチレンのグリニヤー試
薬(■、 R1−CH3、X=Br)に、エチレンオキ
シドを反応させた後、さらにトリメチルクロロシランを
反応させることにより、p−(2−トリメチルシロキシ
エチル)−α−メチルスチレン(1−a、 Rs、 R
2,Rs、 R4=CH3、R5= −CH2CH2−
)が得られる。
薬(■、 R1−CH3、X=Br)に、エチレンオキ
シドを反応させた後、さらにトリメチルクロロシランを
反応させることにより、p−(2−トリメチルシロキシ
エチル)−α−メチルスチレン(1−a、 Rs、 R
2,Rs、 R4=CH3、R5= −CH2CH2−
)が得られる。
この反応はテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等の
溶媒中、窒素雰囲気中もしくは高真空下、0℃〜40℃
において行うことができる。
溶媒中、窒素雰囲気中もしくは高真空下、0℃〜40℃
において行うことができる。
式I−aの化合物の合成法としては、開始剤が不純物を
きらうので後者の方法の方が好ましい。
きらうので後者の方法の方が好ましい。
一般式CI)において八が−N−である化合物e
は、対応する1級または2級アミノ基を有するα−アル
キルスチレン31体(V) R1 HRe (式中符号は前記に同じ)に、R3−3t−Xの置換ハ
ロシランを反応せしめることによって得られる。
キルスチレン31体(V) R1 HRe (式中符号は前記に同じ)に、R3−3t−Xの置換ハ
ロシランを反応せしめることによって得られる。
例えば、p−(2−メチルアミノエチル)−α−メチル
スチレン(V、 Rs= −CHzCHz−、R5=C
++3)にトリメチルクロロシランを反応させることに
より、p −(2−(N−メチル−N−)リメチルシリ
ルアミノ)エチル〕−α−メチルスチレン(■−b、
R1,R2,R3,R4,Re=CI+3. R5=
−CH2CH2−)が得られる。
スチレン(V、 Rs= −CHzCHz−、R5=C
++3)にトリメチルクロロシランを反応させることに
より、p −(2−(N−メチル−N−)リメチルシリ
ルアミノ)エチル〕−α−メチルスチレン(■−b、
R1,R2,R3,R4,Re=CI+3. R5=
−CH2CH2−)が得られる。
この反応は、遊離ヒドロキシル基を有するα−アルキル
スチレン誘導体(I)に置換ハロシラン化合物を反応さ
せてシリル基で保護されたヒドロキシル基を有するα−
アルキルスチレン誘導体I−aを合成する反応と同じ条
件下で合成することができる。
スチレン誘導体(I)に置換ハロシラン化合物を反応さ
せてシリル基で保護されたヒドロキシル基を有するα−
アルキルスチレン誘導体I−aを合成する反応と同じ条
件下で合成することができる。
このようにして合成した保護された官能基を有するα−
アルキルスチレン誘導体I−aまたは■−bは、単独で
アルカリ金属もしくはアルカリ金属合金と反応させるこ
とによってリビングテロマー、例えば四量体を形成し、
保護された官能基を有する二官能性(二つの生長開始点
を有する)の。
アルキルスチレン誘導体I−aまたは■−bは、単独で
アルカリ金属もしくはアルカリ金属合金と反応させるこ
とによってリビングテロマー、例えば四量体を形成し、
保護された官能基を有する二官能性(二つの生長開始点
を有する)の。
開始剤が得られる。
また化合物1−aおよびI−bの任意の割合の混合物に
アルカリ金属もしくはアルカリ金属合金を反応させるこ
とにより、異種の保護された官能基を有する二官能性の
開始剤が得られる。
アルカリ金属もしくはアルカリ金属合金を反応させるこ
とにより、異種の保護された官能基を有する二官能性の
開始剤が得られる。
さらに化合物1−aおよび/またはI−bと、保護され
た官能基を持たないα−アルキルスチレンまたはその誘
導体(n)との混合物をタキソマーとし、同様にアルカ
リ金属もしくはアルカリ金属合金を反応させることによ
り、保護された官能基の数を減らした開始剤を合成する
ことができる。
た官能基を持たないα−アルキルスチレンまたはその誘
導体(n)との混合物をタキソマーとし、同様にアルカ
リ金属もしくはアルカリ金属合金を反応させることによ
り、保護された官能基の数を減らした開始剤を合成する
ことができる。
この場合、タキソマー混合物の比率は、生成したりピン
グテロマー中に保護された官能基を有する° タキソマ
ーr−aまたは1−bを必ず含むような割合でなければ
ならない。
グテロマー中に保護された官能基を有する° タキソマ
ーr−aまたは1−bを必ず含むような割合でなければ
ならない。
テロメリ化は、窒素雰囲気中、より好ましくは高真空下
、室温ないし加温下に行うことができる。
、室温ないし加温下に行うことができる。
溶媒はテトラヒドロフランをはじめとするエーテル類を
使用することができる。溶媒中のタキソマー濃度は任意
であるが、一般に4〜5モル%未満が好ましい。アルカ
リ金属としては、ナトリウム。
使用することができる。溶媒中のタキソマー濃度は任意
であるが、一般に4〜5モル%未満が好ましい。アルカ
リ金属としては、ナトリウム。
カリウム、ナトリウム/カリウム合金、セシウムを使用
することができる。
することができる。
実施例1
第1図に示す装置を10−Cmm11gまで脱気後Bを
切り取り、そこからフレーク状金属マグネシウム3.5
gを入れ、Bを溶封する。さらに10 ’mm11gま
で脱気後Aで溶封し、装置を真空ラインより切り離す。
切り取り、そこからフレーク状金属マグネシウム3.5
gを入れ、Bを溶封する。さらに10 ’mm11gま
で脱気後Aで溶封し、装置を真空ラインより切り離す。
Eの脱水精製したテトラヒドロフラン(THF)150
miをGに入れ、さらにDのp−ブロモ−α−メチルス
チレン15.8ydを徐々にGに入れる。30℃で3時
間攪拌反応させた後Fのフィルターでマグネシウム粉を
口過し、溶液をHに入れ、Cで溶封した。
miをGに入れ、さらにDのp−ブロモ−α−メチルス
チレン15.8ydを徐々にGに入れる。30℃で3時
間攪拌反応させた後Fのフィルターでマグネシウム粉を
口過し、溶液をHに入れ、Cで溶封した。
次に第2図に示す装置を10 = mm11gまで脱気
後Aで溶封し、装置を真空ラインより切り離し、Eのp
−ブロモ−α−メチルスチレンのグリニヤー試薬166
蔵をGに入れ、水浴上でCのエチレンオキシド6.0減
をGに徐々に加えた。室温で3時間攪拌後、Jのトリメ
チルクロルシラン14.8dを加え、室温で3時間反応
させた後、溶媒や過剰の試薬をKに真空蒸留し、■で溶
封した。次にDの脱水精製したトルエン80淑をGに入
れ、マグネシウム塩を析出させ、それをFで口過し、溶
液をHに入れ、Bで溶封した。その溶液を数回真空蒸留
することにより、p−(2−メリメチルシロキシエチル
)−α−メチルスチレン(MOMS’)を得た。収率9
8% このMOMSのIH−NMR(測定溶媒CDα31以下
同じ)分析結果を以下に示す。(第4図参照)0.1
ppm (s、 9t(、5i−CI+3 )2.2
ppm (s、 311. CH2−C−)に 2.9ppm (t、 2tl 、 −山一5i−
)3.8ppm (t、 2B 、 −0−Ctl
z −)5、1. 5.4ppm (d、 211
、 CI+2 =C−)実施例2 実施例1と同じ装置を用い、同じ方法によって、 T
HF140mRとp−ブロモ−α−メチルスチレ713
、1 vdとより得られたグリニヤーgEffi153
成に、エチレンオキシド5.0淑およびトリエチルクロ
ルシラン16.0dを反応させ、p−(2−)リエチル
シロキジエチル)−α−メチルスチレン(EOMS)を
97%の収率で得た。
後Aで溶封し、装置を真空ラインより切り離し、Eのp
−ブロモ−α−メチルスチレンのグリニヤー試薬166
蔵をGに入れ、水浴上でCのエチレンオキシド6.0減
をGに徐々に加えた。室温で3時間攪拌後、Jのトリメ
チルクロルシラン14.8dを加え、室温で3時間反応
させた後、溶媒や過剰の試薬をKに真空蒸留し、■で溶
封した。次にDの脱水精製したトルエン80淑をGに入
れ、マグネシウム塩を析出させ、それをFで口過し、溶
液をHに入れ、Bで溶封した。その溶液を数回真空蒸留
することにより、p−(2−メリメチルシロキシエチル
)−α−メチルスチレン(MOMS’)を得た。収率9
8% このMOMSのIH−NMR(測定溶媒CDα31以下
同じ)分析結果を以下に示す。(第4図参照)0.1
ppm (s、 9t(、5i−CI+3 )2.2
ppm (s、 311. CH2−C−)に 2.9ppm (t、 2tl 、 −山一5i−
)3.8ppm (t、 2B 、 −0−Ctl
z −)5、1. 5.4ppm (d、 211
、 CI+2 =C−)実施例2 実施例1と同じ装置を用い、同じ方法によって、 T
HF140mRとp−ブロモ−α−メチルスチレ713
、1 vdとより得られたグリニヤーgEffi153
成に、エチレンオキシド5.0淑およびトリエチルクロ
ルシラン16.0dを反応させ、p−(2−)リエチル
シロキジエチル)−α−メチルスチレン(EOMS)を
97%の収率で得た。
IH−NMR(第5図参照)
0、6ppm (q、 68 、 Si −C1+2
−CI+3 )1.0ppm (t、 911
、 −5i −C)+2 −CI+3 )2.2pp
m (s、 3H,CH2=C−CH3)2.9p
pm (t、 211 、 −ニー5i−)■ 3.8ppm (t、 2H、−0−CI+2 −
)5、1 、 5.4ppm (d、 211 、
CI+2 =C−)実施例3 実施例1と同じ装置を用い、同じ方法によってrHF1
551nJ2.p−ブロモ−α−メチルスチレン170
dとより得られたグリニヤー試薬172淑に、エチレン
オキシド6.5減およびt−ブチルジメチルクロルシラ
ン21.51n!2を反応させ、p−(2−1−ブチル
ジメチルシロキシエチル)−α−メチルスチレン(BO
MS)を98%の収率で得た。
−CI+3 )1.0ppm (t、 911
、 −5i −C)+2 −CI+3 )2.2pp
m (s、 3H,CH2=C−CH3)2.9p
pm (t、 211 、 −ニー5i−)■ 3.8ppm (t、 2H、−0−CI+2 −
)5、1 、 5.4ppm (d、 211 、
CI+2 =C−)実施例3 実施例1と同じ装置を用い、同じ方法によってrHF1
551nJ2.p−ブロモ−α−メチルスチレン170
dとより得られたグリニヤー試薬172淑に、エチレン
オキシド6.5減およびt−ブチルジメチルクロルシラ
ン21.51n!2を反応させ、p−(2−1−ブチル
ジメチルシロキシエチル)−α−メチルスチレン(BO
MS)を98%の収率で得た。
IH−NMR(第6図参照)
0−2ppm (s、 611. Si −CI
+3 )0.9ppm (s、 9H,St −C−
CI+3 )2.2ppm (s、 31L CH2
=C−CHa )2.9ppm (t、 21+ 、
−阻−5i−)5、1 、 5.4ppm (d
、 2H、CHz =C実施例4 第3図に示す装置を10 ’mmt1gまで脱気後Bを
切り取り、そこからNa金屈約1gを入れ、Bを溶封し
、さらに10− mm11gまで脱気f&Bをバーナー
で加熱し、酸化されていないNa金属をKに流し込み、
■で溶封した。次にKをバーナーで加熱し、G内にNa
ミラーをつくり、KをJより切り離し、10−6mmH
gまで脱気後、Aを溶封することにより装置を真空ライ
ンより切り離した。DのTHFI50蔵をGに入れ、E
のROM34.4m!eを徐々にGに滴下し、室温で2
時間接伴後、Fのフィルターを通してEOMSのリビン
グ四量体THF溶液をHに入れ溶封した。この溶液はり
ピングアニオン特有の黒褐色を呈していた。得られた開
始剤は酸滴定により0.089Nとなり、計算値0.0
93Nとよく一致した。
+3 )0.9ppm (s、 9H,St −C−
CI+3 )2.2ppm (s、 31L CH2
=C−CHa )2.9ppm (t、 21+ 、
−阻−5i−)5、1 、 5.4ppm (d
、 2H、CHz =C実施例4 第3図に示す装置を10 ’mmt1gまで脱気後Bを
切り取り、そこからNa金屈約1gを入れ、Bを溶封し
、さらに10− mm11gまで脱気f&Bをバーナー
で加熱し、酸化されていないNa金属をKに流し込み、
■で溶封した。次にKをバーナーで加熱し、G内にNa
ミラーをつくり、KをJより切り離し、10−6mmH
gまで脱気後、Aを溶封することにより装置を真空ライ
ンより切り離した。DのTHFI50蔵をGに入れ、E
のROM34.4m!eを徐々にGに滴下し、室温で2
時間接伴後、Fのフィルターを通してEOMSのリビン
グ四量体THF溶液をHに入れ溶封した。この溶液はり
ピングアニオン特有の黒褐色を呈していた。得られた開
始剤は酸滴定により0.089Nとなり、計算値0.0
93Nとよく一致した。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はタキソマーの合成に使用する装置
の一例の概略図、第3図は開始剤の製造に使用する装置
の一例の概略図、第4図ないし第6図は実施例1ないし
3によって合成した化合物のIH−NMRスペクトルで
ある。 第1図 第2図 手続補正書 昭和62年 6月2乙日 昭和62年特許願第080398号 2、 発明の名称 アニオン重合開始剤 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 日本ペイント株式会社 4、代理人 自 発 6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象 発明の詳細な説明 補正の内容 1、 明細書第3頁第3行目の「四量体以上の」を削除
する。 2、同第7頁第4行目の「生長確率」を「生成確率」に
訂正する。 3、 同第9頁第8行目の「ことができる。」の次に「
またこの反応はイミダゾール等のアミンの存在下で行う
ことができる。」を挿入する。 4、同第18頁第6行と第7行の間に下記を挿入する。 「実施例5
の一例の概略図、第3図は開始剤の製造に使用する装置
の一例の概略図、第4図ないし第6図は実施例1ないし
3によって合成した化合物のIH−NMRスペクトルで
ある。 第1図 第2図 手続補正書 昭和62年 6月2乙日 昭和62年特許願第080398号 2、 発明の名称 アニオン重合開始剤 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 日本ペイント株式会社 4、代理人 自 発 6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の対象 発明の詳細な説明 補正の内容 1、 明細書第3頁第3行目の「四量体以上の」を削除
する。 2、同第7頁第4行目の「生長確率」を「生成確率」に
訂正する。 3、 同第9頁第8行目の「ことができる。」の次に「
またこの反応はイミダゾール等のアミンの存在下で行う
ことができる。」を挿入する。 4、同第18頁第6行と第7行の間に下記を挿入する。 「実施例5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アル
キル基、R_2ないしR_4は独立にそれぞれ炭素数1
〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基もしくはアルコキシ
基、またはフェニル基、R_5は直接結合手または炭素
数1〜6のアルキレン基、Aは−O−か、または式▲数
式、化学式、表等があります▼を表し、R_6は炭素数
1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基か、または▲数式
、化学式、表等があります▼を表す。)を有する少なく
とも1種の化合物1〜4と、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_1は前記に同じであり、R_7は水素か、
または炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐アルキル基を表
す。)を有する化合物0〜3モルの割合からなるタキソ
マーにアルカリ金属を反応させて得られるジアニオン型
リビングテロマーよりなるアニオン重合開始剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8039887A JPS63245404A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | アニオン重合開始剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8039887A JPS63245404A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | アニオン重合開始剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63245404A true JPS63245404A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13717181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8039887A Pending JPS63245404A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | アニオン重合開始剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63245404A (ja) |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP8039887A patent/JPS63245404A/ja active Pending
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