JPS63244811A - 摺動接点装置 - Google Patents
摺動接点装置Info
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- JPS63244811A JPS63244811A JP62079054A JP7905487A JPS63244811A JP S63244811 A JPS63244811 A JP S63244811A JP 62079054 A JP62079054 A JP 62079054A JP 7905487 A JP7905487 A JP 7905487A JP S63244811 A JPS63244811 A JP S63244811A
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- Japan
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- thick film
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- pattern
- contact
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- Pending
Links
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Contacts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来より上記のポリニームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、樹脂基板上
にカーボン（Ｃ）などの抵抗ペーストにて厚膜抵抗バク
ーンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パ
ターンに対向して摺動し得るようになされたスプリング
端子材に“Ａｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり
接点とにより構成されているが、この摺動接点装置は、
ノイズが発生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ば
らつきがあって不安定であり接触信頼性にやや欠けるも
のであった。
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、樹脂基板上
にカーボン（Ｃ）などの抵抗ペーストにて厚膜抵抗バク
ーンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パ
ターンに対向して摺動し得るようになされたスプリング
端子材に“Ａｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり
接点とにより構成されているが、この摺動接点装置は、
ノイズが発生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ば
らつきがあって不安定であり接触信頼性にやや欠けるも
のであった。
この為、樹脂基板上のカーボンの厚膜抵抗パターンのす
り接点と摺動する部分を、Ａｇ−樹脂系の導体ペースト
に置き換えて硬化するかあるいは厚膜抵抗パターンのす
り接点と摺動する部分にＡｇ−樹脂系導体ペーストを重
ねて硬化することにより、接触信頼性を改善していた。
り接点と摺動する部分を、Ａｇ−樹脂系の導体ペースト
に置き換えて硬化するかあるいは厚膜抵抗パターンのす
り接点と摺動する部分にＡｇ−樹脂系導体ペーストを重
ねて硬化することにより、接触信頼性を改善していた。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、＊ｇｔｔが起こり、摩耗が促進され早
期に寿命となる問題点があった。
為、容易に凝着、＊ｇｔｔが起こり、摩耗が促進され早
期に寿命となる問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。
装置を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、樹脂基板上に、抵抗ペーストにて厚膜抵抗パターンを
形成し、この厚膜抵抗パターンに接続してＡｇ−樹脂系
導体ペーストにて厚膜導体パターンを形成して成る配ｖ
Ａ仮と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
し得るようになされＡｇ−タングステン４０〜７５−ｔ
％の接点材がスプリング端子材に取付けられて成るすり
接点とにより構成されていることを特徴とする。
、樹脂基板上に、抵抗ペーストにて厚膜抵抗パターンを
形成し、この厚膜抵抗パターンに接続してＡｇ−樹脂系
導体ペーストにて厚膜導体パターンを形成して成る配ｖ
Ａ仮と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
し得るようになされＡｇ−タングステン４０〜７５−ｔ
％の接点材がスプリング端子材に取付けられて成るすり
接点とにより構成されていることを特徴とする。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をＡ
ｇ−タングステン４０〜７５−ｔ％とした理由は、Ａｇ
中のタングステンが４０ｗｔ％未満だと凝着抑制効果が
薄く、そのすり接点が樹脂基板上のＡｇ−樹脂系の厚膜
導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生じ、タン
グステンが７５−ｔ％を超えると、使用中に発生するタ
ングステンの酸化物が多くなりノイズの発生原因となる
からである。
ｇ−タングステン４０〜７５−ｔ％とした理由は、Ａｇ
中のタングステンが４０ｗｔ％未満だと凝着抑制効果が
薄く、そのすり接点が樹脂基板上のＡｇ−樹脂系の厚膜
導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生じ、タン
グステンが７５−ｔ％を超えると、使用中に発生するタ
ングステンの酸化物が多くなりノイズの発生原因となる
からである。
（作用）
上記の如（構成された摺動接点装置は、すり接点と樹脂
基板上の厚膜導体パターンとの接触作用において、すり
接点のＡｇ−タングステン４０〜フ５導体パターンと凝
着することが無く、そのパターンの剥離が殆んど無くな
り、摩耗が減少して良好な接触が得られる。
基板上の厚膜導体パターンとの接触作用において、すり
接点のＡｇ−タングステン４０〜フ５導体パターンと凝
着することが無く、そのパターンの剥離が殆んど無くな
り、摩耗が減少して良好な接触が得られる。
（実施例）
本発明の摺動接点装置の実施例の説明すると、図に示す
如ｈｖｉ厚０，６ｍｍ、直径３０朋のエポキシ樹脂製基
板１上の外周に幅３龍でカーボンの抵抗ペーストをスク
リーン印刷し、１３０℃で硬化して厚さ１０μの厚膜抵
抗パターン２を形成し、この厚膜抵抗パターン２に接続
して、周方向に、Ａｇ−樹脂導体ペーストをスクリーン
印刷し、１３０℃で硬化して、０．２龍間隔に幅０．２
鶴、長さ７ ｎ＋、厚さ１０μの厚膜導体パターン（Ａ
ｇ−樹脂２６−ｔ％）３を形成して配ｖＡ板４とした。
如ｈｖｉ厚０，６ｍｍ、直径３０朋のエポキシ樹脂製基
板１上の外周に幅３龍でカーボンの抵抗ペーストをスク
リーン印刷し、１３０℃で硬化して厚さ１０μの厚膜抵
抗パターン２を形成し、この厚膜抵抗パターン２に接続
して、周方向に、Ａｇ−樹脂導体ペーストをスクリーン
印刷し、１３０℃で硬化して、０．２龍間隔に幅０．２
鶴、長さ７ ｎ＋、厚さ１０μの厚膜導体パターン（Ａ
ｇ−樹脂２６−ｔ％）３を形成して配ｖＡ板４とした。
一方、この配線板４の厚膜導体パターン３に対向して夫
々摺動するようになされた２種のすり接点５は、Ａｇ−
タングステン５０−ｔ％とＡｇ−タングステン６５ｗｔ
％の２種の接点線材（直径３ 、 Ｏ ｗａｒ ）から
作製した頭部径３龍、頭部厚さ０．６鶴、脚部径１ 、
５ ｍｓ、脚部長１．５鰭の２種のリベット接点６を
、夫々幅４ｍ，厚さ０、１５ｍｍのＢ ｅ−Ｃｕより成
るスプリング端子材７の接点取付穴に挿入しかしめて成
るものである。
々摺動するようになされた２種のすり接点５は、Ａｇ−
タングステン５０−ｔ％とＡｇ−タングステン６５ｗｔ
％の２種の接点線材（直径３ 、 Ｏ ｗａｒ ）から
作製した頭部径３龍、頭部厚さ０．６鶴、脚部径１ 、
５ ｍｓ、脚部長１．５鰭の２種のリベット接点６を
、夫々幅４ｍ，厚さ０、１５ｍｍのＢ ｅ−Ｃｕより成
るスプリング端子材７の接点取付穴に挿入しかしめて成
るものである。
このように構成された実施例１、２の摺動接点装置と、
Ａｇ接点材を有するすり接点を実施例と同じ配線板４の
Ａｇ−樹脂２６ｗｔ％の厚膜導体パターン３と対向させ
て成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条件にて摺
動開閉試験を行った処、下記の表に示すような結果を得
た。
Ａｇ接点材を有するすり接点を実施例と同じ配線板４の
Ａｇ−樹脂２６ｗｔ％の厚膜導体パターン３と対向させ
て成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条件にて摺
動開閉試験を行った処、下記の表に示すような結果を得
た。
試験条件
接触カニ１０ｇ、動作：回転往復型（５５度）、駆動：
６０ストローク／ｎ＋ｉｎ，通電：１２■、１００ｍＡ
（以下余白） 上記の表で明らかなように実施例１、２の摺動接点装置
は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増している
ことが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ−タング
ステン４０〜フ５滑りやすい為、対向するＡｇ−樹脂系
の厚膜導体パターン３と凝着することが無く、またその
パターンが剥離することも無（、摩耗も減少するからに
他ならない。
６０ストローク／ｎ＋ｉｎ，通電：１２■、１００ｍＡ
（以下余白） 上記の表で明らかなように実施例１、２の摺動接点装置
は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増している
ことが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ−タング
ステン４０〜フ５滑りやすい為、対向するＡｇ−樹脂系
の厚膜導体パターン３と凝着することが無く、またその
パターンが剥離することも無（、摩耗も減少するからに
他ならない。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン３の摩耗により、
すり接点５が樹脂基板との接触となって、オープン状態
（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パターン
３間のスリット部の目詰まりによりショートした場合で
判定した。
すり接点５が樹脂基板との接触となって、オープン状態
（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パターン
３間のスリット部の目詰まりによりショートした場合で
判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板４は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。また樹脂基板上にベローズ形状に前
後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、その上に厚
膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配線板と、
この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動するよう
にしたすり接点とより成る摺動接点装置としても良い。
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。また樹脂基板上にベローズ形状に前
後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、その上に厚
膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配線板と、
この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動するよう
にしたすり接点とより成る摺動接点装置としても良い。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のＡｇ−タングステン４０〜７５−ｔ％が滑りやす
いので、接触作用において樹脂基板上のＡｇ−樹脂系導
体パターンと凝着することが無く、又そのパターンの剥
離も殆んど無くなり、摩耗も減少して良好な接触が得ら
れる。
接点のＡｇ−タングステン４０〜７５−ｔ％が滑りやす
いので、接触作用において樹脂基板上のＡｇ−樹脂系導
体パターンと凝着することが無く、又そのパターンの剥
離も殆んど無くなり、摩耗も減少して良好な接触が得ら
れる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。
しく増長する。
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略図であ
る。
る。
Claims (1)
- 樹脂基板上に、抵抗ペーストにて厚膜抵抗パターンを
形成し、この厚膜抵抗パターンに接続してＡｇ−樹脂系
導体ペーストにて厚膜導体パターンを形成して成る配線
板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動し
得るようになされＡｇ−タングステン４０〜７５ｗｔ％
の接点材がスプリング端子材に取り付けられて成るすり
接点とにより構成されていることを特徴とする摺動接点
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079054A JPS63244811A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 摺動接点装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079054A JPS63244811A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 摺動接点装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244811A true JPS63244811A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13679181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62079054A Pending JPS63244811A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 摺動接点装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244811A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7727335B2 (en) | 2002-11-05 | 2010-06-01 | Theva Dunnschichttechnik Gmbh | Device and method for the evaporative deposition of a coating material |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62079054A patent/JPS63244811A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7727335B2 (en) | 2002-11-05 | 2010-06-01 | Theva Dunnschichttechnik Gmbh | Device and method for the evaporative deposition of a coating material |
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